專利名稱：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將用于固著芯片狀工件(半導(dǎo)體芯片等)與電極構(gòu)件的膠粘劑在切割前附著在工件(半導(dǎo)體晶片等)上的狀態(tài)下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜。
背景技術(shù)：
形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶片(工件)，在根據(jù)需要通過(guò)背面研磨而調(diào)節(jié)厚度后，切割為半導(dǎo)體芯片(芯片狀工件)(切割工序)。在切割工序中，為了除去切割層，一般在適度的液壓(通常約2kg/cm2)下清洗半導(dǎo)體晶片。然后，將前述半導(dǎo)體芯片利用膠粘劑固著到弓I線框等被粘物上(安裝工序)后，移至接合工序。在所述安裝工序中，將膠粘劑涂布到弓I線框或半導(dǎo)體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化比較困難，另外膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長(zhǎng)時(shí)間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體晶片并且還提供安裝工序所需要的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜(例如，參考專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上可剝離地設(shè)置有膠粘劑層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導(dǎo)體晶片后，拉伸支撐基材將半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收后通過(guò)該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。對(duì)于此種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，希望具有對(duì)半導(dǎo)體晶片的良好保持力和能夠?qū)⑶懈詈蟮陌雽?dǎo)體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性，以不產(chǎn)生不能切割或尺寸誤差等問(wèn)題。但是，使該兩種特性平衡決不是件容易的事。特別是像用旋轉(zhuǎn)圓刀等切割半導(dǎo)體晶片的方式等，要求膠粘劑層具有大的保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，為了解決這樣的問(wèn)題，提出了各種改良法(例如，參考專利文獻(xiàn)2)。在專利文獻(xiàn)2中，提出了在支撐基材與膠粘劑層之間介有可紫外線固化的粘合劑層，將其切割后進(jìn)行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，通過(guò)兩者間的剝離而容易地拾取半導(dǎo)體芯片的方法。但是，即使通過(guò)該改良法，有時(shí)也難以得到使切割時(shí)的保持力與之后的剝離性良好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在得到IOmmXlOmm以上的大型半導(dǎo)體芯片時(shí)，由于其面積大，因此通過(guò)一般的芯片接合機(jī)不能容易地拾取半導(dǎo)體芯片。專利文獻(xiàn)I :日本特開昭60-57642號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平2-248064號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而進(jìn)行，其目的在于提供具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合薄膜即使在半導(dǎo)體晶片為薄型的情況下，將該薄型工件切割時(shí)的保持力與將通過(guò)切割得到的半導(dǎo)體芯片和該芯片接合薄膜一體地剝離時(shí)的剝離性的平衡特性也優(yōu)良。本發(fā)明人為了解決上述現(xiàn)有問(wèn)題，對(duì)切割/芯片接合薄膜進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，切割薄膜中所含的多官能單體成分物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜中，由此切割薄膜與芯片接合薄膜的交界面消失，由此拾取性下降，并且完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，為了解決上述問(wèn)題，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對(duì)于丙烯酸酯含量在1(Γ30摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對(duì)于含羥基單體含量在7(Γ90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構(gòu)成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹脂而構(gòu)成。本發(fā)明的切割薄膜中，由于使用丙烯酸酯作為主單體，因此可以實(shí)現(xiàn)剝離力的下降，結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)良好的拾取性。另外，通過(guò)將含羥基單體的含量設(shè)定為10摩爾％以上， 抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結(jié)果，例如可以防止切割時(shí)對(duì)粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過(guò)使所述含量為30摩爾％以下，可以防止紫外線照射交聯(lián)過(guò)度進(jìn)行而難以剝離從而使拾取性下降。另外，本發(fā)明中，由于采用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物代替多官能單體，因此不會(huì)發(fā)生該多官能單體在芯片接合薄膜中物質(zhì)擴(kuò)散的情況。結(jié)果，可以防止切割薄膜與芯片接合薄膜的邊界面消失，可以實(shí)現(xiàn)更好的拾取性。前述構(gòu)成中，所述丙烯酸酯優(yōu)選為CH2=CHCOOr(式中，R為碳原子數(shù)6 10的烷基)。使用CH2=CHCOOr作為丙烯酸酯時(shí)，通過(guò)使用式中的烷基R的碳原子數(shù)為6 10的范圍內(nèi)的丙烯酸酯，可以防止剝離力過(guò)大而使拾取性下降。所述含羥基單體優(yōu)選為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。