專利名稱：芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有該芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來，為了應(yīng)對半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化、高功能化的要求，在半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)主面的整個區(qū)域上配置的電源線的布線寬度或信號線間的間隔正在逐漸變窄。因此，阻抗增加、異構(gòu)節(jié)點(diǎn)的信號線間產(chǎn)生信號干涉，在半導(dǎo)體芯片的操作速度、工作電壓容限、耐靜電擊穿能力等方面，成為阻礙充分發(fā)揮性能的原因。以往，為了解決上述問題，提出了層疊半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)(例如，參考專利文獻(xiàn)1 和專利文獻(xiàn)2)。另一方面，伴隨近年來的電子部件的多樣化，從半導(dǎo)體芯片釋放的電磁波(噪聲) 的頻域也變得多樣，在如所述的封裝結(jié)構(gòu)那樣層疊半導(dǎo)體芯片的情況下，從一個半導(dǎo)體芯片釋放的電磁波有可能會對另一個半導(dǎo)體芯片、襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生不利影響。在專利文獻(xiàn)3中，公開了在由電絕緣層和鐵氧體層構(gòu)成的層疊體的最外的兩個面上具有粘合層的半導(dǎo)體元件膠粘用電磁波屏蔽片。另外，專利文獻(xiàn)3中，記載了利用該半導(dǎo)體元件膠粘用電磁波屏蔽片，通過鐵氧體層的磁損耗特性而使電信號漏泄衰減。另外，在專利文獻(xiàn)4中，公開了在芯片焊盤與半導(dǎo)體芯片的背面之間配置有第一磁屏蔽材料，在所述半導(dǎo)體芯片的主面上配置有第二磁屏蔽材料的半導(dǎo)體裝置。另外，在專利文獻(xiàn)4中，記載了所述半導(dǎo)體裝置提高了對于外部磁場的耐受性?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開昭55-111151號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2002-261233號公報專利文獻(xiàn)3 日本專利第4133637號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開2010-153760號公報

發(fā)明內(nèi)容
專利文獻(xiàn)3的半導(dǎo)體元件膠粘用電磁波屏蔽片，在其制造工序中，通過將電絕緣層浸漬到含有1 2+的鍍敷反應(yīng)液中，進(jìn)行水解等以形成鐵氧體層，然后設(shè)置粘合劑來制造。 但是，這樣的制造工序煩瑣，并且存在生產(chǎn)率不足的問題。另外，專利文獻(xiàn)4的半導(dǎo)體裝置，通過在半導(dǎo)體晶片的背面粘貼具有膠粘性的第一薄膜材料，然后通過所述第一薄膜劑粘貼第一磁屏蔽材料，然后在所述第一磁屏蔽材料的背面粘貼具有膠粘性的第二薄膜材料的工序來制造。但是，這樣的制造工序，與現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造相比，追加了粘貼第一磁屏蔽材料的工序和粘貼第二薄膜材料的工序，因此制造工序數(shù)增多，從而存在生產(chǎn)率不足的問題。本發(fā)明人等為了解決所述的現(xiàn)有問題，對芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、以及芯片接合薄膜的制造方法進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過采用以下的構(gòu)成，可以在不使生產(chǎn)率下降的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的芯片接合薄膜，其特征在于，具有膠粘劑層和由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層。根據(jù)本發(fā)明的芯片接合薄膜，具有由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層，因此能夠阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。另外，本發(fā)明的芯片接合薄膜，只要在膠粘劑層上粘貼由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層就可以制造，因此生產(chǎn)率優(yōu)良。另外，由于本發(fā)明的芯片接合薄膜具有電磁波屏蔽層，因此在制造半導(dǎo)體裝置時，無需追加形成電磁波屏蔽層的工序。即，如果使用本發(fā)明的芯片接合薄膜進(jìn)行芯片接合，則可以在不追加電磁波屏蔽層形成工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。結(jié)果，可以在不增加半導(dǎo)體裝置制造工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜，其特征在于，具有膠粘劑層和通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層。根據(jù)本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜，由于具有通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層，因此能夠阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、 襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。另外，本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜，只要在膠粘劑層上通過蒸鍍形成電磁波屏蔽層即可，因此生產(chǎn)率優(yōu)良。另外，由于本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜具有電磁波屏蔽層，因此在制造半導(dǎo)體裝置時，無需追加形成電磁波屏蔽層的工序。 即，如果使用本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜進(jìn)行芯片接合，則可以在不追加電磁波屏蔽層形成工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。結(jié)果，可以在不增加半導(dǎo)體裝置制造工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜，具有通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層，因此在刀片切割時不容易產(chǎn)生切削碎屑，可以防止半導(dǎo)體芯片的污染。另外，可以抑制刀片的損傷。另外，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，為解決所述問題的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，芯片接合薄膜層疊在切割薄膜上，所述切割薄膜具有在基材上層疊有粘合劑層的結(jié)構(gòu)，所述芯片接合薄膜層疊在所述切割薄膜的粘合劑層上。另外，本發(fā)明的芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步驟形成膠粘劑層的步驟；和在所述膠粘劑層上粘貼由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層的步驟。通過所述構(gòu)成制造的芯片接合薄膜，具有由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層，因此能夠阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。另外，根據(jù)所述構(gòu)成，只要在膠粘劑層上粘貼由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層就可以制造具有電磁波屏蔽層的芯片接合薄膜，因此生產(chǎn)率優(yōu)良。另夕卜，由于通過所述構(gòu)成制造的芯片接合薄膜具有電磁波屏蔽層，因此在制造半導(dǎo)體裝置時， 無需追加形成電磁波屏蔽層的工序。即，如果使用該芯片接合薄膜進(jìn)行芯片接合，則可以在不追加電磁波屏蔽層形成工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。結(jié)果，可以在不增加半導(dǎo)體裝置制造工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。
