專(zhuān)利名稱(chēng)：芯片切膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種切膜裝置，尤其涉及一種利用位于芯片上方的沖膜 上、下座進(jìn)行切膜，達(dá)到可裁切大于或等于芯片面積膜體的芯片切膜裝 置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的芯片切膜裝置是利用長(zhǎng)方形膜料，并將膜料貼附于芯片上， 再以激光或鉆石刀除去多余部分，為了避免激光或鉆石刀與芯片接觸， 則所裁切的膜料勢(shì)必皆大于芯片面積，但配合芯片制程中，需要于芯片 外圍預(yù)留一圈不貼附膜料，因此現(xiàn)有技術(shù)是利用曝光或顯影方式去除多 余膜料，但此種方式增加制程的步驟及成本，為了改進(jìn)此種技術(shù)， 一般 先將膜料預(yù)先裁切完成，再以人工方式將切割完成的膜料放置于芯片上，
但此種方式效率極差，導(dǎo)致產(chǎn)能無(wú)法提升；
因此有業(yè)者提出改良，如中國(guó)臺(tái)灣專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)柕贠 9 6 2 0 2 9 5 4號(hào)「芯片的貼膜裁切機(jī)」專(zhuān)利，是于一呈水平狀的座體上設(shè)置有一 框架體，設(shè)于座體上； 一上貼合裁切機(jī)構(gòu)，懸設(shè)于框架體下方，該上貼 合裁切機(jī)構(gòu)可對(duì)應(yīng)于框架體利用數(shù)只活動(dòng)桿上下移動(dòng)；該上貼合裁切機(jī) 構(gòu)底部包括有上外環(huán)體、內(nèi)環(huán)體與刀片環(huán)； 一下貼合裁切機(jī)構(gòu)，設(shè)于上 貼合裁切機(jī)構(gòu)下方的座體處，包含有底板、下外環(huán)體與置料盤(pán)； 一進(jìn)料 單元，設(shè)于下貼合裁切機(jī)構(gòu)一側(cè)，供膠膜巻組置及供料； 一出料單元， 設(shè)于下貼合裁切機(jī)構(gòu)相對(duì)于進(jìn)料單元另一側(cè)，可巻收膠膜巻。
現(xiàn)有的切膜設(shè)備是利用該上貼合裁切機(jī)構(gòu)向下移動(dòng)，該上外環(huán)體是 先下壓并撐張膠膜，且將內(nèi)環(huán)體下降至放置芯片的置料盤(pán)上，使膠膜黏 貼于芯片與框架頂面，并同時(shí)將內(nèi)環(huán)體外圍的刀片環(huán)下降將膠膜切斷， 再利用充氣單元將膠膜緊密貼合于芯片上；然而，此種現(xiàn)有設(shè)備是利用 膠膜貼合于芯片上，膠膜需先擴(kuò)張撐開(kāi)再進(jìn)行貼合芯片，不但步驟較多，且膠膜貼合芯片時(shí)容易造成接觸碰撞，使芯片損壞，不利于使用，再者， 受限于膠膜是貼合于芯片上再進(jìn)行裁切膠膜，為了避免刀片環(huán)與芯片碰 觸，因此膠膜勢(shì)必遠(yuǎn)大于芯片，如此若需要于芯片外周緣布置線路，使 膠膜略小于或等于芯片，則現(xiàn)有設(shè)備無(wú)法配合需求。
又，請(qǐng)參照日本特開(kāi)昭6 3 — 0 9 6 9 0 7號(hào)「半導(dǎo)體保護(hù)膜的自 動(dòng)切膜裝置」專(zhuān)利，其是利用巻筒裝置輸送薄膜，將欲進(jìn)行切割的薄膜 輸送至芯片表面上，利用下活塞桿承接芯片，并將下活塞桿由上至下動(dòng) 作，使芯片外周緣的圓形刀刃凸出，并借由上活塞桿向下推抵將薄膜裁 切，再將裁切的薄膜連同芯片往旁邊推移。
但此種現(xiàn)有方式利用芯片外周緣的圓形刀刃，利用位于中央乘載芯 片的下活塞桿將芯片連同薄膜向下位移，并配合上活塞桿向下動(dòng)作使薄 膜裁切，但由于刀刃是位于芯片外周緣，因此經(jīng)過(guò)裁切的薄膜勢(shì)必大于 芯片，同樣無(wú)法適應(yīng)膠膜小于芯片的需求，且此種現(xiàn)有設(shè)備的圓形刀刃 是設(shè)置于乘載芯片的下活塞桿外周緣，因此若需要變更圓形刀刃尺寸是 非常繁復(fù)，不便于制程利用。