另外，所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，優(yōu)選為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。另外，所述聚合物的重均分子量?jī)?yōu)選在35萬(wàn)至100萬(wàn)的范圍內(nèi)。通過(guò)使重均分子量為35萬(wàn)以上，可以防止形成低分子量聚合物，由此，例如可以防止切割時(shí)從粘合劑層上粘貼的切割環(huán)上產(chǎn)生剝離。另外，可以防止紫外線照射后的交聯(lián)不足，因此在從粘合劑層上剝離切割環(huán)(夕^ '> ^ >々'')時(shí)，可以防止產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過(guò)使重均分子量為100萬(wàn)以下，可以提高在基材上形成粘合劑層時(shí)的作業(yè)性。這是因?yàn)?，粘合劑層的形成例如可以通過(guò)在基材上涂布包含所述聚合物的粘合劑組合物溶液后使其干燥來(lái)進(jìn)行，如果聚合物的重均分子量超過(guò)100萬(wàn)，則粘合劑組合物溶液的粘度過(guò)大，因此該聚合物的聚合以及涂布時(shí)的作業(yè)性變差。另外，優(yōu)選所述粘合劑層的紫外線照射前的23°C下的拉伸彈性模量在O. Γ3. 5MPa的范圍內(nèi)，紫外線照射后的23°C下的拉伸彈性模量在7 IOOMPa的范圍內(nèi)。通過(guò)將紫外線照射前的拉伸彈性模量(23°C)設(shè)定為O. 4MPa以上，使切割半導(dǎo)體晶片時(shí)半導(dǎo)體芯片的固定良好，結(jié)果，可以防止碎片的產(chǎn)生。另外，將切割環(huán)剝離時(shí)，可以防止產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過(guò)將拉伸彈性模量(23°C)設(shè)定為3. 5MPa以下，可以防止切割時(shí)產(chǎn)生芯片飛散。另外，通過(guò)將紫外線照射后的拉伸彈性模量(23°C)設(shè)定為7MPa以上，可以提高拾取性。所述粘合劑層優(yōu)選不含丙烯酸。由此，可以防止粘合劑層與芯片接合薄膜的反應(yīng)或相互作用，可以進(jìn)一步提高拾取性。


圖I是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖3是表示通過(guò)所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例 子的示意剖面圖。符號(hào)說(shuō)明I 基材2粘合劑層3芯片接合薄膜4半導(dǎo)體晶片5半導(dǎo)體芯片6被粘物7 焊線8密封樹脂9 隔片10、11切割/芯片接合薄膜
具體實(shí)施例方式(切割/芯片接合薄膜)參考圖I和圖2對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖I是表示本實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本實(shí)施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。其中，省略了不需要說(shuō)明的部分，并且存在為容易說(shuō)明而擴(kuò)大或縮小等進(jìn)行圖示的部分。如圖I所示，切割/芯片接合薄膜10的構(gòu)成如下具有在基材I上設(shè)有粘合劑層2的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層2上的芯片接合薄膜3。另外，本發(fā)明如圖2所示，也可以是僅在半導(dǎo)體晶片粘貼部分上形成有芯片接合薄膜3’的構(gòu)成。所述基材I具有紫外線透射性，并且作為切割/芯片接合薄膜10、11的強(qiáng)度母體。例如可以列舉低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無(wú)規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷(silicone)樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材I的材料，可以列舉所述樹脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用經(jīng)拉伸處理等而被賦予熱收縮性的樹脂片，通過(guò)在切割后使其基材I熱收縮而降低粘合劑層2與芯片接合薄膜3、3’的膠粘面積，可以容易地回收半導(dǎo)體芯片。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材I的表面可以進(jìn)行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學(xué)或物理處理、底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))涂布處理等。所述基材I可以適當(dāng)選擇使用同種或異種材料，根據(jù)需要也可以將多種材料混合使用。另外，為了使基材I具有防靜電性能，可以在所述基材I上設(shè)置包含金屬、合金、它們 的氧化物等的厚度約30A 約500A的導(dǎo)電物質(zhì)的蒸鍍層?；腎可以是單層或者兩種以上的多層?；腎的厚度沒(méi)有特別限制，可以適當(dāng)設(shè)定，一般為約5μπΓ約200μπι。所述粘合劑層2包含紫外線固化型粘合劑而構(gòu)成。紫外線固化型粘合劑可以通過(guò)紫外線照射使其交聯(lián)度增大而容易地降低其粘合力，通過(guò)僅對(duì)圖2所示的粘合劑層2的與半導(dǎo)體晶片粘貼部分對(duì)應(yīng)的部分2a照射紫外線，可以設(shè)置與其它部分2b的粘合力差。另外，通過(guò)與圖2所示的芯片接合薄膜3’對(duì)應(yīng)地使紫外線固化型粘合劑層2固化，可以容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由于固化而粘合力下降的所述部分2a上粘貼有芯片接合薄膜3’，因此粘合劑層2的所述部分2a與芯片接合薄膜3’的界面具有在拾取時(shí)容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分
