專利名稱：切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將用于固著芯片狀工件(半導(dǎo)體芯片等)與電極構(gòu)件的膠粘劑在切割前附著在工件(半導(dǎo)體晶片等)上的狀態(tài)下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜。
背景技術(shù)：
形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶片(工件)，在根據(jù)需要通過背面研磨調(diào)節(jié)厚度后，切割為半導(dǎo)體芯片(芯片狀工件)(切割工序)。在切割工序中，為了除去切割層，一般在適度的液壓(通常約^^/_2)下清洗半導(dǎo)體晶片。然后，將所述半導(dǎo)體芯片利用膠粘劑固著到引線框等被粘物上(安裝工序)后，轉(zhuǎn)移至接合工序。在所述安裝工序中，將膠粘劑涂布到引線框或半導(dǎo)體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化比較困難，另外膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體晶片并且還提供安裝工序所需要的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上以可以剝離的方式設(shè)置有膠粘劑層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導(dǎo)體晶片后，拉伸支撐基材將半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收后通過該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。對于這種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，希望具有對半導(dǎo)體晶片的良好保持力和能夠?qū)⑶懈詈蟮陌雽?dǎo)體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性，以不產(chǎn)生不能切割或尺寸誤差等問題。但是，使這兩種特性平衡絕不是件容易的事。特別是像用旋轉(zhuǎn)圓刀等切割半導(dǎo)體晶片的方式等，在要求膠粘劑層具有大的保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，為了解決這樣的問題，提出了各種改良方法(例如，參考專利文獻(xiàn)2)。在專利文獻(xiàn)2中提出的方法為在支撐基材與膠粘劑層之間具有可進(jìn)行紫外線固化的粘合劑層，將其切割后進(jìn)行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，從而通過二者間的剝離容易地拾取半導(dǎo)體芯片。但是，即使通過該改良方法，有時也難以得到使切割時的保持力與之后的剝離性良好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在IOmmX IOmm以上的大型半導(dǎo)體芯片或25 75 μ m的極薄的半導(dǎo)體芯片的情況下，通過普通的芯片接合機不能容易地拾取半導(dǎo)體芯片。因此，以往公開了如下的切割/芯片接合薄膜具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，通過將切割薄膜的粘合劑層中所含有的聚合物設(shè)定為特定的聚合物，并且控制交聯(lián)劑的添加量，由此可以在保持切割時的保持力的同時提高拾取時的剝離性(例如，參考專利文獻(xiàn)3)。專利文獻(xiàn)1 日本特開昭60-57642號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開平2-M8064號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2009-170787號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，關(guān)于專利文獻(xiàn)3記載的切割/芯片接合薄膜，在將該切割/芯片接合薄膜粘貼到切割環(huán)上時，在粘貼裝置的粘貼速度、以及壓力、張力等粘貼條件不適當(dāng)?shù)那闆r，或者切割環(huán)上具有污垢或損傷從而切割/芯片接合薄膜難以粘貼到切割環(huán)上的情況下，切割/ 芯片接合薄膜有可能會從切割環(huán)上剝離，因此尚有改善的余地。本發(fā)明鑒于所述問題點而創(chuàng)立，其目的在于提供一種切割/芯片接合薄膜，該切割/芯片接合薄膜與將切割/芯片接合薄膜粘貼到切割環(huán)上時的粘貼裝置的條件等無關(guān)， 可以在保持切割時的保持力的同時提高拾取時的剝離性；還提供該切割/芯片接合薄膜的制造方法，以及使用該切割/芯片接合薄膜制造半導(dǎo)體裝置的方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下發(fā)明。即，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設(shè)置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有聚合物和交聯(lián)劑，并且通過在規(guī)定條件下的紫外線照射而固化，所述聚合物為使含有10 40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70 90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物，所述交聯(lián)劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團、并且相對于所述聚合物100重量份含量為0. 5 2重量份；所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23士3°C、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為 1. 