再者，上述兩種現(xiàn)有方式皆僅能一次完成一單位芯片的切膜、貼膜， 如此整體產(chǎn)能勢(shì)必受限，若購(gòu)買(mǎi)大量機(jī)臺(tái)生產(chǎn)同一制程，費(fèi)用很高，不 符合成本考慮。
針對(duì)上述現(xiàn)有結(jié)構(gòu)所存在的問(wèn)題，'如何開(kāi)發(fā)一種更具理想實(shí)用性的 創(chuàng)新結(jié)構(gòu)，實(shí)為消費(fèi)者所殷切企盼，亦是相關(guān)業(yè)者須努力研發(fā)突破的目
標(biāo)及方向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問(wèn)題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺 陷，而提供一種芯片切膜裝置，其可進(jìn)行不同芯片尺寸切膜作業(yè)。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是
為達(dá)成前述目的，本發(fā)明設(shè)有一沖膜上座、 一沖膜下座、 一出膜單 元、 一收膜單元以及一承載單元，其中該沖膜上座設(shè)有數(shù)個(gè)上刀座； 該沖膜下座為上下移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，該沖膜下座上方端面設(shè)有數(shù)個(gè)下刀座， 該下刀座內(nèi)直徑寬度是小于或等于芯片的直徑寬度；該沖膜下座下方端 面是凹設(shè)有容置座與下刀座連通，該容置座外周緣是環(huán)設(shè)有肩部，且該肩部高度是大于芯片厚度；該出膜單元及收膜單元是分別設(shè)置于沖膜上 座、沖膜下座兩側(cè)，使膜體是恰好設(shè)置于沖膜上座及沖膜下座之間；該 沖膜上座上方設(shè)有吸附盤(pán)座，該吸附盤(pán)座下方端面設(shè)有數(shù)個(gè)吸附盤(pán)，該 吸附盤(pán)是恰好對(duì)應(yīng)于沖膜上座的上刀座設(shè)置，該吸附盤(pán)是提供吸引力量 將經(jīng)過(guò)上刀座、下刀座接合切割的膜體吸引向上；該吸附盤(pán)內(nèi)側(cè)是分別 設(shè)有至少一預(yù)貼單元，該預(yù)貼單元為提供熱熔融效果的裝置，使切割完 的膜體受熱熔融而可黏著于芯片上。
現(xiàn)有的切膜裝置需要進(jìn)行曝光或顯影步驟，或改以人工放置膜體， 如此是一次僅能進(jìn)行一單位的膜體切除，且受限于刀刃裁切方式，僅能 裁切出大于芯片面積的膜體，而無(wú)法恰好小于或等于芯片面積，亦無(wú)法 變更刀刃所裁切的尺寸；本發(fā)明是利用位于芯片承載單元上方的沖膜上、 下座設(shè)置有數(shù)個(gè)上、下刀座，僅需要進(jìn)行一次沖壓裁切作業(yè)，即可裁切 出數(shù)個(gè)膜體，提升生產(chǎn)效能，省去曝光或顯影等步驟；本發(fā)明是利用芯 片上設(shè)置上、下刀座裁切膜體，該下刀座內(nèi)直徑長(zhǎng)度是小于或等于芯片 直徑長(zhǎng)度，而可裁切出小于或等于芯片面積的膜體，以方便使用者于芯 片外周緣建布電鍍點(diǎn)；且該膜體借由吸附盤(pán)先吸引向上再放下，以清除 裁切的殘?jiān)?，避免芯片受到污染；又，該吸附盤(pán)內(nèi)側(cè)設(shè)有預(yù)貼單元將膜 體加熱熔融，當(dāng)膜體放置于芯片上時(shí)恰可黏貼于芯片上，達(dá)到貼膜的功 效；再者，該沖膜上座及沖膜下座是可替換，而變更為不同尺寸的上、 下刀座，以配合各種芯片尺寸的需求，如此不需購(gòu)買(mǎi)其它機(jī)臺(tái)，其可進(jìn) 行不同芯片尺寸切膜作業(yè)。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。 圖1及圖2是本發(fā)明芯片切膜裝置的外觀立體示意圖。 圖3至圖7是本發(fā)明芯片切膜裝置的側(cè)面操作示意圖。 圖A是本發(fā)明圖5所示的局部放大示意圖。 圖B是本發(fā)明圖6所示部位的局部放大示意圖。 圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明