2b ο如前所述，圖I所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3粘合，能夠確保切割時(shí)的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑可以在膠粘-剝離平衡良好的情況下支撐用于將半導(dǎo)體芯片固著到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3。圖2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2b可以固定切割環(huán)。切割環(huán)例如可以使用由不銹鋼等金屬制成的切割環(huán)或樹脂制成的切割環(huán)。所述紫外線固化型粘合劑使用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵等紫外線固化性官能團(tuán)、并且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，例如，可以例示在丙烯酸類粘合劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。丙烯酸類粘合劑是以丙烯酸類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的粘合劑，從半導(dǎo)體芯片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機(jī)溶劑的清潔洗滌性等方面考慮優(yōu)選。本發(fā)明中，作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉使用丙烯酸酯作為主單體成分的丙烯酸類聚合物。作為所述丙烯酸酯，可以列舉例如丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)廣30、特別是碳原子數(shù)Γ18的直鏈或支鏈烷基酯等)及丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)等。這些單體可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。前述例示的丙烯酸酯中，在本發(fā)明中優(yōu)選使用由化學(xué)式CH2=CHCOOr (式中，R為碳原子數(shù)6 10、更優(yōu)選碳原子數(shù)8、的烷基)表示的單體。碳原子數(shù)如果低于6則剝離力變得過(guò)大，有時(shí)拾取性下降。另一方面，碳原子數(shù)如果超過(guò)10則與芯片接合薄膜的膠粘性下降，結(jié)果，有時(shí)在切割時(shí)產(chǎn)生芯片飛散。另外，丙烯酸酯由化學(xué)式CH2=CHCOOr表示時(shí)，其含量相對(duì)于全部單體成分優(yōu)選為5(Γ91摩爾％、更優(yōu)選8(Γ87摩爾％。含量如果小于50摩爾則剝離力變得過(guò)大，有時(shí)拾取性下降。另一方面，如果超過(guò)91摩爾％則粘合性下降，有時(shí)在切割時(shí)產(chǎn)生芯片飛散。另外，所述化學(xué)式表示的單體中，特別優(yōu)選丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯。所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等。所述含羥基單體的含量，相對(duì)于丙烯酸酯優(yōu)選在1(Γ30摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在 15 25摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于10摩爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時(shí)有時(shí)對(duì)粘合劑層上粘貼的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，含量如果超過(guò)30摩爾％則粘合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強(qiáng)，從而難以剝離。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，根據(jù)需要可以含有與能夠與所述丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。但是，所述含羧基單體的情況下，通過(guò)其羧基與芯片接合薄膜3中的環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失，有時(shí)兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的(Γ3重量％以下。另外，含羥基單體或含縮水甘油基單體也能夠與環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，因此，優(yōu)選與含羧基單體的情況同樣地設(shè)定。另外，這些單體成分中，優(yōu)選本發(fā)明的粘合劑層2不含丙烯酸。這是因?yàn)?，丙烯酸物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜3中，使粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失，有時(shí)使剝離性下降。在此，所述丙烯酸類聚合物不含多官能單體作為共聚用單體成分。由此，消除多官能單體物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜中的情況，可以防止由于粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失而導(dǎo)致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物包含具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作為必須成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α - 二甲基芐基異氰酸酯
坐寸ο所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的含量，相對(duì)于含羥基單體優(yōu)選在7(Γ90摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在75 85摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于70摩爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時(shí)有時(shí)對(duì)粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，含量如果超過(guò)90摩爾％則粘合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強(qiáng)，由此使剝離變得困難，拾取性下降。所述丙烯酸類聚合物可以通過(guò)將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合而得到。聚合可以通過(guò)溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進(jìn)行。從防止污染潔凈的被粘物等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該觀點(diǎn)考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量?jī)?yōu)選為約35萬(wàn)至約100萬(wàn)、更優(yōu)選約45萬(wàn)至約80萬(wàn)。另外，為了調(diào)節(jié)紫外線照射前的粘合力和紫外線照射后的粘合力，所述粘合劑中也可以適當(dāng)使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑進(jìn)行反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑的情況下，其使用量通過(guò)與欲交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡、以及作為粘合劑的使用用途來(lái)適當(dāng)確定。