鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料、制備方法及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，其化學(xué)式為La2Si6N10：xCe3+，yTb3+，La2Si6N10是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+離子是激活元素，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.06。該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜（EL）中，在490nm和580nm波長區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。本發(fā)明還提供該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的制備方法及其應(yīng)用。
【專利說明】鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料、制備方法及其應(yīng)用
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料、其制備方法、鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯不器的鋪鋪雙摻雜氮娃鑭發(fā)光材料，仍未見報(bào)道。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料、其制備方法、鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，其化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，La2Si6N10是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+離子是激活元素，其中，X為0.01~0.05，y為0.01~0.06。
[0005]一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟:
[0006]根據(jù)La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻，其中，X為0.01~0.05，y為0.01~0.06 ;及
[0007]將混合均勻的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)即得到化學(xué)式為La2Si6N10:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料。
[0008]—種鋪鋪雙摻雜氮娃鑭發(fā)光薄膜,該鋪鋪雙摻雜氮娃鑭發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為 La2Si6N10:xCe3+, yTb3+，其中，x 為 0.01 ~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
[0009]一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0010]根據(jù)La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)制成靶材，其中，x為0.01~0.05，y 為 0.01 ~0.06 ;
[0011]將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0X KT3Pa ~1.0X KT5Pa ;及
[0012]調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm~95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.5Pa~5Pa，工作氣體的流量為1sccm~40sccm，襯底溫度為250°C~750°C，激光能量為80W~300W，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜。
[0013]所述真空腔體的真空度為5.0X10_4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)為3Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C，激光能量為150W。
[0014]一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，所述發(fā)光層的材料為鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為 La2Si6N10:xCe3+, yTb3+，其中，x 為 0.01 ~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
[0015]一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0016]提供具有陽極的襯底；
[0017]在所述陽極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La2Si6Nltl:XCe3+，yTb3+，其中，X為0.01~0.05，y為0.01 ~0.06 ;
[0018]在所述發(fā)光層上形成陰極。
[0019]所述發(fā)光層的制備包括以下步驟:
[0020]根據(jù)La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)制成靶材，其中，x為0.01~0.05，y 為 0.01 ~0.06 ;
[0021]將所述靶材以及所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0X KT3Pa ~1.0X KT5Pa ；
[0022]調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm~95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.5Pa~5Pa，工作氣體的流量為1sccm~40sccm，襯底溫度為250°C~750°C，激光能量為80W~300W，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜，在所述陽極上形成發(fā)光層。
[0023]上述鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料(La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+)制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜(EL)中，在490nm和580nm波長區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰,能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0024]圖1為一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為實(shí)施例1制備的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的電致發(fā)光譜圖；
[0026]圖3為實(shí)施例1制備的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的XRD圖；
[0027]圖4是實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件的電壓與電流密度和電壓與亮度之間的關(guān)系曲線圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0028] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料、其制備方法、鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0029]一實(shí)施方式的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，其化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，La2Si6N10是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+離子是激活元素，其中，x為0.01~0.05，y為0.01~0.06。
[0030]優(yōu)選的，X為 0.02，y 為 0.03。
[0031]該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料中La2Si6Nltl是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+離子是激活元素。該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜(EL)中，在490nm和580nm波長區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。