另外，本發(fā)明的另一種芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步驟形成膠粘劑層的步驟；和在所述膠粘劑層上通過蒸鍍形成電磁波屏蔽層的步驟。通過所述構(gòu)成制造的芯片接合薄膜，由于具有通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層，因此能夠阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、 襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。另外，根據(jù)所述構(gòu)成，在膠粘劑層上通過蒸鍍形成電磁波屏蔽層，因此生產(chǎn)率優(yōu)良。另外，通過所述構(gòu)成制造的芯片接合薄膜具有電磁波屏蔽層，因此在制造半導(dǎo)體裝置時，無需追加形成電磁波屏蔽層的工序。即，如果使用該芯片接合薄膜進(jìn)行芯片接合，則可以在不追加電磁波屏蔽層形成工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。結(jié)果，可以在不增加半導(dǎo)體裝置制造工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。另外，通過所述構(gòu)成制造的芯片接合薄膜，具有通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層，因此在刀片切割時不容易產(chǎn)生切削碎屑，可以防止半導(dǎo)體芯片的污染。另外，可以抑制刀片的損傷。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，為了解決所述問題，其特征在于，具有所述芯片接合薄膜。


圖1是表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的芯片接合薄膜的示意剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的芯片接合薄膜的示意剖視圖。圖3是表示層疊有圖2所示的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜的一例的示意剖視圖。圖4是表示層疊有圖2所示的芯片接合薄膜的另一個切割/芯片接合薄膜的一例的示意剖視圖。圖5是表示通過圖3所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例子的示意剖視圖。圖6是表示通過圖3所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜三維安裝半導(dǎo)體芯片的例子的示意剖視圖。圖7是表示實(shí)施例1的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖8是表示實(shí)施例2的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖9是表示實(shí)施例3的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖10是表示實(shí)施例4的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖11是表示實(shí)施例5的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖12是表示實(shí)施例6的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖13是表示比較例1的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。圖14是表示比較例2的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結(jié)果的圖線。標(biāo)號說明1 基材2粘合劑層4半導(dǎo)體晶片5半導(dǎo)體芯片
6被粘物7 焊線8密封樹脂10、12切割/芯片接合薄膜11切割薄膜15半導(dǎo)體芯片30、32膠粘劑層31電磁波屏蔽層40、41、41，芯片接合薄膜
具體實(shí)施例方式(芯片接合薄膜)首先，以下對于本發(fā)明的一個實(shí)施方式的芯片接合薄膜進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的芯片接合薄膜的示意剖視圖，圖2是表示另一個實(shí)施方式的芯片接合薄膜的示意剖視圖。如圖1所示，芯片接合薄膜40具有在膠粘劑層30上層疊有電磁波屏蔽層31的構(gòu)成。另外，本發(fā)明的芯片接合薄膜，如圖2所示的芯片接合薄膜41所示，可以具有在電磁波屏蔽層31上進(jìn)一步層疊有膠粘劑層32的構(gòu)成。另外， 本發(fā)明的芯片接合薄膜，如果具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層，則不限于芯片接合薄膜40、芯片接合薄膜41，也可以是例如具有除膠粘劑層和電磁波屏蔽層以外的其它層的芯片接合薄膜。電磁波屏蔽層31，由金屬箔或蒸鍍膜構(gòu)成。電磁波屏蔽層31由金屬箔構(gòu)成的情況下，芯片接合薄膜40、41具有由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層31，因此能夠阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。另外，芯片接合薄膜40、41，只要在膠粘劑層30上粘貼由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層就可以制造，因此生產(chǎn)率優(yōu)良。另外，在電磁波屏蔽層31為通過蒸鍍形成的層 (蒸鍍膜)的情況下，芯片接合薄膜40、41具有通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層31，因此能夠阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、襯底、 相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。另外，芯片接合薄膜40、41，在膠粘劑層30上通過蒸鍍形成電磁波屏蔽層31即可，因此生產(chǎn)率優(yōu)良。作為所述金屬箔或者所述蒸鍍膜的材料，可以列舉選自由Li、Na、K、Rb、CS、Ca、Sr、 Ba、Ra、Be、Mg、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ti、Zr、Sn、Hf、Pb、Th、Fe、 Co、N、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、U、Mn、Re、Cu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt 構(gòu)成的組中的至少一種以上金屬元素、所述金屬元素的氧化物、所述金屬元素的合金等。所述導(dǎo)電層中，優(yōu)選電導(dǎo)率在10X101 10X107S/m范圍內(nèi)的材料，更優(yōu)選電導(dǎo)率在5 X IO2 5X107S/m范圍內(nèi)的材料，特別優(yōu)選電導(dǎo)率在IOXlO2 lX107S/m范圍內(nèi)的材料。由金屬箔或者蒸鍍膜構(gòu)成的電磁波屏蔽層31，可以通過反射損耗使電磁波衰減。電磁波屏蔽層31的厚度沒有特別限制，可以從0.001 μπι IOOym的范圍內(nèi)選擇，優(yōu)選0. 005 90 μ m，更優(yōu)選0. 01 80 μ m。對于芯片接合薄膜40、41而言，透過芯片接合薄膜40、41的電磁波的衰減量對于50MHz 20GHz范圍的頻域的至少一部分而言優(yōu)選為3dB以上。所述頻域更優(yōu)選為80MHz 19GHz的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選IOOMHz 18GHz的范圍。另外，所述衰減量更優(yōu)選為4dB以上， 進(jìn)一步優(yōu)選5dB以上。透過芯片接合薄膜40、41的電磁波的衰減量，對于50MHz 20GHz 這樣的較高頻域的至少一部分而言為3dB以上時，可以有效地阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導(dǎo)體元件釋放的電磁波對另一個半導(dǎo)體元件、襯底、相鄰的器件、封裝等產(chǎn)生的影響。膠粘劑層30與電磁波屏蔽層31的180度剝離強(qiáng)度、以及膠粘劑層32與電磁波屏蔽層31的180度剝離強(qiáng)度，優(yōu)選為0. 5N/10mm以上，更優(yōu)選0. 8N/10mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選 1. 0N/10mm以上。通過將所述180度剝離強(qiáng)度設(shè)定為0. 5N/10mm以上，不容易引起層間剝離，可以提高成品率。所述180度剝離強(qiáng)度，可以如下所述進(jìn)行測定。首先，用粘合帶(日東電工株式會社制造，BT-315)對膠粘劑層進(jìn)行加襯，并切割為lOXlOOmm。然后，用粘合帶(日東電工株式會社制造，BT-315)對電磁波屏蔽層進(jìn)行加襯，并切割為10X 100mm。然后，使用層壓機(jī) (MCK制造，MRK-600)，在50°C、0. 5MPa、IOmm/秒的條件下將切出的膠粘劑層與電磁波屏蔽層粘貼。之后，在常溫(25°C)的環(huán)境下放置20分鐘，得到試驗(yàn)片。然后，使用拉伸試驗(yàn)機(jī) (島津制作所制造，AGS-J)測定膠粘劑層與電磁波屏蔽層的180度剝離力。作為構(gòu)成膠粘劑層30、32的膠粘劑組合物，可以列舉將熱塑性樹脂和熱固性樹脂組合使用而得到的組合物。膠粘劑層30與膠粘劑層32的組成可以相同也可以不同。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹月旨、聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂或熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。特別優(yōu)選腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少的環(huán)氧樹脂。另外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選酚醛樹脂。所述環(huán)氧樹脂，只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環(huán)氧樹脂則沒有特別限制， 可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三(羥苯基)甲烷型、四(羥苯基) 乙烷型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三(羥苯基)甲烷型環(huán)氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，所述環(huán)氧樹脂可以將常溫下為固態(tài)的環(huán)氧樹脂與常溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂兩種組合使用。通過在常溫下為固態(tài)的環(huán)氧樹脂中加入常溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂，可以改善形成薄膜時的脆弱性，可以提高作業(yè)性。另外，所述酚醛樹脂作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂(>)型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因?yàn)榭梢蕴岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。
