專利名稱：等離子體顯示面板用熒光體和用其的等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于等離子體顯示面板(PDP)的熒光體和使用該熒光體的rop， 更具體地講，本發(fā)明涉及一種用于PDP的熒光體和包括包含所述熒光體的熒光體層的rop， 所述熒光體受真空紫外線激發(fā)發(fā)光，亮度飽和度降低。
背景技術(shù)：
在等離子體顯示裝置(例如等離子體顯示面板(PDP))中，通過激發(fā)作為放電氣體的Xe等產(chǎn)生的真空紫外(VUV)光波長為約147-200nm的激發(fā)光激發(fā)熒光體層。
Zn2SiO4 :Mn (下文中稱為“P1”)和YBO3 :Tb (下文中稱為“YB”)為廣泛用于PDP的常規(guī)綠色熒光體，且可以適當?shù)幕旌媳冉M合使用。這兩種綠色熒光體能混合的原因在于Pi 比YB的色純度和亮度高，但Pl在PDP工作的高灰度等級(gradation)下具有亮度飽和特性。另一方面，YB比Pl的亮度飽和特性差。
已知熒光體的亮度飽和與余輝時間有關(guān)。當波長為約147nm的真空紫外線照射其上時，常規(guī)綠色熒光體Pl的余輝時間為約7ms，而在上述相同的條件下，常規(guī)綠色熒光體YB 的余輝時間為約10ms。
亮度飽和為表現(xiàn)PDP屏幕灰度等級和確定圖像質(zhì)量的重要因素，從而認為是關(guān)鍵的問題。
但是，還未開發(fā)具有令人滿意的性能(例如優(yōu)異的色純度和亮度且亮度飽和小) 的熒光體，因此仍迫切需要進行改進。本發(fā)明解決了上述問題并提供了其他優(yōu)點。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有優(yōu)異的亮度和色純度且具有降低的亮度飽和度的用于PDP 的熒光體以及包含所述熒光體的rop。
本發(fā)明的一方面提供了一種用于rop的熒光體，所述熒光體為下式I表示的化合物，
式I
(Y1TyGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4
其中O彡X彡1，0 < y彡1，Q為Sc、In或Ga，且O彡r彡3。
式I表示的化合物為
(Y1^yGdxTby)Al3(BO3)4,其中 x = O. 5，y = O. 2 且 r = 3，即(Y0.3Gd0.5Tb0.2) Al3 (BO3) 4 ;3
(Y1^yGdxTby)Al3(BO3)4,其中 X = 0. 6, y = 0. 3 且 r = 3,即(YaiGda6Tba3)Al3(BO3);
(YnyGdxTby) Al3(BO3)4,其中 X = 0.6，y = 0.4 且 r = 3，即(Gda6Tba4)Al3(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔JAl3(BO3);
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 95SC0.05 (BO3) 4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 9SC0.(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. B^C0. 2(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 5SC0.(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 95! 05 (BO3) 4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AUnO.(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 8! 2(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 51nO.(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 95^ .05 (BO3) 4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. gGa0(BO3)4 ；
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 8^ . 2(BO3)4 ;或