一般相對(duì)于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選配合約20重量份以下、更優(yōu)選O. f 10重量份。另外，粘合劑中除所述成分之外，根據(jù)需要還可以使用現(xiàn)有公知的 各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性的低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當(dāng)確定能夠使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言，相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為約5重量份至約500重量份、優(yōu)選約40重量份至約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除前面說(shuō)明過(guò)的添加型紫外線固化型粘合劑以夕卜，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不需要含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會(huì)隨時(shí)間推移在粘合劑中移動(dòng)，可以形成穩(wěn)定層結(jié)構(gòu)的粘合劑層。所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可以沒(méi)有特別限制地使用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵并且具有粘合性的基礎(chǔ)聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎(chǔ)聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的方法沒(méi)有特別限制，可以采用各種方法，從分子設(shè)計(jì)方面而言在聚合物側(cè)鏈中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉預(yù)先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該羥基反應(yīng)的異氰酸酯基及自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物在保持自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)的方法。作為具有異氰酸酯基和自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉前面例示的那些。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑，可以單獨(dú)使用所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等通常相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在(TlO重量份的范圍內(nèi)。所述紫外線固化型粘合劑中，在通過(guò)紫外線等進(jìn)行固化時(shí)優(yōu)選含有光聚合引發(fā)齊U。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4_ (2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α - - α , α 二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮、1_羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2’- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2’- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-I-丙酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2_萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1_苯基-1，2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲?；郊姿?、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；酰基氧化膦；?；⑺狨サ取９饩酆弦l(fā)劑的配合量相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份例如為約O. 05重量份至約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開昭60-196956號(hào)公報(bào)中公開的、包含具有兩個(gè)以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物和羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過(guò)氧化物、胺、錨鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。紫外線固化型粘合劑層2的形成可以通過(guò)在基材I上形成紫外線固化型粘合劑層2，或者將設(shè)置在隔片上的粘合劑層2轉(zhuǎn)印到基材I上來(lái)進(jìn)行。在切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，對(duì)粘合劑層2的一部分進(jìn)行紫外線照射使所述部分2a的粘合力〈其它部分2b的粘合力。即，可以使用對(duì)基材I的至少單面的、與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分以外的部分的全部或者一部分進(jìn)行遮光的基材，在其上形成紫外線固化型粘合劑層2后進(jìn)行紫外線照射，使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過(guò)印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上制作能夠形成光掩模的遮光材料。另外，所述紫外線照射的積分光量?jī)?yōu)選為5(T500mJ/cm2。通過(guò)使積分光量在所述范圍內(nèi)，在切割時(shí)保持能夠防止半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生芯片飛散程度的粘合性，并且在拾取時(shí)得到良好的拾取性。由此，可以有效地制造本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。