技術(shù)編號(hào)：6891278
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造中晶片聚合物缺陷的解決方法，特別是涉及一 種針對(duì)特殊布局的金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻產(chǎn)品的整批產(chǎn)品中第一 片晶片的聚合物缺陷的解決方法。背景技術(shù)現(xiàn)有的具有細(xì)線(保護(hù)環(huán))的金屬一絕緣體一金屬(以下簡稱MIM) 電容布局的晶片制造工藝為第一步，光阻烘烤；第二步，金屬一絕緣體 一金屬電容蝕刻；第三步，金屬一絕緣體一金屬電容蝕刻后用水和氧氣的 混合等離子體去除光阻；第四步，金屬一絕緣體一金屬電容溶劑清洗。由 于現(xiàn)有的蝕刻反應(yīng)室的條件常會(huì)引起整批...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。