具有保護(hù)膜形成層的切割膜片和芯片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的課題是提供具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其可簡便地制造具有厚度均勻性高、標(biāo)記精度優(yōu)良的保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片，并且可擴(kuò)展，并且基材具有耐熱性。本發(fā)明的解決方法是，本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其具有：基材膜、粘著劑層及保護(hù)膜形成層，并且，粘著劑層，以平面視至少形成于包圍保護(hù)膜形成層的區(qū)域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔點(diǎn)超過130℃，或者不具有熔點(diǎn)、（b）以130℃加熱2小時(shí)時(shí)的熱收縮率為-5～+5%、（c）MD方向及CD方向的斷裂伸長率為100%以上，25%應(yīng)力為100MPa以下。
【專利說明】具有保護(hù)膜形成層的切割膜片和芯片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及可于芯片背面形成保護(hù)膜且可提升芯片的制造效率的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。另外，本發(fā)明涉及使用具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的芯片的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近幾年，有使用所謂被稱為面朝下(facedown)模式的安裝方法的半導(dǎo)體裝置的制造。在面朝下模式，使用在電路面上具有凸塊等的電極的半導(dǎo)體芯片(以下，僅稱為“芯片”。)，該電極與基板接合。因此，與芯片的電路面相反側(cè)的面(芯片背面)露出。
[0003]該露出的芯片背面有時(shí)以有機(jī)膜保護(hù)。先前，具有該有機(jī)膜所組成的保護(hù)膜的芯片，通過將液狀的樹脂以旋轉(zhuǎn)涂布法，涂布于晶片背面，干燥、固化，與晶片一起將保護(hù)膜裁切而得到。但是，如此地形成的保護(hù)膜的厚度精度并不充分，有降低產(chǎn)品成品率的情形。
[0004]為解決上述問題，公開了一種芯片保護(hù)用膜，其具有:剝離膜片，及形成于該剝離片上，由能量線固化性成分與膠合劑高分子成分所組成的保護(hù)膜形成層(專利文獻(xiàn)I)。
[0005]再者，在半導(dǎo)體芯片薄型化、高密度化的現(xiàn)在，要求即使曝露在嚴(yán)酷的溫度條件下的情形，構(gòu)裝具有保護(hù)膜的芯片的半導(dǎo)體裝置，具有更高的可靠度。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-138026號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009][發(fā)明所要解決的課題]
[0010]根據(jù)本發(fā)明人等的研究，專利文獻(xiàn)I所記載的芯片保護(hù)用膜，在固化保護(hù)膜形成層時(shí)會(huì)收縮，有可能發(fā)生使半導(dǎo)體晶片發(fā)生翹曲的問題。特別是，極薄的半導(dǎo)體晶片，上述問題很顯著。半導(dǎo)體晶片翹曲，則有使晶片破損，或有可能降低對(duì)保護(hù)膜的標(biāo)記(印記)精度。此外，專利文獻(xiàn)I所記載的芯片用保護(hù)薄膜，在制造具有保護(hù)膜的芯片時(shí)，需要將具有保護(hù)膜的晶片粘貼于切割膜片，制造工序復(fù)雜。此外，通過切割將半導(dǎo)體晶片分割成芯片之后，為使取片容易，有進(jìn)行將由周緣部拉開，使芯片間隔擴(kuò)張的擴(kuò)展的情形。此外，將保護(hù)膜形成層通過加熱固化時(shí)，根據(jù)切割帶的基材，有使基材因熱變形，而對(duì)之后的工序造成不良影響的情形。
[0011]本發(fā)明是鑒于上述情形而完成的。即，本發(fā)明的目的是，提供具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其可簡便地制造具有厚度均勻性高、標(biāo)記精度優(yōu)良的保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片，并且可擴(kuò)展，并且基材具有耐熱性。
[0012][用以解決課題的方法]
[0013]本發(fā)明，包含以下的要點(diǎn)。
[0014][I] 一種具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其具有基材膜、粘著劑層和保護(hù)膜形成層，[0015]并且，粘著劑層，以平面視至少形成于包圍保護(hù)膜形成層的區(qū)域，
[0016]并且，基材膜，包括如下(a)?(C)的特性:
[0017](a)熔點(diǎn)超過130°C,或者不具有熔點(diǎn)、
[0018](b)以130°C加熱2小時(shí)時(shí)的熱收縮率為-5?+5%、
[0019](C) MD方向及CD方向的斷裂伸長率為100%以上，25%應(yīng)力為IOOMPa以下。
[0020][2]如[I]所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，保護(hù)膜形成層是熱固化性。
[0021][3]如[I]或[2]所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，保護(hù)膜形成層包含膠合劑高分子成分(A)及固化性成分(B)。
[0022][4]如[I]?[3]中任一項(xiàng)所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，保護(hù)膜形成層，含有著色劑(C)，
[0023]在波長300?1200nm時(shí)的保護(hù)膜形成層的最大穿透率為20%以下。
[0024][5]如[I]?[4]中任一項(xiàng)所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，在由基材膜和粘著劑層構(gòu)成的粘著膜片的粘著劑層上，具有保護(hù)膜形成層，
[0025]保護(hù)膜形成層形成于粘著膜片的內(nèi)部，
[0026]粘著劑層露出于粘著膜片的外周部。
[0027][6]如[I]?[4]中任一項(xiàng)所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其由形成于基材膜的內(nèi)部的保護(hù)膜形成層、和形成于基材膜的外周部的粘著劑層構(gòu)成。
[0028][7] 一種芯片的制造方法，其將上述[5]所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層粘貼于工件，并且按照[(1)，(2)，(3)]、[ (2),(1),(3)]或[(2)，(3)，(I)]中的任一順序進(jìn)行下述工序(I)?(3 ):
[0029]工序(I):固化保護(hù)膜形成層得到保護(hù)膜；
[0030]工序(2):切割工件、和保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜；
[0031]工序(3):剝離保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜、和粘著膜片。
[0032][8] 一種芯片的制造方法，其將上述[6]所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層粘貼于工件，并且按照[(1)，(2)，(3)]、[ (2),(1),(3)]或[(2)，(3)，(I)]中的任一順序進(jìn)行下述工序(I)?(3 ):
[0033]工序(I):固化保護(hù)膜形成層得到保護(hù)膜；
[0034]工序(2):切割工件、和保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜；
[0035]工序(3):剝離保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜、和基材膜。
[0036][9]如[7]或[8]所述的芯片的制造方法，其中，保護(hù)膜形成層是熱固化性的，并且按照[(1)，(2)，(3)]或[(2)，(I), (3)]的順序進(jìn)行工序(I)?(3)的各工序。
[0037][10]如[9]所述的芯片的制造方法，其中，在上述工序(I)之后的任一工序中，進(jìn)行下述工序(4):
[0038]工序(4):在保護(hù)膜進(jìn)行激光刻印。
[0039][發(fā)明效果]
[0040]在半導(dǎo)體芯片背面形成保護(hù)膜時(shí)，通過使用本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，可于半導(dǎo)體芯片背面，簡便地形成厚度均勻性高、標(biāo)記精度優(yōu)良的保護(hù)膜，可在將切割膜片粘貼于半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)進(jìn)行加熱固化，且可實(shí)施擴(kuò)展工序。【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的剖面圖。
[0042]圖2是表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的剖面圖。
[0043]圖3是表示圖1的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的平面圖。
[0044]圖4是表示圖2的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]如圖1?圖4所示關(guān)于本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片10，具有基材膜1、粘著劑層2、及保護(hù)膜形成層4，粘著劑層，以平面視至少形成于包圍保護(hù)膜形成層的區(qū)域。再者，圖3是圖1所示的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的平面圖，圖4是圖2所示的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的平面圖。
[0046]以下，關(guān)于本發(fā)明，包含其最佳方式，進(jìn)一步具體說明。