沖膜上座1 0 上刀座1 1 沖膜下座2 0
下刀座2 1 容置座2 2 肩部2 3吸附盤(pán)座3 0 承載單元4 0 推抵板座5 1
吸附盤(pán)3 1 芯片4 1 膜體6 0
預(yù)貼單元3 2 推抵單元5 0 出膜單元61
收膜單元6 2
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明是有關(guān)一種芯片切膜裝置，請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2所示，其設(shè)有 一沖膜上座1 0 、 一沖膜下座2 0 、 一出膜單元6 1 、 一收膜單元6 2 以及一承載單元4 0 ，其中
該沖膜上座1 0設(shè)置于沖膜下座2 0的上方而為固定狀態(tài)，該沖膜 上座1 0設(shè)有數(shù)個(gè)上刀座1 1 ，該上刀座1 1設(shè)置于沖膜上座1 0下方 端面而呈內(nèi)凹的圓形狀開(kāi)口結(jié)構(gòu)，且該上刀座l l內(nèi)側(cè)壁的下方端面內(nèi) 徑寬度大于上方端面內(nèi)徑寬度；該沖膜下座2 O為可上下移動(dòng)的結(jié)構(gòu)， 該沖膜下座2 0設(shè)有數(shù)個(gè)下刀座2 1 ，該下刀座2 1是設(shè)置于沖膜下座 2 0上方端面而呈凸出的圓形開(kāi)口狀結(jié)構(gòu)，該下刀座2 l上下內(nèi)徑寬度 為相等而呈平直的內(nèi)側(cè)壁，而該下刀座2 l外側(cè)壁的上方外徑寬度小于 下方外徑寬度，且該下刀座2 1內(nèi)直徑寬度小于或等于芯片4 l的直徑 寬度，而使凸出的下刀座2 1凸出的外周緣對(duì)應(yīng)上刀座l l內(nèi)側(cè)壁的傾 斜角度，并使該下刀座2 l恰可容置于上刀座l l內(nèi)；該沖膜下座2 0 下方端面凹設(shè)有一容置座2 2，該容置座2 2對(duì)應(yīng)于下刀座2 l設(shè)置且 與下刀座2 l連通，該容置座2 2外周緣是環(huán)設(shè)有肩部2 3，且該肩部 2 3高度大于芯片4 1厚度；
該出膜單元6 l及收膜單元6 2分別設(shè)置于沖膜上座1 0、沖膜下 座2 0兩側(cè)，該出膜單元6 l及收膜單元6 2是供巻筒式的膜體6 0裝 設(shè)，且使膜體6 0恰好設(shè)置于沖膜上座1 0及沖膜下座2 O之間而貼近 于沖膜上座l O的下方端面，該出膜單元6 l輸出尚未切割的膜體6 0， 而該收膜單元6 2是巻收切割過(guò)后的剩余膜體6 0 ;
該沖膜上座1 0上方設(shè)有吸附盤(pán)座3 0 ，該吸附盤(pán)座3 0下方端面 設(shè)有數(shù)個(gè)吸附盤(pán)3 1，該吸附盤(pán)3 l恰好對(duì)應(yīng)于沖膜上座l O的上刀座 1 l設(shè)置，該吸附盤(pán)3 l提供吸引力量將經(jīng)過(guò)上刀座l 1、下刀座2 1 接合切割的膜體6 O吸引向上；該吸附盤(pán)3 1內(nèi)側(cè)是分別設(shè)有至少一預(yù)
7貼單元3 2，該預(yù)貼單元3 2為提供熱熔融效果的裝置，使切割完的膜 體6 0受熱熔融而可黏著于芯片4 l上。
在進(jìn)行作業(yè)時(shí)，該承載單元4 0是移至沖膜下座2 O下方，且由出 膜單元6 l配合承載單元4 0移入而輸出未經(jīng)過(guò)切割的膜體6 0，該吸 附盤(pán)座3 0是利用對(duì)應(yīng)于上刀座1 1 、下刀座2 1設(shè)置的吸附盤(pán)3 1 ， 先將未切割的膜體6 0往上吸引而貼附于沖膜上座1 O的下方端面；該 推抵單元5 O是借由油壓或氣壓等技術(shù)手段，由下往上將推抵板座5 1 連同承載單元4 O推移向上，使承載單元4 0推抵沖膜下座2 0，由于 沖膜下座2 0與承載單元4 0接觸端面設(shè)有容置座2 2 ,該容置座2 2 大于承載單元4 0上的芯片4 l且外側(cè)設(shè)有肩部2 3，借由肩部2 3接 觸卡抵承載單元4 Q，使芯片4 l未與沖膜下座2 O接觸；該推抵單元 5 O繼續(xù)向上推抵，而使沖膜下座2 0與沖膜上座1 O兩者接合，則該 下刀座2 l是容置于上刀座l l內(nèi)，使位于沖膜下座2 0與沖膜上座1 0中間的膜體6 0受到上刀座1 1、下刀座2 l的裁切而呈圓形；又， 由于吸附盤(pán)3 l于切割作業(yè)進(jìn)行前已吸附膜體6 0，因此該膜體6 0受 切割后是吸引向上，且同時(shí)位于吸附盤(pán)3 1內(nèi)側(cè)的預(yù)貼單元3 2是將膜 體6 O加熱熔融，則吸附盤(pán)3 l再將所熔融的膜體6 O下放，以便于清 除裁切膜體6 O的殘?jiān)?