技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
在所述實例中，用于以大致相等的蝕刻速率同時蝕刻NiFe和AIN的蝕刻劑包括磷酸、乙酸、硝酸和去離子水?？墒褂肗iFe與AIN的交替層來形成集成電路(100)中磁通門磁力計的磁芯(120)。濕法蝕刻以良好的尺寸控制并且以良好的所得磁芯輪廓提供了交替層的良好蝕刻速率。NiFe與AIN的交替層可用應(yīng)力緩解層(118、122)包封?？墒褂每刮g劑圖案來限定磁芯幾何形狀?？煽刂茲穹ㄎg刻的過度蝕刻時間，使得蝕刻后磁芯圖案延伸超過磁芯的基部至少1.5μm。用于形成抗蝕劑圖案的光掩模也可用于形成應(yīng)力緩解蝕刻圖案。

技術(shù)研發(fā)人員：M·M·伊薩;Y·張;M·詹森
受保護的技術(shù)使用者：德克薩斯儀器股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.02
技術(shù)公布日：2017.08.01