[0047]如圖1所示，關(guān)于本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片10的較優(yōu)選的方案(以下，也稱為“圖1的方案”。)，在基材膜I與粘著劑層2構(gòu)成的粘著膜片3的粘著劑層2上，形成保護(hù)膜形成層4，保護(hù)膜形成層4形成于粘著膜片3的內(nèi)周部，粘著劑層2露出粘著膜片3的外周部。然后，通過粘著膜片3的外周部的粘著劑層2，粘貼于環(huán)框5。
[0048]此外，如圖2所示，關(guān)于本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片10的其他的較優(yōu)選的方案(以下，也稱為“圖2的方案”。)，由基材膜1、形成于基材膜I的內(nèi)周部的保護(hù)膜形成層4、及形成于基材膜I的外周部的粘著劑層2所組成。然后，在于基材膜I的外周部經(jīng)由粘著劑層2粘貼于環(huán)框5。
[0049](基材膜)
[0050]本發(fā)明的基材膜，具有耐熱性，具體而言包括如下(a)?(C)的特性。
[0051](a)基材膜的熔點(diǎn)超過130°C,或者不具有熔點(diǎn)、
[0052](b)以130°C加熱2小時(shí)時(shí)的基材膜的熱收縮率為_5?+5%、
[0053](c)基材膜的MD方向及⑶方向的斷裂伸長率為100%以上，基材膜的25%應(yīng)力為IOOMPa 以下。
[0054]基材膜的熔點(diǎn)在130°C以下，或熱收縮率在上述范圍以外，則于保護(hù)膜形成層的固化時(shí)，基材膜熔融，而有可能難以保持基材膜的形狀。此外，有基材膜在半導(dǎo)體芯片的制造工序中與周邊的裝置熔著的情形。熱收縮率是表示基材膜的熱變形的容易度的指標(biāo)。以熱收縮率在_5%以下或超過+5%的基材膜構(gòu)成具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，保持晶片進(jìn)行熱固化時(shí)，有因晶片的重量，使沒有對(duì)應(yīng)晶片的周緣部(在圖1的方案是在粘著膜片的外周部的基材膜，在圖2的方案是基材膜的外周部)不收縮反而擴(kuò)張，容易在具有保護(hù)膜形成層的切割膜片發(fā)生松弛。由此，使之后的切割工序變的困難，或難將切割后的芯片由具有保護(hù)膜形成層的切割膜片拾取(pick up)的情形。
[0055]此外，在基材膜的MD方向(將膜以長條制膜時(shí)，與膜的輸送方向平行的方向)及CD方向(在膜的同一面上與MD方向正交的方向)的任一方向，以拉伸測定的斷裂伸長率為100%以上，且基材膜的25%應(yīng)力為IOOMPa以下。斷裂伸長率未滿100%，或25%應(yīng)力超過lOOMPa，則具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的擴(kuò)展性差，而有成為拾取時(shí)與鄰接的芯片相互接觸而拾取不良或芯片的破損的原因。
[0056]基材膜的熔點(diǎn)，優(yōu)選140°C以上或不具有熔點(diǎn)，更優(yōu)選200°C以上或不具有熔點(diǎn)。此外，在130°C加熱2小時(shí)的基材膜的熱收縮率優(yōu)選為_4~+4%。通過使基材膜的熔點(diǎn)或熱收縮率在上述范圍，基材膜耐熱性優(yōu)良，可良好地保持固化上述保護(hù)膜形成層時(shí)的基材膜的形狀保持性。再者，在130°C加熱2小時(shí)時(shí)的基材膜的熱收縮率，是將基材膜投入130°C的環(huán)境下的前后的基材膜的面積，以下式求得。
[0057]熱收縮率(％) ={(投入前的基材膜的面積)-(投入后的基材膜的面積)}/投入前的基材膜的面積XlOO
[0058]此外，基材膜的MD方向及⑶方向的斷裂伸長率優(yōu)選為120%以上，更優(yōu)選為250%以上。基材膜的25%應(yīng)力，優(yōu)選為80MPa以下，更優(yōu)選為70MPa以下?；哪さ臄嗔焉扉L率與25%應(yīng)力在于上述范圍，可顯示良好的擴(kuò)展性的同時(shí)，可抑制拾取時(shí)鄰接的芯片相互接觸的拾取不良或芯片的損壞。
[0059]基材膜，可舉出例如，聚丙烯膜、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇膜、丙烯酸樹脂膜、耐熱聚氨酯膜等。此外，也可使用這些的交聯(lián)膜或通過放射線?放電等的改性膜。基材膜，只要滿足上述物性，也可為上述膜的層積體。
[0060]基材膜的厚度,并無特別限定,優(yōu)選為30~300 μ m,更優(yōu)選為50~200 μ m。通過使基材膜的厚度在上述范圍，在切割的切入之后也具有充分的擴(kuò)展性。此外，由于具有保護(hù)膜形成層的切割膜片具有充分的可繞性，故對(duì)工件(例如半導(dǎo)體晶片等)顯示良好的黏附性。
[0061]在關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的情形，保護(hù)膜形成層黏附于工件(例如半導(dǎo)體晶片等)，對(duì)工件進(jìn)行所需的加工后，保護(hù)膜形成層以固著殘存于工件的狀態(tài)由基材膜剝離。即，關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，是使用在將保護(hù)膜形成層由基材膜轉(zhuǎn)印于工件的工序。因此，接于基材膜的保護(hù)膜形成層表面的表面張力，優(yōu)選為40mN/m以下，更優(yōu)選為3`7mN/m以下，進(jìn)一步優(yōu)選為35mN/m以下。下限值通常為25mN/m左右。如此的表面張力低的基材膜，可適宜選擇樹脂膜的材質(zhì)而獲得，此外，也可將剝離劑涂布于樹脂膜的表面施以剝離處理而得。對(duì)在對(duì)本發(fā)明的基材膜施以剝離處理時(shí)，具體而言，對(duì)基材膜的全面或基材膜的內(nèi)周部(形成保護(hù)膜形成層的面)做剝離處理。
[0062]用于剝離處理的剝離劑，可使用醇酸系、硅酮系、氟系、不飽和聚脂系、聚烯烴系、蠟系等，特別是以醇酸系、硅酮系、氟系的剝離劑，具有耐熱性而優(yōu)選。
[0063]使用上述剝離劑對(duì)基材膜的表面做剝離處理，將剝離劑直接以無溶劑或以溶劑稀釋或乳膠化，以凹版涂布機(jī)、線棒涂布機(jī)、氣刀涂布機(jī)、輥輪涂布機(jī)等涂布，將涂布剝離劑的基材膜于常溫下或加熱下供給，或以電子線使之固化形成剝離劑層即可。
[0064]此外，也可通過濕式層壓或干式層壓、熱熔融層壓、溶融擠出層壓、共擠出加工等進(jìn)行膜的層積調(diào)整基材膜的表面張力。即，也可將基材膜的至少一方的表面的表面張力，與上述基材膜的保護(hù)膜形成層接觸的面的表面張力，在較優(yōu)選的范圍內(nèi)的膜，使該面成與保護(hù)膜形成層接觸的面地，制造與其他膜層積的層積體，作為基材膜。
[0065]此外，使用聚丙烯膜等的聚烯烴系膜作為基材膜時(shí)，根據(jù)膜的特性，也有即使不進(jìn)行剝離處理，可將保護(hù)膜形成層由基材膜剝離的情形。于如此的情形等，也可使用沒有被剝離處理的基材膜。[0066]此外，關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片時(shí)，在波長532nm及波長1064nm時(shí)的基材膜的全光線穿透率，優(yōu)選為70%以上，更優(yōu)選為75%以上。通過使在波長532nm及波長1064nm時(shí)的基材膜的全光線穿透率在上述范圍，在將具有保護(hù)膜形成層的切割膜片粘貼于半導(dǎo)體晶片之后，可透過基材膜進(jìn)行激光刻印。
[0067]在基材膜，也可于設(shè)置保護(hù)膜形成層的區(qū)域，設(shè)置復(fù)數(shù)細(xì)微的貫通孔。通過設(shè)置貫通孔，可抑制對(duì)保護(hù)膜形成層進(jìn)行激光刻印時(shí)所發(fā)生的氣體而產(chǎn)生異物。
[0068](粘著劑層)
[0069]在本發(fā)明的粘著劑層，可通過先前公知的各種粘著劑形成。如此的粘著劑，并無任何限定，可使用例如橡膠系、丙烯酸系、硅酮系、聚乙烯基醚等的粘著劑。此外，也可使用能量線固化型、加熱發(fā)泡型或水膨潤型粘著劑。能量線固化(紫外線固化、電子線固化)型粘著劑，特別是優(yōu)選使用紫外線固化型粘著劑。
[0070]粘著劑層，是在制造后述的芯片時(shí)，在其外周部貼附于環(huán)框。將粘著劑層的外周部貼附于環(huán)框，進(jìn)行保護(hù)膜形成層的固化，則在將環(huán)框由粘著劑層取下時(shí)，有于環(huán)框產(chǎn)生殘膠的情形。此外，在于保護(hù)膜形成層的固化工序，粘著劑層曝露于高溫中而軟化，使殘膠容易發(fā)生。因此，在上述粘著劑之中，由防止對(duì)環(huán)框的殘膠及對(duì)粘著劑層賦予耐熱性的觀點(diǎn)，優(yōu)選丙稀Ife系、娃麗系粘著劑。
[0071]此外，將關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的基材膜全面，使用硅酮系的剝離劑做剝離處理時(shí)，由基材膜與粘著劑層的粘著性的觀點(diǎn)，優(yōu)選使用硅酮系粘著齊U。再者，關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的粘著劑層，形成于基材膜的外周部。
[0072]此外，貼附于環(huán)框的部分(在關(guān)于圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，是粘著膜片的外周部)的粘著劑層的粘著力(貼附之后，經(jīng)以130°C加熱2小時(shí)之后對(duì)SUS板的粘著力)，優(yōu)選為15N/25mm以下，更優(yōu)選為10N/25mm以下，特別優(yōu)選為5N/25mm以下。使貼附于環(huán)框的部分的粘著劑層的粘著力，在上述范圍，可對(duì)環(huán)框的貼附性優(yōu)良，可防止對(duì)環(huán)框的殘膠。
[0073]粘著劑層的厚度，并無特別限定，優(yōu)選為I?100 μ m,更優(yōu)選為2?80 μ m，特別優(yōu)選為3?50 μ m。
[0074]此外，在關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，粘著劑層也可是在芯材膜的兩面設(shè)置粘著劑層的雙面膠帶。
[0075]雙面膠帶具有粘著劑層/芯材膜/粘著劑層的構(gòu)成，在雙面膠帶的粘著劑層，并無特別限定，可采用上述粘著劑。在此種情況，位在與基材膜最近的粘著劑層，使用硅酮系的粘著劑，由基材膜與粘著劑層的粘著性的觀點(diǎn)為優(yōu)選。此外，芯材膜，優(yōu)選具有耐熱性。優(yōu)選使用熔點(diǎn)120°C以上的膜作為芯材膜。使用熔點(diǎn)未滿120°C的膜作為芯材膜，則于保護(hù)膜形成層的加熱固化時(shí)，有使芯材膜熔融而無法保持形狀，或與周邊的裝置熔著的情形。芯材膜，可良好地使用，例如，聚酯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亞胺膜、氟樹脂膜、液晶高分子膜等。
