使用高度反射的試劑的量子產(chǎn)率的提高相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)是2012年5月22日提交的臨時(shí)申請(qǐng)No61/650,238的非臨時(shí)版本并且要求其優(yōu)先權(quán)，該臨時(shí)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及高度發(fā)光材料的組合物。本發(fā)明更具體地涉及具有增強(qiáng)的發(fā)光性能的納米粒子組合物。背景在經(jīng)常被稱為量子點(diǎn)(QD)、納米粒子或納米晶體的處于具有2-50納米(nm)的級(jí)別的尺寸的粒子的形式的化合物半導(dǎo)體的制備和表征方面，已經(jīng)存在相當(dāng)大的興趣。興趣的產(chǎn)生主要是由于這些材料的尺寸相關(guān)的電子性能，這些性能可以用于許多商業(yè)用途如光學(xué)和電子器件、生物標(biāo)記、太陽(yáng)能電池、催化、生物成像、發(fā)光二極管、一般空間照明、以及電致發(fā)光和光致發(fā)光顯示器。特別相關(guān)的感興趣的領(lǐng)域是在用于液晶顯示器(LCD)的背光照明中使用基于QD的發(fā)射器。常規(guī)的背光單元由冷陰極熒光燈(CCFL)和漫射體片組成，以提供大面積的均勻白光。由于能量和尺寸限制，最近，RGB-LED已經(jīng)代替了CCFL光源。進(jìn)一步的發(fā)展是使用與含有常規(guī)磷光體如YAG的片材組合的藍(lán)色LED激發(fā)源，在此處“磷光體層”或“磷光體片”位于漫射體層的頂部附近或其上并且遠(yuǎn)離光/激發(fā)源。當(dāng)前在降頻變換(downconverting)應(yīng)用中使用的發(fā)磷光材料吸收UV或者主要吸收藍(lán)光并將它變換成更長(zhǎng)的波長(zhǎng)，并且大部分磷光體目前使用三價(jià)稀土摻雜的氧化物或鹵代磷酸鹽。通過(guò)將在藍(lán)光區(qū)、綠光區(qū)和紅光區(qū)中發(fā)射的磷光體與發(fā)射藍(lán)光或UV的固態(tài)器件的磷光體混合，獲得白色發(fā)射，即藍(lán)光發(fā)射LED加綠色磷光體如SrGa2S4:Eu2+和紅色磷光體如SrSiEu2+，或者UV光發(fā)射LED加黃色磷光體如Sr2P2O7:Eu2+；Mu2+和藍(lán)色-綠色磷光體。目前，白色LED通過(guò)將藍(lán)色LED與黃色磷光體組合而制造，然而，當(dāng)使用這種方法時(shí)，由于缺乏LED和磷光體的可調(diào)節(jié)性，顏色控制和顯色性差。此外，由于缺乏可用的磷光體顏色，常規(guī)LED磷光體技術(shù)使用具有差的顯色性(即顯色性指數(shù)(CRI)＜75)的降頻變換材料。在使用作為在LED用途如LCD中的降頻變換材料的QD的性能方面，已經(jīng)存在相當(dāng)大的興趣。由于它們的可以用于許多商業(yè)用途的可尺寸調(diào)節(jié)的電子性能，這些材料是令人感興趣的。兩個(gè)基本因素是形成它們的獨(dú)特性能的原因，這兩個(gè)因素都涉及單個(gè)半導(dǎo)體納米粒子的尺寸。第一個(gè)因素是大的表面與體積的比率；隨著粒子變得更小，表面原子的數(shù)目與內(nèi)部原子的數(shù)目的比率增加。這導(dǎo)致表面性能在材料的總體性能中起著重要的作用。影響包括半導(dǎo)體納米粒子在內(nèi)的許多材料的第二個(gè)因素是材料的電子性能隨尺寸的改變；因?yàn)榱孔酉拗谱饔茫S著粒子的尺寸減小帶隙逐漸變大。這種作用是“箱中電子”的限制的結(jié)果，“箱中電子”產(chǎn)生離散能級(jí)，類似于在原子和分子中觀察到的那些，而不是如在相應(yīng)的大塊半導(dǎo)體材料中觀察到的連續(xù)帶。因此，對(duì)于半導(dǎo)體納米粒子來(lái)說(shuō)，因?yàn)檫@些物理參數(shù)，通過(guò)具有比第一激子躍遷大的能量的電磁輻射即光子的吸收而產(chǎn)生的“電子和空穴”比在相應(yīng)的粗晶材料中更靠近在一起；此外，不能忽略庫(kù)侖相互作用。這導(dǎo)致依賴于納米粒子材料的粒徑和組成的窄帶寬發(fā)射。因此，QD具有比相應(yīng)的粗晶材料更高的動(dòng)能，并且因此，第一激子躍遷(帶隙)的能量隨著粒徑減小而增大。歸因于在位于納米粒子表面上可以導(dǎo)致非輻射電子-空穴復(fù)合的缺陷和懸掛鍵處發(fā)生的電子-空穴復(fù)合，由單一半導(dǎo)體材料連同外部有機(jī)鈍化層一起組成的核半導(dǎo)體納米粒子傾向于具有比較低的量子效率。消除QD的無(wú)機(jī)表面上的缺陷和懸掛鍵的一個(gè)方法是用均勻的第二半導(dǎo)體殼覆蓋納米粒子。這種半導(dǎo)體材料通常具有比核的帶隙寬得多的帶隙，以抑制載流子從核向殼的新形成的表面原子的隧穿。殼材料必須還具有與核材料的晶格失配小的晶格。晶格失配主要因?yàn)樵诤酥泻蜌ぶ械脑又g的鍵長(zhǎng)的差異而出現(xiàn)。盡管核和殼材料之間的晶格失配的差異可能僅為百分之幾，但其足以改變殼沉積的動(dòng)力學(xué)和粒子形態(tài)二者以及得到的粒子的量子產(chǎn)率(QY)。QY單純是由樣品發(fā)射的光子的數(shù)量與被樣品吸收的光子的數(shù)量的比率，即(#發(fā)射的光子)/(#吸收的光子)，并且可以被認(rèn)為是基于QD的材料的相對(duì)“亮度”的量度。對(duì)于確保殼在核粒子的表面上的外延生長(zhǎng)以制備沒(méi)有或具有最少的可能引入降低粒子的光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)的非輻射復(fù)合途徑的在界面處的缺陷的“核-殼”粒子，小的晶格失配是必需的。一個(gè)實(shí)例是生長(zhǎng)在CdSe或InP核的表面上的ZnS殼。