1.一種研磨液，其是包含氧化鈰粒子、有機(jī)酸A、具有羧酸基或羧酸鹽基的高分子化合物B以及水的CMP用研磨液，
所述有機(jī)酸A為丙酸，
所述有機(jī)酸A的含量相對于研磨液總質(zhì)量為0.001～1質(zhì)量％，
所述高分子化合物B的含量相對于研磨液總質(zhì)量為0.01～0.50質(zhì)量％，所述研磨液的pH為4.0以上7.0以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B是水溶性有機(jī)高分子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨液，其中，所述有機(jī)酸A的含量相對于研磨液總質(zhì)量為0.005質(zhì)量％以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述有機(jī)酸A的含量相對于研磨液總質(zhì)量為0.01質(zhì)量％以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述有機(jī)酸A的含量相對于研磨液總質(zhì)量為0.1質(zhì)量％以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述有機(jī)酸A的含量相對于研磨液總質(zhì)量為0.05質(zhì)量％以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子是通過將選自碳酸鹽的鈰化合物、硝酸鹽的鈰化合物、硫酸鹽的鈰化合物和草酸鹽的鈰化合物組成的組中的鈰化合物氧化而得到的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的平均粒徑是10～500nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的平均粒徑是20～400nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的平均粒徑是50～300nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的含量為0.1質(zhì)量％以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的含量為0.5質(zhì)量％以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的含量為20質(zhì)量％以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的含量為5質(zhì)量％以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述氧化鈰粒子的含量為1.5質(zhì)量％以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，作為由包含所述氧化鈰粒子和所述水的第1液體和包含所述有機(jī)酸A、所述高分子化合物B和所述水的第2液體構(gòu)成的二液式研磨液保存。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的研磨液，其中，所述第1液體進(jìn)一步含有分散劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的研磨液，其中，所述分散劑選自水溶性陰離子性分散劑、水溶性非離子性分散劑、水溶性陽離子性分散劑以及水溶性兩性分散劑。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的研磨液，其中，所述分散劑的含量以研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)為0.001～10質(zhì)量％的范圍。
20.根據(jù)權(quán)利要求1～19中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B選自：聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚賴氨酸、聚蘋果酸、聚酰胺酸、聚酰胺酸銨鹽、聚酰胺酸鈉鹽以及聚乙醛酸；選自丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸的具有羧酸基的單體的均聚物；所述均聚物的所述羧酸基部分為銨鹽的均聚物；具有羧酸鹽基的單體與羧酸的烷基酯的共聚物；以及聚(甲基)丙烯酸的羧酸基的一部分被取代成羧酸銨鹽基的聚合物。
21.根據(jù)權(quán)利要求1～20中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的含量以研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)為0.02質(zhì)量％以上。
22.根據(jù)權(quán)利要求1～21中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的含量以研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)為0.05質(zhì)量％以上。
23.根據(jù)權(quán)利要求1～22中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的含量以研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)為0.40質(zhì)量％以下。
24.根據(jù)權(quán)利要求1～23中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的含量以研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)為0.30質(zhì)量％以下。
25.根據(jù)權(quán)利要求1～24中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的含量以研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計(jì)為0.20質(zhì)量％以下。
26.根據(jù)權(quán)利要求1～25中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的重均分子量為100000以下。
27.根據(jù)權(quán)利要求1～26中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的重均分子量為10000以下。
28.根據(jù)權(quán)利要求1～27中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述高分子化合物B的重均分子量為1000以上。
29.根據(jù)權(quán)利要求1～28中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，pH為4.0以上6.0以下。
30.根據(jù)權(quán)利要求1～29中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，pH為4.0以上5.5以下。
31.一種基板的研磨方法，使用權(quán)利要求1～30中任一項(xiàng)所述的研磨液來研磨在基板表面上形成的被研磨膜。
32.權(quán)利要求1～30中任一項(xiàng)所述的研磨液對于研磨在基板表面上形成的被研磨膜的應(yīng)用。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的應(yīng)用，其中，所述基板選自形成有電路元件和線路圖形的階段的半導(dǎo)體基板、以及在形成有電路元件的階段的半導(dǎo)體基板上形成有無機(jī)絕緣膜的基板。