[0076](粘著膜片)
[0077]關(guān)于圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的粘著膜片，是通過在基材膜上設(shè)置粘著劑層而獲得。在基材膜的表面設(shè)置粘著劑層的方法，可將在剝離片上以形成規(guī)定的厚度地涂布形成的粘著劑層轉(zhuǎn)印于基材膜表面，也可于基材膜表面，直接涂布構(gòu)成粘著劑層的粘著劑組合物，形成粘著劑層。剝離膜片，可使用與設(shè)于后述的保護(hù)膜形成層上的膜片相同的膜片。
[0078]通過于基材膜上設(shè)置粘著劑層而獲得的粘著膜片，基材膜具有耐熱性。此外，由于基材膜具有規(guī)定的拉伸特性，故可容易地進(jìn)行擴(kuò)展。
[0079]在波長532nm及波長1064nm時(shí)的粘著膜片的全光線穿透率，優(yōu)選為70%以上，更優(yōu)選為75%以上。通過使在波長532nm及波長1064nm時(shí)的粘著膜片的全光線穿透率在于上述范圍，在將具有保護(hù)膜形成層的切割膜片粘貼于半導(dǎo)體晶片之后，可透過粘著膜片(基材膜及粘著劑層)進(jìn)行激光刻印。
[0080]于粘著膜片，也可于設(shè)置保護(hù)膜形成層的區(qū)域，設(shè)置復(fù)數(shù)細(xì)微的貫通孔。通過設(shè)置貫通孔，可抑制對(duì)保護(hù)膜形成層進(jìn)行激光刻印時(shí)所發(fā)生的氣體而產(chǎn)生異物。
[0081](保護(hù)膜形成層)
[0082]本發(fā)明的保護(hù)膜形成層，并無特別限定，可使用例如，熱固化性、熱塑性、能量線固化性的保護(hù)膜形成層。這些中，本發(fā)明的上述基材膜，從具有耐熱性并可良好地發(fā)揮抑制熱固化時(shí)的變形的效果考慮，優(yōu)選熱固化性的保護(hù)膜形成層。
[0083]保護(hù)膜形成層，優(yōu)選含有膠合劑高分子成分(A)及固化性成分(B)。
[0084](A)膠合劑高分子成分
[0085]為賦予保護(hù)膜形成層充分的粘著性及造膜性(膜片形成性)，使用膠合劑高分子成分(A)。膠合劑高分子成分(A)，可使用先前公知的丙烯酸高分子、聚酯樹脂、尿烷樹脂、丙烯酸尿烷樹脂、硅膠樹脂、橡膠系高分子等。
[0086]膠合劑高分子成分(A)的重量平均分子量(Mw)，優(yōu)選為I萬?200萬，更優(yōu)選為10萬?120萬。膠合劑高分子成分(A)的重量平均分子量過低，則保護(hù)膜形成層與粘著膜片或基材膜的粘著力變高，有使保護(hù)膜形成層的轉(zhuǎn)印發(fā)生不良的情形，過高則使保護(hù)膜形成層的粘著性下降，而無法對(duì)芯片等轉(zhuǎn)印，或于轉(zhuǎn)印之后保護(hù)膜由芯片等剝離的情形。
[0087]膠合劑高分子成分(A)，可良好地使用丙烯酸高分子。丙烯酸高分子的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)，優(yōu)選為-60?50°C，更優(yōu)選為-50?40°C，特別優(yōu)選為-40?30°C的范圍。丙烯酸高分子的玻璃轉(zhuǎn)移溫度過低，則保護(hù)膜形成層與粘著膜片或基材膜的粘著力變高，有使保護(hù)膜形成層的轉(zhuǎn)印發(fā)生不良的情形。過高則使保護(hù)膜形成層的粘著性下降，而無法對(duì)芯片等轉(zhuǎn)印，或于轉(zhuǎn)印之后保護(hù)膜由芯片等剝離的情形。
[0088]構(gòu)成上述丙烯酸高分子的單體，可舉出(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。例如，烷基的碳數(shù)為I?18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體而言，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。此外，具有環(huán)狀骨架的(甲基)丙烯酸酯，具體而言，可舉出丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、二環(huán)戊基(甲基)丙烯酸酯、二環(huán)戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環(huán)戊烯氧乙基(甲基)丙烯酸酯、酰亞胺(甲基)丙烯酸酯等。再者，具有官能基的單體，可舉出具有羥基的羥基甲基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等；其他，可舉出具有環(huán)氧基的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。丙烯酸高分子，由于與后述的固化性成分(B)的相溶性佳，優(yōu)選含有具有羥基的單體的丙烯酸高分子。此外，上述丙烯酸高分子，也可與丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等共聚合。[0089]再者，膠合劑高分子成分(A)，為保持固化后的保護(hù)膜的可撓性，也可配合熱塑性樹脂。如此的熱塑性樹脂，優(yōu)選為重量平均分子量1000?10萬者，更優(yōu)選為3000?8萬者。熱塑性樹脂的玻璃轉(zhuǎn)移溫度，優(yōu)選為-30?120°C，更優(yōu)選為-20?120°C。熱塑性樹月旨，可舉出聚酯樹脂、尿烷樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。這些熱塑性樹月旨，可以I種單獨(dú)或混合2種以上混合。通過含有上述熱塑性樹脂，可使保護(hù)膜形成層追隨保護(hù)膜形成層的轉(zhuǎn)印面，而可抑制空隙等的發(fā)生。
[0090](B)固化性成分
[0091]固化性成分(B)，使用熱固化性成分及/或能量線固化性成分。
[0092]熱固化性成分，可使用熱固化樹脂及熱固化劑。熱固化樹脂，例如，優(yōu)選環(huán)氧樹脂。
[0093]環(huán)氧樹脂，可使用先前公知的環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂，具體而言，可舉出多官能系環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯化合物、雙酚A 二縮水甘油醚或其加氫物、鄰甲酚酚醛環(huán)氧樹脂樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、亞苯基骨架型環(huán)氧樹脂等，在分子中具有2官能以上的環(huán)氧化合物。這些物質(zhì)可以I種單獨(dú)或組合2種以上使用。
[0094]保護(hù)膜形成層，相對(duì)于膠合劑高分子成分(A) 100質(zhì)量份，優(yōu)選包含熱固化樹脂I?1000質(zhì)量份，更優(yōu)選10?500質(zhì)量份，特別優(yōu)選20?200質(zhì)量份。熱固化樹脂的含量未滿I質(zhì)量份，則有無法得到充分的粘著性的情形，超過1000質(zhì)量份，則保護(hù)膜形成層與粘著膜片或基材膜的剝離力變高，有使保護(hù)膜形成層發(fā)生轉(zhuǎn)印不良的情形。
[0095]熱固化劑，是對(duì)熱固化樹脂，特別是環(huán)氧樹脂，作為固化劑而起作用。較優(yōu)選的熱固化劑，是在I分子中具有2個(gè)以上可與環(huán)氧基反應(yīng)的官能基的化合物。該官能基，可舉出酚性羥基、醇性羥基、氨基、羧基及酸酐等。這些中，優(yōu)選為酚性羥基、氨基、酸酐等，更優(yōu)選為酚性羥基、氨基。
[0096]酚系固化劑的具體例，可舉出多官能系酚樹脂、雙酚、酚醛型酚樹脂、二環(huán)戊二烯系酚樹脂、酚芳烷(Xylok)型酚樹脂、芳烷基酚樹脂。胺系固化劑的具體例，可舉出DICY(雙氰胺)。這些可以I種單獨(dú)或組合2種以上使用。
[0097]熱固化劑的含量,相對(duì)于熱固化樹脂100質(zhì)量份,優(yōu)選為0.1?500質(zhì)量份,更優(yōu)選為I?200質(zhì)量份。熱固化劑的含量少，則有固化不足而無法得到粘著性，過多則保護(hù)膜形成層的吸濕率上升而有降低半導(dǎo)體裝置的可靠度的情形。
[0098]保護(hù)膜形成層，含有熱固化性成分，作為固化性成分(B)時(shí)，保護(hù)膜形成層具有熱固化性。此時(shí)，可將保護(hù)膜形成層通過加熱固化，但由于本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，基材膜具有耐熱性，故在保護(hù)膜形成層熱固化時(shí)，不容易基材膜變形而發(fā)生不良。
[0099]能量線固化性成分，可使用包含能量線聚合性基，受到紫外線、電子線等的能量線照射，則聚合固化的低分子化合物(能量線聚合性化合物)。如此的能量線固化性成分，具體而言，可舉出三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、異戊四醇三丙烯酸酯、異戊四醇四丙烯酸酯、二異戊四醇羥單羥基五丙烯酸酯、二異戊四醇六丙烯酸酯、或1，4- 丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己烷二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯系寡聚物、環(huán)氧變性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸寡聚物等的丙烯酸酯系化合物。如此的化合物，是在分子內(nèi)至少具有I個(gè)聚合性雙鍵鍵結(jié)，通常，重量平均分子量為100?30000，優(yōu)選為300?10000程度。能量線聚合性化合物的配合量，相對(duì)于膠合劑高分子成分(A) 100質(zhì)量份，優(yōu)選包含I?1500質(zhì)量份，更優(yōu)選為10?500質(zhì)量份，特別優(yōu)選為20?200質(zhì)量份。
[0100]此外，能量線固化性成分，也可使用于膠合劑高分子成分(A)的主鏈或側(cè)鏈鍵結(jié)能量線聚合性基的能量線固化型聚合物。如此的能量線固化型聚合物，兼具作為膠合劑高分子成分(A)的功能及作為固化性成分(B)的功能。
[0101]能量線固化型聚合物的主骨架，并無特別限定，可為廣泛用于膠合劑高分子成分(A)的丙烯酸高分子，此外，也可為聚脂、聚醚等，從合成及控制物性較容易的角度，特別優(yōu)選為以丙烯酸高分子作為主骨架。
[0102]鍵結(jié)于能量線固化型聚合物的主鏈或側(cè)鏈的能量線聚合性基，例如，包含能量線聚合性的碳-碳雙鍵鍵結(jié)的基，具體而言，可例示(甲基)丙烯?；?。能量線聚合性基，也可經(jīng)由亞烷基、亞烷氧基、聚亞烷氧基鍵結(jié)于能量線固化型聚合物。