(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 5^ .(BO3) 4 ο
本發(fā)明的另一方面提供了一種用于PDP的突光體,所述突光體包括為下式I表不的化合物的第一突光體；和為選自式2A或2B表不的突光體、下式3表不的突光體和下式4 表示的熒光體中的至少一種熒光體的第二熒光體，
份。
Al3(BO3)式I(Y1-^yGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4其中 0<x彡 l，0<y<l，Q為 3。、111或6&，且0彡1'彡3 式2ABaMgAl10O17 = Mn 式2BBaMgAl12O19 = Mn 式3Li2Zn(Ge, θ )ζ08:Μη 其中Θ = Al或Ga,3 ^ Z ^ 4,式4Zn2SiO4 = Mn基于100重量份第一焚光體和第二焚光體的總量，第二焚光體的量為10-90重量第二熒光體為式2A或2B表示的熒光體。第二熒光體為式3表示的熒光體。式 3 的熒光體為 Li2Zn (Ge, AD3O8:Mn 或 Li2Zn (Ge, Ga) 30, 第一熒光體為(Ya3Gda5Tba2)Al3(BO3)^ (YaiGda6Tbl(Y0.2Gd0.4Tb0.4) Al3 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0.4) Al2.95SccMn。J Al3 (BO3) 4、(Gda6Tb0. 05 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0.Al2 9Sc01 (BO3) 4、(YtK2Gdtl 4TbQ 4) Al2 8Sc0 2 (BO3) 4、(Y0.2GdQ 4TbQ 4) Al2 5Sc0 5 (BO3) 4、 (Y0.2Gd0.4Tb0 4) Al 2 95 In0 Q5(BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2 9In01 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2 8ln0 2 (BO3)4' (Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al2 5In0 5 (BO3)4' (Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al 2 95Ga0 05 (BO3) 4、 (Y0.2GdQ. 4Tb0 4) Al2 9Ga01 (BO3) 4、(Y0 2Gd0 4Tb0 4)Al2 8Ga0 2(BO3)4 或(YtK2Gdtl 4Tb0 4) Al2.5Ga0.5 (BO3)4, (Y1^yGdxTby) Al3 (BO3) 4(其中 x = 0. 5 且 y = 0. 2)、(Y1^yGdxTby) Al3(BO3)4(其中 χ = 0·6 且 y = 0.3)或(YnyGdxTby)Al3(BO3)4(其中 x = O. 6 且 y = O. 4)， 第二突光體為式2A或2B表不的突光體,且基于100重量份第一突光體和第二突光體的總量，第二突光體的量為10-90重量份。
本發(fā)明的另一方面提供了一種包括包含上述用于rop的熒光體的熒光體層的 PDP。
所述PDP包括透明前基板；與所述透明前基板平行的后基板；布置在所述透明前基板和所述后基板之間的由障肋限定的發(fā)光單元；在相應于所述發(fā)光單元的第一方向上延伸的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的后介電層；布置在所述發(fā)光單元內(nèi)的熒光體層；在第二方向上延伸并與所述尋址電極交叉的維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前介電層；和填充在所述發(fā)光單元內(nèi)的放電氣體。


參考附圖，通過詳述示例性的實施方案，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將變得更顯而易見,其中
圖I為本發(fā)明的一個實施方案的rop的示意性透視圖2圖示當用真空紫外線照射本發(fā)明的一個實施方案的熒光體時，熒光體的激發(fā)光譜圖3為當使用在146nm下工作的Excimer燈用真空紫外線照射時,常規(guī)突光體和本發(fā)明的一個實施方案的熒光體的亮度圖4為本發(fā)明的一個實施方案的式I表示的熒光體的亮度飽和度與Tb量變化的關(guān)系圖；和