一些最常用的殼材料相對(duì)于CdSe的晶格失配，對(duì)于CdS來(lái)說(shuō)是3.86％，對(duì)于ZnSe來(lái)說(shuō)是6.98％，并且對(duì)于ZnS來(lái)說(shuō)是11.2％。另一種方法是制備核-多殼結(jié)構(gòu)，其中將“電子-空穴”對(duì)完全限制到由一種特定材料的幾個(gè)單層組成的單一殼層，如QD-量子阱結(jié)構(gòu)。在這里，核是寬帶隙材料的，接著是一個(gè)較窄帶隙材料的薄殼，并且用另一個(gè)寬帶隙層封端，如按以下方式生長(zhǎng)的CdS/HgS/CdS：在核納米晶體的表面上使用Hg取代Cd，以沉積剛好數(shù)個(gè)HgS單層，之后在其上生長(zhǎng)CdS的單層。所得到的結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出光激發(fā)的載流子在HgS層中的明顯限制，這產(chǎn)生了高的PLQY和提高的光化學(xué)穩(wěn)定性。為了進(jìn)一步增加QD的穩(wěn)定性并且有助于限制電子-空穴對(duì)，最常用的方法之一是在核周圍生長(zhǎng)厚且魯棒的殼層。然而，因?yàn)楹撕蜌げ牧现g的晶格失配，界面應(yīng)變隨著增加殼厚度而顯著地積累，并且最終可以通過(guò)不匹配的位錯(cuò)的形成而釋放，降低了QD的光學(xué)性能?？梢酝ㄟ^(guò)在核上外延生長(zhǎng)組成上呈梯度的合金層來(lái)避免這種問(wèn)題，因?yàn)檫@能夠有助于緩解在核-殼界面處的應(yīng)變。例如，為了提高CdSe核的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和量子產(chǎn)率，可以使用Cd1-xZnxSe1-ySy的梯度合金層代替直接在核上的ZnS的殼。因?yàn)闅そM成和晶格參數(shù)的梯度變化，所得到的梯度多殼QD被非常充分地在電子學(xué)上鈍化，具有在70-80％的范圍內(nèi)的PLQY值，并且與簡(jiǎn)單核-殼QD相比顯示出提高的光化學(xué)和膠體穩(wěn)定性。用原子雜質(zhì)摻雜QD也是操控納米粒子的發(fā)射和吸收性能的有效方式。已經(jīng)開(kāi)發(fā)了用錳和銅摻雜寬帶隙材料如硒化鋅和硫化鋅(ZnSe:Mn或ZnS:Cu)的工序。在半導(dǎo)體納米晶體中用不同的發(fā)光激活劑摻雜可以將光致發(fā)光和電致發(fā)光調(diào)節(jié)在甚至低于大塊材料帶隙的能量，而量子尺寸效應(yīng)可以用QD的尺寸調(diào)節(jié)激發(fā)能量，而不具有在與激活劑相關(guān)的發(fā)射的能量方面的明顯變化。摻雜劑包含主族元素或稀土元素，通常為過(guò)渡金屬或稀土元素，如Mn+或Cu2+。任何核、核-殼或核-多殼、摻雜或梯度納米粒子的表面上的原子周圍的配位是不完全的，并且不完全配位的原子具有使它們成為高度反應(yīng)性的并且可以導(dǎo)致粒子團(tuán)聚的懸掛鍵。這種問(wèn)題通過(guò)用保護(hù)有機(jī)基團(tuán)將“裸露的”表面原子鈍化(封端)而克服。如果QD是單分散的，在發(fā)光器件中使用QD與使用更常規(guī)的磷光體相比具有一些明顯的優(yōu)點(diǎn)，如調(diào)節(jié)發(fā)射波長(zhǎng)的能力、強(qiáng)的吸收性質(zhì)和低的散射。然而，由于QD的外部有機(jī)表面與在其中負(fù)載QD的主體材料的類型之間的化學(xué)不相容性，迄今所使用的方法是遭遇挑戰(zhàn)的。當(dāng)配制成為這些材料時(shí)，QD可能會(huì)遭遇團(tuán)聚，并且一旦結(jié)合，作為氧經(jīng)由主體材料向QD的表面遷移的結(jié)果，可能會(huì)遭遇光致氧化，這最終可能會(huì)導(dǎo)致量子產(chǎn)率的下降。盡管可以在實(shí)驗(yàn)室條件下做出合理的裝置，在大規(guī)模的商業(yè)條件下將此重復(fù)仍存在明顯的挑戰(zhàn)性。例如，在混合階段，QD需要對(duì)空氣穩(wěn)定。已經(jīng)描述了結(jié)合有其中使用半導(dǎo)體QD代替常規(guī)磷光體的發(fā)光層的裝置，然而，由于涉及含有QD的材料在層制造期間和之后的可加工性和穩(wěn)定性的問(wèn)題，已經(jīng)成功結(jié)合至這樣的層的僅有的QD材料類型是比較常規(guī)的II-VI或IV-VIQD材料，例如CdSe、CdS和PbSe。在常規(guī)QD中使用的鎘和其他受限的重金屬是高毒性元素并且在商業(yè)用途中表現(xiàn)出嚴(yán)重的擔(dān)憂。含鎘的QD的固有毒性妨礙了它們?cè)谏婕皠?dòng)物或人的任何用途中使用。例如，近期研究顯示，除非受到保護(hù)，由鎘硫?qū)倩锇雽?dǎo)體材料制成的QD在生物環(huán)境中可能是細(xì)胞毒性的。具體地，通過(guò)多種途徑的氧化或化學(xué)侵蝕可能會(huì)導(dǎo)致可以被釋放至周圍環(huán)境中的在QD表面上的鎘離子的形成。盡管表面涂層如ZnS可以明顯地降低毒性，它可能不會(huì)將其完全消除，因?yàn)镼D可以長(zhǎng)時(shí)間在細(xì)胞中停留或在身體中積累，在此期間，它們的涂層可能會(huì)經(jīng)歷將富鎘核暴露的某類降解。毒性不僅影響生物用途的發(fā)展，而且還影響包括光電子和通訊在內(nèi)的其他用途，因?yàn)橹亟饘傧挡牧显诎矣秒娖魅鏘T&電信設(shè)備、照明設(shè)備、電氣&電子工具、玩具、休閑&運(yùn)動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的許多商業(yè)產(chǎn)品中是廣泛的。在世界的許多區(qū)域已經(jīng)實(shí)施了在商業(yè)產(chǎn)品中限制或禁止某些重金屬的法規(guī)。例如，從2006年7月1日起，被稱為“在電子設(shè)備中限制使用有害物質(zhì)”(或RoHS)的歐盟指令2002/95/EC禁止了新的含有大于協(xié)議水平的鉛、鎘、汞、六價(jià)鉻以及多溴聯(lián)苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE)阻燃劑的電氣和電子設(shè)備的銷售。