[0103]鍵結(jié)有能量線聚合性基的能量線固化型聚合物的重量平均分子量(Mw)，優(yōu)選為I萬?200萬，更優(yōu)選為10萬?150萬。此外，能量線固化型聚合物的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)，優(yōu)選為-60?50°C，更優(yōu)選為-50?40°C，特別優(yōu)選為-40?30°C的范圍。
[0104]能量線固化型聚合物，可舉出例如，使含有羥基、羧基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等的官能基的丙烯酸高分子，與可與該官能基反應(yīng)的取代基及于每一分子具有I?5個(gè)能量線聚合性碳-碳雙鍵鍵結(jié)的含有聚合性基的化合物反應(yīng)而得。可與該官能基反應(yīng)的取代基，可舉出異氰酸酯基、縮水甘油基、羧基等。
[0105]含有聚合性基的化合物，可舉出(甲基)丙烯酰氧乙基異氰酸酯、甲基-異丙烯基-α，α -二甲基芐基異氰酸酯，(甲基)丙烯酰異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸等。
[0106]丙烯酸高分子，以具有羥基、羧基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等的官能基的(甲基)丙烯單體或其衍生物，與可與此共聚合的其他的(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所組成的共聚物為優(yōu)選。
[0107]具有羥基、羧基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等的官能基的(甲基)丙烯酸單體或其衍生物，可舉出例如，具有羥基的(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯；具有羧基的丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有環(huán)氧基的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等。
[0108]可與上述單體共聚合的其他的(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物，可舉出例如，烷基的碳數(shù)為I?18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體而言，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；具有環(huán)狀骨架的丙烯酸酯，具體而言，可舉出(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸芐酯、丙烯酸異冰片酯、二環(huán)戊基丙烯酸酯、二環(huán)戊烯基丙烯酸酯、二環(huán)戊烯基氧乙基丙烯酸酯、酰亞胺丙烯酸酯等。此外，上述丙烯酸高分子，也可與醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等共聚合。
[0109]即使是使用能量線固化型聚合物的情形，也可并用上述能量線聚合性化合物，此外也可并用膠合劑高分子成分(Α)。在于本發(fā)明的保護(hù)膜形成層的中，這些三者的配合量的關(guān)系，是相對(duì)于能量線固化型聚合物及膠合劑高分子成分(A)的質(zhì)量的和100質(zhì)量份，能量線聚合性化合物包含I?1500質(zhì)量份為優(yōu)選，更優(yōu)選為10?500質(zhì)量份，更優(yōu)選為20?200質(zhì)量份。
[0110]通過對(duì)保護(hù)膜形成層賦予能量線固化性，可簡便且以短時(shí)間使保護(hù)膜形成層固化，可提升具有保護(hù)膜的芯片的生產(chǎn)效率。先前，芯片用保護(hù)膜，一般系通過環(huán)氧樹脂等的熱固化樹脂形成，但是熱固化樹脂的固化溫度超過200°C，此外固化時(shí)間需要2小時(shí)左右，故成為提升生產(chǎn)效率的障礙。但是，能量線固化性的保護(hù)膜形成層，由于可通過能量線照射以短時(shí)間固化，故可簡便地形成保護(hù)膜，可對(duì)生產(chǎn)效率的提升有所貢獻(xiàn)。
[0111]其他的成分
[0112]保護(hù)膜形成層，在上述膠合劑高分子成分(A)及固化性成分(B)以外，包含如下成分。
[0113](C)著色劑
[0114]保護(hù)膜形成層，包含著色劑(C)為優(yōu)選。通過在保護(hù)膜形成層配合著色劑，在將半導(dǎo)體裝置組入機(jī)器時(shí)，可遮蔽周遭裝置所產(chǎn)生的紅外線等，可防止因這些使半導(dǎo)體裝置出錯(cuò)，此外，于固化保護(hù)膜形成層而得的保護(hù)膜，刻印產(chǎn)品號(hào)碼等時(shí)，可提升文字的視認(rèn)性。即，于形成保護(hù)膜的半導(dǎo)體裝置與半導(dǎo)體芯片，通常于保護(hù)膜的表面將品號(hào)等以激光刻印法(通過激光光削去保護(hù)膜表面而進(jìn)行刻印的方法)刻印，通過保護(hù)膜含有著色劑(C)，可充分地得到保護(hù)膜以激光光削去的部分與并非如此的部分的對(duì)比差，而提升視認(rèn)性。著色劑(C)，可使用有機(jī)或無機(jī)的顏料及染料。這些中，由電磁波與紅外線遮蔽性的方面考慮，以黑色顏料為優(yōu)選。黑色顏料，舉出碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性碳等，并不限定于這些。由提升半導(dǎo)體裝置的可靠度的觀點(diǎn)，以碳黑特別優(yōu)選。著色劑(C)，可以I種單獨(dú)使用，也可組合2種以上使用。本發(fā)明的保護(hù)膜形成層的高固化性，使用使可視光及/或紅外線與紫外線的雙方的穿透性下降的著色劑，在紫外線的穿透性下降時(shí)，可特別良好地發(fā)揮?？墒箍梢暪饧?或紅外線與紫外線的雙方的穿透性下降的著色劑，在上述黑色顏料以外，只要是在可視光及/或紅外線與紫外線的雙方的波長區(qū)域具有吸收性或反射性，并無特別限定。
[0115]著色劑(C)的配合量，對(duì)構(gòu)成保護(hù)膜形成層的全固體份100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.1?35質(zhì)量份為，更優(yōu)選為0.5?25質(zhì)量份，特別優(yōu)選為I?15質(zhì)量份。
[0116](D)固化促進(jìn)劑
[0117]固化促進(jìn)劑(D)，是用于調(diào)整保護(hù)膜形成層的固化速度。固化促進(jìn)劑(D)，特別是，在固化性成分(B)中，可良好地使用于并用環(huán)氧樹脂與熱固化劑的情形。
[0118]較優(yōu)選的固化促進(jìn)劑，可舉出三亞乙基二胺、芐基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)酚等的叔胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4，5- 二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等的咪唑類；三丁基膦、二苯膦、三苯膦等的有機(jī)膦類；四苯硼酸四苯基膦、四苯硼酸三苯膦等的四苯硼酸鹽等。這些可以I種單獨(dú)或組合2種以上使用。
[0119]固化促進(jìn)劑(D)，相對(duì)于固化性成分(B)IOO質(zhì)量份，優(yōu)選為包含0.01?10質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.1?I質(zhì)量份的量。通過以上述范圍的量含有固化促進(jìn)劑(D)，即使曝露于高溫高濕中也可具有優(yōu)良的粘著特性，即使是曝于嚴(yán)酷的回火條件中，也可達(dá)成很高的可靠度。固化促進(jìn)劑(D)含量少，則固化不足而無法得到充分的粘著特性，過剩則具有高極性的固化促進(jìn)劑，在高溫高濕下于保護(hù)膜形成層中向粘著界面?zhèn)纫苿?dòng)，因偏析而使半導(dǎo)體裝置的可靠度下降。
[0120](E)偶合劑[0121]偶合劑(E)，可用于提升保護(hù)膜形成層對(duì)芯片的粘著性、密著性及/或保護(hù)膜的凝聚性。此外，通過使用偶合劑(E)，可不損及固化保護(hù)膜形成層而得的保護(hù)膜的耐熱性，而提升其耐水性。
[0122]偶合劑(E)，可良好地使用具有可與膠合劑高分子成分(A)，固化性成分(B)等所具有的官能基反應(yīng)的基的化合物。偶合劑(E)，以硅烷偶合劑為優(yōu)選。如此的偶合劑，可舉出Y _縮水甘油丙基二甲氧基硅烷、Y _縮水甘油丙基甲基二乙氧基硅烷、β _ (3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-(甲基丙烯酰氧丙基)三甲氧基硅烷、Y-氨基丙基三甲氧基硅烷、Ν-6-(氣基乙基)_ Y _氣基丙基二甲氧基硅烷、Ν-6-(氣基乙基)_ Y _氣基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-、-氣基丙基二甲氧基硅烷、Y _服基丙基二乙氧基硅烷、Y _腳基丙基二甲氧基硅烷、Y-腳基丙基甲基二甲氧基硅烷、雙(3-二乙氧基娃基丙基)四硫化物、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、乙烯基二甲氧基硅烷、乙烯基二乙酸基硅烷、味唑硅烷等。這些可以I種單獨(dú)或組合2種以上使用。
[0123]偶合劑(Ε)，相對(duì)于膠合劑高分子成分(A)及固化性成分(B)的合計(jì)100質(zhì)量份，通常為0.1~20質(zhì)量份，以0.2~10質(zhì)量份為優(yōu)選，以0.3~5質(zhì)量份的比例包含為更優(yōu)選。偶合劑(E)含量，未滿0.1質(zhì)量份，則有無法得到上述效果的可能性，超過20質(zhì)量份，則有成為脫氣的原因的可能性。
[0124](F)無機(jī)填充材
[0125]通過將無機(jī)填充材(F)配合于保護(hù)膜形成層，可調(diào)整在于固化后的保護(hù)膜的熱膨脹系數(shù)，通過對(duì)半導(dǎo)體芯片將固化后的保護(hù)膜的熱膨脹系數(shù)優(yōu)化而提升半導(dǎo)體裝置的可靠度。此外，也可減低固化后的保護(hù)膜的吸濕率。
[0126]較優(yōu)選的無機(jī)填充材，可舉出二氧化硅、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化硅、氮化硼等的粉末，將這些球形化的小珠、單晶纖維及玻璃纖維等。這些中，以二氧化硅填充劑及氧化鋁填充劑為優(yōu)選。上述無機(jī)填充材(F)，可以單獨(dú)或混合2種以上使用。無機(jī)填充材(F)的含量，對(duì)構(gòu)成保護(hù)膜形成層的全固體份100質(zhì)量份，通?？捎贗~80質(zhì)量份的范圍調(diào)整。