0N/20mm帶寬以上且10. 0N/20mm帶寬以下；所述粘貼切割環(huán)的部分的23°C下的拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上且低于0. 4MPa ；所述芯片接合薄膜粘貼到紫外線照射后的粘合劑層上。所述粘合劑層是在與芯片接合薄膜粘貼前通過紫外線照射預(yù)先進(jìn)行固化而形成的。因此，該粘合劑層表面硬，在與芯片接合薄膜粘貼時可以減弱二者的密合度。由此，可以減弱粘合劑層與芯片接合薄膜之間的錨固效果，例如在拾取半導(dǎo)體芯片時使粘合劑層與芯片接合薄膜之間的剝離性良好。結(jié)果，可以實現(xiàn)拾取性的提高。另外，通過紫外線照射使粘合劑層固化時，由于形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，粘合劑層的體積縮小。因此，例如在與芯片接合薄膜粘貼后對粘合劑層照射紫外線使其固化時，會對芯片接合薄膜施加應(yīng)力。結(jié)果，有時切割/ 芯片接合薄膜整體會產(chǎn)生翹曲。但是，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜是在通過紫外線照射進(jìn)行固化后與芯片接合薄膜粘貼而形成的，因此可以防止對芯片接合薄膜施加不必要的應(yīng)力。結(jié)果，可以得到無翹曲的切割/芯片接合薄膜。另外，所述粘合劑層中含有分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團的交聯(lián)劑作為必要成分，通過控制該交聯(lián)劑的添加量，可以調(diào)節(jié)拉伸彈性模量使得可以在保持切割時的保持力的同時實現(xiàn)良好的拾取性。即，本發(fā)明的交聯(lián)劑，相對于所述聚合物100重量份含量為2重量份以下，因此可以抑制聚合物的交聯(lián)、降低拉伸儲能彈性模量，從而保持高的切割環(huán)粘貼部的粘合力。結(jié)果，在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜從切割薄膜上剝離。另一方面，所述含量為0. 5重量份以上，因此粘合劑具有充分的凝聚力， 在拾取后從切割環(huán)上剝離切割薄膜時，可以防止產(chǎn)生膠糊殘留。另外，通過將含羥基單體的含量設(shè)定為10摩爾％以上，可以抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結(jié)果，可以防止拾取性下降。另一方面，通過將所述含量設(shè)定為40摩爾％以下， 可以防止粘合劑的極性變高、與芯片接合薄膜的相互作用變高而造成的剝離變困難、拾取
5性下降。另外，也可以防止與聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產(chǎn)率的下降。另外，本發(fā)明中，使具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物與含有10 40 摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物進(jìn)行加成反應(yīng)后使用，并且在粘貼芯片接合薄膜前，通過對粘合劑照射紫外線使其固化。因此，即使基于交聯(lián)劑的交聯(lián)受到抑制，通過照射紫外線也可以使粘合劑充分固化，從而具有良好的拾取性。另外，粘貼切割環(huán)的部分的23°C下的拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上且低于 0. 4MPa,因此可以保持高粘合力，從而在切割半導(dǎo)體晶片時可以抑制切割/芯片接合薄膜從切割環(huán)上剝離。另一方面，所述拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上，因此從切割環(huán)上剝離切割薄膜時可以防止產(chǎn)生膠糊殘留。另外，粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分相對于鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23士3°C、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1. 0N/20mm帶寬以上且10. 0N/20mm帶寬以下。所述粘合力為1.0N/20mm帶寬以上，因此在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜從切割環(huán)上剝離。另一方面，所述粘合力為10.0N/20mm帶寬以下，因此在從切割環(huán)上剝離切割薄膜時可以容易地進(jìn)行剝離。關(guān)于所述構(gòu)成，優(yōu)選所述粘合劑層中，相對于所述聚合物100重量份還含有5 100重量份的紫外線固化性的低聚物成分。在粘合劑層的未進(jìn)行紫外線固化的部分中，低聚物作為增塑劑發(fā)揮作用。結(jié)果，可以保持粘貼切割環(huán)的部分的高粘合力，從而可以提高對切割環(huán)的密合性。另一方面，在紫外線固化的部分中，不僅聚合物、而且低聚物成分也紫外線固化，因此可以保持與芯片接合薄膜的低密合性，從而可以將半導(dǎo)體芯片良好地拾取。優(yōu)選所述紫外線的照射在30 lOOOmJ/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。通過將紫外線的照射設(shè)定為30mJ/cm2以上，可以使粘合劑層充分固化，從而防止與芯片接合薄膜過度密合。結(jié)果，可以實現(xiàn)良好的拾取功能，從而可以防止粘合劑在拾取后附著(所謂的膠糊殘留)在芯片接合薄膜上。另一方面，通過將紫外線的照射設(shè)定為lOOOmJ/cm2以下，可以減少對基材的熱損害。另外，可以防止粘合劑層的固化過度進(jìn)行從而拉伸彈性模量過大、擴張性下降。另外，可以防止粘合力過度下降，由此可以防止在工件的切割時產(chǎn)生芯片飛散。