所述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如，以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基1當(dāng)量，酚醛樹脂中的羥基為0. 5 2. 0當(dāng)量的方式進(jìn)行配合是適當(dāng)?shù)摹Ａ硗?，更合適的是0. 8 1. 2當(dāng)量。S卩，這是因?yàn)閮烧叩呐浜媳壤谒龇秶酝鈺r，不能進(jìn)行充分的固化反應(yīng)，從而環(huán)氧樹脂固化物的特性容易劣化。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、 能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物(丙烯酸類聚合物)等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、 壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十·~ 焼基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體； 馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。作為所述熱固性樹脂的配合比例，只要是在規(guī)定條件下加熱時膠粘劑層30、32發(fā)揮作為熱固化型的功能的程度，則沒有特別限制，優(yōu)選在5 60重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選 10 50重量％的范圍內(nèi)。另外，作為構(gòu)成膠粘劑層30、32的膠粘劑組合物，如上所述，可以將聚酰亞胺樹脂作為熱固性聚酰亞胺樹脂、或者作為熱塑性聚酰亞胺樹脂與其它樹脂共同使用、也可以單獨(dú)使用。聚酰亞胺樹脂一般是將作為其前體的聚酰胺酸脫水縮合(酰亞胺化)而得到的耐熱性樹脂。聚酰胺酸可以通過將二胺成分與酸酐成分以實(shí)質(zhì)上等摩爾比在適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑中反應(yīng)來得到。作為上述二胺，可以列舉例如脂肪族二胺或芳香族二胺。作為脂肪族二胺，可以列舉例如乙二胺、1，6-己二胺、1，8- 二氨基辛烷、1，10- 二氨基癸烷、1,12- 二氨基十二烷、 4，9-二氧雜-1，12-二氨基十二烷、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3_四甲基二硅氧烷(α， ω-雙氨丙基四甲基二硅氧烷)等。脂肪族二胺的分子量通常為50 1000000，優(yōu)選100 30000。作為上述芳香族二胺，可以列舉例如4，4’ - 二氨基二苯醚、3，4’ - 二氨基二苯醚、 3，3’ - 二氨基二苯醚、間苯二胺、對苯二胺、4，4’ - 二氨基二苯基丙烷、3，3’ - 二氨基二苯基甲烷、4，4’ - 二氨基二苯硫醚、3，3’ - 二氨基二苯硫醚、4，4’ - 二氨基二苯砜、3，3’ - 二氨基二苯砜、1，4_雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1，3_雙氨基苯氧基)-2，2_ 二甲基丙烷、4，4’ - 二氨基二苯甲酮等。作為上述酸酐，可以使用各種酸酐，可以列舉例如四元羧酸二酐。作為上述四元羧酸二酐，可以列舉例如3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四甲酸二酐、2，2’，3，3’ -聯(lián)苯四甲酸二酐、3， 3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4’-氧雙(鄰苯二甲酸)二酐、2，2_雙(2，3_ 二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2_雙(3，4_ 二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙0， 3-二羧基苯基)砜二酐、雙(3，4-二羧基苯基)砜二酐、均苯四酸二酐、乙二醇雙偏苯三酸二酐等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為使上述二胺與上述酸酐反應(yīng)的溶劑，沒有特別限制，可以列舉例如N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、環(huán)己酮等。為了調(diào)節(jié)原材料或樹脂的溶解性，這些溶劑可以與甲苯、二甲苯等非極性溶劑適當(dāng)?shù)鼗旌鲜褂?。作為使聚酰胺酸酰亞胺化的方法，可以列舉例如加熱酰亞胺化法、共沸脫水法、 化學(xué)酰亞胺化法等。其中，優(yōu)選加熱酰亞胺化法，優(yōu)選加熱溫度為150°C以上。另外，在加熱酰亞胺化法中，為了防止樹脂的氧化降解，優(yōu)選在氮?dú)夥障禄蛘婵罩械榷栊詺夥障逻M(jìn)行處理。由此，可以完全除去樹脂中殘留的揮發(fā)成分。使上述四元羧酸二酐與上述二胺反應(yīng)的情況下，特別是使用含有丁二烯丙烯腈共聚物骨架的二胺的情況下，優(yōu)選在100°C以上的溫度下進(jìn)行反應(yīng)。由此，可以防止凝膠化。膠粘劑層30、32中，根據(jù)需要可以使用熱固化催化劑作為膠粘劑層30、32的構(gòu)成材料。作為其配合比例，相對于有機(jī)成分100重量份優(yōu)選在0. 01 5重量份的范圍內(nèi)，更優(yōu)選0. 05 3重量份的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選0. 1 1重量份的范圍內(nèi)。通過將配合比例設(shè)定為0.01重量份以上，可以良好地顯現(xiàn)熱固化后的膠粘力。另一方面，通過將配合比例設(shè)定為5重量份以下，可以抑制保存性下降。作為所述熱固化催化劑，沒有特別限制，可以列舉例如咪唑類化合物、三苯基膦類化合物、胺類化合物、三苯基硼烷類化合物、三商代硼烷類化合物等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述咪唑類化合物，可以列舉2-甲基咪唑(商品名2MZ)、2_ i^一烷基咪唑 (商品名C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名C17Z)、1，2-二甲基咪唑(商品名1.2DMZ)、 2-乙基-4-甲基咪唑(商品名2E4MZ)、2_苯基咪唑(商品名2PZ)、2_苯基-4-甲基咪唑 (商品名2P4MZ)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名1B2MZ)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名 1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-i烷基咪唑(商品名C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鍵偏苯三酸鹽(商品名2PZCNS-PW)、2，4-二氨基-6-[2，_甲基咪唑基(1)，]乙基-均三嗪(商品名2MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2，-^^一烷基咪唑基⑴，]乙基-均三嗪(商品名C11Z-A)、2，4-二氨基-6-[2，_乙基-4，-甲基咪唑基(1)，]乙基-均三嗪(商品名2E4MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2，-甲基咪唑基(1)，] 乙基-均三嗪異氰脲酸加成物(商品名2MA-0K)、2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑(商品名 2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名2P4MHZ_PW)等(均為四國化成株式會社制造)。