[0127](G)光聚合起始劑
[0128]保護(hù)膜形成層，包含能量線固化性成分作為上述固化性成分(B)時(shí)，于其使用時(shí)，照射紫外線等的能量線，使能量線固化性成分固化。此時(shí)，通過于該組合物中含有光聚合起始劑(G)，可減少聚合固化時(shí)間及光線照射量。
[0129]如此的光聚合起始劑(G)，具體而言，可舉出二苯酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、苯甲酸芐酯、甲基苯甲酸芐酯、苯偶酰二甲縮酮、2，4- 二乙基噻噸酮、α -羥基環(huán)己基苯基酮、芐基二苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、苯偶酰、二芐醚、雙乙酰、1，2_ 二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4- (1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2，4，6-三甲基苯甲酰苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑(G)，可以I種單獨(dú)或組合2種以上使用。
[0130]光聚合起始劑(G)的配合比例，相對(duì)于能量線固化性成分100質(zhì)量份，包含0.1~10質(zhì)量份為優(yōu)選，包含I~5質(zhì)量份為更優(yōu)選。未滿0.1質(zhì)量份，則有光聚合不足而無法得到轉(zhuǎn)印性的情形，超過10質(zhì)量份，則產(chǎn)生未參與光聚合的殘留物，有使保護(hù)膜形成層的固化性不充分的情形。[0131](H)交聯(lián)劑
[0132]對(duì)調(diào)節(jié)保護(hù)膜形成層的初期粘著力及凝聚力，也可添加交聯(lián)劑。交聯(lián)劑(H)，可舉出有機(jī)多元異氰酸酯化合物、有機(jī)多元酰亞胺化合物等。
[0133]上述有機(jī)多元異氰酸酯化合物，可舉出芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環(huán)族多元異氰酸酯化合物及這些有機(jī)多元異氰酸酯化合物的三量體、以及使這些有機(jī)多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應(yīng)而得的末端異氰酸酯尿烷預(yù)聚合物等。
[0134]有機(jī)多元異氰酸酯化合物，可舉出例如，2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3- 二甲苯二異氰酸酯、1，4- 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷_4，4’ - 二異氰酸酯、二苯基甲烷_2，4’ - 二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷_4，4’ - 二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷_2，4’ - 二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加成物甲苯二異氰酸酯及賴胺酸異氰酸酯。
[0135]上述有機(jī)多元亞酰胺化合物，可舉出例如，N，N’ -二苯基甲烷-4，4’ -雙(1_賴胺酸羧酰胺)、三羥甲基丙烷-三-β -氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β -氮丙啶基丙酸酯及N，N’ -甲苯-2，4-雙(1-氮丙啶羧酰胺)三乙烯三聚氰胺等。
[0136]交聯(lián)劑(H)，相對(duì)于膠合劑高分子成分(A)及能量線固化型聚合物的合計(jì)量100質(zhì)量份，通常為0.01?20質(zhì)量份，以0.1?10質(zhì)量份為優(yōu)選，以0.5?5質(zhì)量份的比例使用為更優(yōu)選。
[0137](I)通用添加劑
[0138]于保護(hù)膜形成層，于上述外，也可按照必要配合各種添加劑。各種添加劑，可舉出平滑劑、可塑劑、帶電防止劑、氧化防止劑、離子捕捉劑、吸附劑、鏈移動(dòng)劑等。
[0139]由如上述所述的各成分組成的保護(hù)膜形成層，具有粘著性與固化性，于未固化狀態(tài)通過對(duì)工件(半導(dǎo)體晶片或芯片等)壓附而容易地粘著。壓附時(shí)，也可加熱保護(hù)膜形成層。然后經(jīng)由固化，最終可賦予耐沖擊性高的保護(hù)膜，粘著強(qiáng)度也優(yōu)良，即使在嚴(yán)酷的高溫高濕條件下，也可保持充分的保護(hù)功能。再者，保護(hù)膜形成層，也可為單層構(gòu)造，此外，只要包含上述成分的層包含I層以上，也可為多層構(gòu)造。
[0140]保護(hù)膜形成層的厚度，并無特別限定，以3?300 μ m為優(yōu)選，以5?250 μ m更優(yōu)選，以7?200 μ m特別優(yōu)選。
[0141]在于保護(hù)膜形成層，顯示可見光線及/或紅外線與紫外線的穿透性的尺度，于波長300?1200nm的最大穿透率，以20%以下為優(yōu)選，以O(shè)?15%更優(yōu)選，進(jìn)一步以超過0%而10%以下為優(yōu)選，以0.001?8%為特別優(yōu)選。通過使在波長300?1200nm時(shí)的保護(hù)膜形成層的最大穿透率在于上述范圍，保護(hù)膜形成層含有能量線固化性成分(特別是紫外線固化性成分)時(shí)，保護(hù)膜形成層的固化性優(yōu)良。
[0142]此外，可得可視光波長區(qū)域及/或紅外波長區(qū)域的穿透性下降，防止起因于半導(dǎo)體裝置的紅外線而出錯(cuò)，或提升標(biāo)記的視認(rèn)性的效果。在波長300?1200nm時(shí)的保護(hù)膜形成層的最大穿透率，通過上述著色劑(C)調(diào)整。再者，保護(hù)膜形成層的最大穿透率，是使用UV-vis光譜檢查裝置((股)島津制造所制)，測定固化后的保護(hù)膜形成層(厚度25μπι)的300?1200nm的全光線穿透率，作為穿透率的最高值(最大穿透率)。
[0143](剝離膜片)[0144]具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，直到供于使用之間，為避免與保護(hù)膜形成層或粘著劑層的外部的接觸，也可設(shè)置剝離膜片。剝離膜片，可使用例如，聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、離聚物樹脂膜、乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯.(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亞胺膜、氟樹脂膜等的透明膜。此外，也可使用的這些交聯(lián)膜。再者，也可為這些的層積膜。此外，也可使用將這些著色的膜、不透明膜等。此外，剝離膜片，也可將一面做剝離處理。用于剝離處理的剝離劑，可舉出例如，硅酮系、氟系、含有長鏈烷基的氨基甲酸酯等的剝離劑。
[0145]使用上述剝離劑，將剝離膜片的表面剝離處理，可直接將剝離劑以無溶劑，或以溶劑稀釋或乳膠化，以凹版涂布機(jī)、線棒涂布機(jī)、氣刀涂布機(jī)、輥輪涂布機(jī)等涂布，將涂布剝離劑的剝離膜片于常溫下或加熱下供給，或以電子線使之固化形成剝離劑層即可。此外，也可通過濕式層壓或干式層壓、熱熔融層壓、溶融擠出層壓、共擠出加工等進(jìn)行膜的層積。
[0146]剝離膜片的厚度，通常為10?500 μ m，以15?300 μ m為優(yōu)選，以20?250 μ m程度為特別優(yōu)選。此外，具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的厚度，通常為I?500μπι，以5?300 μ m為優(yōu)選，以10?150 μ m程度為特別優(yōu)選。
[0147](具有保護(hù)膜形成層的切割膜片)
[0148]作為具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制造方法，具體地依序說明關(guān)于圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制造方法，及圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制造方法。
[0149]圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制造方法，首先，于剝離片上形成保護(hù)膜形成層。保護(hù)膜形成層，是將上述各成分，以適宜比例，于適當(dāng)?shù)娜軇┲谢旌隙傻谋Ｗo(hù)膜形成層用組合物，于剝離片上涂布干燥而獲得的。此外，也可將保護(hù)膜形成層用組合物涂布、干燥成膜于剝離片上，將此與其他的剝離膜片黏合，作成夾持于2片剝離膜片的狀態(tài)(剝離膜片/保護(hù)膜形成層/剝離膜片)。
[0150]其次，夾持于2片剝離膜片的狀態(tài)時(shí)，將另一方的剝離膜片剝離。然后，將粘貼保護(hù)膜形成層的工件(例如半導(dǎo)體晶片等)以相同的尺寸或大一圈的圓形模切，將模切成圓形的保護(hù)膜形成層的周邊去毛邊。其次，將圓形的保護(hù)膜形成層，粘貼于另外準(zhǔn)備的上述粘著膜片的粘著劑層，配合對(duì)環(huán)框的涂膠處的外徑以同心圓狀模切，將模切的粘著膜片的周圍去除。最后，通過將粘貼于保護(hù)膜形成層的剝離膜片剝離，得到關(guān)于本發(fā)明的圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。
[0151]如圖1所示，本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片10，由基材膜I與粘著劑層2所構(gòu)成的粘著膜片3的內(nèi)周部，可剝離地層積保護(hù)膜形成層4，于粘著膜片3的外周部露出粘著劑層2。即，直徑較粘著膜片3小的保護(hù)膜形成層4，是層積于粘著膜片3的粘著劑層2上，以同心圓狀可剝離地層積。
[0152]然后，在露出粘著膜片3的外周部的粘著劑層2，粘貼于環(huán)框5。
[0153]此外，將粘著劑層以能量線固化型粘著劑形成時(shí)，通過選擇照射能量線的范圍，可所期望位置、大小及形狀，形成粘著力降低的粘著劑層的部分，及粘著力沒有降低的粘著劑層的部分。因此，于粘著劑層粘貼環(huán)框的部分或形成粘著劑層的保護(hù)膜形成層的部分照射能量線使粘著力下降，可調(diào)整于所期望的范圍。結(jié)果，對(duì)環(huán)框的粘貼性優(yōu)良，可防止對(duì)環(huán)框的殘膠，可獲得容易將保護(hù)膜形成層對(duì)工件轉(zhuǎn)印的粘著劑層。如此的粘著劑層，可通過于基材膜上，將能量線部分遮蔽的保護(hù)掩膜，通過印刷、遮蔽膜的黏合、蒸鍍或?yàn)R鍍等形成，由基材膜側(cè)照射能量線的方法等而獲得。