優(yōu)選所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基) 丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯及 (甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯所組成的組中的至少任意一種。優(yōu)選所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯中的至少任意一種。優(yōu)選所述粘合劑層不含丙烯酸。由此，可以防止粘合劑層與芯片接合薄膜的反應(yīng)或相互作用，從而進(jìn)一步提高拾取性。另外，為解決所述課題，本發(fā)明所涉及的切割/芯片接合薄膜的制造方法，用于制造具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，包括如下工序在所述基材上形成粘合劑層前體的工序， 所述粘合劑層前體含有聚合物和交聯(lián)劑而構(gòu)成，所述聚合物為使含有10 40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70 90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物，所述交聯(lián)劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團、并且相對于所述聚合物100重量份含量為 0. 5 2重量份；在規(guī)定條件下對所述粘合劑層前體照射紫外線，從而形成所述粘合劑層的工序，所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度 23士3°C、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1. 0N/20mm帶寬以上且10. 0N/20mm帶寬以下、 并且所述粘貼切割環(huán)的部分的23°C下的拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上且低于0. 4MPa ； 和在所述粘合劑層上粘貼所述芯片接合薄膜的工序。所述切割薄膜的粘合劑層在與芯片接合薄膜粘貼前通過紫外線照射預(yù)先進(jìn)行固化。因此，該粘合劑層表面硬，成為對凹凸的密合性下降的狀態(tài)。本發(fā)明中，通過對這樣的粘合劑層粘貼芯片接合薄膜來制作切割/芯片接合薄膜，因此，可以減弱粘合劑層與芯片接合薄膜之間的密合性，減弱錨固效果。結(jié)果，例如在拾取半導(dǎo)體芯片時使粘合劑層與芯片接合薄膜之間的剝離性優(yōu)良，從而可以得到具有良好拾取性的切割/芯片接合薄膜。另外，通過紫外線照射使粘合劑層固化時，由于形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，粘合劑層的體積縮小。因此，例如在與芯片接合薄膜粘貼后對粘合劑層照射紫外線使其固化時，會對芯片接合薄膜施加應(yīng)力。結(jié)果，有時切割/芯片接合薄膜整體會產(chǎn)生翹曲。但是，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜是在通過紫外線照射進(jìn)行固化后與芯片接合薄膜粘貼而形成的，因此可以防止對芯片接合薄膜施加不必要的應(yīng)力。結(jié)果，可以得到無翹曲的切割/芯片接合薄膜。另外，所述粘合劑層的構(gòu)成材料含有分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團的交聯(lián)劑作為必要成分，通過控制該交聯(lián)劑的添加量，可以調(diào)節(jié)拉伸彈性模量使得可以在保持切割時的保持力的同時實現(xiàn)良好的拾取性。即，本發(fā)明的交聯(lián)劑，相對于所述聚合物100重量份含量為2重量份以下，因此可以抑制基于交聯(lián)劑的交聯(lián)、降低拉伸儲能彈性模量，從而保持高的粘合力。結(jié)果，在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜從切割薄膜上剝離。另一方面，所述含量為0. 5重量份以上，因此通過利用紫外線使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分對應(yīng)的部分固化可以適當(dāng)?shù)亟档驼澈狭?。結(jié)果，可以提高半導(dǎo)體芯片的拾取時的拾取性。另外，通過將含羥基單體的含量設(shè)定為10摩爾％以上，可以抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結(jié)果，可以防止拾取性下降。另一方面，通過將所述含量設(shè)定為40摩爾％以下， 可以防止粘合劑的極性變高、與芯片接合薄膜的相互作用變高而造成的剝離變困難、拾取性下降。另外，也可以防止與聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產(chǎn)率下降。所述構(gòu)成中，所述粘合劑層前體中相對于所述聚合物100重量份可以進(jìn)一步含有 0 100重量份的紫外線固化性的低聚物成分。在照射紫外線形成粘合劑層時，在未照射紫外線的部分中，低聚物作為增塑劑發(fā)揮使用。結(jié)果，可以保持粘貼切割環(huán)的部分的高粘合力，從而可以提高對切割環(huán)的密合性。另一方面，在照射紫外線的部分中，不僅聚合物、而且低聚物成分也紫外線固化，因此可以保持與芯片接合薄膜的低密合性，從而可以將半導(dǎo)體芯片良好地拾取。所述紫外線的照射優(yōu)選在30 lOOOmJ/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。通過將紫外線的照射設(shè)定為30mJ/cm2以上，可以使粘合劑層充分固化，從而防止與芯片接合薄膜過度密合。結(jié)果，可以實現(xiàn)良好的拾取功能，從而可以防止粘合劑在拾取后附著(所謂的膠糊殘留)在芯片接合薄膜上。另一方面，通過將紫外線的照射設(shè)定為lOOOmJ/cm2以下，可以減少對基材的熱損害。