[0032]上述鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟:
[0033]步驟S11、根據(jù)La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN 粉體，其中，X 為 0.01 ~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
[0034]該步驟中，優(yōu)選的，X為0.02，y為0.03。
[0035]該步驟中，優(yōu)選的，LaN, Si3N4, CeN和TbN粉體的摩爾比為2:2: (0.01~0.05):(0.01 ~0.06);
[0036]步驟S12、將混合均的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)即可得到鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，其化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，其中，x為0.01~0.05，y為0.01 ~0.06。
[0037]該步驟中，優(yōu)選的在1250°C下燒結(jié)3小時(shí)。
[0038]—實(shí)施方式的鋪鋪雙摻雜氮娃鑭發(fā)光薄膜,該鋪鋪雙摻雜氮娃鑭發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料。
[0039]優(yōu)選的，X為 0.02，y 為 0.03。
[0040]上述鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0041]步驟S21、按 La2Si6Nltl:xCe3+，yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取 LaN，Si3N4, CeN 和 TbN粉體并混合均勻在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)制成靶材，其中，x為0.01~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
[0042]該步驟中，優(yōu)選的，X為0.02，y為0.03，在1250°C下燒結(jié)3小時(shí)成直徑為50_，厚度為2mm的陶瓷靶材。
[0043]步驟S22、將步驟S21中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為1.0X 10_3Pa~1.0X 10_5Pa。
[0044]該步驟中，優(yōu)選的，真空度為5X10_4Pa。
[0045]步驟S23、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm~95臟，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.5Pa~5Pa，工作氣體的流量為1sccm~40sccm，襯底溫度為250°C~750°C ;激光能量為80W~300W，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+,yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜。
[0046]該步驟中，優(yōu)選的，真空腔體的真空度為5.0X 10_4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)3Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20sCCm，襯底溫度為500°C，激光能量為150W。
[0047]請參閱圖1，一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件100，該薄膜電致發(fā)光器件100包括依次層疊的襯底1、陽極2、發(fā)光層3以及陰極4。
[0048]襯底I為玻璃襯底。陽極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫(ΙΤ0)。發(fā)光層3的材料為鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+,其中，x為0.01~0.05, y為0.01~0.06。陰極4的材質(zhì)為銀(Ag)。
[0049]上述薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0050]步驟S31、提供具有陽極2的襯底I。
[0051]本實(shí)施方式中，襯底I為玻璃襯底，陽極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫(ΙΤ0)。具有陽極2的襯底I先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗并用對其進(jìn)行氧等離子處理。
[0052]步驟S32、在陽極2上形成發(fā)光層3，發(fā)光層3的材料為鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，其中，x為0.01~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
[0053]本實(shí)施方式中，發(fā)光層3由以下步驟制得:
[0054]首先，將La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)制成靶材，其中，x為0.01~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
[0055]該步驟中，優(yōu)選的，LaN, Si3N4, CeN和TbN粉體的摩爾比為2:2: (0.01~0.05):(0.01 ~0.06);
[0056]該步驟中，優(yōu)選的，X為0.02，y為0.03，在1250°C下燒結(jié)3小時(shí)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材。
[0057]其次，將靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0X KT3Pa ~1.0X l(T5Pa。
[0058]該步驟中，優(yōu)選的，真空度為5X10_4Pa。
[0059]然后，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm~95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.5Pa~5Pa，工作氣體的流量為1sccm~40sccm，襯底溫度為250°C~750°C，激光能量為80W~300W，接著進(jìn)行制膜，在陽極2上形成發(fā)光層3。
[0060]該步驟中，優(yōu)選的基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)3Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C，激光能量為150W。
[0061]步驟S33、在發(fā)光層3上形成陰極4。
[0062]本實(shí)施方式中，陰極4的材料為銀(Ag)，由蒸鍍形成。
[0063]下面為具體實(shí)施例。
[0064]實(shí)施例1
[0065]選用純度為99.99%的粉體，將LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體按照摩爾比為2:2:0.02:0.03經(jīng)過均勻混合后,在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為3.0Pa,襯底溫度為500°C，激光能量150W。得到的樣品化學(xué)式為La2Si6Nltl:0.02Ce3+,0.03Tb3+的發(fā)光薄膜，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0066]本實(shí)施例中得到的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為La2Si6Nltl:0.02Ce3+，0.03Tb3+，其中La2Si6Nltl是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+是激活元素。
[0067]請參閱圖2，圖2所示為得到的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的電致發(fā)光譜(EL)。由圖2可以看出，電致發(fā)光譜中，在490nm和580nm波長區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。
[0068]請參閱圖3，圖3為實(shí)施例1制備的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的XRD曲線，測試對照標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片。從圖3中可以看出，是氮硅鑭的結(jié)晶峰，沒有出現(xiàn)摻雜元素以及其它雜質(zhì)的衍射峰；說明該制備方法得到的產(chǎn)品具有良好的結(jié)晶質(zhì)量。