，并將熔融的膜體6 0貼附于芯片4 l上，達(dá)到 切膜且貼膜的功效，并得以裁切出小于芯片4 l表面積的膜體6 0。
請(qǐng)參照?qǐng)D3至圖6的操作示意圖，如圖3所示，該承載單元4 0上 是置放有若干芯片4 1，該承載單元4 O是利用機(jī)械臂、傳送帶(圖中 未示)等手段推移至沖膜下座2 O下方，而位于沖膜上座l 0，沖膜上 座l Q兩側(cè)的出膜單元6 l及收膜單元6 2是將使用過(guò)的膜體6 0巻 收，并將未切割膜體6 0巻送至沖膜下座2 0及沖膜上座1 O之間。
請(qǐng)參照?qǐng)D4、圖5、以及圖A，如圖4所示，該吸附盤(pán)座3 O是于初 始時(shí)將未切割的膜體6 0向上吸引而貼附于沖膜上座l O下方端面，該 推抵單元5 0是將承載單元4 O由下往上頂推，使承載單元4 O朝上推 頂沖膜下座2 0，由于該沖膜下座2 0與承載單元4 O接觸端面設(shè)有容 置座2 2，該容置座2 2是利用外側(cè)肩部2 3接抵承載單元4 0,使芯 片4 l無(wú)法與沖膜下座2 0有任何接觸以避免芯片4 l毀損，如圖5所示，該承載單元4 0是連同沖膜下座2 0受推抵單元5 O繼續(xù)往上推頂， 使該沖膜上座l 0與沖膜下座2 O接合，由圖A可清楚看到，該下刀座 2 1是套置入上刀座1 1 ，則位于沖膜上座1 0與沖膜下座2 0間的膜 體6 0被上刀座1 l與下刀座2 l套接所裁切呈圓形，該下刀座2 l套 置于上刀座l 1內(nèi)，而該下刀座2 1內(nèi)直徑長(zhǎng)度小于或等于芯片4 l直 徑長(zhǎng)度，因此所裁切的膜體6 0是小于或等于芯片4 l表面積，由于于 初始時(shí)未切割的膜體6 0受吸附盤(pán)座3 O所吸附，因此當(dāng)上刀座l l及 下刀座2 l接合切割膜體6 0，該切割后的膜體6 O是吸引向上，以便 于清除裁切膜體6 O所殘留的碎屑、殘?jiān)苊庑酒? l受到污染，由 于該吸附盤(pán)3 1內(nèi)側(cè)設(shè)置有預(yù)貼單元3 2，該預(yù)貼單元3 2將吸引向上 的膜體6 O周緣加熱熔融。
請(qǐng)參照?qǐng)D6、圖B、圖7，由圖6及圖B可清楚得知，當(dāng)吸附盤(pán)3 1 的吸引作業(yè)結(jié)束，該吸附盤(pán)座3 0會(huì)將經(jīng)過(guò)加熱熔融的膜體6 O向下推 抵并預(yù)貼于芯片4 l上，達(dá)到貼膜的功效，且由于前述的下刀座2 l內(nèi) 直徑小于或等于芯片4 l直徑，因此所裁切的膜體6 O面積小于或等于 芯片4 l面積，達(dá)到可于芯片4 l外周建布電鍍點(diǎn)的功效，再者，由于 該沖膜上座1 0 、沖膜下座2 0設(shè)有數(shù)個(gè)上刀座1 1 、下刀座2 1 ，如 此可同時(shí)沖壓裁切數(shù)個(gè)膜體6 0,提高生產(chǎn)效能；當(dāng)切膜作業(yè)完成后， 該推抵單元5 O下降，并使推抵板座5 1、承載單元4 O下降，該沖膜 下座2 Q未受推抵降回原位，并借由機(jī)械臂、傳送帶等技術(shù)手段將承載 單元4 0連同芯片4 1、貼附于芯片4 l的膜體6 O運(yùn)送至自動(dòng)壓膜機(jī) 壓合或真空壓膜機(jī)壓合以及其它制程步驟。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形 式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單 修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