[0154]此外，也可于環(huán)框的涂膠處(露出于粘著膜片的外周部的粘著劑層)上，另外設(shè)置環(huán)狀的雙面膠帶或粘著劑層。雙面膠帶具有粘著劑層/芯材/粘著劑層的構(gòu)成，對(duì)于雙面膠帶的粘著劑層，并無特別限定，可同樣地選擇適合作為粘著膜片3的粘著劑所列舉的。此夕卜，芯材具有耐熱性為優(yōu)選，芯材，使用熔點(diǎn)在120°C以上的膜為優(yōu)選。使用熔點(diǎn)在120°C以下的膜作為芯材，則于加熱固化保護(hù)膜形成層時(shí)，芯材熔融而無法保持形狀，有與周邊的裝置熔著的情形。芯材，可舉出例如，聚酯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亞胺膜、氟樹脂膜、液晶聞分子I旲等。
[0155]此外，也可于粘著劑層與保護(hù)膜形成層之間，設(shè)置耐熱樹脂層。通過設(shè)置耐熱樹脂層，可抑制具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的加熱收縮。此外，由于粘著劑層與保護(hù)膜形成層并沒有直接接觸，故進(jìn)行保護(hù)膜形成層的熱固化時(shí)，可防止粘著劑層與保護(hù)膜形成層熔著。
[0156]耐熱樹脂層，只要是以具有耐熱性的材料所組成的，并無特別限定，已退火處理的聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚苯硫醚膜，環(huán)烯烴樹脂膜、聚酰亞胺樹脂膜等。耐熱樹脂層，是選擇可容易剝離保護(hù)膜形成層的材料，或施以剝離處理等的表面處理為優(yōu)選。剝離處理，可舉出與根據(jù)上述情形于保護(hù)膜形成層上設(shè)置剝離膜片的剝離處理相同的。
[0157]關(guān)于圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制造方法，首先，于剝離片上形成保護(hù)膜形成層。于剝離片上形成保護(hù)膜形成層的方法，如上述的圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制造方法中所詳述的。
[0158]其次，保護(hù)膜形成層，是以2片剝離膜片夾持的狀態(tài)時(shí)，將一方的剝離膜片剝離。然后，將粘貼保護(hù)膜形成層以與工件(例如半導(dǎo)體晶片等)同樣的尺寸或大一圈的圓形模切，將模切成圓形的保護(hù)膜形成層的周邊去毛邊。其次，將圓形的保護(hù)膜形成層，粘貼于另外準(zhǔn)備的上述基材膜，將另一方的剝離膜片剝離。
[0159]其次，準(zhǔn)備粘著劑層。粘著劑層，通常，由于在與基材膜層積之前進(jìn)行沖孔等加工，故以于其兩面層積以硅酮系剝離劑等施以處理的剝離膜片的形式提供。剝離膜片，擔(dān)任保護(hù)粘著劑層賦予支持性的作用。層積于兩面的剝離膜片，以具有輕剝離型.重剝離型等剝離力不同的構(gòu)成，則可提升具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的制作時(shí)的工作性而優(yōu)選。即，使用輕剝離型的剝離膜片與重剝離型的剝離膜片作為剝離膜片夾持粘著劑層，由輕剝離型的剝離膜片使用沖模，將輕剝離型的剝離膜片與粘著劑層膜切成圓形，將模切成圓形的輕剝離型的剝離膜片與粘著劑層去屑形成開口部。其次，將圍繞開口部的粘著劑層上的輕剝離型的剝離膜片去除使粘著劑層露出。然后，使圓形模切的開口部與圓形的保護(hù)膜形成層成同心圓狀地，將層積上述所得保護(hù)膜形成層的基材膜與粘著劑層的露出面層積成層積體。
[0160]之后，配合對(duì)環(huán)框的涂膠處的外徑，將開口部及保護(hù)膜形成層以同心圓狀模切，將模切的層積體的周圍去除。最后，通過將重剝離型的剝離膜片剝離，得到關(guān)于本發(fā)明的圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。
[0161]如圖2所示，本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片10，是由基材膜1、形成于基材膜I的內(nèi)周部的保護(hù)膜形成層4、形成于基材膜I的外周部的粘著劑層2所組成，通過粘著劑層2粘貼于環(huán)框5。形成于基材膜I的外周部的環(huán)狀粘著劑層2的內(nèi)徑(開口部的直徑)，是以較保護(hù)膜形成層4的外徑大地形成。環(huán)狀形成的粘著劑層2的寬度，通常為0.5?20_，但是依照環(huán)框的形狀、寬度、粘著劑層與環(huán)框的粘著性的強(qiáng)弱，可于包含如此的范圍以外的寬度適宜調(diào)整。
[0162]此外，也可于基材膜與保護(hù)膜形成層之間，設(shè)置耐熱樹脂層。通過設(shè)置耐熱樹脂層，可更加抑制具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的加熱收縮。
[0163]耐熱樹脂層，可使用在關(guān)于圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的耐熱樹脂層所例示的膜相同的膜。將耐熱樹脂層保持在基材膜上的方法，并無特別限定，可舉出例如于耐熱樹脂層與基材膜之間，另外設(shè)置粘著劑層而粘著等。耐熱樹脂層，是選擇可容易地使保護(hù)膜形成層剝離的材料，或施以剝離處理等的表面處理為優(yōu)選。剝離處理，可舉出與根據(jù)上述情形于保護(hù)膜形成層上設(shè)置剝離膜片的剝離處理相同的處理。
[0164](芯片的制造方法)
[0165]其次，將關(guān)于本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的利用方法，以使用該膜片于制造芯片(例如半導(dǎo)體芯片等)的情形為例進(jìn)行說明。
[0166]使用關(guān)于本發(fā)明的圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在表面形成有電路的半導(dǎo)體晶片(工件)的背面，粘貼上述膜片的保護(hù)膜形成層，將如工序(I)?(3)，以[(1)，(2)，(3) ]、[ (2)，(1)，(3)]或[(2)，(3)，
(I)]的任一順序進(jìn)行，得到于背面具有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片:
[0167]工序(I):將保護(hù)膜形成層固化得到保護(hù)膜；
[0168]工序(2):將半導(dǎo)體晶片(工件)、與保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜切割；
[0169]工序(3):將保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜、與粘著膜片剝離。
[0170]此外，使用關(guān)于本發(fā)明的圖2的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在表面形成有電路的半導(dǎo)體晶片(工件)的背面，粘貼上述膜片的保護(hù)膜形成層，將如工序(I)?(3)，以[(1)，(2)，(3)]、[ (2),(1),(3)]或[(2)，
(3),(1)]的任一順序進(jìn)行，得到于背面具有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片:
[0171]工序(I):將保護(hù)膜形成層固化得到保護(hù)膜；
[0172]工序(2):將半導(dǎo)體晶片(工件)、與保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜切割；
[0173]工序(3):將保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜、與基材膜剝離。
[0174]此外，關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，于上述工序(I)?(3)的外，進(jìn)一步包含下述工序(4)，可于上述工序(I)之后的任一工序，進(jìn)行工序(4)。
[0175]工序(4):在保護(hù)膜以激光刻印。
[0176]半導(dǎo)體晶片，可為硅晶片，此外，也可為砷化鎵等的化合物半導(dǎo)體晶片。對(duì)晶片表面的電路的形成，可通過包含蝕刻法、剝離法等先前所廣泛使用的方法的各式各樣的方法進(jìn)行。其次，半導(dǎo)體晶片的電路面的反對(duì)面(背面)研削。研削法，并無特別限定，可以使用研磨機(jī)等的公知的手段研削。背面研削時(shí)，為保護(hù)表面的電路，于電路面粘貼稱為表面保護(hù)膜片的粘著膜片。背面研削，是將晶片的電路面?zhèn)?即，表面保護(hù)片側(cè))以吸盤等固定，將沒有形成電路的背面?zhèn)韧ㄟ^研磨機(jī)研削。晶片研削后的厚度，并無特別限定，通常為20?500 μ m程度。之后，按照必要，去除背面研削時(shí)所產(chǎn)生的粉碎層。粉碎層的去除，是通過化學(xué)蝕刻或等離子體蝕刻法等進(jìn)行。[0177]其次，于半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼上述具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層。之后，將工序(I)?(3)以任意順序進(jìn)行。關(guān)于此工序的細(xì)節(jié)，詳述于日本特開2002-280329號(hào)公報(bào)。作為一例，說明使用關(guān)于本發(fā)明的圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片時(shí)，將工序(I)?(3)，以[(1)，(2)，(3)]的順序進(jìn)行的情形。
[0178]首先，將于表面形成有電路的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼上述具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層。其次，使保護(hù)膜形成層固化，于晶片的全面形成保護(hù)膜。通過將固化前的保護(hù)膜形成層粘貼于半導(dǎo)體晶片，可使保護(hù)膜形成層與晶片的粘貼面親和，提升保護(hù)膜與半導(dǎo)體芯片的粘著性。由于在保護(hù)膜形成層，含有固化性成分(B)，一般可通過熱固化或能量線照射使保護(hù)膜形成層固化。再者，于保護(hù)膜形成層，有配合熱固化性成分及能量線固化性成分時(shí)，可將保護(hù)膜形成層的固化，以加熱及能量線照射的二者進(jìn)行，也可同時(shí)進(jìn)行加熱及能量線照射固化，也可逐次進(jìn)行。結(jié)果，于晶片背面形成由固化樹脂所組成的保護(hù)膜，相較于晶片單獨(dú)時(shí)，可提升強(qiáng)度，故可減少處理時(shí)變薄的晶片的損壞。此外，與于晶片或芯片的背面直接將保護(hù)膜用的涂布液涂布、被膜化的涂層法比較，保護(hù)膜的厚度均勻性優(yōu)良。
