專利名稱：鈍化層溶液組合物、薄膜晶體管陣列板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鈍化層溶液組合物、薄膜晶體管陣列板和所述薄膜晶體管陣列板的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，薄膜晶體管(TFT)陣列板用作用于獨立地驅(qū)動在液晶顯示器或有機電致發(fā)光(EL)顯示器中的像素的電路板。薄膜晶體管陣列板包括傳輸掃描信號的掃描信號線或柵極線、傳輸圖像信號的圖像信號線或數(shù)據(jù)線、連接到所述柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、和連接到所述薄膜晶體管的像素電極。薄膜晶體管包括柵電極(其為柵極布線(線路，wire)的一部分)、形成溝道的半導(dǎo)體層、源電極(其為數(shù)據(jù)布線的一部分)和漏電極。薄膜晶體管為根據(jù)通過柵極線傳輸?shù)膾呙栊盘柨刂仆ㄟ^數(shù)據(jù)布線傳輸?shù)较袼仉姌O的圖像信號的開關(guān)元件。當使用氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層和銅作為具有低電阻的布線時，在使用由常規(guī)的氧化硅或氮化硅制成的鈍化層時，未實現(xiàn)期望的薄膜晶體管特性且布線(wiring)表面可被氧化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方式提供鈍化層溶液組合物、薄膜晶體管陣列板及其制造方法，以提供當使用氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層和銅作為具有低電阻的布線路的以上問題的解決方案。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的鈍化層溶液組合物包括由以下化學(xué)式I表示的有機硅氧燒樹脂:
權(quán)利要求
1.鈍化層溶液組合物，包括由以下化學(xué)式I表示的有機硅氧烷樹脂:
2.權(quán)利要求1的鈍化層溶液組合物，進一步包括溶劑，所述溶劑包括丙二醇單甲醚和丙二醇單乙基醚乙酸酯的一種或多種。
3.權(quán)利要求2的鈍化層溶液組合物，其中所述有機硅氧烷樹脂含量為4重量％-25重量％，基于所述鈍化層溶液組合物的總重量。
4.權(quán)利要求3的鈍化層溶液組合物，其中在化學(xué)式I中，R包括選自甲基、乙烯基和苯基的至少一種取代基。
5.權(quán)利要求4的鈍化層溶液組合物，其中所述有機硅氧烷樹脂具有100-10，000的重均分子量。
6.薄膜晶體管陣列板，包括: 基板； 設(shè)置在所述基板上的柵極線、半導(dǎo)體層、以及包括漏電極和源電極的數(shù)據(jù)線；和 設(shè)置在所述柵極線、半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線上的鈍化層，所述鈍化層包括由以下化學(xué)式I表不的有機娃氧燒樹脂:
7.權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列板，其中所述半導(dǎo)體層由氧化物半導(dǎo)體形成。
8.權(quán)利要求7的薄膜晶體管陣列板，其中所述柵極線包括:包括鈦、鉭和鑰的至少一種的下部層；和包括銅或銅合金的上部層。
9.權(quán)利要求8的薄膜晶體管陣列板，其中所述數(shù)據(jù)線包括:包括鈦、鉭和鑰的至少一種的下部層；和包括銅或銅合金的上部層。
10.權(quán)利要求9的薄膜晶體管陣列板，進一步包括 設(shè)置在所述鈍化層上的像素電極， 其中所述鈍化層具有接觸孔，和所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極。
11.權(quán)利要求10的薄膜晶體管陣列板，其中在化學(xué)式I中，R包括選自甲基、乙烯基和苯基的至少一種取代基。
12.權(quán)利要求11的薄膜晶體管陣列板，其中所述有機硅氧烷樹脂具有100-10，000的重均分子量。
13.權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列板，進一步包括設(shè)置在所述基板上的柵極絕緣層。
14.權(quán)利要求13的薄膜晶體管陣列板，其中所述柵極絕緣層包括選自氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的至少一種絕緣材料。
15.薄膜晶體管陣列板的制造方法，包括: 在基板上形成包括如下的薄膜晶體管:柵極線、半導(dǎo)體層、以及包括漏電極和源電極的數(shù)據(jù)線； 涂覆包括由化學(xué)式I表示的有機硅氧烷樹脂的溶液:
全文摘要
提供鈍化層溶液組合物、薄膜晶體管陣列板及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的鈍化層溶液組合物包括由以下化學(xué)式1表示的有機硅氧烷樹脂。在化學(xué)式1中，R為選自具有1-約25個碳原子的飽和烴及不飽和烴的至少一種取代基，且x和y可各自獨立地為1-約200，和其中各波浪線表示到H原子或到x硅氧烷單元或y硅氧烷單元的鍵、或到包括x硅氧烷單元或y硅氧烷單元或其組合的另一硅氧烷鏈的x硅氧烷單元或y硅氧烷單元的鍵。[化學(xué)式1]
文檔編號C09D183/07GK103102801SQ20121039257
公開日2013年5月15日 申請日期2012年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者安秉斗, 延昇浩, 樸世容, 樸美蕙, 宋夫燮, 李泰權(quán), 樸埈賢, 李制勛, 樸在佑 申請人:三星顯示有限公司, 三星精密化學(xué)株式會社