另外，為解決所述課題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，使用具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜制造半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括如下工序準(zhǔn)備所述記載的切割/芯片接合薄膜， 并在所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分粘貼切割環(huán)的工序；將半導(dǎo)體晶片壓接在所述芯片接合薄膜上的工序；通過將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合薄膜一起切割而形成半導(dǎo)體芯片的工序；和將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合薄膜一起從所述粘合劑層上剝離的工序； 并且，從所述半導(dǎo)體晶片的壓接工序直到半導(dǎo)體芯片的剝離工序，在不對所述粘合劑層照射紫外線的情況下進(jìn)行。所述方法中，使用在切割半導(dǎo)體晶片時可以防止半導(dǎo)體芯片的芯片飛散并且拾取性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜，因此，例如在IOmmX IOmm以上的大型半導(dǎo)體芯片或25 75 μ m的極薄的半導(dǎo)體芯片的情況下，也可以容易地將半導(dǎo)體芯片與芯片接合薄膜一起從切割薄膜上剝離。即，為所述方法時，可以在提高成品率的情況下制造半導(dǎo)體裝置。另外，所述方法中，在拾取前不需要對粘合劑層照射紫外線。結(jié)果，與現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法相比，可以減少工序數(shù)。另外，在半導(dǎo)體芯片具有規(guī)定的電路圖案的情況下，也可以防止由于紫外線的照射而引起的電路圖案的不良狀況。結(jié)果，可以制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，所述方法中，準(zhǔn)備所述記載的切割/芯片接合薄膜，并在所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分粘貼切割環(huán)，因此可以保持粘貼切割環(huán)的部分的高粘合力，從而在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜從切割薄膜上剝離。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的另一個實施方式的另一個切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖3是表示通過圖2所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例子的示意剖面圖。符號說明1基材2粘合劑層3芯片接合薄膜4 半導(dǎo)體晶片5半導(dǎo)體芯片6被粘物7焊線8密封樹脂9加熱組合單元(t 一卜7·· α 7夕)IOUl切割/芯片接合薄膜
具體實施方式
(切割/芯片接合薄膜)參考圖1和圖2對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖1是表示本實施方式的切割/ 芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本實施方式的另一個切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。其中，省略了不需要說明的部分，并且存在為容易說明而擴大或縮小等進(jìn)行圖示的部分。如圖1所示，切割/芯片接合薄膜10的構(gòu)成如下具有在基材1上設(shè)置有粘合劑層2的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層2上的芯片接合薄膜3。粘合劑層2具有與半導(dǎo)體晶片粘貼部分對應(yīng)的部分2a、粘貼切割環(huán)12的部分2c和除此以外的其它部分2b。芯片接合薄膜粘貼到粘合劑層2的部分2c以外的部分即可，例如，如圖2所示，也可以是僅在半導(dǎo)體晶片粘貼部分形成芯片接合薄膜3’的構(gòu)成。所述基材1具有紫外線透射性，并且作為切割/芯片接合薄膜10、11的強度母體。 例如可以列舉低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用經(jīng)拉伸處理等而被賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使該基材1熱收縮而降低粘合劑層2與芯片接合薄膜3、3’的膠粘面積，可以容易地回收半導(dǎo)體芯片。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材1的表面可以進(jìn)行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學(xué)或物理處理、 底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))涂布處理等。所述基材1可以適當(dāng)選擇使用同種或異種材料，根據(jù)需要也可以將多種材料共混使用。另外，為了賦予基材1防靜電性能，可以在所述基材1上設(shè)置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30A 約500A的導(dǎo)電物質(zhì)的蒸鍍層?；?可以是單層或者兩種以上的多層?；?的厚度沒有特別限制，可以適當(dāng)設(shè)定，一般為約5μπι 約200 μ m。所述粘合劑層2包含紫外線固化型粘合劑而構(gòu)成，并預(yù)先通過紫外線照射而固化。固化的部分不必是粘合劑層2的全部區(qū)域，至少粘合劑層2的與半導(dǎo)體晶片粘貼部分 3a對應(yīng)的部分加固化即可(參考圖1)。粘合劑層2在與芯片接合薄膜3粘貼前通過紫外線照射而固化，因此其表面硬，可以抑制粘合劑層2與芯片接合薄膜3的界面處的密合性過大。由此，可以減少粘合劑層2與芯片接合薄膜3之間的錨固效果，提高剝離性。另一方面， 粘合劑層2的部分2b和部分2c未照射紫外線，因此未固化，粘合力比所述部分加大。