另外，紫外線照射時(shí)因氧而產(chǎn)生固化障礙時(shí)，優(yōu)選從紫外線固化型粘合劑層2的表面隔絕氧(空氣)。作為該方法，可以列舉例如用隔片將粘合劑層2的表面覆蓋的方法或者在氮?dú)夥諊羞M(jìn)行紫外線等的照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒(méi)有特別限制，從同時(shí)實(shí)現(xiàn)防止芯片切割面的缺陷和粘合層的固定保持等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為約Iym至約50 μ m。優(yōu)選2 μ πΓ30 μ m、更優(yōu)選5 μ πΓ25 μ m。芯片接合薄膜3例如可以僅由單層膠粘劑層構(gòu)成。另外，也可以將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當(dāng)組合而形成兩層以上的多層結(jié)·構(gòu)。另外，在半導(dǎo)體晶片的切割工序中使用切削水，因此芯片接合薄膜3吸濕，有時(shí)含水率達(dá)到常態(tài)以上。如果在這樣的高含水率的狀態(tài)下膠粘在襯底等上，則在后固化階段膠粘界面處滯留水蒸汽，有時(shí)產(chǎn)生翹起。因此，作為芯片膠粘用膠粘劑，通過(guò)形成由芯片膠粘劑夾住高透濕性芯材的結(jié)構(gòu)，在后固化階段水蒸汽透過(guò)薄膜而擴(kuò)散，從而可以避免所述問(wèn)題。從該觀點(diǎn)考慮，芯片接合薄膜3可以采用在芯材的單面或雙面形成膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。本發(fā)明的芯片接合薄膜3，以環(huán)氧樹脂作為主成分而形成。環(huán)氧樹脂中使半導(dǎo)體元件腐蝕的離子性雜質(zhì)等的含量少，因此優(yōu)選。作為所述環(huán)氧樹脂，只要是作為膠粘劑組合物通常使用的環(huán)氧樹脂則沒(méi)有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用或 者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹脂或四苯酚基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因?yàn)椋@些環(huán)氧樹脂作為固化劑與酚樹脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，芯片接合薄膜3中根據(jù)需要可以組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂、或者熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。另夕卜，作為環(huán)氧樹脂的固化劑優(yōu)選酚樹脂。另外，所述酚樹脂作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹脂、聚對(duì)羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹月旨、苯酚芳烷基樹脂。這是因?yàn)榭梢蕴岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂與酚樹脂的配合比例，例如以相對(duì)于所述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基I當(dāng)量酚樹脂中的羥基為O. 5^2. O當(dāng)量的比例進(jìn)行配合是適當(dāng)?shù)摹８鼉?yōu)選O. 8^1. 2當(dāng)量。即，這是因?yàn)?，兩者的配合比例如果在所述范圍以外，則固化反應(yīng)不充分，環(huán)氧樹脂固化物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，沒(méi)有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)Γ18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。芯片接合薄膜3的膠粘劑層中，為了預(yù)先具有某種程度的交聯(lián)，在制作時(shí)優(yōu)選添加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。
另外，芯片接合薄膜3的膠粘劑層中根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如β _(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基二甲氧基娃燒、Y-環(huán)氧丙氧基甲基~■乙氧基娃燒等。這些化合物可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3的厚度沒(méi)有特別限制，例如為約5 μ m至約100 μ m、優(yōu)選約5 μ m至約 50 μ m。可以使切割/芯片接合薄膜10、11具有防靜電性能。由此，可以防止其膠粘時(shí)及剝離時(shí)等產(chǎn)生靜電或者電路由于靜電導(dǎo)致的工件(半導(dǎo)體晶片等)帶電而遭破壞等。防靜電性能的賦予，可以通過(guò)在基材I、粘合劑層2或芯片接合薄膜3中添加防靜電劑或?qū)щ娢镔|(zhì)的方法、在基材I上附設(shè)包含電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物或金屬膜等的導(dǎo)電層等適當(dāng)方式來(lái)進(jìn)行。作為這些方式，優(yōu)選不易產(chǎn)生可能導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為為了賦予導(dǎo)電性、提高導(dǎo)熱性等目的而配合的導(dǎo)電物質(zhì)(導(dǎo)電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電合金等的球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無(wú)定形炭黑、石墨等。但是，從不漏電的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選所述芯片接合薄膜3、3’為非導(dǎo)電性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3’優(yōu)選由隔片保護(hù)(未圖示)。隔片具有作為在供給實(shí)際使用之前保護(hù)芯片接合薄膜3、3’的保護(hù)材料的功能。另外，隔片還可以作為向粘合劑層2上轉(zhuǎn)印芯片接合薄膜3、3’時(shí)的支撐基材使用。隔片在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合膜3、3’上粘貼工件時(shí)剝離。