這項(xiàng)法律要求制造商尋找備選材料并且開(kāi)發(fā)新的制造工藝以制造常見(jiàn)的電子設(shè)備。此外，在2007年6月1日，關(guān)于化學(xué)品及其安全使用的歐共體法規(guī)開(kāi)始生效(EC1907/2006)。該法規(guī)涉及化學(xué)物質(zhì)的注冊(cè)、評(píng)估、授權(quán)和限制，并且被稱為“REACH”。REACH法規(guī)賦予企業(yè)更多的責(zé)任，以管控來(lái)自化學(xué)品的風(fēng)險(xiǎn)并且提供關(guān)于物質(zhì)的安全性信息。預(yù)計(jì)類似的法規(guī)將會(huì)擴(kuò)大到世界范圍，包括中國(guó)、韓國(guó)、日本和美國(guó)。如上所述，QD、并且尤其是無(wú)鎘QD傾向于對(duì)氧引起的氧化敏感，這導(dǎo)致它們的QY隨時(shí)間降低。存在著對(duì)于增加無(wú)鎘QD的穩(wěn)定性和發(fā)光性能即QY以提高這些材料的發(fā)光用途的效率和壽命的需求。用于增加基于QD的照明系統(tǒng)的穩(wěn)定性的方法包括將QD結(jié)合至阻氧(oxygen-repelling)材料，如聚合物。此類聚合物可以是許多形式的，例如，珠或片。此外，可以將QD結(jié)合至珠中，珠本身結(jié)合至其他形式中，如片或?qū)?。盡管需要此類保護(hù)措施以保護(hù)QD免于氧的影響，無(wú)鎘QD傾向于對(duì)處理敏感，并且通常是這樣的情況：將QD結(jié)合至阻氧材料所需的處理本身引起QD的QY降低。因此，對(duì)于實(shí)現(xiàn)基于無(wú)鎘QD的商業(yè)產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，任何使最終基于QD的體系的QY最大化的因素都是潛在重要的。概述本公開(kāi)涉及具有改善的發(fā)光性能，即具有改善的光發(fā)射的多組分材料。多組分材料包含懸浮或嵌入在基體材料中的磷光體材料如QD以及反射材料如硫酸鋇?；w材料通常是聚合物材料。多組分材料可以是，例如，珠、片、和/或珠的片的形式。首先，在本文中所描述的多組分材料在用于LCD的背光照明中使用，但是它們也可以在其他用途，如環(huán)境照明的顏色調(diào)節(jié)中使用。多組分材料內(nèi)的磷光體吸收來(lái)自一次光源(例如，發(fā)藍(lán)光的或發(fā)UV的LED)的一次光。光激發(fā)的磷光體發(fā)射波長(zhǎng)比所吸收的光的波長(zhǎng)更長(zhǎng)的光。換句話說(shuō)，磷光體將吸收的光降頻變換。在某些構(gòu)造中，多組分材料吸收一部分一次光并且也透射一部分一次光。因此，從多組分材料發(fā)出的總的光是一次光(短波長(zhǎng))和發(fā)射光(較長(zhǎng)波長(zhǎng))的混合物。使用作為一次光源的藍(lán)色LED以及含有發(fā)綠光和發(fā)紅光的磷光體的多組分材料產(chǎn)生了白光，即藍(lán)色、綠色和紅色的組合。附圖簡(jiǎn)述為了更充分地理解本發(fā)明，包括特征和優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)參照本發(fā)明的詳細(xì)描述連同附圖：圖1說(shuō)明了用于光發(fā)射光的裝置。圖2說(shuō)明了用于發(fā)射光的裝置的備選實(shí)施方案。圖3說(shuō)明了BaSO4對(duì)InP/ZnSQD的膜的量子產(chǎn)率的影響。圖4說(shuō)明了BaSO4對(duì)InP/ZnSQD的膜的量子產(chǎn)率的影響。圖5說(shuō)明了BaSO4對(duì)InP/ZnSQD的膜的量子產(chǎn)率的影響。圖6說(shuō)明了BaSO4對(duì)InP/ZnSQD的膜的外部量子效率的影響。圖7說(shuō)明了BaSO4對(duì)InP/ZnSQD的膜的量子產(chǎn)率和外部量子效率的影響。詳細(xì)描述圖1說(shuō)明了發(fā)光器件的實(shí)施方案100，其使用磷光體材料101以使來(lái)自固態(tài)LED芯片102的一次光降頻變換。換句話說(shuō)，來(lái)自LED芯片102的光激發(fā)磷光體材料101發(fā)光。磷光體和固態(tài)LED芯片二者均包含在標(biāo)準(zhǔn)LED封裝103內(nèi)，其還可以含有LED密封劑材料104，其對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是已知的。圖2說(shuō)明了發(fā)光器件的備選實(shí)施方案200，其也包括磷光體材料201以使來(lái)自固態(tài)LED芯片202的一次光降頻變換。在圖2中說(shuō)明的實(shí)施方案包括LED封裝203，其也可以含有LED密封劑204。圖2的實(shí)施方案與圖1的實(shí)施方案不同在于：將磷光體材料201安置為遠(yuǎn)端層，例如在漫射體205上，而不是直接設(shè)置在LED芯片202上。用于在本文中所描述的多組分材料的特別適合的磷光體是QD，如共同擁有的美國(guó)專利號(hào)2009年9月15日公開(kāi)的7,588,828、2010年9月28日公開(kāi)的7,803,423、2011年7月26日公開(kāi)的7,985,446、2011年1月11日公開(kāi)的7,867,556、以及2011年1月11日公開(kāi)的7,867,557中描述的那些。這些共同擁有的專利中的每一個(gè)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用以他們的全部結(jié)合于此?？梢杂萌コ藶V光器的需要的激發(fā)QD的UV光源實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率，由此降低了光強(qiáng)度的損失。