圖5顯示當使用在146nm下工作的Excimer燈用真空紫外(VUV)線照射時,合成實施例6-10中制備的各熒光體亮度的測定結(jié)果。
具體實施方式
現(xiàn)參考附圖更充分地描述本發(fā)明。
本發(fā)明提供了一種下式I表示的用于PDP的熒光體(下文中稱為“YGAB”)。
式I
(Y1TyGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4
其中O < X 彡 1，0 < y 彡 1，Q 為 Sc、In 或 Ga，且 O 彡 r 彡 3，
可選擇X、y,以滿足O < x+y ^ I
當使用真空紫外線照射時，YGAB的余輝時間短且亮度飽和度低。
式I 表示的熒光體的實例包括(Ya3Gda5Tba2)Al3(BO3)^ (YaiGda6Tba3) Al3 (BO3) 4、(Gd。6Tb0 4) Al3 (BO3) 4、(Y。2Gd0 4Tb。4) Al3 (BO3) 4、(Y。2Gd0 4Tb。4) Al2 95Sc。05 (BO3) 4、(YcK2Gd0 4Tb0 4) Al2 9Sc01 (BO3) 4、(Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al2 8Sc0 2 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2.5Sc0 5(B03) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al 2 95 In0 Q5(BO3) 4、(Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al2 9In01 (BO3) 4、 (Yo.2Gd0 4Tb0 4) Al2 8In0 2 (BO3) 4、(Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al2 5In0 5 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2.95Ga0. o5(B03)4> (Y02Gd0 4Tb04) Al2 9Ga01 (BO3) 4、(Yci2Gdci4Tbci4)Al28Gatl2(BO3)4 或 (Y0.2Gd0.4Tb0.4) Al2 5Ga0 5 (BO3) 4。
此外,本發(fā)明還提供了一種用于PDP的突光體,所述突光體包括為上述式I表不的突光體的第一突光體和為選自式2A或2B表不的突光體、下式3表不的突光體和式4表不的熒光體的至少一種熒光體的第二熒光體。
式2A
BaMgAl10O17 = Mn
式2B
BaMgAl12O10IMn
式3
Li2Zn(Ge, θ )ζ08:Μη
其中 Θ = Al、Ga、In 或 Tl，
3 ^ Z ^ 4,
式4
Zn2SiO4 = Mn
第一熒光體比常規(guī)綠色熒光體Zn2SiO4 = Mn(下文中稱為“P1”)和YB03:Tb(下文中稱為“YB”)的余輝時間短，因此包含第一熒光體的PDP在工作時是非常有利的。第二熒光體可為具有優(yōu)異的色純度的熒光體。
在上述第二熒光體中，式2A、2B或3表示的熒光體具有與Pl相同的亮度和優(yōu)異的色純度。Pl為rop中最常用的熒光體。此外，式3的熒光體比Pl的余輝時間短，因此當式3的熒光體與YGAB(即式I的熒光體)組合使用時，具有優(yōu)異的亮度和色純度且亮度飽和小。因此，可制造具有改進的圖像質(zhì)量的rop。
在用于本發(fā)明的rop的熒光體中，基于100重量份第一熒光體和第二熒光體的總量，第二熒光體的量可優(yōu)選為約10-約90重量份，更優(yōu)選為約30-約70重量份，最優(yōu)選為約50重量份?；?00重量份第一突光體和第二突光體的總量，當?shù)诙还怏w的量小于10 重量份時，熒光體的色純度較低?；?00重量份第一熒光體和第二熒光體的總量，當?shù)诙晒怏w的量大于90重量份時，熒光體的余輝時間長，因此更易具有亮度飽和。
式3 的熒光體可為 Li2Zn (Ge，AD3O8:Mn 或 Li2Zn (Ge，Ga) 308:Mn。
當使用包含作為第一熒光體的式I熒光體和作為第二熒光體的式2A或2B熒光體混合物的本發(fā)明的一個實施方案的熒光體時，式I的熒光體與式2A或2B的熒光體的混合重量比可優(yōu)選為約I : 9-約9 1，更優(yōu)選為約3 7-約7 3，最優(yōu)選為約5 5。
現(xiàn)詳述一種制備用于本發(fā)明的一個實施方案的PDP的熒光體(更具體為YGAB)的方法。