作為所述三苯基膦類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三苯基膦、三丁基膦、 三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機(jī)膦、四苯基溴化營(商品名TPP-PB)、甲基三苯基禱(商品名TPP-MB)、甲基三苯基氯化禱(商品名TPP-MC)、 甲氧基甲基三苯基暴(商品名TPP-M0C)、芐基三苯基氯化餐(商品名TPP-ZC)等(均為北興化學(xué)公司制造)。另外，作為所述三苯基膦類化合物，優(yōu)選對環(huán)氧樹脂實(shí)質(zhì)上顯示非溶解性的化合物。對環(huán)氧樹脂為非溶解性時，可以抑制熱固化過度進(jìn)行。作為具有三苯基膦結(jié)構(gòu)、并且對環(huán)氧樹脂實(shí)質(zhì)上顯示非溶解性的熱固化催化劑，可以列舉例如甲基三苯基禱(商品名TPP-MB)等。另外，所述“非溶解性”，是指包含三苯基膦類化合物的熱固化催化劑在包含環(huán)氧樹脂的溶劑中為不溶性，更具體而言，是指在溫度10 40°C范圍內(nèi)不溶解10重量％以上。作為所述三苯基硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三(對甲基苯基)膦等。另外，作為三苯基硼烷類化合物，還包含具有三苯基膦結(jié)構(gòu)的化合物。作為該具有三苯基膦結(jié)構(gòu)及三苯基硼烷結(jié)構(gòu)的化合物，沒有特別限制，可以列舉例如四苯基鎮(zhèn)四苯基硼酸鹽(商品名TPP-K)、四苯基禱四對三硼酸鹽(商品名ΤΡΡ-ΜΚ)、芐基三苯基鐫四苯基硼酸鹽(商品名TPP-ao、三苯基膦三苯基硼烷(商品名TPP-S)等(均為北興化學(xué)公司制造)。作為所述胺類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如一乙醇胺三氟硼酸鹽(卞r ’ ν m株式會社制造)、雙氰胺(f力，4〒；^夕株式會社制造)等。作為所述三鹵代硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三氯硼烷等。在使膠粘劑層30、32預(yù)先進(jìn)行某種程度的交聯(lián)的情況下，在制作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。作為所述交聯(lián)劑，可以使用現(xiàn)有公知的交聯(lián)劑。特別是更優(yōu)選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。作為交聯(lián)劑的添加量，相對于所述聚合物100重量份通常優(yōu)選設(shè)定為0.05 7重量份。交聯(lián)劑的量超過7重量份時，膠粘力下降，因此不優(yōu)選。另一方面，低于0.05重量份時，凝聚力不足，因此不優(yōu)選。另外，根據(jù)需要，可以與這樣的多異氰酸酯化合物一同含有環(huán)氧樹脂等其它多官能化合物。另外，膠粘劑層30、32中，根據(jù)其用途可以適當(dāng)配合填料。填料的配合可以賦予導(dǎo)電性或提高導(dǎo)熱性、調(diào)節(jié)彈性模量等。作為所述填料，可以列舉無機(jī)填料和有機(jī)填料，從提高操作性、提高熱電導(dǎo)性、調(diào)節(jié)熔融粘度、賦予觸變性等特性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選無機(jī)填料。作為所述無機(jī)填料，沒有特別限制，可以列舉例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。這些填料可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。從提高熱電導(dǎo)性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅。另外，從上述各特性平衡良好的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選結(jié)晶二氧化硅或非晶二氧化硅。另外，從賦予導(dǎo)電性、提高熱電導(dǎo)性等目的， 也可以使用導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電填料)作為無機(jī)填料。作為導(dǎo)電填料，可以列舉銀、鋁、金、 銅、鎳、導(dǎo)電合金等制成的球形、針狀、薄片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石
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所述填料的平均粒徑可以設(shè)定為0. 005 10 μ m。通過將所述填料的平均粒徑設(shè)定為0.005μπι以上，可以改善對被粘物的潤濕性以及膠粘性。另外，通過設(shè)定為IOymW 下，不僅可以充分地發(fā)揮為了賦予上述各特性而添加的填料的效果，而且可以確保耐熱性。 另外，填料的平均粒徑為例如通過光度式粒度分布計(H0RIBA制造，裝置名LA-910)求出的值。另外，膠粘劑層30、32中，除了所述填料以外，根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加齊U。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃齊IJ，可以列舉例如三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環(huán)氧樹脂等。這些阻燃劑可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些離子捕獲劑可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜40、41的厚度(包括電磁波屏蔽層和膠粘劑層的總厚度)沒有特別限制，例如，可以從1 200 μ m的范圍內(nèi)選擇，優(yōu)選5 100 μ m，更優(yōu)選10 80 μ m。膠粘劑層30、32的厚度沒有特別限制，可以以使芯片接合薄膜40、41的厚度達(dá)到上述范圍內(nèi)的方式進(jìn)行選擇，例如，1 200 μ m，優(yōu)選5 100 μ m，更優(yōu)選10 80 μ m。本實(shí)施方式的芯片接合薄膜，通過層疊在切割薄膜上，可以作為切割/芯片接合薄膜使用。因此，以下對本發(fā)明的一個實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜進(jìn)行說明。(切割/芯片接合薄膜)圖3是表示層疊有圖2所示的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜的一例的示意剖視圖。圖4是表示層疊有圖2所示的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜的另一例的示意剖視圖。如圖3所示，切割/芯片接合薄膜10，具有在切割薄膜11上層疊有芯片接合薄膜 41的構(gòu)成。切割薄膜11通過在基材1上層疊粘合劑層2而構(gòu)成，芯片接合薄膜41設(shè)置在該粘合劑層2上。另外，本發(fā)明如圖4所示的切割/芯片接合薄膜12所示，也可以是僅在工件粘貼部分形成芯片接合薄膜41’的構(gòu)成。所述基材1可以使用具有紫外線透射性的基材，其作為切割/芯片接合薄膜10、12 的強(qiáng)度母體?？梢粤信e例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、 超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯(lián)體等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使該基材1熱收縮，可以減小粘合劑層2與芯片接合薄膜41、41’的膠粘面積，從而可以容易地回收半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)。為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材1的表面可以實(shí)施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學(xué)或物理處理、 利用底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂布處理。所述基材1可以適當(dāng)?shù)剡x擇使用同種或不同種類的材料，根據(jù)需要也可以使用將數(shù)種材料共混后的材料?；?的厚度沒有特別限制，可以適當(dāng)確定，一般為約5μπι 約200 μ m。作為粘合劑層2的形成中使用的粘合劑，沒有特別限制，例如，可以使用丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑。作為所述壓敏粘合劑，從半導(dǎo)體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機(jī)溶劑的清潔洗滌性等的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、 十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)1 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基酯等)和(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)全部表示相同的含義。為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根據(jù)需要可以含有與能夠同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基) 丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基) 丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。