技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種用核殼結(jié)構(gòu)納米粒子增強(qiáng)量子點(diǎn)發(fā)光的方法。核殼結(jié)構(gòu)納米粒子，其內(nèi)核金屬納米粒子表面局域強(qiáng)電磁場(chǎng)可以增強(qiáng)量子點(diǎn)發(fā)光性能，同時(shí)其惰性殼層可以有效避免金屬納米粒子和量子點(diǎn)接觸所導(dǎo)致熒光猝滅，因此可以顯著提高量子點(diǎn)發(fā)光效果數(shù)十倍至數(shù)千倍。通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)的方法制備量子點(diǎn)薄膜,然后室溫條件下在薄膜表面分散核殼結(jié)構(gòu)納米粒子，實(shí)現(xiàn)快速顯著增強(qiáng)量子點(diǎn)發(fā)光行為。本實(shí)驗(yàn)增強(qiáng)方法簡(jiǎn)便易行，無(wú)污染，普適性好，具有很強(qiáng)的可操作性。該原理和方法可應(yīng)用于發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池、納米激光器、光伏紅外探測(cè)器、單電子電晶體等方面。

技術(shù)研發(fā)人員：李劍鋒;殷昊;程春曉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晉江斯貝克新材料科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710055023
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.24
技術(shù)公布日：2017.06.30