將丫203、Gd203、A1203、H3BO3和 Tb4O7 以約 1-x-y x 3 4 y 的摩爾比率混合，隨后將溶劑加至該混合物中，并混合在一起。此處，X的范圍為O < X < I, y的范圍為 O. 01 彡 y < I。
所述溶劑可為純水、醇或其混合物，且基于100重量份Y2O3，溶劑的量可為約30-約 50重量份。
將混合物過濾，將溶劑分離并蒸發(fā)。隨后將生成物在空氣氣氛下燒結(jié)以完全燃燒有機物。結(jié)果可制得式I表示的熒光體。
燒結(jié)溫度可為約1000-約1300°C，優(yōu)選為約1150°C。當燒結(jié)溫度小于1000°C時， 式I表示的熒光體的相穩(wěn)定性不穩(wěn)定。當燒結(jié)溫度大于1300°c時，該溫度接近熒光體的熔點。此外，燒結(jié)時間取決于燒結(jié)溫度，且可為約I-約10小時。
現(xiàn)詳述一種制備式2A或2B表示的熒光體的方法。
可采用與制備式I的熒光體相同的方法制備式2A或2B的熒光體，不同之處在于將BaC03、Al203、Mg0和MnCO3以約I-Z 10 I Z (其中O < Z彡O. 5)的摩爾比率混合， 隨后在還原氣氛下，在約1000-約1600°C (優(yōu)選約1550°C )下將混合物燒結(jié)約1_約10小時(優(yōu)選約2小時)。
現(xiàn)詳述一種制備式3表不的突光體的方法?？擅子门c上述制備式I的突光體相同的方法制備式3的熒光體，不同之處在于將Li2CO3' Zn。、GeO2, Al2O3 (或Ga2O3)和MnCO3以 2-y I X X y (其中3彡X彡4，0.03彡y彡I)的摩爾比率混合，如下進行燒結(jié)工藝。
燒結(jié)工藝包括第一燒結(jié)工藝和第二燒結(jié)工藝。在約800-約1000°C (優(yōu)選約 9000C )下進行第一燒結(jié)工藝歷時約I-約10小時(優(yōu)選約2小時)。在包含小于約5%體積(優(yōu)選約O. 5-約3%體積)氫的氮氣氣氛下，于約800-約1050°C (優(yōu)選約950°C )下進行第二燒結(jié)工藝歷時約2小時。結(jié)果可制得組成式為Li2Zn(Ge，Al) 308:Mn或Li2Zn(Ge， Ga) 308:Μη的熒光體。
現(xiàn)詳述一種制備式4表示的熒光體的方法。將摩爾比率為約2-x : I : x(其中O. 05彡X彡O. 15)的ZnO、SiO2和MnCO3混合。隨后在還原氣氛下，在約1，000-約 1，3000C (優(yōu)選約1200°C )下將混合物燒結(jié)約I-約10小時(優(yōu)選約2小時)。本文中，還原氣氛包括包含小于約5%體積氫的氮氣。優(yōu)選還原氣氛包括約95%體積N2和約5%體積 H2。燒結(jié)工藝后，使用具有適當濃度的酸進行洗滌過程并進行球磨過程，以制備式4的熒光體。
用于本發(fā)明的rop的熒光體顆粒的平均直徑可為約O. 5-約7 μ m。當熒光體顆粒的平均直徑在該范圍之外時，難以高工作效率地封裝粉末。
現(xiàn)詳述包括包含本發(fā)明熒光體的熒光體層的rop。
本發(fā)明的PDP包括透明前基板；與所述透明前基板平行的后基板；布置在所述透明前基板和所述后基板之間的由障肋限定的發(fā)光單元；在相應于所述發(fā)光單元的第一方向上延伸的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的后介電層；布置在所述發(fā)光單元內(nèi)的熒光體層； 在第二方向上延伸并與所述尋址電極交叉的維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前介電層；和填充在所述發(fā)光單元內(nèi)的放電氣體?，F(xiàn)參考圖I更充分地描述具有這種結(jié)構(gòu)的rop。
圖I為說明本發(fā)明的一個實施方案的I3DP的透視圖。參考圖1，PDP包括前面板 210和后面板220。
前面板210包括前基板211、布置在前基板211的底表面211a上且在相應于發(fā)光單兀226的第一方向上延伸的眾多維持電極對214、覆蓋維持電極對214的前介電層215和布置在前介電層215上的保護層216。