另外，為了進(jìn)行交聯(lián)，所述丙烯酸類聚合物根據(jù)需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、 (聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基) 丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基) 丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。 多官能單體的使用量從粘合特性等觀點(diǎn)考慮優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。 聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進(jìn)行。從防止對潔凈被粘物的污染等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量少。從該點(diǎn)考慮，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為約30萬以上，更優(yōu)選約40萬 約300萬。另外，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，所述粘合劑中也可以適當(dāng)采用外部交聯(lián)劑。外部交聯(lián)方法的具體手段可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑并使其反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑時，其使用量根據(jù)與應(yīng)該交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途適當(dāng)確定。一般而言，相對于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選為約5重量份以下，更優(yōu)選配合0. 1 5重量份。另外，根據(jù)需要，在粘合劑中除所述成分以外還可以使用以往公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。粘合劑層2可以由輻射線固化型粘合劑形成。輻射線固化型粘合劑通過紫外線等輻射線的照射交聯(lián)度增大，可以容易地降低其粘合力。例如，通過僅對圖4所示的粘合劑層 2的工件粘貼部分加照射輻射線，可以設(shè)置與其它部分2b之間的粘合力差。另外，通過根據(jù)圖4所示的芯片接合薄膜41’使輻射線固化型粘合劑層2固化，可以容易地形成粘合力顯著下降的部分加。由于在固化且粘合力下降的所述部分加上粘貼有芯片接合薄膜41’，因此粘合劑層2的所述部分加與芯片接合薄膜41’的界面具有在拾取時容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射輻射線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分
2b ο如前所述，圖3所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的輻射線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜41粘合，可以確保切割時的保持力。這樣，輻射線固化型粘合劑可以以良好的膠粘-剝離平衡支撐用于將芯片狀工件(半導(dǎo)體芯片等)固著到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜41。圖4所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2b能夠?qū)①N片環(huán)(wafer ring)固定。所述輻射線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵等輻射線固化性官能團(tuán)、并且顯示粘合性的輻射線固化型粘合劑。作為輻射線固化型粘合劑，可以例示例如在所述丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑中配合輻射線固化性的單體成分或低聚物成分而得到的添加型輻射線固化型粘合劑。作為配合的所述輻射線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 另外，輻射線固化性低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100 約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。輻射線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當(dāng)?shù)卮_定能夠降低粘合劑層的粘合力的量。一般而言，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為約5重量份 約500重量份，優(yōu)選約40重量份 約150重量份。另外，作為輻射線固化型粘合劑，除了前面說明的添加型輻射線固化型粘合劑以夕卜，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑。內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑無需含有或者多數(shù)不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在粘合劑中移動，可以形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，因此優(yōu)選。所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵并且具有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示過的丙烯酸類聚合物。
在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，但是，將碳碳雙鍵引入聚合物側(cè)鏈的方法在分子設(shè)計上比較容易。可以列舉例如預(yù)先將具有官能團(tuán)的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)和碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的輻射線固化性的情況下與上述所得物進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)的方法。作為這些官能團(tuán)的組合例，可以列舉例如羧基與環(huán)氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團(tuán)的組合中考慮到反應(yīng)追蹤的容易性，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是通過這些官能團(tuán)的組合而生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團(tuán)可以在丙烯酸類聚合物與所述化合物中的任意一方上，在所述的優(yōu)選組合中，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基聯(lián)苯酰異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等共聚而得到的聚合物。所述內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑可以單獨(dú)使用所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物 (特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合所述輻射線固化性單體成分或低聚物成分。輻射線固化性低聚物成分等相對于基礎(chǔ)聚合物100重量份通常在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選0 10重量份的范圍。所述輻射線固化型粘合劑在通過紫外線等固化時可以含有光聚合弓丨發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α -輕基-α， α ’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇類化合物； 甲氧基苯乙酮、2，2_二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4_ 二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；⒀趸?；酰基膦酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為約0. 05重量份 約20重量份。另外，作為輻射線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開昭60-196956號公報中所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過氧化物、胺、.:·鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。所述輻射線固化型的粘合劑層2中，根據(jù)需要也可以含有通過照射輻射線而著色的化合物。通過在粘合劑層2中含有通過照射輻射線而著色的化合物，可以僅將照射輻射線的部分著色。即，可以將與圖3所示的工件粘貼部分3a對應(yīng)的部分加著色。由此，可以通過肉眼直接判斷粘合劑層2是否被照射了輻射線，可以容易識別工件粘貼部分3a，工件的粘貼也容易。另外，在利用光傳感器等檢測半導(dǎo)體元件時，其檢測精度高，從而在半導(dǎo)體元件的拾取時不產(chǎn)生誤操作。