器件中可獲得的顏色范圍得到提高并且可以通過(guò)改變QD的尺寸或組成逐漸調(diào)節(jié)，例如，可以通過(guò)改變CdSe或InPQD的尺寸獲得從藍(lán)色至深紅色的顏色范圍以橫跨整個(gè)可見(jiàn)光譜?？梢詫nAs和PbSeQD的尺寸調(diào)節(jié)為覆蓋近紅外區(qū)和中紅外區(qū)中的大多數(shù)。QD顯示器產(chǎn)生比其他類型顯示器技術(shù)更好的顏色純度，因?yàn)镼D展現(xiàn)出非常窄的發(fā)射帶寬并且可以產(chǎn)生純的藍(lán)色、綠色、和紅色以生成所有其他顏色，得到了對(duì)于最終用戶的改善的觀察體驗(yàn)。通過(guò)調(diào)整它們的合成，可以將QD容易地分散至能夠?qū)崿F(xiàn)利用標(biāo)準(zhǔn)印刷或其他可溶液加工技術(shù)的快速和經(jīng)濟(jì)的器件制造的水性或有機(jī)介質(zhì)中；這也提供了制造可印刷的和柔性裝置的機(jī)會(huì)。QD可以含有選自周期表第11、12、13、14、15和/或16族的離子，和/或可以含有一種或多種類型的過(guò)渡金屬離子或d區(qū)金屬離子。QD可以含有選自由下列各項(xiàng)組成的組的一種或多種半導(dǎo)體材料：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AIP、AIS、AIAs、AISb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTe，以及它們的組合。/ZnS/ZnO。反射材料的實(shí)例是與基體材料和QD磷光體二者相容的顆粒材料。反射材料的實(shí)例包括硫酸鋇、二氧化鈦、聚四氟乙烯(PTFE)、硅酸鋁和釔鋁石榴石(YAG)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)硫酸鋇是特別適合的。硫酸鋇是光反射材料并且在溶劑中不溶。此外，它是惰性的并且不與QD或其他磷光體反應(yīng)。因此，當(dāng)與高度濃縮的QD溶液混合在一起時(shí)，它起鏡子的作用。在此類溶液中，硫酸鋇粒子降低了從QD發(fā)射的光的重吸收，從而增加了從溶液中的光提取。該溶液因此具有比單獨(dú)QD的溶液更高的有效的QY。在不受理論或任何活性的物理模式約束的情況下，還據(jù)信硫酸鋇通過(guò)產(chǎn)生表面等離激元和從熒光材料發(fā)射的光之間的光耦合增加了光提取?；w材料的實(shí)例包括如共同擁有的美國(guó)專利號(hào)2009年6月9日公開(kāi)的7,544,725、2010年3月9日公開(kāi)的7,674,844、以及美國(guó)申請(qǐng)公開(kāi)公開(kāi)號(hào)2011年3月24日公開(kāi)的2011/0068321、和2011年3月24日公開(kāi)的2011/0068322中描述的聚合物基體，其內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本文中。聚合物介質(zhì)優(yōu)選為光學(xué)透明介質(zhì)，其包含選自由下列各項(xiàng)組成的組的材料：聚合物、樹(shù)脂、獨(dú)石、玻璃、溶膠凝膠、環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂和(甲基)丙烯酸酯。聚合物介質(zhì)可以包含選自由下列各項(xiàng)組成的組的材料：聚((甲基)丙烯酸甲酯)、聚(二甲基丙烯酸乙二醇酯)、聚乙酸乙烯酯)、聚(二乙烯基苯)、聚(硫醚)、二氧化硅、聚環(huán)氧化物，以及它們的組合?；w材料可以選自各種各樣的聚合物，無(wú)論是有機(jī)的或無(wú)機(jī)的、玻璃、水溶性或有機(jī)溶劑可溶性、生物的或合成的。例如，可以使用以下簡(jiǎn)單直鏈聚合物：聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酮、聚醚醚酮、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚丙烯酰胺、聚烯烴、聚乙炔、聚異戊二烯、聚丁二烯、PVDF、PVC、EVA、PET、聚氨酯、纖維素聚合物(例如，乙基纖維素、鄰苯二甲酸異丙基甲基纖維素、硝基纖維素)。其他的實(shí)例包括交聯(lián)聚合物和/或共聚物、三嵌段共聚物和UV固化和熱固化環(huán)氧樹(shù)脂。適合的聚合物可以選自由下列各項(xiàng)組成的組：聚苯乙烯/甲苯基體、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸月桂酯基體、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸月桂酯/聚異丁烯基體、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸月桂酯/PIPS基體、丙烯酸異冰片酯/二丙烯酸二丙二醇酯基體、丙烯酸-聚苯乙烯/甲苯基體、和聚碳酸酯?？梢允褂谜惩敛牧先缗驖?rùn)土、高嶺土、蒸汽沉積(fumed)二氧化硅(例如Cab-O-SilTM)、蒸汽沉積氧化鋁、蒸汽沉積氧化鋅、無(wú)機(jī)聚合物單獨(dú)作為主體基體介質(zhì)或者作為向有機(jī)聚合物中的添加劑以便提高最終材料的性能。根據(jù)本公開(kāi)的方法可以單獨(dú)采用以上指定的聚合物和材料中的任何一種，或者與一種或多種其他適合的聚合物和材料組合。可以將在本文中所描述的QD/反射材料組合物配制為墨水。墨水是通過(guò)將透明的基礎(chǔ)墨水與各種類型的熒光顏料混合制造的。盡管這些顏料可以提供所需的發(fā)光度，在許多情況下，由于它們使光散射的能力，它們可以使墨水變得不透明，這通常是不希望的副作用。當(dāng)需要高負(fù)載量的顏料以實(shí)現(xiàn)所需的亮度時(shí)或者當(dāng)使用該墨水作為通過(guò)套印(overprinting)產(chǎn)生二級(jí)和三級(jí)顏色組合的一級(jí)墨水時(shí)，不透明性成為一個(gè)問(wèn)題。