后面板220包括與前基板211平行的后基板221 ;布置在后基板221的前表面 221a上且在垂直于第一方向的第二方向延伸與維持電極對214交叉的尋址電極222 ;覆蓋尋址電極222的后介電層223 ;在前基板211和后基板221之間形成的障肋224，其中障肋 224布置在后介電層223上并限定發(fā)光單元226 ;和分別由紅色熒光體、綠色熒光體和藍色熒光體形成的紅色熒光體層225a、綠色熒光體層225b和藍色熒光體層225c，因發(fā)生在發(fā)光單元226內(nèi)的維持放電而產(chǎn)生的放電氣體發(fā)出的紫外線激發(fā)這些熒光體發(fā)出可見光線。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，使用用于形成包含上述式I熒光體的熒光體層的組合物或用于形成包含式I熒光體作為第一熒光體和式2A、2B、3或4表示的熒光體中的至少一種作為第二熒光體的熒光體層的組合物制備綠色熒光體層225b。
現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案描述一種使用用于形成本發(fā)明的熒光體層的組合物制備熒光體層的方法，但本發(fā)明不特別局限于該方法。
為了容易地印刷本發(fā)明的熒光體，可將熒光體與粘合劑和溶劑混合，制得糊狀組合物，隨后可使用絲網(wǎng)將該糊狀組合物絲網(wǎng)印刷。隨后將已印刷的組合物干燥，燒結(jié)，形成突光體層。
已印刷的組合物的干燥溫度可為約100-約150°C，燒結(jié)溫度可為約350_約600°〇， 優(yōu)選為約450°C，以除去糊狀組合物的有機物。
粘合劑可為乙基纖維素，且基于100重量份所述熒光體，粘合劑的量可為約10-約 30重量份。基于100重量份所述熒光體，當粘合劑的量小于10重量份時，可降低熒光體層的粘合力。另一方面，基于100重量份所述熒光體，當粘合劑的量大于30重量份時，在熒光體層中熒光體的量較低，因此可降低熒光體層的色純度。
溶劑可為丁基卡必醇(BCA)或松油醇，且基于100重量份所述熒光體，溶劑的量可為約70-約300重量份?；?00重量份所述熒光體，當溶劑的量小于70重量份時，熒光體分散不充分或糊狀組合物的粘度使印刷困難。另一方面，基于100重量份所述熒光體，當溶劑的量大于300重量份時，單位面積的熒光體的量太低，因此降低rop的亮度。
糊狀組合物的粘度可為約5，000-約50，OOOcps，但優(yōu)選為20，OOOcps。當糊狀組合物的粘度小于5，OOOcps時，印刷溶液會在印刷過程中泄漏到相鄰的發(fā)光單元，因此難以在所需的位置精確地形成印刷層。另一方面，當糊狀組合物的粘度大于50，OOOcps時，糊狀組合物的粘度很高，以至于印刷困難。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，可如下形成用于絲網(wǎng)印刷的熒光體層，將熒光體和溶媒以約40% 60%的重量比混合進行印刷，其中將松油醇和BCA的混合物與乙基纖維素以89. 6 10. 4的混合重量比混合來制備溶媒，隨后在低溫下乙基纖維素完全溶解。
紅色熒光體層225a和藍色熒光體層225c可為常規(guī)用于制造PDP的方法中的任何紅色和藍色熒光體層?？捎?Y，Gd) BO3: Eu、Y (V，P) 04: Eu等形成紅色熒光體層225a，可由 BaMgAlltlO17: Eu、CaMgSi2O6 = Eu 等形成藍色熒光體層 225c。
通常前基板211和后基板221可由玻璃形成。前基板211可具有高可見光透射率。
布置在后基板221的前表面221a上且在相應于發(fā)光單元226的第二方向上延伸的尋址電極222可由具有高電導率的金屬(例如Al)形成。尋址電極222與后面將要描述的Y電極212 —起在用于定光的所選發(fā)光單元226中產(chǎn)生尋址放電。在發(fā)生尋址放電的所選發(fā)光單元226中，可隨后發(fā)生維持放電。
尋址電極222被后介電層223覆蓋，后介電層223防止尋址電極222與在尋址放電過程中產(chǎn)生的帶電顆粒碰撞，因此可保護尋址電極222。后介電層223可由能誘導放電顆粒的介電材料形成。所述介電材料可為Pb0、B203、SiO2等。
限定發(fā)光單元226的障肋224在前基板211和后基板221之間形成。障肋224保證在前基板211和后基板221之間的放電空間，防止相鄰發(fā)光單元226之間串擾，并增大紅色熒光體層225a、綠色熒光體層225b和藍色熒光體層225c的表面積。障肋224可由玻璃材料(包括Pb、B、Si、Al或O)形成，且如果需要，障肋224還可包含填料(例如Zr02、Ti02 和 Al2O3)和顏料(例如 Cr、Cu、Co、Fe 或 TiO2)。
維持電極對214在相應于發(fā)光單兀226的第一方向上延伸，垂直于尋址電極222 延伸的第二方向。各維持電極對214包括引起維持放電的X電極213和Y電極212。維持電極對214在前基板211的底表面211a上以預定的間隔彼此平行布置。由于X電極213 和Y電極212之間的電位差發(fā)生維持放電。