[0069]請參閱圖4，圖4是實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件的電壓與電流密度和電壓與亮度之間的關(guān)系曲線圖，曲線I是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出該器件從電壓6.0V開始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，可以看出該器件的最大亮度為88cd/m2，表明器件具有良好的發(fā)光特性。
[0070]實(shí)施例2
[0071]選用純度為99.99%的粉體，將LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體按照摩爾比為2:2:0.01:
0.01經(jīng)過均勻混合后,在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為250°C，激光能量80W。得到的樣品的化學(xué)式為La2Si6Nltl:0.01Ce3+, 0.01Tb3+的發(fā)光薄膜，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0072]實(shí)施例3
[0073]選用純度為99.99%的粉體，將LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體按照摩爾比為2:2:0.05:
0.06經(jīng)過均勻混合后,在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為5.0Pa,襯底溫度為750°C，激光能量300W。得到的樣品的化學(xué)式為La2Si6Nltl:0.05Ce3+,0.06Tb3+的發(fā)光薄膜，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0074]實(shí)施例4
[0075]選用純度為99.99%的粉體，將LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體按照摩爾比為2:2:0.04:
0.05經(jīng)過均勻混合后,在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為2.0Pa,襯底溫度為500°C，激光能量300W。得到的樣品的化學(xué)式為La2Si6Nltl:0.04Ce3+,0.05Tb3+的發(fā)光薄膜，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0076]實(shí)施例5
[0077]選用純度為99.99%的粉體，將LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體按照摩爾比為2:2:0.03:
0.02經(jīng)過均勻混合后,在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為250°C，激光能量300W。得到的樣品的化學(xué)式為La2Si6Nltl:0.03Ce3+,0.02Tb3+的發(fā)光薄膜，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0078]實(shí)施例6
[0079]選用純度為99.99%的粉體，將LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體按照摩爾比為2:2:0.02:
0.04經(jīng)過均勻混合后,在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為4.0Pa,襯底溫度為750°C，激光能量80W。得到的樣品的化學(xué)式為La2Si6Nltl:0.02Ce3+,0.04Tb3+的發(fā)光薄膜，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0080]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，其特征在于:其化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+,La2Si6N10是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+離子是激活元素，其中，x為0.01~0.05，y為0.01~0.06。
2.一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)La2Si6Nltl..xCe3+，yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻，其中，X為0.01~0.05，y為0.01~0.06 ;及 將混合均勻的粉體在900 °C~1300 °C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)即得到化學(xué)式為La2Si6N10:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料。
3.一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜，其特征在于，該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為 La2Si6N10:xCe3+, yTb3+，其中，x 為 0.01 ~0.05，y 為 0.01 ~0.06。
4.一種鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)La2Si6Nltl..xCe3+，yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)制成靶材，其中，x為0.01~0.05，y為0.01 ~0.06 ; 將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0 X KT3Pa ~1.0 X KT5Pa ;及 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm~95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.5Pa~5Pa，工作氣體的流量為1sccm~40sccm，襯底溫度為250°C~750°C，激光能量為80W~300W，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0X 10_4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)為3Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C，激光能量為150W。
6.一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，該鈰鋱雙摻雜氮娃鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La2Si6N10:xCe3+, yTb3+,其中,x為0.01~0.05, y為0.01~0.06。
7.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供具有陽極的襯底； 在所述陽極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料，該鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La2Si6N10:xCe3+, yTb3+，其中，x為0.01~0.05，y為0.01 ~0.06 ; 在所述發(fā)光層上形成陰極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟:
根據(jù)La2Si6Nltl..xCe3+，yTb3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉體并混合均勻在900°C~1300°C下燒結(jié)0.5小時(shí)~5小時(shí)制成靶材，其中，x為0.01~0.05，y為0.01 ~0.06 ; 將所述靶材以及所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0X KT3Pa ~1.0X KT5Pa ； 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm~95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.5Pa~5Pa，工作氣體的流量為1sccm~40sccm，襯底溫度為250°C~750°C，激光能量為80W~300W,接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的鈰鋱雙摻雜氮硅鑭發(fā)光薄膜，在所述陽極上形成發(fā)光層。
9.根據(jù)權(quán) 利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述X為0.02，y 為 0.03。
【文檔編號】C09K11/79GK104178160SQ201310196485
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司