作為隔片，可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，或者由含氟剝離劑、丙烯酸長(zhǎng)鏈烷基酯類剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂敷的塑料薄膜或紙等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10為例對(duì)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，基材I可以通過(guò)現(xiàn)有公知的制膜方法制成膜。作為該制膜方法，可以列舉例如壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的流延法、密閉體系中的擠出吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，在基材I上涂布包含粘合劑的組合物并干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成粘合劑層2。作為涂布方式可以列舉輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，涂布可以直接在基材I上進(jìn)行，也可以涂布到表面進(jìn)行剝離處理后的剝離紙等上后轉(zhuǎn)印到基材I上。然后，將用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布在剝離紙上至預(yù)定厚度，進(jìn)而在預(yù)定條件下干燥而形成涂層。通過(guò)將該涂層轉(zhuǎn)印到所述粘合劑層2上，形成芯片接合薄膜3。另外，通過(guò)將形成材料直接涂布到所述粘合劑層2上后，在預(yù)定條件下干燥也可以形成芯片接合薄膜3。由此，得到本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10、11，在將芯片接合薄膜3、3’上任意設(shè)置的隔片 適當(dāng)剝離后以下述方式使用。以下，參考圖3以使用切割/芯片接合薄膜11的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜11中的芯片接合薄膜3’上，使其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序在用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時(shí)進(jìn)行。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為預(yù)定的尺寸而小片化，制造半導(dǎo)體芯片5。切割例如可以從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)按照常規(guī)方法進(jìn)行。另夕卜，本工序中，例如可以采用切入至切割/芯片接合薄膜10處的、稱為全切的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導(dǎo)體晶片由于利用切割/芯片接合薄膜10進(jìn)行了膠粘固定，因此不僅可以抑制芯片缺陷或芯片飛散，也可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。為了將在切割/芯片接合薄膜10上膠粘固定的半導(dǎo)體芯片剝離，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取。拾取方法沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/芯片接合薄膜10 —側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片5上推，通過(guò)拾取裝置拾取上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。在此，由于粘合劑層2為紫外線固化型，因此拾取在對(duì)該粘合劑層2照射紫外線后進(jìn)行。由此，粘合劑層2對(duì)芯片接合薄膜3a的粘合力下降，使半導(dǎo)體芯片5容易剝離。結(jié)果，可以在不損傷半導(dǎo)體芯片的情況下進(jìn)行拾取。紫外線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等條件沒(méi)有特別限制，根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定即可。例如，以紫外線照射積分光量計(jì)，優(yōu)選為5(T500mJ/cm2。即使在所述積分光量的范圍內(nèi)，本發(fā)明的芯片接合薄膜也不會(huì)因紫外線照射使交聯(lián)過(guò)度進(jìn)行而難以剝離，顯示良好的拾取性。另外，作為紫外線照射時(shí)使用的光源，可以使用前述光源。拾取的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)芯片接合薄膜3a膠粘固定在被粘物6上(芯片接合)。被粘物6載置于加熱臺(tái)(heat block)9上。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者另外制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環(huán)氧、BT (雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等制成的有機(jī)襯底。但是，本發(fā)明不限于這些，也包括在安裝半導(dǎo)體元件，與半導(dǎo)體元件電連接后可以使用的電路襯底。芯片接合薄膜3為熱固型時(shí)，通過(guò)加熱固化將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在被粘物6上，提高耐熱強(qiáng)度。另外，將半導(dǎo)體芯片5通過(guò)半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a膠粘固定到襯底等上而形成的材料可以供給回流工序。之后，進(jìn)行將襯底的端子部(內(nèi)部端子)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)通過(guò)焊線7進(jìn)行電連接的絲焊，再用密封樹脂8密封半導(dǎo)體芯片，并將該密封樹脂8后固化。由此，制作本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例以下，更具體地舉例說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，這些實(shí)施例中記載的材料或配合量等，如果沒(méi)有特別限定的記載，則本發(fā)明的范圍并不僅限于此，這些不過(guò)是舉例說(shuō)明而已。另外，各例中，“份”如果沒(méi)有特別說(shuō)明則均為重量基準(zhǔn)。(實(shí)施例I)