X電極213和Y電極212分別包括透明電極213b和212b和匯流電極213a和212a。 但是，在某些情況下，匯流電極213a和212a可單獨用于形成掃描電極和公共電極。
透明電極213b和212b可由導電和透明材料形成，因此從紅色熒光體層225a、綠色熒光體層225b和藍色熒光體層225c發(fā)出的光可無阻擋地透射到前基板211。用于形成透明電極213b和212b的導電和透明材料可為氧化錫銦(ITO)。但是，由于導電和透明材料 (例如ΙΤ0)的電阻高，且當維持電極214僅包括透明電極213b和212b時，維持電極214在透明電極213b和212b的縱向上電壓降大，增加PDP的功耗且圖像的響應速度變慢。為了防止這些問題，匯流電極213a和212a由高導電金屬(例如Ag)形成，且分別在面向后面板 220的透明電極213b和212b的表面上形成。
X電極213和Y電極212被前介電層215覆蓋。前介電層215使X電極213與Y 電極212電絕緣，并防止帶電顆粒與X電極213和Y電極212碰撞，因此保護維持電極214。 前介電層215由高光透射率的介電材料(例如Pb0、B203、Si02等)形成。
保護層216可在前介電層215上形成。前介電層215防止帶電顆粒在維持放電過程中與X電極213和Y電極212碰撞，因此可保護維持電極214，且在維持放電過程中產(chǎn)生許多二次電子。保護層216可由MgO形成。
發(fā)光單元226充有放電氣體。所述放電氣體可例如為Ne和Xe的氣態(tài)混合物，其中Xe的量為約5%體積-約10%體積。如果需要，一部分Ne可用He代替。
本發(fā)明的F1DP的余輝時間為約Ims或Ims以下(優(yōu)選約400 μ s_約1ms)。此外， PDP的色溫為約8500K，且I3DP的色(白色)坐標為(O. 285，O. 300)。
除了圖I所示的結(jié)構(gòu)以外，本發(fā)明的PDP可-具有各種結(jié)構(gòu)。
參考以下實施例進一步詳述本發(fā)明。這些實施例僅用于舉例說明，不是要局限本發(fā)明的范圍。
合成實施例I :制備(Y(1_x_y)GdxTby)Al3 (BO3)4 (其中 x = O. 5 且 y = O. 2)
將摩爾比率為約O. 3 O. 5 3 4 O. 2 的 Y203、Gd203、A1203、H3BO3 和 Tb4O7 混合，隨后在空氣氣氛下，將混合物于1150°C下燒結(jié)5小時，制得(Y(1_x_y)GdxTby)Al3(BO3)4(其中X = O. 5且y = O. 2)表示的突光體。
使真空紫外線照射在合成實施例I中制備的熒光體和用于PDP的常規(guī)綠色熒光體 YB (YBO3ITb)，使用Excimer 146nm燈，在6. 7Pa(5X 10-2托)或以下真空浴中分別測定熒光體的激發(fā)光譜和亮度。圖2為使真空紫外線照射在合成實施例I中制備的熒光體時熒光體的激發(fā)光譜圖。
圖3圖示當用真空紫外線照射時，常規(guī)熒光體和在合成實施例I中制備的熒光體的亮度。在圖2和3中，YB是指YB，#1是指在合成實施例I中制備的熒光體。
參考圖2可見，在147nm下激發(fā)時，合成實施例I的熒光體具有與YB相同的熒光強度，在約200nm下激發(fā)時，合成實施例I的熒光體比YB的熒光強度高得多。
參考圖3可見，在合成實施例I中制備的熒光體具有與常規(guī)熒光體YB相同的亮度。
合成實施例2 :制備(Y(1_x_y)GdxTby)Al3 (BO3)4 (其中 x = O. 6 且 y = O. 3)
采用與合成實施例I相同的方法制備(Y(1-x_y)Gdx Tby) Al3(BO3)4 (其中x = O. 6且 7 = 0.3)，不同之處在于將丫203、6(1203、六1203、!^03和113407 以約0.1 0.6 3 4 O. 3 的摩爾比率混合。
合成實施例3 :制備(Y(1_x_y)GdxTby)Al3 (BO3) 4(其中 x = O. 6 且 y = O. 4)
采用與合成實施例I相同的方法制備(Y(1-x_y)Gdx Tby) Al3 (BO3)4(其中x = O. 6且 7 = 0.4)，不同之處在于將6(120341203、!^03和113407以約0.6 3 4 O. 4的摩爾比率混合。
合成實施例4 :制備 BaMgAlltlO17 = Mn
將BaC03、Al203、Mg0和MnCO3以約I I 10 17的摩爾比率混合，隨后將40重量份純水和乙醇作為溶劑加至該混合物中。隨后在還原氣氛下，將生成物于1550°C下燒結(jié) 2 小時，制得 BaMgAlltlO17:Mn。
