專利名稱：一種晶片聚合物缺陷的解決方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造中晶片聚合物缺陷的解決方法，特別是涉及一 種針對(duì)特殊布局的金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品的整批產(chǎn)品中第一 片晶片的聚合物缺陷的解決方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的具有細(xì)線(保護(hù)環(huán))的金屬一絕緣體一金屬(以下簡(jiǎn)稱MIM) 電容布局的晶片制造工藝為第一步，光阻烘烤；第二步，金屬一絕緣體 一金屬電容蝕刻；第三步，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用水和氧氣的 混合等離子體去除光阻；第四步，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。由 于現(xiàn)有的蝕刻反應(yīng)室的條件常會(huì)引起整批產(chǎn)品中第一片晶片和其它晶片 之間在MIM電容蝕刻中產(chǎn)生的聚合物組成的不同，在對(duì)第一片晶片進(jìn)行 光阻去除時(shí)，MIM電容蝕刻過程產(chǎn)生的聚合物會(huì)包裹在光阻表面使得聚 合物和光阻會(huì)保留在晶片上而不能被去除。最終，在溶劑清洗制程之后， 會(huì)發(fā)現(xiàn)一些含有碳的聚合物缺陷。
如圖1和圖2所示，在具有細(xì)線(保護(hù)環(huán))的MIM電容布局的晶片 制造工藝中，運(yùn)行現(xiàn)有的AMATDPS反應(yīng)室，在蝕刻和溶劑清洗之后， 整批產(chǎn)品的第一片晶片的金屬一絕緣體一金屬電容線附近就會(huì)出現(xiàn)含有 碳的聚合物缺陷。
這些殘留的含有碳的聚合物具有一定的腐蝕性，而且不容易清除，很 容易引起下一層蝕刻中的金屬導(dǎo)線橋接，從而造成晶片合格率的下降。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種針對(duì)特殊布局的金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品第一片晶片聚合物缺陷的解決辦法， 通過改善工藝流程，使這類缺陷得到克服，從而提高晶片的電性測(cè)試合格 率。
本發(fā)明的目的是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的: 一種晶片聚合物缺陷的解 決方法，通過改善金屬 一絕緣體一金屬電容蝕刻工藝流程來克服具有特殊 布局的金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品的第一片晶片的聚合物缺陷。
本發(fā)明的第一實(shí)施例包括以下步驟步驟一，光阻紫外光固化；步驟 二，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體金屬電容蝕刻 后用水和氧氣的混合等離子體去除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電 容溶劑清洗。
本發(fā)明的第二實(shí)施例包括以下步驟步驟一，光阻烘烤；步驟二，金 屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用 純水的等離子體去除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。
本發(fā)明的第三實(shí)施例包括以下步驟步驟一，光阻烘烤；步驟二，金 屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用 水和氧氣的混合等離子體去除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容溶 劑清洗；步驟五，電槳灰化光阻去除。
本發(fā)明的第四實(shí)施例包括以下步驟步驟一，光阻烘烤；步驟二，金 屬一絕緣體一金屬電容蝕刻控片晶片；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容 蝕刻產(chǎn)品晶片；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用水和氧氣的混 合等離子體去除光阻；步驟五，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。
上述控片晶片的數(shù)量至少為兩片。
本發(fā)明通過改善金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻工藝流程，使整批產(chǎn)品 中第一片晶片的聚合物缺陷問題得到解決，從而提高了晶片的合格率。


圖1為含有特殊布局的金屬一絕緣體一金屬電容的晶片蝕刻后的示 意圖；圖2為含有特殊布局的金屬一絕緣體一金屬電容的晶片蝕刻后產(chǎn)生 的聚合物缺陷示意圖3為光阻烘烤示意圖4為光阻紫外光固化示意圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例示意圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例示意圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例示意圖8為本發(fā)明第四實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式
一種晶片聚合物缺陷的解決方法，通過改善金屬 一 絕緣體 一 金屬電容 蝕刻工藝流程來克服具有特殊布局的金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品 的第一片晶片的聚合物缺陷。
如圖5所示，本發(fā)明的第一實(shí)施例包括如下步驟步驟一，參見圖4， 通過紫外光固化對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理，以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度；步驟二，金屬一 絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體金屬電容蝕刻后用水和氧 氣的混合等離子體去除光阻;步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。
如圖6所示，本發(fā)明的第二實(shí)施例包括步驟一，光阻烘烤，參見圖 3，在蝕刻前對(duì)芯片進(jìn)行烘烤，以去除水氣，增加光阻附著性；步驟二， 金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后 用純水的等離子體去除光阻，改善光阻去除制程；步驟四，金屬一絕緣體 -金屬電容溶劑清洗。
如圖7所示，本發(fā)明的第三實(shí)施例包括步驟一，光阻烘烤，參見圖 3，在蝕刻前對(duì)芯片進(jìn)行烘烤，以去除水氣，增加光阻附著性；步驟二， 金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后 用水和氧氣的混合等離子體去除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容 溶劑清洗；步驟五，電漿灰化光阻去除。如圖8所示，本發(fā)明的第四實(shí)施例包括步驟一，光阻烘烤，參見圖 3，在蝕刻前對(duì)芯片進(jìn)行烘烤，以去除水氣，增加光阻附著性；步驟二， 在產(chǎn)品蝕刻前用相同的金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻控片晶片，該控片晶 片的數(shù)量可根據(jù)需要確定， 一般為兩片或兩片以上，最好是兩片；步驟三， 金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品晶片；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電 容蝕刻后用水和氧氣的混合等離子體去除光阻；步驟五，金屬一絕緣體一 金屬電容溶劑清洗。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他實(shí)施例，在不背離本發(fā)明之精神及實(shí)質(zhì)的情 況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變 形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種晶片聚合物缺陷的解決方法，其特征在于，通過改善金屬—絕緣體—金屬電容蝕刻工藝流程來克服具有特殊布局的金屬—絕緣體—金屬電容蝕刻產(chǎn)品的第一片晶片的聚合物缺陷。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟一，光阻紫外光固化；步驟二，金屬—絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體金屬電容蝕刻后用水和氧氣的混合等離子體去 除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟一，光阻烘烤；步驟二，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體—金屬電容蝕刻后用純水的等離子體去除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟-步驟一，光阻烘烤；步驟二，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用水和氧氣的混合等離子體 去除光阻；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗； 步驟五，電漿灰化光阻去除。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟一，光阻烘烤；步驟二，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻控片晶片；步驟三，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品晶片；步驟四，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用水和氧氣的混合等離子體去除光阻；步驟五，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟二中的控片晶片 至少為兩片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種針對(duì)特殊布局的金屬—絕緣體—金屬電容蝕刻產(chǎn)品所產(chǎn)生的整批產(chǎn)品中的第一片晶片聚合物缺陷的解決方法，通過改善金屬—絕緣體—金屬電容蝕刻工藝流程來克服具有特殊布局的金屬—絕緣體—金屬電容蝕刻產(chǎn)品的第一片晶片的聚合物缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/31GK101533773SQ20081000656
公開日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2008年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月10日
發(fā)明者黃志剛 申請(qǐng)人:和艦科技(蘇州)有限公司