通過照射輻射線而著色的化合物，為在照射輻射線前無色或淺色、但是通過照射輻射線而有色的化合物。作為所述化合物的優(yōu)選具體例，可以列舉染料隱色體(口 4 -染料)。作為染料隱色體，可以優(yōu)選使用慣用的三苯基甲烷類、熒烷類、吩噻嗪類、金胺類、螺吡喃類染料隱色體。具體地可以列舉3-[N-(對甲苯基氨基)]-7_苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基熒烷、 3- 二乙氨基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結(jié)晶紫內(nèi)酯、4，4’，4”-三(二甲氨基)三苯基甲醇、 4，4，，4”_三(二甲氨基)三苯基甲烷等。作為優(yōu)選與這些染料隱色體一起使用的顯色劑，可以列舉一直以來使用的酚醛樹脂的預(yù)聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，另外，在使色調(diào)變化時，可以將各種公知的發(fā)色劑組合使用。這樣的通過照射輻射線而著色的化合物，可以先溶解于有機(jī)溶劑等中后再包含在輻射線固化型粘合劑中，另外，也可以以細(xì)粉末形式包含在該粘合劑中。該化合物的使用比例希望在粘合劑層2中為10重量％以下，優(yōu)選0. 01 10重量％，更優(yōu)選0. 5 5重量％。 該化合物的比例超過10重量％時，照射到粘合劑層2的輻射線被該化合物過度吸收，因此粘合劑層2的所述部分加的固化不充分，有時粘合力不充分下降。另一方面，為了充分著色，優(yōu)選將該化合物的比例設(shè)定為0. 01重量％以上。通過輻射線固化型粘合劑形成粘合劑層2的情況下，優(yōu)選對粘合劑層2的一部分進(jìn)行輻射線照射使得粘合劑層2中所述部分加的粘合力<其它部分2b的粘合力。作為在所述粘合劑層2中形成所述部分加的方法，可以列舉在支撐基材1上形成輻射線固化型粘合劑層2后，對所述部分加局部地照射輻射線使其固化的方法。局部的輻射線照射可以通過形成有與工件粘貼部分3a以外的部分北等對應(yīng)的圖案的光掩模來進(jìn)行。另外，可以列舉點(diǎn)狀照射紫外線進(jìn)行固化的方法等。輻射線固化型粘合劑層2的形成可以通過將設(shè)置在隔片上的輻射線固化型粘合劑層轉(zhuǎn)印到基材1上來進(jìn)行。局部的輻射線照射也可以對設(shè)置在隔片上的輻射線固化型粘合劑層2進(jìn)行。另外，通過輻射線固化型粘合劑形成粘合劑層2的情況下，可以使用對支撐基材1 的至少單面的、與工件粘貼部分3a對應(yīng)的部分以外的部分的全部或局部進(jìn)行遮光的基材， 在該基材上形成輻射線固化型粘合劑層2后進(jìn)行輻射線照射，使與工件粘貼部分3a對應(yīng)的部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過在支撐薄膜上印刷或蒸鍍能夠成為光掩模的材料來制作。通過所述制造方法，可以有效地制造切割/芯片接合薄膜10。另外，輻射線照射時因氧而產(chǎn)生固化障礙時，期望利用任意方法從輻射線固化型粘合劑層2的表面隔絕氧(空氣)。可以列舉例如用隔片將所述粘合劑層2的表面覆蓋的方法、或者在氮?dú)夥諊羞M(jìn)行紫外線等輻射線照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從同時實(shí)現(xiàn)防止芯片切割面的缺陷和膠粘層的固定保持等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為約Iym 約50 μ m。優(yōu)選2 μ m 30 μ m、更優(yōu)選5 μ m 25 μ m0切割/芯片接合薄膜10、12的芯片接合薄膜41、41’，優(yōu)選由隔片保護(hù)(未圖示)。 隔片具有在供給實(shí)際應(yīng)用之前作為保護(hù)芯片接合薄膜41、41’的保護(hù)材料的功能。另外，隔片也可以作為將芯片接合薄膜41、41’向粘合劑層2轉(zhuǎn)印時的支撐基材使用。隔片在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合薄膜41、41’上粘貼工件時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或通過含氟型剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯型剝離劑等剝離劑進(jìn)行表面涂布后的塑料薄膜、紙等。(芯片接合薄膜的制造方法)對芯片接合薄膜41、41的制造方法進(jìn)行說明。首先，制作作為膠粘劑層30的形成材料的膠粘劑組合物溶液。該膠粘劑組合物溶液中，除了所述膠粘劑組合物以外，根據(jù)需要也可以配合填料、各種添加劑等。然后，以達(dá)到規(guī)定厚度的方式將膠粘劑組合物溶液涂布到基材隔片上形成涂膜后，在規(guī)定條件下干燥該涂膜，形成膠粘劑層30。作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，可以列舉例如在干燥溫度70 160°C、干燥時間1 5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。然后，在膠粘劑層30上形成電磁波屏蔽層31。電磁波屏蔽層31為金屬箔的情況下，將預(yù)先將所述材料制成金屬箔而得到的層壓接到膠粘劑層30上，由此可以形成電磁波屏蔽層。另外，電磁波屏蔽層31為蒸鍍膜的情況下，可以通過蒸鍍將所述材料蒸鍍到膠粘劑層30上來形成。作為所述蒸鍍法，沒有特別限制，可以列舉濺射法、CVD法、真空蒸鍍法等。通過以上操作，可以得到芯片接合薄膜40。另外，通過在電磁波屏蔽層31上進(jìn)一步形成膠粘劑層32，可以得到芯片接合薄膜 41。膠粘劑層32通過將用于形成膠粘劑層32的形成材料(膠粘劑組合物)以達(dá)到規(guī)定厚度的方式涂布到剝離紙上，并且在規(guī)定條件下形成涂層來形成。通過將該涂層轉(zhuǎn)印到電磁波屏蔽層31上，形成芯片接合薄膜41。另外，通過將形成材料直接涂布到電磁波屏蔽層 31上后在規(guī)定條件下進(jìn)行干燥，也可以形成膠粘劑層32。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，對于切割/芯片接合薄膜的制造方法，以切割/芯片接合薄膜10為例進(jìn)行說明。首先，基材1可以通過現(xiàn)有公知的制膜方法制膜。作為該制膜方法，可以例示例如 壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹脹擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、 干式層壓法等。接著，在基材1上涂布粘合劑組合物溶液形成涂膜，然后在規(guī)定條件下將該涂膜干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成粘合劑層2。作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，可以在例如在干燥溫度80 150°C、干燥時間0. 5 5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外，也可以在隔片上涂布粘合劑組合物形成涂膜后在所述干燥條件下將涂膜干燥來形成粘合劑層2。然后，將粘合劑層2與隔片一起粘貼到基材1上。由此，制作切割薄膜11。然后，以預(yù)先制造的芯片接合薄膜41的膠粘劑層32與粘合劑層2為粘貼面的方式將兩者粘貼。粘貼例如可以通過壓接來進(jìn)行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例如優(yōu)選 30 50°C，更優(yōu)選35 450C 0另外，線壓沒有特別限制，例如優(yōu)選0. 1 20kgf/cm，更優(yōu)選1 lOkgf/cm。然后，將膠粘劑層上的基材隔片剝離，得到本實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜10。另外，通過在粘合劑層2上依次直接形成膠粘劑層30、電磁波屏蔽層31、膠粘劑層 32，也可以得到切割/芯片接合薄膜10。此時，膠粘劑層30、電磁波屏蔽層31、膠粘劑層32的形成方法與所述的芯片接合薄膜的制造方法同樣即可。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10、12，將在芯片接合薄膜41、41’上任選設(shè)置的隔片適當(dāng)?shù)貏冸x后，以下述方式使用。以下，參考圖5以使用切割/芯片接合薄膜10的情況為例進(jìn)行說明。圖5是表示通過圖3所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例子的示意剖視圖。首先，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜10中的芯片接合薄膜41的半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a上，并使其膠粘保持而固定(粘貼工序)。本工序利用壓接輥等擠壓手段擠壓來進(jìn)行。安裝時的粘貼溫度沒有特別限制，例如優(yōu)選在20 80°C的范圍內(nèi)。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為規(guī)定尺寸而小片化，制作半導(dǎo)體芯片5。切割例如按照常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)進(jìn)行。另外， 本工序中，例如，可以采用切入到切割/芯片接合薄膜10的、稱為全切割的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導(dǎo)體晶片由切割/芯片接合薄膜10膠粘固定，因此可以抑制芯片缺損或芯片飛散，并且可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。