綜上所述，本發(fā)明在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、使用實(shí)用性及成本效益上，完全符 合產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需，且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造，具有 新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性，符合有關(guān)發(fā)明專(zhuān)利要件的規(guī)定，故依法提起 申請(qǐng)。
9
權(quán)利要求
1. 一種芯片切膜裝置，其特征在于，其包括一沖膜上座、一沖膜下座、以及一推抵單元；該沖膜上座設(shè)有至少一上刀座，且該沖膜下座設(shè)有至少一下刀座，該沖膜上座是設(shè)置于沖膜下座的上方；該沖膜下座設(shè)有一容置座供芯片容置，且該容置座的面積大于上刀座或下刀座的面積；該沖膜下座下方設(shè)有一推抵單元，該推抵單元為可活動(dòng)升降的結(jié)構(gòu)，該推抵單元用以頂托沖膜下座；進(jìn)行切膜作業(yè)時(shí)，該推抵單元將沖膜下座朝上頂推，使該沖膜下座朝上位移接抵沖膜上座，則該上刀座與下刀座是上下接合；借由該沖膜下座設(shè)有容置座以供芯片容置，且容置座所容置的芯片面積是大于上刀座或下刀座，使上下刀座接合所切割的膜體是小于或等于芯片面積。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述容置 座設(shè)置于沖膜下座的朝下端面，且該容置座與下刀座連通。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述上刀 座與下刀座接合后的內(nèi)直徑寬度小于或等于芯片的直徑寬度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述容置 座外周緣環(huán)設(shè)有肩部，該肩部高度大于芯片厚度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述沖膜 上座及沖膜下座鄰近處設(shè)有出膜單元及收膜單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述沖膜 下座與推抵單元間設(shè)有一承載單元。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述沖膜 上座上方設(shè)有吸附盤(pán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片切膜裝置，其特征在于所述吸附 盤(pán)內(nèi)側(cè)設(shè)有至少一預(yù)貼單元，借由該預(yù)貼單元使上、下刀座所切割的膜 體貼附于芯片上。
全文摘要
一種芯片切膜裝置，設(shè)有一沖膜上座、一沖膜下座、一出膜單元、一收膜單元以及一承載單元，其中該沖膜上座設(shè)有數(shù)個(gè)上刀座，該沖膜下座設(shè)有數(shù)個(gè)下刀座，該下刀座內(nèi)直徑寬度是小于或等于芯片的直徑寬度；該出膜單元及收膜單元是分別設(shè)置于沖膜上座、沖膜下座兩側(cè)，使膜體是恰好設(shè)置于沖膜上座及沖膜下座之間；該沖膜上座上方是對(duì)應(yīng)于上下刀座設(shè)有吸附盤(pán)，該吸附盤(pán)內(nèi)側(cè)是分別設(shè)有至少一預(yù)貼單元；借此已達(dá)到裁切小于或等于芯片面積膜體的功效，且亦可時(shí)裁切數(shù)個(gè)膜體，并達(dá)到可變更裁切尺寸的功效。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101499403SQ20081000666
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
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