例如，套印在黃色透明墨水頂部上的透明藍(lán)色墨水將會(huì)產(chǎn)生綠色墨水。相反，套印在另一種墨水頂部上的不透明藍(lán)色墨水將會(huì)掩蓋在下面的墨水，無(wú)論其顏色如何，并且最終的墨水將會(huì)因?yàn)槠洳煌该餍岳^續(xù)對(duì)觀察者表現(xiàn)出藍(lán)色。將QD和反射材料引入至固態(tài)基體如“珠材料”中是非常有利的。通過(guò)將所需量的QD-珠材料分散在所需量的適合的聚合物中，可以將QD-珠結(jié)合至聚合物基體或介質(zhì)中以形成QD-珠墨水。將所得到的復(fù)合材料徹底混合，以提供可以根據(jù)針對(duì)所使用的特定聚合物的具體固化工序固化的均勻墨水，并且提供簡(jiǎn)單且直接的制造發(fā)光QD-珠墨水的方式?；谥榈哪梢蕴峁┡c游離的“裸露的”QD-墨水相比其他優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)將QD和反射材料結(jié)合至穩(wěn)定的珠中，可以保護(hù)否則為反應(yīng)性的QD免受周圍化學(xué)環(huán)境的潛在破壞。此外，通過(guò)將許多QD置于單個(gè)珠中，隨后的QD-珠對(duì)發(fā)光產(chǎn)品制造期間QD-墨水通常必須經(jīng)歷的機(jī)械和熱處理比裸露的QD更穩(wěn)定。含QD的珠與裸露的QD相比額外的優(yōu)點(diǎn)包括對(duì)空氣、水分和光致氧化的更高的穩(wěn)定性，這可以開(kāi)啟在空氣中處理QD-墨水的可能性并且去除需要惰性氣氛的昂貴處理工藝的需要，因此明顯地降低了制造成本。按照調(diào)整的封裝規(guī)程，可以調(diào)節(jié)珠的尺寸并且其通常直徑為50nm至0.5mm，提供了控制墨水粘度的方式。這是非常重要的，因?yàn)檎扯戎刚髂侨绾瘟鹘?jīng)網(wǎng)的，它是如何干燥的，以及它是多么充分地粘附至基板。如果可以通過(guò)珠的尺寸控制粘度，則可以消除加入大量的稀釋劑以改變粘度的實(shí)踐，使得過(guò)程更簡(jiǎn)單并且更廉價(jià)。因?yàn)榉庋b過(guò)程的性質(zhì)，不僅QD聚集得以防止，產(chǎn)生了均勻?qū)?，而且還不使QD表面破裂或明顯改變，并且QD保持其初始電子性能，從而可以嚴(yán)格地控制QD-珠墨水的規(guī)格。QD-珠允許墨水中量子點(diǎn)的有效顏色混合，因?yàn)榛旌峡梢允窃诤琎D的珠內(nèi)，即每個(gè)珠含有許多不同尺寸/發(fā)射顏色的QD，或者是在特定珠內(nèi)的所有QD具有相同尺寸/顏色的不同顏色的珠的混合物，即一些珠含有全部是藍(lán)色的量子點(diǎn)，一些含有全部是綠色的量子點(diǎn)并且一些含有全部是紅色的量子點(diǎn)?？梢詫⑹杷繉拥腝D封裝至由親水性聚合物組成的珠中以賦予新的表面性能(例如水溶性)。這對(duì)制造具有許多正面性質(zhì)并且尤其是環(huán)保的水系QD墨水是特別重要的。存在許多法規(guī)，它們已經(jīng)將通常用作印刷墨水中的載體的有機(jī)溶劑確定為有害的。對(duì)與所有與來(lái)自這些墨水的通常性質(zhì)上是有機(jī)物的并且高度可燃的溶劑(例如，甲苯、乙醇、異丙醇)混合的廢物，有害廢物法規(guī)限制了處理選擇。來(lái)源于這些廢物的降解的化學(xué)物質(zhì)還是有毒的，并且在印刷工業(yè)中需要采用特殊的措施(例如，特殊的過(guò)濾器)以捕獲這些化學(xué)物質(zhì)并且避免它們的在環(huán)境中的釋放。水系墨水提供了這些有機(jī)溶劑的有吸引力的備選方案，并且提供了消除污染和許多對(duì)印刷過(guò)程的法規(guī)限制這兩者的手段。在特定的實(shí)驗(yàn)條件下，可以在墨水制備的某些階段期間/之前選擇性地改變或移除珠涂層，意味著可以將墨水解釋為運(yùn)送QD和反射材料的介質(zhì)。因此，QD-珠代表QD的受控釋放和運(yùn)送的方式，這對(duì)例如在印刷過(guò)程的某些階段期間保護(hù)QD并且將它們從不相容物質(zhì)中分離或者增加在特定墨水溶劑中的QD的親和性是重要。QD-珠墨水可以包含在聚苯乙烯/甲苯基體中的發(fā)綠光的QD-二氧化硅珠。首先形成聚苯乙烯/甲苯混合物，之后向其在加入適量的QD-珠，在這種情況下是InP/ZnS核/殼QD-珠。之后處理(例如加熱、混合等)所得到的混合物，以確保QD-珠粒子在聚苯乙烯/甲苯混合物中的令人滿意的分散，從而得到透明綠色QD-珠墨水。備選地，QD-珠墨水可以包含在LED丙烯酸酯基體中的法紅光的丙烯酸酯珠。首先形成含有引發(fā)劑、Irgacure819、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTM)和甲基丙烯酸月桂酯的混合物。之后將InP/ZnS核/殼QD-丙烯酸酯珠分散在丙烯酸酯混合物中以得到紅色QD-珠墨水。QD-珠墨水可以包含在包含三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTM)和聚異丁烯(PIB)的柔性丙烯酸酯基體中的紅光發(fā)射丙烯酸酯珠。在備選的實(shí)施方案中，可以用PIPS代替PIB。形成含有引發(fā)劑、Irgacure819、和TMPTM的混合物。還形成PIB和甲基丙烯酸月桂酯的單獨(dú)的混合物。在該實(shí)施方案中使用的TMPTM的量比在第二優(yōu)選實(shí)施方案中使用的量相對(duì)較小，以確保丙烯酸酯基體較少地交聯(lián)并且因此比在第二優(yōu)選實(shí)施方案中制備的丙烯酸酯基體更柔性。之后組合兩種混合物以得到淺黃色墨水基體。之后將InP/ZnS核/殼QD-丙烯酸酯珠分散在淺黃色基體中以得到紅色QD-珠墨水?？梢杂糜跇?gòu)建含QD/反射材料的珠的聚合方法的實(shí)例包括，但不限于，懸浮、分散、乳液、活性、陰離子、陽(yáng)離子、RAFT、ATRP、本體、閉環(huán)復(fù)分解(metathesis)和開(kāi)環(huán)復(fù)分解?？