<切割薄膜的制作>在具有冷凝管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計(jì)和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，加入88. 8份丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為“2EHA”)、11. 2份丙烯酸_2_羥基乙酯(以下稱為“ΗΕΑ”)、0. 2份過(guò)氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮?dú)饬髦性?1°C下進(jìn)行6小時(shí)聚合處理，得到重均分子量85萬(wàn)的丙烯酸類聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA與HEA的摩爾比為100摩爾20摩爾。在該丙烯酸類聚合物A中加入12份(相對(duì)于HEA為80摩爾％)2_甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(以下稱為“Μ0Ι”)，在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行48小時(shí)加成反應(yīng)處理，得到丙烯酸類聚合物A’。然后，在100份丙烯酸類聚合物A’中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名口木一卜L”，日本聚氨酯株式會(huì)社制)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名51”，汽巴精化公司制)，制作粘合劑溶液。將上述制備的粘合劑溶液涂布到PET剝離襯墊的進(jìn)行聚硅氧烷處理后的面上，在120°C加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度ΙΟμπι的粘合劑層。然后，在該粘合劑層表面粘貼厚度IOOym的聚烯烴薄膜。之后，在50°C保存24小時(shí)后，制作本實(shí)施例的切割薄膜。〈芯片接合薄膜的制作〉將100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業(yè)株式會(huì)社制，商品名A 9々口 > W-197CM)、59份環(huán)氧樹脂I (JER株式會(huì)社制，商品名Epicoat 1004)、53份環(huán)氧樹脂2 (JER株式會(huì)社制，商品名Epicoat 827)、121份酚樹脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制，商品名彡> ^ ^ XLC-4L)和222份球狀二氧化硅(r Y U ”^株式會(huì)社制，商品名S0-25R)溶解于甲乙酮中，制備成濃度23. 6重量％。將該膠粘劑組合物的溶液涂布到作為剝離襯墊(隔片)的經(jīng)聚硅氧烷脫模處理的厚度38 μ m的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫膜處理薄膜上，然后在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度25 μ m的芯片接合薄膜。進(jìn)而，將芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到上述切割薄膜的粘合劑層一側(cè)，得到本實(shí)施例的切割/芯片接合薄膜。<重均分子量Mw的測(cè)定>重均分子量Mw的測(cè)定通過(guò)GPC (凝膠滲透色譜法)進(jìn)行。測(cè)定條件如下所述。另外，重均分子量通過(guò)聚苯乙烯換算來(lái)計(jì)算。測(cè)定裝置HLC-8120GPC (制品名，東曹公司制)
柱TSKgel GMH-H(S) X2 (商品編號(hào)，東曹公司制)流量0.5ml/分鐘注射量100μ I柱溫40°C洗脫液THF注射試樣濃度0. I重量％檢測(cè)器差示折射計(jì)(實(shí)施例2 15)
各實(shí)施例2 15中，變?yōu)橄卤鞩所示的組成及含量，除此以外，與上述實(shí)施例I同樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。表I
權(quán)利要求
1.一種切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于， 所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對(duì)于丙烯酸酯含量在1(Γ30摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對(duì)于含羥基單體含量在7(Γ90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構(gòu)成的聚合物， 所述丙烯酸酯為CH2=CHCOOr,式中，R為碳原子數(shù)6 10的烷基， 所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹脂和丙烯酸類樹脂而構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求I所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于， 所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。
3.如權(quán)利要求I所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于， 所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。
4.如權(quán)利要求I所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于， 所述聚合物的重均分子量在35萬(wàn)至100萬(wàn)的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求I所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于， 所述粘合劑層的紫外線照射前的23°C下的拉伸彈性模量在O. Γ3. 5MPa的范圍內(nèi)，紫外線照射后的23°C下的拉伸彈性模量在7 IOOMPa的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求I所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于， 所述粘合劑層不含丙烯酸。
全文摘要
本發(fā)明提供即使在工件為薄型的情況下將工件切割時(shí)的保持力與將通過(guò)切割得到的芯片狀工件和該芯片接合薄膜一體地剝離時(shí)的剝離性的平衡特性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對(duì)于丙烯酸酯含量在10~30摩爾%范圍內(nèi)的含羥基單體和相對(duì)于含羥基單體含量在70~90摩爾%范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構(gòu)成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹脂而構(gòu)成。
文檔編號(hào)C09J7/02GK102911618SQ201210361018
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日
發(fā)明者神谷克彥, 松村健, 村田修平 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社