由此，在將切割環(huán)12粘貼到部分2c時，可以可靠地將切割環(huán)12膠粘固定。另外，通過按照圖2所示的芯片接合薄膜3’使紫外線固化型的粘合劑層2預(yù)先固化，可以抑制粘合劑層2與芯片接合薄膜3的界面處的密合性過大。由此，具備拾取時芯片接合薄膜3’容易從粘合劑層2剝離的性質(zhì)。另一方面，粘合劑層2的部分2b和部分2c未照射紫外線因此未固化，粘合力比所述部分加大。由此，在將切割環(huán)12粘貼到部分2c時， 可以可靠地將切割環(huán)12膠粘固定。如前所述，圖1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3粘合，能夠確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑可以在膠粘-剝離平衡良好的情況下支撐用于將半導(dǎo)體芯片固著到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3。圖1所示的切割/芯片接合薄膜10及圖2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2c能夠固定切割環(huán)。切割環(huán)例如可以使用由不銹鋼等金屬制成的切割環(huán)或樹脂制成的切割環(huán)。在切割/芯片接合薄膜10、11中，粘貼切割環(huán)的部分2c的23°C下的拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上且低于0. 4MPa。所述拉伸儲能彈性模量低于0. 4MPa,因此可以保持高粘合力，從而在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜10、11從切割環(huán)上剝離。 另一方面，所述拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上，因此可以防止在將切割薄膜從切割環(huán)上剝離時產(chǎn)生膠糊殘留。另外，在切割/芯片接合薄膜10、11中，部分加的固化后的23°C下的拉伸儲能彈性模量優(yōu)選為5MPa以上且IOOMPa以下，更優(yōu)選7MPa以上且80MPa以下。在切割/芯片接合薄膜10、11中，粘貼切割環(huán)的部分2c對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23士3°C、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1. 0N/20mm帶寬以上且 10. 0N/20mm帶寬以下。所述粘合力為1. 0N/20mm帶寬以上，因此在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜10、11從切割環(huán)上剝離。另一方面，所述粘合力為10. 0N/20mm帶寬以下，因此在將切割薄膜從切割環(huán)上剝離時可以容易地進(jìn)行剝離。在切割/芯片接合薄膜10中，進(jìn)行如下設(shè)計粘合劑層2中所述部分加對半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a的粘合力小于所述其它部分2b對與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a不同的部分 3b的粘合力。基于常溫(23°C )下的粘合力(剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)，所述部分加的粘合力從晶片的固定保持力和形成的芯片的回收性等觀點考慮優(yōu)選為0. 5 1. 5N/10mm。粘合力如果小于0. 5N/10mm，則半導(dǎo)體芯片的膠粘固定不充分，因此在切割時有時發(fā)生芯片飛散。另外，粘合力如果超過1. 5N/10mm，則粘合劑層2過度地膠粘芯片接合薄膜3，因此有時難以拾取半導(dǎo)體芯片。另一方面，所述其它部分2b的粘合力優(yōu)選為0. 5 10N/10mm、更優(yōu)選1 5N/10mm。即使所述部分加的粘合力低，也可以利用所述其它部分 2b的粘合力抑制芯片飛散等的發(fā)生，從而可以發(fā)揮晶片加工所需的保持力。在切割/芯片接合薄膜11中，進(jìn)行如下設(shè)計粘合劑層2中所述部分加對半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a的粘合力小于所述部分2b對切割環(huán)12的粘合力。所述部分加對半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a的粘合力(同前述條件)與上述同樣優(yōu)選為0. 5 1. 5N/10mm。另一方面， 所述其它部分2b對切割環(huán)12的粘合力優(yōu)選為0. 05 10N/10mm、更優(yōu)選0. 1 5N/10mm。 即使所述部分加的剝離粘合力低，也可以利用所述其它部分2b的粘合力抑制芯片飛散等的發(fā)生，從而可以發(fā)揮充分的進(jìn)行晶片加工的保持力。另外，這些粘合力是在常溫(23°C)、 剝離角度180度、拉伸速度300mm/分鐘的條件下的測定值。另外，在切割/芯片接合薄膜10、11中，優(yōu)選進(jìn)行如下設(shè)計半導(dǎo)體晶片粘貼部分 3a對半導(dǎo)體晶片的粘合力大于該粘貼部分3a對所述部分加的粘合力。對半導(dǎo)體晶片的粘合力可以根據(jù)其種類適當(dāng)調(diào)節(jié)。半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對所述部分加的粘合力(同前述條件)優(yōu)選為0. 05 10N/10mm、更優(yōu)選0. 1 5N/10mm。另一方面，半導(dǎo)體晶片粘貼部分 3a對半導(dǎo)體晶片的粘合力(同前述條件)，從切割時、拾取時、芯片接合時的可靠性、拾取性的觀點考慮，優(yōu)選為0. 5 15N/10mm以下、更優(yōu)選1 15N/10mm。在此，設(shè)半導(dǎo)體晶片4的直徑為T1、粘合劑層2中所述部分加的直徑為r2、芯片接合薄膜3中半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a (或者芯片接合薄膜3’ )的直徑為r3時，優(yōu)選滿足^ < r2 < r3的關(guān)系。