梢酝ㄟ^(guò)引起單體相互反應(yīng)的任何適合的方法如使用自由基、光、超聲波、陽(yáng)離子、陰離子或熱，引起聚合反應(yīng)的引發(fā)。優(yōu)選的方法是包括將要形成光學(xué)透明介質(zhì)的一種或多種可聚合單體的熱固化的懸浮聚合。所述可聚合單體可以優(yōu)選包括(甲基)丙烯酸甲酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯和/或乙酸乙烯酯。已經(jīng)證實(shí)，這種單體的組合展現(xiàn)出與現(xiàn)有可商購(gòu)的LED密封劑的優(yōu)異的相容性，并且其已經(jīng)用于制造與基本上使用現(xiàn)有技術(shù)方法制備的器件相比展現(xiàn)出明顯改善的性能的發(fā)光器件。其他優(yōu)選的可聚合單體是環(huán)氧樹(shù)脂或聚環(huán)氧化物單體，其可以使用任何適合的機(jī)制(如用紫外線照射固化)聚合。可以通過(guò)下列方式制備含QD/反射材料的微珠：將已知的QD群和反射材料分散在聚合物基體內(nèi)，將聚合物固化并且之后將所得到的固化材料磨碎。這特別適合于與固化后變得相對(duì)硬和脆的聚合物，如許多常見(jiàn)的環(huán)氧樹(shù)脂或聚環(huán)氧化物聚合物(例如來(lái)自ElectronicMaterials，Inc.，USA的OptocastTM3553)一起使用?？梢詥渭兺ㄟ^(guò)將QD和反射材料加入至用于構(gòu)建珠的試劑的混合物中來(lái)產(chǎn)生珠。在一些實(shí)例中，QD(初生QD)當(dāng)從用于合成它們的反應(yīng)中分離時(shí)使用，并且因此通常覆蓋有惰性外部有機(jī)配體層。在備選的工序中，可以在珠形成反應(yīng)之前進(jìn)行配體交換過(guò)程。在這里，將一種或多種化學(xué)反應(yīng)性配體(例如這可以是還含有可聚合部分的用于QD的配體)過(guò)量加入至被覆蓋在惰性外部有機(jī)層中的初生QD的溶液。在適當(dāng)?shù)臏赜龝r(shí)間之后，將QD例如通過(guò)沉淀和隨后的離心而分離，洗滌并且之后結(jié)合至在珠形成反應(yīng)/過(guò)程中所使用的試劑的混合物中。兩種QD/反射材料結(jié)合策略都將造成QD和反射材料統(tǒng)計(jì)上隨機(jī)地結(jié)合至珠中，并且因此聚合反應(yīng)將產(chǎn)生含有統(tǒng)計(jì)類似量的QD的珠。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，可以通過(guò)用于構(gòu)建珠的聚合反應(yīng)的選擇來(lái)控制珠的尺寸，并且另外，一旦已經(jīng)選擇了聚合方法，則還可以通過(guò)選擇適合的反應(yīng)條件來(lái)控制珠的尺寸，例如在懸浮聚合反應(yīng)中，通過(guò)更迅速地?cái)嚢璺磻?yīng)混合物以產(chǎn)生較小的珠。此外，通過(guò)選擇工序連同是否在模具中進(jìn)行反應(yīng)，可以容易地控制珠的形狀?？梢酝ㄟ^(guò)改變構(gòu)建珠的單體混合物的組成來(lái)改變珠的組成。類似地，珠還可以與不同量的一種或多種交聯(lián)劑(例如二乙烯基苯)交聯(lián)。如果用高交聯(lián)度例如大于5摩爾％的交聯(lián)劑來(lái)構(gòu)建珠，則適宜的是在用于構(gòu)建珠的反應(yīng)期間結(jié)合致孔劑(例如甲苯或環(huán)己烷)。以這種方式使用致孔劑在構(gòu)成每個(gè)珠的基體內(nèi)留下了永久孔隙。這些孔隙可以是足夠大的，以允許QD進(jìn)入珠中。還可以使用基于反相乳液的技術(shù)將QD和反射材料結(jié)合在珠中。可以將QD/反射材料與一種或多種對(duì)于光學(xué)透明涂層材料來(lái)說(shuō)的前體混合，并且之后引入至含有例如有機(jī)溶劑和適合的鹽的穩(wěn)定反相乳液中。在攪拌后，前體形成包含QD的微珠，其之后可以使用任何適合的方法如離心來(lái)收集。如果需要，在將含QD的珠的分離之前，可以通過(guò)加入額外量的一種或多種必需的殼層前體材料，添加一個(gè)或多個(gè)額外的相同或不同光學(xué)透明材料的表面層或殼。就用于將QD和反射材料結(jié)合至珠中的第二選擇而言，可以通過(guò)物理包埋將QD和反射材料固定在聚合物珠中。例如，可以將QD和反射材料在適合的溶劑(例如有機(jī)溶劑)中的溶液與聚合物珠的樣品一起溫育。使用任何適當(dāng)?shù)姆椒ㄒ瞥軇┰斐蒕D和反射材料變得固定在聚合物珠的基體內(nèi)。QD和反射材料保持固定在珠中，除非將樣品再懸浮在量子點(diǎn)可自由溶于其中的溶劑(例如有機(jī)溶劑)中。任選地，在這個(gè)階段，可以將珠的外側(cè)密封。另一個(gè)選擇是將半導(dǎo)體納米粒子的至少一部分物理附接至預(yù)制的聚合物珠。所述附接可以通過(guò)將該部分半導(dǎo)體納米粒子固定在預(yù)制的聚合物珠的聚合物基體內(nèi)，或者通過(guò)該部分半導(dǎo)體納米粒子與預(yù)制的聚合物珠之間的化學(xué)、共價(jià)、離子或物理連接實(shí)現(xiàn)。預(yù)制的聚合物珠的實(shí)例包括聚苯乙烯、聚二乙烯基苯和聚硫醇?？梢砸耘c如上所述的用于在珠形成過(guò)程期間將QD和反射材料結(jié)合至珠中的方法相似的方式，形成預(yù)期結(jié)合QD和反射材料的光學(xué)透明介質(zhì)即溶膠-凝膠和玻璃。例如，可以將單一類型的QD(例如一種顏色)和反射材料加入至用于制備溶膠-凝膠或玻璃的反應(yīng)混合物。備選地，可以將兩種以上類型的QD(例如兩種以上顏色)和反射材料加入至用于制備溶膠-凝膠或玻璃的反應(yīng)混合物。通過(guò)這些工序制備的溶膠-凝膠和玻璃可以具有任何形狀、形態(tài)或3維結(jié)構(gòu)。例如，粒子可以是球形的、盤狀的、棒狀的、卵形的、立方體的、長(zhǎng)方形的或許多其他可能構(gòu)造的任一種。