合成實施例5 :制備 Li2Zn (Ge, Ga) 308:Mn
將Li2C03、Zn0、Ge02、Ga203 和 MnCO3 以約 2 O. 5 2. 9 O. I O. 5 的摩爾比率混合，隨后將40重量份純水和乙醇作為溶劑加至該混合物中。隨后將混合物于900°C下第一次燒結(jié)2小時。隨后在包含5%體積氫的氮氣氣氛下，將生成物于950°C下第二次燒結(jié)2 小時，制得 Li2Zn (Ge，Ga) 308: Mn。
合成實施例6 :制備(Ya2Gda4Tba4)Al3(BO3)4
采用與合成實施例I相同的方法制備(Y(1_x_y) GdxTbyMl3(BO3)4(其中x-0. 6且7-0.3)，不同之處在于將丫203、6(1203、六1203為803和113407 以約0.2 : 0.4 : 3 : 4 : 0.4 的摩爾比混合。
合成實施例7 :制備(Y0.2Gd0.4Tb0.4)Al2.95Sc0.05(B03)4
4fY203、Gd203、Al203、Sc203、H3B03 和 Tb4O7 以約 O. 2 O. 4 2. 95 O. 05 4 O. 4的摩爾比混合，隨后將純水和乙醇作為溶劑加至該混合物中并將混合物混合在一起。隨后將混合物于1150°C下在空氣氣氛中燒結(jié)5小時，得到用(Y0.^da4Tba4) AL95Scaci5(BO3)4表示的突光體。
合成實施例8 :制備(Ya2Gda4Tba4)ADai(BO3)4
采用與合成實施例I相同的方法制備(Ya2Gda4Tba4)Ali9Scai (BO3)4，不同之處在于將 Y2O3> Gd2O3' Al2O3' Sc2O3> H3BO3 和 Tb4O7 以約 O. 2 O. 4 2. 9 O. I 4 O. 4 的摩爾比混合。
合成實施例9 :制備(Y0.2Gd0.4Tb0.4) Al2.8Sc0.2 (BO3)4
采用與合成實施例I相同的方法制備(Ya2Gda4Tba4)Ali8Sca2 (BO3)4，不同之處在于將 Y2O3> Gd2O3' Al2O3' Sc2O3> H3BO3 和 Tb4O7 以約 O. 2 O. 4 2. 8 O. 2 4 O. 4 的摩爾比混合。
合成實施例10 :制備(Y0.2Gd0.4Tb0.4)Al2.5Sc0.5(B03)4
采用與合成實施例I相同的方法制備(Ya2Gda4Tba4)Ali5Sca5(BO3)4，不同之處在于將 Y2O3> Gd2O3' Al2O3' Sc2O3> H3BO3 和 Tb4O7 以約 O. 2 O. 4 2. 5 O. 5 4 O. 4 的摩爾比混合。
圖5顯示當使用在146nm下工作的Excimer燈用真空紫外(VUV)線照射時,合成實施例6-10中制備的各熒光體亮度的測定結(jié)果。在圖5中，Y指在下面將要描述的參考實施例中制備的熒光體。
實施例I
將組成如下表I所示的YGAB作為第一熒光體與在合成實施例5中制備的 Ll2Zn (Ge, Ga) 308:Μη混合,制備突光體。
將40重量份熒光體、8重量份作為粘合劑的乙基纖維素和52重量份作為溶劑的松油醇混合，制備用于形成綠色熒光體層的組合物。
將用于形成綠色熒光體層的組合物絲網(wǎng)印刷在rop的發(fā)光單元中，并干燥，于 480°C下燒結(jié)，形成綠色熒光體層。這里,PDP中的放電氣體包含93%體積Ne和7%體積Xe。
實施例2
將組成如下表2所示的YGAB作為第一熒光體與在合成實施例4中制備的 BaMgAl10O17IMn混合,制備突光體。
將40重量份熒光體、8重量份作為粘合劑的乙基纖維素和52重量份作為溶劑的松油醇混合，制備用于形成綠色熒光體層的組合物。
將用于形成綠色熒光體層的組合物絲網(wǎng)印刷在rop的發(fā)光單元中，并干燥，于 480°C下燒結(jié)，形成綠色熒光體層。這里,PDP中的放電氣體包含93%體積Ne和7%體積Xe。
參考實施例
將以80 20重量比混合Pl和YBO3:Tb制備的40重量份熒光體、8重量份作為粘合劑的乙基纖維素和52重量份作為溶劑的松油醇混合，制備用于形成綠色熒光體層的組合物。
使用以下方法測定在實施例I和2以及參考實施例中制備的熒光體層的相對亮度、色坐標和余輝時間。這里，發(fā)光單元用實施例I和2中制備的熒光體層涂布，并在 Krypton 146nm燈下,測定粉末形式的突光體的相對亮度。
亮度、色坐標和余輝性能的評價結(jié)果示于下表I和2。
表I 在(Y1IyGdxTby) Al3 (BO3) 4(其中 x = O. 6 且 y = O. 4)的情況下