此時，在構(gòu)成芯片接合薄膜41的電磁波屏蔽層31為通過蒸鍍法形成的蒸鍍膜的情況下，在刀片切割時不容易產(chǎn)生切削碎屑，可以防止半導(dǎo)體芯片的污染。另外， 也可以抑制刀片的損傷。然后，為了剝離由切割/芯片接合薄膜10膠粘固定的半導(dǎo)體芯片，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取。拾取方法沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針將各個半導(dǎo)體芯片5從切割/芯片接合薄膜10 —側(cè)上推，利用拾取裝置拾取上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。在此，粘合劑層2為紫外線固化型的情況下，在對該粘合劑層2照射紫外線后進(jìn)行拾取。由此，粘合劑層2對芯片接合薄膜41的粘合力下降，使半導(dǎo)體芯片5容易剝離。結(jié)果，可以在不損傷半導(dǎo)體芯片5的情況下進(jìn)行拾取。紫外線照射時的照射強(qiáng)度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定。另外，作為紫外線照射時使用的光源，可以使用所述的光源。拾取的半導(dǎo)體芯片5通過芯片接合薄膜41膠粘到被粘物6上而固定(芯片接合)。 作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者單獨(dú)制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6 例如可以是容易變形的變形型被粘物，也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等。
作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，所述引線框可以使用Cu引線框、 42合金引線框等金屬引線框或包含玻璃環(huán)氧、BT (雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等的有機(jī)襯底。但是，本發(fā)明不限于此，也包含安裝半導(dǎo)體元件、且與半導(dǎo)體元件電連接后可以使用的電路襯底。膠粘劑層30、32為熱固型，因此，通過加熱固化，將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在被粘物6上，使耐熱強(qiáng)度提高?？梢栽诩訜釡囟葹?0 200°C、優(yōu)選100 175°C、更優(yōu)選100 140°C下進(jìn)行。另外，可以在加熱時間為0. 1 M小時、優(yōu)選0. 1 3小時、更優(yōu)選0.2 1 小時下進(jìn)行。另外，通過膠粘劑層30、32將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定到襯底等上而得到的材料可以供給回流焊接工序。
膠粘劑層30、32熱固化后對半導(dǎo)體芯片的剪切膠粘力，在175°C的條件下優(yōu)選為 0. 2MPa以上且5MPa以下。膠粘劑層30、32的剪切膠粘力為0. 2MPa以上時，在進(jìn)行絲焊工序時，很少會因該工序中的超聲波振動或加熱而在膠粘劑層30、32與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的膠粘面上產(chǎn)生剪切變形。即，半導(dǎo)體元件很少會因絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊的成功率下降。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，可以在不經(jīng)過膠粘劑層30、32的利用加熱處理的熱固化工序的情況下進(jìn)行絲焊，再用密封樹脂將半導(dǎo)體芯片5密封，并將該密封樹脂后固化。此時，膠粘劑層30、32暫時固著時對被粘物6的剪切膠粘力優(yōu)選為0. 2MPa以上、更優(yōu)選0. 2 lOMPa。膠粘劑層30、32暫時固著時的剪切膠粘力至少為0. 2MPa以上時， 即使在不經(jīng)過加熱工序的情況下進(jìn)行絲焊工序，也很少會因該工序中的超聲波振動或加熱而在膠粘劑層30、32與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的膠粘面上產(chǎn)生剪切變形。即，半導(dǎo)體元件很少會因絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊的成功率下降。所述絲焊是利用焊線7將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的末端與半導(dǎo)體芯片5 上的電極焊盤(未圖示)電連接的工序(參考圖5)。作為所述焊線7，可以使用例如金線、鋁線或銅線等。進(jìn)行絲焊時的溫度在80 250°C、優(yōu)選80 220°C的范圍內(nèi)進(jìn)行。另夕卜，其加熱時間進(jìn)行幾秒 幾分鐘。連接在加熱至所述溫度范圍內(nèi)的狀態(tài)下，通過組合使用超聲波的振動能和施加壓力而產(chǎn)生的壓接能來進(jìn)行。本工序可以在不進(jìn)行膠粘劑層30、32 的熱固化的情況下進(jìn)行。所述密封工序是利用密封樹脂8將半導(dǎo)體芯片5密封的工序(參考圖幻。本工序是為了保護(hù)搭載在被粘物6上的半導(dǎo)體芯片5或焊線7而進(jìn)行的。本工序通過用模具將密封用的樹脂成型來進(jìn)行。作為密封樹脂8，例如可以使用環(huán)氧類樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常在175°C下進(jìn)行60 90秒，但是，本發(fā)明不限于此，例如，也可以在165 185°C下固化幾分鐘。由此，在使密封樹脂固化的同時通過芯片接合薄膜41將半導(dǎo)體芯片5與被粘物 6固著。即，本發(fā)明中，即使在不進(jìn)行后述的后固化工序的情況下，也可以在本工序中利用芯片接合薄膜41進(jìn)行固著，從而可以有助于減少制造工序數(shù)及縮短半導(dǎo)體裝置的制造時間。所述后固化工序中，使在所述密封工序中固化不足的密封樹脂8完全固化。即使在密封工序中膠粘劑層30、32未完全熱固化的情況下，在本工序中也可以與密封樹脂8 一起實(shí)現(xiàn)膠粘劑層30、32的完全熱固化。本工序中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例如，在165 185°C的范圍內(nèi)，加熱時間為約0. 5小時 約8小時。通過以上操作，可以得到在被粘物6與半導(dǎo)體芯片5之間設(shè)置有芯片接合薄膜41的半導(dǎo)體裝置。上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，芯片接合薄膜41具有電磁波屏蔽層31，因此不存在用于形成電磁波屏蔽層31的單獨(dú)工序。即，在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，使用芯片接合薄膜41進(jìn)行芯片接合，因此可以在不進(jìn)行電磁波屏蔽層31形成工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層31的半導(dǎo)體裝置。結(jié)果，可以在不增加半導(dǎo)體裝置的制造工序的情況下制造具有電磁波屏蔽層31的半導(dǎo)體裝置。另外，切割/芯片接合薄膜41，如圖6所示，也可以適合用于將多個半導(dǎo)體芯片層疊進(jìn)行三維安裝的情況。圖6是表示通過圖3所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜三維安裝半導(dǎo)體芯片的例子的示意剖面圖。圖6所示的三維安裝的情況下，首先，將切割為與半導(dǎo)體芯片相同尺寸的一個芯片接合薄膜41芯片接合在被粘物6上后，通過芯片接合薄膜41將半導(dǎo)體芯片5以其絲焊面為上側(cè)的方式進(jìn)行芯片接合。然后，避開半導(dǎo)體芯片5 的電極焊盤部分將另一個芯片接合薄膜41進(jìn)行粘貼。進(jìn)而，將另一個半導(dǎo)體芯片15以其絲焊面為上側(cè)的方式芯片接合到芯片接合薄膜41上。然后，進(jìn)行芯片接合薄膜41的熱固化，然后，進(jìn)行絲焊工序。由此，通過焊線7將半導(dǎo)體芯片5和另一個半導(dǎo)體芯片15中的各個電極焊盤與被粘物6電連接。接著，進(jìn)行利用密封樹脂8將半導(dǎo)體芯片5等密封的密封工序，并使密封樹脂固化。另外，密封工序后，可以進(jìn)行后固化工序。通過以上操作，得到在半導(dǎo)體芯片5與另一個半導(dǎo)體芯片15之間設(shè)置有芯片接合薄膜41的半導(dǎo)體裝置。在進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的三維安裝的情況下，將半導(dǎo)體芯片5、15與被粘物6連接的焊線7的數(shù)量增多，因此具有絲焊工序中消耗的時間增加的傾向，從而在高溫下長時間暴露。 但是，通過芯片接合薄膜41，即使在高溫下長時間暴露，也可以抑制熱固化反應(yīng)的進(jìn)行。芯片接合薄膜41與半導(dǎo)體晶片3(半導(dǎo)體芯片5)的180度剝離強(qiáng)度優(yōu)選為 0. 5N/10mm以上，更優(yōu)選1. ON/IOmm以上，進(jìn)一步優(yōu)選1. 5N/10mm以上。通過將所述180度剝離強(qiáng)度設(shè)定為0. 5N/10mm以上，不容易引起層間剝離，可以提高成品率。所述180度剝離強(qiáng)度，可以根據(jù)JIS Z0237如下所述進(jìn)行測定。首先，用粘合帶 (日東電工株式會社制造，BT-315)對膠粘劑層進(jìn)行加襯，并切割為lOXlOOmm。