[0179]保護(hù)膜形成層為熱固化性時(shí)，可抑制本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，因熱固化時(shí)的變形的松弛，可良好發(fā)揮使切割及拾取變?nèi)菀椎男Ч?。因此，保護(hù)膜形成層是熱固化性，于保護(hù)膜形成層的熱固化后進(jìn)行切割或拾取(由保護(hù)膜剝離粘著膜片)的制造方法，即，于以[(1)，(2)，(3)]或[(2)，(1),(3)]的順序進(jìn)行工序的制造方法，使用本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片為優(yōu)選。
[0180]再者，以[(2)，(3)，(1)]的順序進(jìn)行工序時(shí)，或保護(hù)膜形成層不具有熱固化性時(shí)，無須考慮熱固化保護(hù)膜形成層時(shí)的基材膜的變形，在于(3)之前的工序，存在伴隨加熱的工序時(shí)，可發(fā)揮抑制基材膜的熱變形的本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的效果。例如，采用通過加熱會(huì)使粘著力下降的粘著劑作為粘著劑層時(shí)，在(3)的工序中，為使剝離容易，有將具有保護(hù)膜形成層的切割膜片加熱的情形。
[0181]其次，對(duì)固化的保護(hù)膜形成層(保護(hù)膜)以激光刻印為優(yōu)選。激光刻印，是以激光刻印法進(jìn)行，通過激光光的照射，通過透過粘著膜片將保護(hù)膜的表面削去，于保護(hù)膜標(biāo)記品號(hào)等。根據(jù)本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，即使是極薄的晶片，也可抑制晶片的彎曲，故激光光的焦點(diǎn)可正確地定位，可精度良好地進(jìn)行標(biāo)記。
[0182]其次，將半導(dǎo)體晶片與具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的層積體(半導(dǎo)體晶片、保護(hù)膜與粘著膜片的層積體)，根據(jù)形成于晶片表面的電路切割。切割，是將晶片與保護(hù)膜一起進(jìn)行切割。切割，并無特別限定，作為一例，可舉出于晶片的切割時(shí)，將具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的周邊部(粘著膜片的外周部)固定于環(huán)框之后，使用切割刀片等的旋轉(zhuǎn)圓形刀刃等的公知的手法進(jìn)行晶片的芯片化的方法。切割對(duì)粘著膜片的切入深度，只要將保護(hù)膜形成層完全切斷即可，由保護(hù)膜形成層的界面以O(shè)?30 μ m為優(yōu)選。通過對(duì)基材膜的切入量變小，可抑制因基材膜切割刀片的摩擦而熔融，或在基材膜發(fā)生毛邊等。此外，于保護(hù)膜形成層與粘著膜片之間，設(shè)有耐熱樹脂層，耐熱樹脂層不適合用于擴(kuò)展的程度的難以延伸的材料時(shí)，通過將耐熱樹脂層完全切斷地切割，可使切割膜片的擴(kuò)展不會(huì)被耐熱樹脂層妨礙，而可發(fā)揮本發(fā)明的效果。
[0183]之后，將上述粘著膜片擴(kuò)展。本發(fā)明的粘著膜片，由于伸展性優(yōu)良，本發(fā)明的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片具有優(yōu)秀的擴(kuò)展性。將切割的具有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片以夾頭等廣泛使用的方法拾取，將保護(hù)膜與粘著膜片剝離。此外，保護(hù)膜形成層與粘著膜片之間設(shè)有耐熱樹脂層時(shí)，將具有保護(hù)膜半導(dǎo)體芯片由耐熱樹脂層剝離。結(jié)果，得到于背面具有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片(具有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片)。根據(jù)如此的本發(fā)明，可于芯片的背面簡便地形成厚度均勻性高的保護(hù)膜，于切割工序或封裝之后不容易產(chǎn)生裂紋。此外，根據(jù)本發(fā)明，與將形成保護(hù)膜的晶片換貼于切割膠帶切割的先前的工序比較，無須進(jìn)行換貼到切割膠帶地得到具有保護(hù)膜芯片，可謀求制造工序的簡化。此外，無須操作通過研削而脆弱化的晶片，故可減少晶片破損的危險(xiǎn)。再者，薄型化晶片，雖有因保護(hù)膜的固化收縮而發(fā)生彎曲的情形，但由于保持于粘著膜片而可抑制彎曲。然后，可通過將半導(dǎo)體芯片以面朝下的方式構(gòu)裝于規(guī)定的基臺(tái)上而制造半導(dǎo)體裝置。此外，也可通過將背面具有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片，粘著于晶墊部或其他的半導(dǎo)體芯片等的其他的構(gòu)件上(芯片搭載部上)，而制造半導(dǎo)體裝置。
[0184]實(shí)施例
[0185]以下，以實(shí)施例說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不應(yīng)限定于這些實(shí)施例。再者，在以下的實(shí)施例及比較例中，〈晶片保持性及切割性 >、〈擴(kuò)展性 >、〈在波長532nm、1064nm時(shí)的全光線穿透率 >、< 激光刻印評(píng)估 >、< 基材膜的熔點(diǎn) >、< 基材膜的熱收縮率 > 及〈基材膜的斷裂伸長率及25%應(yīng)力 > 是如下測定.評(píng)估。此外，使用下述〈保護(hù)膜形成層用組合物 > 及<粘著劑組合物>。
[0186]<晶片保持性及切割性>
[0187]將具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層，對(duì)硅晶片(直徑8英寸，厚度200 μ m, #2000研磨)，將在粘著膜片的外周部的粘著劑層粘貼于環(huán)框。其次，以130°C加熱2小時(shí)使保護(hù)膜形成層固化，將具有保護(hù)膜的硅晶片切割成5_X5_的芯片尺寸。于加熱固化后的時(shí)點(diǎn)，以目視確認(rèn)有無膜片的松緩(晶片保持性)，膜片沒有松弛時(shí)評(píng)估為“A”，膜片有松弛時(shí)評(píng)估為“B”。此外，于切割后的時(shí)點(diǎn)，以目視確認(rèn)相鄰的芯片有無接觸(切割性)，相鄰的芯片沒有接觸時(shí)評(píng)估為“A”，相鄰的芯片有接觸時(shí)評(píng)估為“B”。再者，評(píng)估后，按照通常的方法進(jìn)行芯片的拾取。
[0188]〈擴(kuò)展性〉
[0189]將具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層，對(duì)硅晶片(直徑8英寸，厚度200 μ m, #2000研磨)，將在粘著膜片或基材膜的外周部的粘著劑層粘貼于環(huán)框。其次，以130°C加熱2小時(shí)使保護(hù)膜形成層固化，將具有保護(hù)膜的硅晶片切割成5mmX5mm的芯片尺寸。使用晶粒接合機(jī)(優(yōu)選能機(jī)械公司制Bestem-D02),以剝拉量3mm進(jìn)行擴(kuò)展。擴(kuò)展時(shí)確認(rèn)基材膜有無裂開，可擴(kuò)展且基材膜沒有裂開時(shí)評(píng)估為“A”，無法擴(kuò)展，或基材膜有裂開時(shí)評(píng)估為“B”。
[0190]<在波長532nm、1064nm時(shí)的全光線穿透率>
[0191]使用UV-vis光譜檢查裝置((股)島津制造所制)，圖1的方案(第I較優(yōu)選的方案)的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的情形，測定其粘著膜片于波長532nm、1064nm的全光線穿透率。此外，在圖2的方案(第2較優(yōu)選的方案)的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的情形，測定其基材膜于波長532nm、1064nm時(shí)的全光線穿透率。
[0192]〈激光刻印評(píng)估〉
[0193]與晶片保持性及切割性的評(píng)估同樣地，進(jìn)行對(duì)具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層的硅晶片的粘貼，對(duì)粘著劑層的環(huán)框的粘貼，保護(hù)膜形成層的加熱固化。其次，使用YAG激光刻印機(jī)(Hitachi Kenki Finetech (股)制LM5000，激光波長:532nm)，透過粘著膜片或基材膜對(duì)保護(hù)膜激光刻印。之后，將粘著膜片或基材膜剝離，通過CCD攝影機(jī)確認(rèn)是否可讀取刻印于保護(hù)膜上的文字。
[0194]可讀取時(shí)評(píng)估為“A”，無法讀取時(shí)評(píng)估為“B”。再者，文字的尺寸為寬400 μ m、寬200 μ m。
[0195]〈基材膜的熔點(diǎn)〉
[0196]基材膜的熔點(diǎn)，是以按照J(rèn)IS K7121:1987的方法測定。
[0197]〈基材膜的熱收縮率〉
[0198]將基材膜，裁切成IOcmX IOcm，投入熱風(fēng)烘箱(130°C、2小時(shí))。之后，取出基材膜，測定基材膜的尺寸，以下式求得熱收縮率。
[0199]熱收縮率(％)={(投入前的基材膜的面積)-(投入后的基材膜的面積)}/投入前的基材膜的面積X100。
[0200]<基材膜的斷裂伸長率及25%應(yīng)力>
[0201]基材膜的斷裂伸長率，是使用萬能拉伸試驗(yàn)機(jī)(Orientec公司制，tensironRTA-T-2M),按照 JIS K7161:1994，在 23°C、濕度 50% 的環(huán)境下，在拉伸速度 200mm/分鐘、樣品長50mm的條件下測定。測定，于MD方向及CD方向均進(jìn)行。再者，斷裂伸長率是破斷時(shí)的伸長率。
[0202]此外，基材膜的25%應(yīng)力，是伸長12.5mm時(shí)所測定的力除以試樣的剖面積而計(jì)算。
[0203]<保護(hù)膜形成層用組合物>
[0204]將構(gòu)成保護(hù)膜形成層的各成分與配合量表示如下(各成分/配合量)。
[0205](A)膠合劑高分子成分:丙烯酸正丁酯55質(zhì)量份、甲基丙烯酸甲酯15質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯20質(zhì)量份及丙烯酸-2-羥基乙酯15質(zhì)量份所組成的丙烯酸高分子(重量平均分子量:90萬，玻璃轉(zhuǎn)移溫度:_28°C ) /100質(zhì)量份