權(quán)利要求
1.一種用于rop的熒光體，所述熒光體包括 為下式I表示的化合物的第一熒光體；和 下式3表示的第二熒光體， 式I (Y1-PyGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4 其中0<x彡l，0<y<l，Q為Sc或Ga，且O彡r彡3， 式3Ii2Zn(Ge, θ )ζ08:Μη其中Θ = Al或Ga, 3彡Z彡4。
2.權(quán)利要求I的熒光體，其中基于100重量份第一熒光體和第二熒光體的總量，第二熒光體的量為10-90重量份。
3.權(quán)利要求2的熒光體，其中所述式I表示的化合物為一種選自以下的化合物 (Ya3Gda5Tba2) Al3 (BO3) 4、(YaiGda6Tba3)Al3(BO3)0 (Gda6Tba4) Al3 (BO3) 4、(Ya2Gda4Tba4)Al2.95ScQ C15(BO3) 4、(Y。2GdQ 4TbQ 4) Al2 9ScQ」(BO3) 4、(Y。2GdQ 4TbQ 4) Al2 8ScQ 2 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0 4) Al2 5Sc0 5 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al 2 95Ga0 05 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4)Al2 9Ga0 ! (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2 8Ga0 2 (BO3) 4 和(Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al2 5Ga0 5 (BO3) 4。
4.權(quán)利要求I的熒光體，其中式3表示的熒光體為Li2Zn(Ge,AD3O8 =Mn或Li2Zn(Ge,Ga) 308: Mn。
5.一種用于rop的熒光體，包括第一熒光體和第二熒光體，其中第一熒光體為 (Y1TyGdxTby) Al3 (BO3)4,其中 X = O. 5 且 y = O. 2 ;(Y1TyGdxTby) Al3 (BO3)4,其中 X = O. 6 且 y = O. 3 ;或(YnyGdxTby) Al3 (BO3)4,其中 X = O. 6 且 y = O. 4， 第二熒光體為式2A或2B的熒光體，且基于100重量份第一熒光體和第二熒光體的總量，第二熒光體的量為約10-約90重量份， 式2ABaMgAl10O17IMn式2B BaMgAl12O19: Mn。
6.—種F1DP,所述PDP包括包含權(quán)利要求1-5中任一項的突光體的突光體層。
7.權(quán)利要求6的rop，所述PDP包括 透明前基板；與所述透明前基板平行的后基板；布置在所述透明前基板和所述后基板之間的由障肋限定的發(fā)光單元；在相應于所述發(fā)光單元的第一方向上延伸的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的后介電層；布置在所述發(fā)光單元內(nèi)的熒光體層；在第二方向上延伸并與所述尋址電極交叉的維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前介電層；和填充在所述發(fā)光單元內(nèi)的放電氣體。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種為下式1表示的化合物的用于PDP的熒光體和包括含其的熒光體層的PDP，式1(Y1-x-yGdxTby)AlrQ3-r(BO3)4，其中0＜x≤1，0＜y≤1，Q為Sc、In或Ga，且0≤r≤3，當使用該熒光體形成PDP的綠色熒光體層時，可克服常規(guī)綠色熒光體的亮度飽和問題。此外，與用于PDP的常規(guī)熒光體相比，包括包含所述熒光體的熒光體層的PDP根據(jù)包含在熒光體層中的各熒光體的混合比具有較寬的顏色再現(xiàn)范圍，且亮度不降低。因此，包括包含該熒光體的熒光體層的PDP可具有非常優(yōu)異的圖像質(zhì)量。
文檔編號C09K11/64GK102977886SQ20121047747
公開日2013年3月20日 申請日期2008年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日
發(fā)明者金志賢, 張東植, 劉永喆, 崔益圭, 宋美蘭, 李賢德, 宋有美 申請人:三星Sdi株式會社