然后，將切出的膠粘劑層粘貼到半導(dǎo)體晶片上。粘貼通過在50°C的熱板上使^g的輥一次往返來進(jìn)行。然后，在常溫(25°C)的環(huán)境下放置20分鐘，得到試驗(yàn)片。然后，使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(島津制作所制造，AGS-J)測定膠粘劑層與半導(dǎo)體晶片的180度剝離力。上述的實(shí)施方式中，對電磁波屏蔽層31為一層的情況進(jìn)行了說明。但是，在本發(fā)明中，電磁波屏蔽層并不限于一層，也可以為兩層以上。電磁波屏蔽層為兩層以上時，其層結(jié)構(gòu)沒有特別限制。例如，多個電磁波屏蔽層可以在不隔著其它層的情況下進(jìn)行層疊，多個電磁波屏蔽層也可以在隔著其它層(例如，膠粘劑層)的情況下進(jìn)行層疊。電磁波屏蔽層為兩層以上時，首先可以通過一個電磁波屏蔽層使電磁波衰減，然后可以通過另一個電磁波屏蔽層使電磁波衰減。實(shí)施例以下，例示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但是，該實(shí)施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定的記載，則本發(fā)明的主旨并不限于此。另外，下文中，“份”是指重量份。(實(shí)施例1)〈膠粘劑層A的制作〉使下述(a) (f)溶解于甲乙酮中，得到濃度23. 6重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業(yè)株式會社制造，"，夕π > W-197CM)100份(b)環(huán)氧樹脂1 (JER株式會社制造，Epicoat 1004)242份(c)環(huán)氧樹脂2 (JER株式會社制造，Epicoat 827)220份(d)酚醛樹脂(三井化學(xué)株式會社制造，^ ^ XLC-4L) 489份(e)球狀二氧化硅(7 “虧、”卞株式會社制造，S0-25R) 660份(f)熱固化催化劑(四國化成株式會社制造，C11-Z)3份
將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度60 μ m的膠粘劑層A?！茨z粘劑層B的制作〉使下述(a) (d)溶解于甲乙酮中，得到濃度23. 6重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)丙烯酸酯類聚合物(f力 A歹ν夕公司制造，SG-80H) 100份(b)環(huán)氧樹脂(DIC株式會社制造，HP-7200H)10份(c)酚醛樹脂(三井化學(xué)株式會社制造，”； XLC-4L) 10份(d)球狀二氧化硅、 Y m > 卞株式會社制造，S0-25R) 63份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度10 μ m的膠粘劑層B?！葱酒雍媳∧さ闹谱鳌翟谀z粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度20 μ m的鋁箔(東洋鋁株式會社制造)，制作厚度90 μ m的芯片接合薄膜。 另外，鋁箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實(shí)施例2)〈芯片接合薄膜的制作〉在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度38μπι的SUS304(不銹鋼)箔，制作厚度108 μ m的芯片接合薄膜。另外， SUS304箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實(shí)施例3)〈芯片接合薄膜的制作〉使用濺射裝置(ULVAC公司制造，SH-550)，通過濺射法在膠粘劑層A上形成厚度 500nm的鋁層。濺射條件如下所述。(濺射條件)靶鋁放電輸出功率DC 600ff(輸出功率密度3. 4ff/cm2)體系內(nèi)壓力0. 56PaAr 流量40sccm襯底溫度未加熱成膜速度20nm/分鐘然后，在鋁層上，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼膠粘劑層B，制作厚度70. 5μπι的芯片接合薄膜。另外，鋁層具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實(shí)施例4)〈芯片接合薄膜的制作〉在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度20 μ m的鎳箔，制作厚度90 μ m的芯片接合薄膜。另外，鎳箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。
(實(shí)施例5)<芯片接合薄膜的制作>在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度12 μ m的銅箔，制作厚度82 μ m的芯片接合薄膜。另外，銅箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實(shí)施例6)<芯片接合薄膜的制作>準(zhǔn)備在厚度38 μm的PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上蒸鍍有厚度0. 5 μ m的鋁的薄膜(東麗薄膜加工株式會社制造，制品名J夕> $ — S)(以下也稱為“鋁蒸鍍薄膜”)。然后，在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/ 秒的條件下粘貼所述鋁蒸鍍薄膜，制作厚度108. 5μπι的芯片接合薄膜。此時，以膠粘劑層 A與PET薄膜面對，膠粘劑層B與鋁的蒸鍍層面對的方式進(jìn)行粘貼。另外，鋁的蒸鍍層具有作為電磁波屏蔽層的功能。(比較例1)除了未使用鋁箔以外，與實(shí)施例1同樣操作，將膠粘劑層A和膠粘劑層B粘貼，制作本比較例的芯片接合薄膜。(比較例2)<芯片接合薄膜的制作>準(zhǔn)備在厚度38 μ m的PET薄膜上形成有厚度3 μ m的鐵氧體層的薄膜。比較例2 中的鐵氧體層，為通過鍍鐵氧體法制作的由mai鐵氧體構(gòu)成的層。然后，在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/ 秒的條件下粘貼所述鐵氧體薄膜，制作厚度Illym的芯片接合薄膜。此時，以膠粘劑層A 與PET薄膜面對，膠粘劑層B與鐵氧體層面對的方式進(jìn)行粘貼。<電磁波衰減量(dB)的測定>使用磁場探針法進(jìn)行實(shí)施例和比較例的芯片接合薄膜的電磁波衰減量(dB)測定。具體而言，首先，使用光譜分析儀(Advantest制造，R3172)，向特性阻抗為50 Ω的MSL 線路中輸入頻率13MHz 3GHz的數(shù)字信號，使用磁場探針(NEC工程公司制造，CP-2S)測定線路上Imm內(nèi)產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度(dB)。然后，將實(shí)施例和比較例的芯片接合薄膜置于MSL線路上，測定磁場強(qiáng)度(dB)。而且，將MSL線路上為無物狀態(tài)的測定值與在MSL線路上方放置有芯片接合薄膜的狀態(tài)的測定值進(jìn)行比較，將其差值作為13MHz 3GHz范圍內(nèi)的電磁波衰減量(dB)。測定結(jié)果如表1所示。另外，將表1所示的測定結(jié)果作圖如圖7 圖14所示。 圖7 圖12分別為表示實(shí)施例1 實(shí)施例6的結(jié)果的圖線，圖13、圖14分別為表示比較例 1、比較例2的測定結(jié)果的圖線。表權(quán)利要求
1.一種芯片接合薄膜，其特征在于，具有膠粘劑層和由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層。
2.一種芯片接合薄膜，其特征在于，具有膠粘劑層和通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層。
3.一種切割/芯片接合薄膜，其中，在切割薄膜上層疊有權(quán)利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其特征在于，所述切割薄膜具有在基材上層疊有粘合劑層的結(jié)構(gòu)， 所述芯片接合薄膜層疊在所述切割薄膜的粘合劑層上。
4.一種芯片接合薄膜的制造方法，用于制造權(quán)利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下步驟形成膠粘劑層的步驟，和在所述膠粘劑層上粘貼由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層的步驟。
5.一種芯片接合薄膜的制造方法，用于制造權(quán)利要求2所述的芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下步驟形成膠粘劑層的步驟，和在所述膠粘劑層上通過蒸鍍形成電磁波屏蔽層的步驟。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其中，具有權(quán)利要求1或2所述的芯片接合薄膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的課題在于提供可以在不降低生產(chǎn)率的情況下制造具有電磁波屏蔽層的半導(dǎo)體裝置。一種芯片接合薄膜，其具有膠粘劑層和由金屬箔構(gòu)成的電磁波屏蔽層，或者一種芯片接合薄膜，其具有膠粘劑層和通過蒸鍍形成的電磁波屏蔽層。
文檔編號H01L21/77GK102468185SQ20111036697
公開日2012年5月23日 申請日期2011年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月18日
發(fā)明者井上剛一, 宇圓田大介, 松村健, 盛田美希 申請人:日東電工株式會社