通過(guò)在起提高穩(wěn)定性的添加劑的作用的材料的存在下將QD和反射材料結(jié)合至珠中，并且任選地為珠提供保護(hù)性表面涂層，消除或至少降低了有害物種如水分、氧和/或自由基的遷移，結(jié)果是提高了半導(dǎo)體納米粒子的物理、化學(xué)和/或光穩(wěn)定性?？梢栽谥榈闹圃爝^(guò)程的初始階段將添加劑與“裸露的”半導(dǎo)體納米粒子和前體結(jié)合。備選地，或者附加地，可以在已經(jīng)將半導(dǎo)體納米粒子包埋在珠內(nèi)之后加入添加劑?？梢栽谥樾纬蛇^(guò)程期間單獨(dú)地或以任何所需組合加入的添加劑可以根據(jù)它們的預(yù)期功能分組如下：機(jī)械密封：蒸汽沉積二氧化硅(例如Cab-O-SilTM)、ZnO、TiO2、ZrO、硬脂酸鎂、硬脂酸鋅，全部用作填料以提供機(jī)械密封和/或減小孔隙率；封端劑：十四烷基膦酸(TDPA)、油酸、硬脂酸、多不飽和脂肪酸、山梨酸、甲基丙烯酸鋅、硬脂酸鎂、硬脂酸鋅、肉豆蔻酸異丙酯。這些中的一些具有多個(gè)官能度并且可以起封端劑、自由基清除劑和/或還原劑的作用；還原劑：抗壞血酸棕櫚酸酯、α-生育酚(維生素E)、辛硫醇、丁基化羥基苯甲醚(BHA)、丁基化羥基甲苯(BHT)、沒(méi)食子酸酯(丙酯、月桂酯、辛酯等)、和焦亞硫酸鹽(例如，鈉鹽或鉀鹽)；自由基清除劑：二苯甲酮；以及氫化物反應(yīng)性試劑：1，4-丁二醇、甲基丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸烯丙酯、1，6庚二烯-4-醇、1，7辛二烯、和1，4丁二烯。實(shí)施例包括以下實(shí)施例，是為了使公開(kāi)內(nèi)容完整，并且用于說(shuō)明制備本發(fā)明的組合物和復(fù)合材料的方法以及用于顯示出組合物的某些特性。這些實(shí)施例絕不是意在限制本公開(kāi)的范圍或教導(dǎo)。實(shí)施例1：BaSO4在不具有增稠劑的甲苯或丙烯酸酯樹(shù)脂中的影響。如在2009年9月15日公開(kāi)的美國(guó)專利號(hào)7,588,828中描述的，制備量子點(diǎn)(InP/ZnS)，其內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本文中。使用Hamamatsu積分球測(cè)量在甲苯中的QD(0.5ml的6.6光密度(OpticalDensity)QD/ml)的量子產(chǎn)率，得到57％的QY。當(dāng)將5mg的BaSO4加入至0.5ml的20ODQD/ml甲苯溶液并且攪拌時(shí)，通過(guò)借助Hamamatsu的渦流測(cè)量顯示出63％的QY。因此，通過(guò)加入BaSO4將QD的QY提高了6％。這些測(cè)量的結(jié)果總結(jié)在以下表中。InP/ZnSQD(20OD)QY波長(zhǎng)(nm)FWHM(nm)甲苯中的QD57％64282甲苯中的QD和BaSO4的混合物63％62977根據(jù)2009年9月15日公開(kāi)的美國(guó)專利號(hào)7,588,828中描述的方法制備兩批InP/ZnSQD。由在甲基丙烯酸月桂酯(LMA)/三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPMA)中的每批QD的三個(gè)濃度(3.7、9.1和20OD)制備QD樹(shù)脂。將聚(丁二烯)二丙烯酸酯助劑(SartomerSR307)和QD在甲苯中攪拌過(guò)夜。將甲苯移除并且將混合物與LMA和光引發(fā)劑(IrgacureIrg819)和TMPMA混合。在UV固化前后測(cè)量具有和不具有BaSO4(2％wt/wt)的每種樹(shù)脂的QY。以下將結(jié)果制成表格。分別在圖3和4中說(shuō)明了第1批和第2批的QY測(cè)量。在圖3和4二者中，線A對(duì)應(yīng)于固化前樹(shù)脂中的QD，線B對(duì)應(yīng)于固化前樹(shù)脂中的QD和BaSO4的混合物，線C對(duì)應(yīng)于固化的樹(shù)脂中的QD，并且線D對(duì)應(yīng)于固化的樹(shù)脂中的QD和BaSO4的混合物。BaSO4的加入提高了固化的和未固化的QD樹(shù)脂二者的QY。實(shí)施例2：硫酸鋇研究(濃度0-5％W/V)根據(jù)2009年9月15日公開(kāi)的美國(guó)專利7,588,828中描述的方法制備InP/ZnSQD。用在甲基丙烯酸月桂酯(LMA)/三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPMA)中的QD制備QD樹(shù)脂(10、20、30和40OD)。將聚(丁二烯)二丙烯酸酯助劑(SartomerSR307)和QD在甲苯中攪拌過(guò)夜。將甲苯移除并且將混合物與LMA和光引發(fā)劑(IrgacureIrg819)和TMPMA混合。在UV固化之后測(cè)量結(jié)合0-5％w/vBaSO4的樹(shù)脂的QY。以下將結(jié)果制成表格。[BaSO4](％w/v)00.512345QE(10OD/3mL)(％)54.154.154.754.755.355.856.8PL(nm)616614615613613612611FWHM(nm)61616059615960QE(20OD/3mL)(％)5251.251.653.253.353.755.5PL(nm)623622623621620618617FWHM(nm)62616160605959QE(30OD/3mL)(％)49.849.350.35151.851.953PL(nm)629628627625625624622FWHM(nm)63626159595858QE(40OD/3mL)(％)47.947.147.24848.649.851PL(nm)632630628625627624622FWHM(nm)63626262605960外部量子效率(EQE)隨著丙烯酸酯樹(shù)脂中硫酸鋇的負(fù)載量而增加。