由此，可以將半導(dǎo)體晶片4的整個面膠粘固定到芯片接合薄膜3、3’上， 并且將半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a(或芯片接合薄膜3’ )的邊緣部膠粘固定到所述其它部分 2b上。所述其它部分2b的粘合力大于所述部分2a，因此在所述邊緣部可以膠粘固定半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a(或芯片接合薄膜3’)。結(jié)果，切割時可以進(jìn)一步防止芯片飛散的發(fā)生。所述紫外線固化型粘合劑使用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵等紫外線固化性官能團、并且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，例如，可以例示在丙烯酸類粘合劑中配合有紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的添加型的紫外線固化型粘合劑。其中，優(yōu)選配合有紫外線固化性的低聚物成分的粘合劑。丙烯酸類粘合劑是以丙烯酸類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的粘合劑，從半導(dǎo)體芯片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等方面考慮優(yōu)選。作為所述丙烯酸類聚合物，例如，可以列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、 十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)1 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)全部表示相同的含義。所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必要成分。 作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等。所述含羥基單體的含量，相對于丙烯酸酯優(yōu)選在10 40摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在15 30摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于10摩爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，有時拾取性下降。另一方面，含量如果超過40摩爾％則粘合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強，從而難以剝離。為了改善凝聚力和耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根據(jù)需要可以含有與能夠與所述丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。但是，在所述含羧基單體的情況下，通過其羧基與芯片接合薄膜3中的環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失，從而有時二者的剝離性下降。因此，含羧基單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的0 3重量％以下。另外，含羥基單體或含縮水甘油基單體也能夠與環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，因此，優(yōu)選與含羧基單體的情況同樣地設(shè)定。另外，這些單體成分中，優(yōu)選本發(fā)明的粘合劑層2不含丙烯酸。這是因為，丙烯酸通過與芯片接合薄膜3反應(yīng)或相互作用，有時使剝離性下降。在此，所述丙烯酸類聚合物不含多官能單體作為共聚用單體成分。由此，不會發(fā)生多官能單體物質(zhì)擴散到芯片接合薄膜中的情況，從而可以防止由于粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失而導(dǎo)致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物包含具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作為必要成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯寸。所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的含量，相對于含羥基單體優(yōu)選在70 90摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在75 85摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于70摩爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時對粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，含量如果超過90摩爾％則粘合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強， 由此使剝離變得困難。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合而得到。 聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進(jìn)行。從防止污染潔凈的被粘物等觀點考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選為約35萬 約100萬、更優(yōu)選約45萬 約80萬。另外，粘合劑層2包含分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團的交聯(lián)劑。