[0206](B)固化性成分:
[0207](BI)雙酚A型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量180?200g/eq)50質(zhì)量份、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂(大日本油墨化學(xué)工業(yè)(股)制EPICLON HP-7200HH) 50質(zhì)量份所組成的熱固化性成分/ (合計(jì)100質(zhì)量份)
[0208](B2)熱活性潛在性環(huán)氧樹脂固化劑(雙氰胺(旭電化制ADEKAHARDENER3636AS))/2.8質(zhì)量份
[0209](C)著色劑:碳黑/10.0質(zhì)量份
[0210](D)固化促進(jìn)劑(2-苯基-4，5- 二羥甲基咪唑(四國化成工業(yè)公司制CUREZ0L2PHZ)) /2.8 質(zhì)量份
[0211](E)偶合劑:硅烷偶合劑(日本UNICA制A-1110)/I質(zhì)量份
[0212](F)無機(jī)填充劑:二氧化硅填充劑(溶融石英填充劑(平均粒徑8 μ m))/300質(zhì)量份。
[0213]〈粘著劑組合物1>
[0214]信越化學(xué)工業(yè)(股)制KS847H60質(zhì)量份、東麗道氏硅酮公司(TORAY.DOW.SILICONE(股))制SD458430質(zhì)量份及東麗道氏硅酮公司(TORAY.DOW.SILICONE (股))制SRX2120.5質(zhì)量份所組成的硅酮系粘著劑組合物。
[0215]〈粘著劑組合物2>
[0216]東麗道氏硅酮公司(TORAY.DOW.CORNING (股))制，SILIC0NECF-2017100 質(zhì)量份，及東麗道氏硅酮公司(TORAY.DOW.SILICONE (股))制SRX2121質(zhì)量份所組成的硅酮系粘著劑組合物。
[0217](實(shí)施例1)
[0218]將保護(hù)膜形成層用組合物的上述各成分以上述配合量配合。此外，準(zhǔn)備于一面進(jìn)行剝離處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(琳得科(LINTEC)公司制SP-PET381031，厚度38 μ m，表面張力未滿30mN/m，熔點(diǎn)200°C以上)作為剝離膜片。
[0219]將上述保護(hù)膜形成層用組合物的甲乙酮溶液(固體成分濃度61重量％)，于上述剝離膜片的剝離處理面上，使干燥后的厚度成25 μ m地涂布、干燥(干燥條件:烘箱120°C、3分鐘)，于剝離片上形成保護(hù)膜形成層。其次，將剝離片上的保護(hù)膜形成層，以與硅晶片相同的尺寸(直徑8英寸)模切，得到圓形的保護(hù)膜形成層。
[0220]作為基材膜，于厚度100 μ m的聚丙烯膜(東洋紡績股份公司制的PYLENFILMCTP1147)上，進(jìn)行電暈處理后，將上述粘著劑組合物I的甲苯溶液(固體成分濃度20重量％)，于電暈處理面使干燥后的厚度為5 μ m地涂布、干燥(干燥條件:烘箱120°C、3分鐘)，于基材膜上形成粘著劑層，得到粘著膜片。再者，對(duì)以下基材膜進(jìn)行電暈處理時(shí)，若無特別提及，是于基材膜的電暈處理面形成粘著劑層。
[0221]于上述粘著膜片的粘著劑層上，粘貼上述保護(hù)膜形成層，配合環(huán)框的涂膠處的外徑(直徑260_)以同心圓狀模切。之后，將保護(hù)膜形成層的剝離膜片剝離，得到圖1的方案的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。將各評(píng)估結(jié)果示于表I。
[0222](實(shí)施例2)
[0223]作為基材膜,于厚度50 μ m的聚丙烯膜(Suntox公司制的Suntox-CP KT)上,進(jìn)行電暈處理后，以與實(shí)施例1同樣地得到具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。將各評(píng)估結(jié)果示于表I。
[0224](實(shí)施例3)
[0225]作為基材膜，使用厚度100 μ m的聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯膜之外，以與實(shí)施例1同樣地得到具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。將各評(píng)估結(jié)果示于表I。
[0226](比較例I)
[0227]準(zhǔn)備于一面進(jìn)行剝離處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(琳得科(LINTEC)公司制SP-PET38E-0010YC,厚度38 μ m,表面張力未滿30mN/m，熔點(diǎn)200°C以上)，于剝離處理面上，將上述粘著劑組合物I的甲苯溶液(固體成分濃度20重量％)，使干燥后的厚度為5 μ m地涂布、干燥(干燥條件:烘箱120°C、3分鐘)后，對(duì)作為基材膜的厚度IlOym的電暈處理聚乙烯膜轉(zhuǎn)印，得到粘著膠帶以外，以與實(shí)施例1同樣地得到具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。基材膜，于保護(hù)膜形成層的加熱固化時(shí)熔融而形狀變化、無法評(píng)估切割性、擴(kuò)展性及激光刻印性。此外，無法保持基材膜的形狀，無法測定熱收縮率。將各評(píng)估結(jié)果示于表I。
[0228](比較例2)
[0229]作為基材膜，使用于厚度50 μ m的聚丙烯膜(FUTAMURA化學(xué)公司制F0P-K)上進(jìn)行電暈處理者之外，以與比較例I同樣地得到具有保護(hù)膜形成層的切割膜片?；哪ぃ诒Ｗo(hù)膜形成層的加熱固化時(shí)發(fā)生松弛而無法評(píng)估切割性、擴(kuò)展性及激光刻印性。將各評(píng)估結(jié)果不于表1。
[0230](比較例3)
[0231 ] 作為基材膜，使用厚度150 μ m的聚碳酸酯膜(帝人杜邦膜株式會(huì)社公司制Q51)之外，以與實(shí)施例1同樣地得到具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。將各評(píng)估結(jié)果示于表1。
[0232](比較例4)
[0233]作為基材膜，使用厚度125 μ m的聚酰亞胺膜(TORAY股份公司制KAPT0N500HV)之外，以與實(shí)施例1同樣地得到具有保護(hù)膜形成層的切割膜片。將各評(píng)估結(jié)果示于表1。
[0234]表1
[0235]
【權(quán)利要求】
1.一種具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其具有基材膜、粘著劑層和保護(hù)膜形成層， 并且，粘著劑層，以平面視至少形成于包圍保護(hù)膜形成層的區(qū)域， 并且，基材膜包括如下(a)?(C)的特性: Ca)熔點(diǎn)超過130°C,或者不具有熔點(diǎn)、 (b)以130°C加熱2小時(shí)時(shí)的熱收縮率為_5?+5%、 (c)MD方向及CD方向的斷裂伸長率為100%以上，25%應(yīng)力為IOOMPa以下。
2.如權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，保護(hù)膜形成層是熱固化性。
3.如權(quán)利要求1或2所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，保護(hù)膜形成層包含膠合劑高分子成分(A)和固化性成分(B)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中， 保護(hù)膜形成層含有著色劑(C)， 并且，在波長300?1200nm時(shí)的保護(hù)膜形成層的最大穿透率為20%以下。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中， 在基材膜和粘著劑層構(gòu)成的粘著膜片的粘著劑層上，具有保護(hù)膜形成層， 保護(hù)膜形成層形成于粘著膜片的內(nèi)部， 粘著劑層露出于粘著膜片的外周部。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片，其中，其由形成于基材膜的內(nèi)部的保護(hù)膜形成層、和形成于基材膜的外周部的粘著劑層構(gòu)成。
7.—種芯片的制造方法，其將權(quán)利要求5所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層粘貼于工件，并且按照[(1)，(2)，(3)]、[ (2)，(1)，(3)]或[(2)，(3)，(1)]中的任一順序進(jìn)行下述工序(I)?(3): 工序(I):固化保護(hù)膜形成層得到保護(hù)膜； 工序(2):切割工件、和保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜； 工序(3):剝離保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜、和粘著膜片。
8.—種芯片的制造方法，其將權(quán)利要求6所述的具有保護(hù)膜形成層的切割膜片的保護(hù)膜形成層粘貼于工件，并且按照[(1)，(2)，(3)]、[ (2)，(1)，(3)]或[(2)，(3)，(1)]中的任一順序進(jìn)行下述工序(I)?(3): 工序(I):固化保護(hù)膜形成層得到保護(hù)膜； 工序(2):切割工件、和保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜； 工序(3):剝離保護(hù)膜形成層或保護(hù)膜、和基材膜。
9.如權(quán)利要求7或8所述的芯片的制造方法，其中，保護(hù)膜形成層是熱固化性，并且按照[(1)，(2)，(3)]或[(2)，(I), (3)]的順序進(jìn)行工序(I)?(3)的各工序。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片的制造方法，其中，在上述工序(I)之后的任一工序中，進(jìn)行下述工序(4): 工序(4):在保護(hù)膜進(jìn)行激光刻印。
【文檔編號(hào)】C09J7/02GK103797567SQ201280044503
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月30日
【發(fā)明者】篠田智則, 古館正啟, 高野健 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社