硫酸鋇的較高負(fù)載量提供了較高的EQE并且引起了光致發(fā)光(PL)波長(zhǎng)的藍(lán)移。觀察到增加的藍(lán)移，因?yàn)轱@然BaSO4降低了重吸收(重吸收引起紅移)，。BaSO4的較高的負(fù)載量還降低了發(fā)射峰的FWHM。對(duì)具有各種QD濃度的所有樣品均觀察到相同的硫酸鋇的增強(qiáng)效果。這說(shuō)明，樣品中硫酸鋇的存在減少了點(diǎn)聚集，限制了光散射，并且引導(dǎo)光更有效地向檢測(cè)器移動(dòng)。由于QD聚集，所以較高的QD濃度導(dǎo)致較低的EQE以及較高的PL和FWHM。對(duì)于具有5％負(fù)載量的硫酸鋇的樣品，發(fā)現(xiàn)了最大5-6％的EQE的增加。最好的結(jié)果(56.8％&55.5％)來(lái)自具有5％硫酸鋇負(fù)載量的10OD/3ml&20OD/3mlQD濃度。在以上表中顯示的所有數(shù)字是三次測(cè)量的平均值。圖5說(shuō)明了BaSO4濃度對(duì)各種QD樹(shù)脂的影響。在圖5中，線A對(duì)應(yīng)于10OD/3ml的QD濃度，線B對(duì)應(yīng)于20OD/3ml的QD濃度，線C對(duì)應(yīng)于30OD/3ml的QD濃度，并且線D對(duì)應(yīng)于40OD/3ml的QD濃度。使用Labsphere積分球測(cè)量具有0-5％的BaSO4負(fù)載量的QD/丙烯酸酯樹(shù)脂的QY。結(jié)果在以下表中示出。EQE隨著硫酸鋇的負(fù)載量而增加。硫酸鋇的較高負(fù)載量產(chǎn)生較高的EQE。參見(jiàn)圖6，其中線A對(duì)應(yīng)于10OD/3ml的QD濃度，線B對(duì)應(yīng)于20OD/3ml的QD濃度，線C對(duì)應(yīng)于30OD/3ml的QD濃度，并且線D對(duì)應(yīng)于40OD/3ml的QD濃度。對(duì)具有各種QD濃度的所有樣品均觀察到硫酸鋇的相同的提高效果。借助labsphere，對(duì)于具有5％負(fù)載量的硫酸鋇的樣品，發(fā)現(xiàn)了最大30-38％的EQE的增加。與Hamamatsu測(cè)量中的EQE的百分率增加相比，labsphere測(cè)量中更大的EQE的百分率增加暗示，比起表面反射，硫酸鋇有效得多地發(fā)揮將引導(dǎo)光傳播出內(nèi)部系統(tǒng)的作用。在以上表中顯示的所有數(shù)字是三次測(cè)量的平均值。實(shí)施例3：對(duì)10OD/3ML的硫酸鋇研究(濃度0-20％W/V)以下表列出了如上所述制備的10OD/3ml的InP/ZnSQD的樹(shù)脂Labshere測(cè)量。在表中顯示的所有EQE數(shù)據(jù)是三次實(shí)驗(yàn)的平均值。以下表列出了如上所述制備的10OD/3ml的InP/ZnSQD的樹(shù)脂Hamamatsu測(cè)量。在以上表中顯示的所有EQE數(shù)據(jù)是三次實(shí)驗(yàn)的平均值。硫酸鋇濃度(w/ml；BaSO4/樹(shù)脂)QE(10OD/3ml)PL(nm)FWHM(nm)0％50％614612.5％52.4％612605％53.2％611607.5％53.9％6126010％54.7％6096015％55.3％6106020％56.0％61060圖7說(shuō)明了如通過(guò)Hamamatsu積分球(A)和Labsphere積分球(B)測(cè)量的BaSO4負(fù)載量對(duì)QD樹(shù)脂的QE的影響。以下表中示出了在樣品與激發(fā)光之間具有有機(jī)硅偶聯(lián)的負(fù)載有BaSO4的20OD/3mlInP/ZnSQD的樹(shù)脂的Labsphere測(cè)量。在QD膜下方加入有機(jī)硅樹(shù)脂有助于波導(dǎo)來(lái)自LED(光源)的藍(lán)色激發(fā)光。以這種方式，藍(lán)光不通過(guò)具有不同折射率的空氣相，并且不遠(yuǎn)離樣品或在樣品邊緣周圍散射或轉(zhuǎn)向。以下表中示出了在樣品與激發(fā)光之間不具有有機(jī)硅偶聯(lián)的負(fù)載有BaSO4的20OD/3mlInP/ZnSQD的Labsphere測(cè)量。以下表中示出了負(fù)載有BaSO4的20OD/3mlInP/ZnSQD的Hamamatsu測(cè)量。在以上表中顯示的所有QE、PL和FWHM數(shù)據(jù)是三次實(shí)驗(yàn)的平均值。實(shí)施例4：TiO2作為反射材料制備InP/ZnSQD并且將其與作為反射劑的氧化鈦一起負(fù)載至如上所述的樹(shù)脂中，同時(shí)氧化鈦?zhàn)鳛榉瓷鋭Ｒ韵卤盹@示了作為TiO2負(fù)載量的函數(shù)的20OD膜的QY和EQE。TiO2(％)QY(％)EQE(％)05649.516040.826137.73592545821.655921.1實(shí)施例5：硅酸鋁作為反射材料制備InP/ZnSQD并且將其與不同量的作為反射材料的硅酸鋁一起負(fù)載至如上所述的樹(shù)脂中。以下表示出了作為硅酸鋁負(fù)載量的函數(shù)的20ODQD膜的QY和EQE。硅酸鋁(％)QY(％)(Hamamatsu)EQE(％)(Labsphere)對(duì)照(無(wú)添加劑)51.946.30(除5％BaSO4外)54.542.7151.346.2249.641.1350.339.8449.728.8550.138.7747.231實(shí)施例6：PTFE作為反射材料以下表顯示了如上所述制備的膜的QY和EQE測(cè)量，但是使用PTFE作為反射材料。PTFE(％，wt./v)QY(％)(Hamamatsu)EQE(％)(Labshpere)059.354.00.560.359.01.061.352.03.060.557.95.062.053.1就特別適合的實(shí)施方案而言，已經(jīng)在本文描述了本發(fā)明。應(yīng)理解的是，在不背離由以下權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以存在修改和備選的實(shí)施方案。