作為對羥基顯示反應(yīng)性的官能團，可以列舉例如異氰酸酯基、環(huán)氧基、縮水甘油基等。 作為具有這樣的官能團的交聯(lián)劑，更具體地可以列舉異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、 氮丙啶類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑等。其中，優(yōu)選異氰酸酯類交聯(lián)劑。作為所述異氰酸酯類交聯(lián)劑，只要分子中具有兩個以上異氰酸酯基則沒有特別限制，可以列舉例如甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、1，6_亞己二異氰酸酯等。它們可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述環(huán)氧類交聯(lián)劑，只要分子中具有兩個以上環(huán)氧基則沒有特別限制，可以列舉例如乙二醇二縮水甘油基醚、山梨醇多縮水甘油基醚、聚甘油多縮水甘油基醚、雙甘油多縮水甘油基醚、甘油多縮水甘油基醚、間苯二酚二縮水甘油基醚等。它們可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述氮丙啶類交聯(lián)劑，只要分子中具有兩個以上氮丙啶基則沒有特別限制。 例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂忙?氮丙啶基丙酸-2，2_ 二羥基甲基-丁醇三酯、4，4’_ 二(亞乙基亞氨基羰基氨基)二苯基甲烷、2，4，6_(三亞乙亞氨基)均三嗪、1，6_ 二(亞乙亞氨基羰基氨基)己烷等。它們可以單獨使用或者兩種以上組合使用。所述交聯(lián)劑的含量相對于基礎(chǔ)聚合物100重量份為0. 5 2重量份。所述交聯(lián)劑的含量優(yōu)選在0. 5 1. 0重量份的范圍內(nèi)。所述含量為2重量份以下，因此可以抑制紫外線引起的交聯(lián)，防止拉伸儲能彈性模量下降，從而保持高粘合力。結(jié)果，在切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片接合薄膜10、11從切割環(huán)上剝離。另一方面，所述含量為0. 5重量份以上，因此可以防止在從切割環(huán)上剝離切割薄膜時產(chǎn)生膠糊殘留。另外，粘合劑中根據(jù)需要除所述成分以外可以使用現(xiàn)有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為用于配合的所述紫外線固化性的單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性的低聚物成分可以列舉聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100 約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的配合量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選含有0 100重量份，更優(yōu)選含有10 50重量份。粘合劑層2中的未紫外線固化的部分(部分2b或部分2c)中，低聚物作為增塑劑發(fā)揮作用。結(jié)果，可以保持粘貼切割環(huán)的部分2c的高粘合力，可以提高對切割環(huán)的密合性。另一方面，在紫外線固化的部分(部分加)中，不僅聚合物、而且低聚物成分也紫外線固化，因此可以保持與芯片接合薄膜3、3’的低密合性，從而可以良好地拾取半導(dǎo)體芯片。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除前面說明過的添加型的紫外線固化型粘合劑以外，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑不需要含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在粘合劑中移動，可以形成具有穩(wěn)定層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，因此優(yōu)選。所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可以沒有特別限制地使用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵并且具有粘合性的基礎(chǔ)聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎(chǔ)聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，從分子設(shè)計方面而言在聚合物側(cè)鏈中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉預(yù)先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該羥基反應(yīng)的異氰酸酯基和自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物在保持自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)的方法。作為具有異氰酸酯基和自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉前面例示的那些。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。所述內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑，可以單獨使用所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合所述紫外線固化性的單體成分或低聚物成分。紫外線固化性的低聚物成分等通常相對于基礎(chǔ)聚合物 100重量份例如為約5重量份 約500重量份，優(yōu)選約40重量份 約150重量份。所述紫外線固化型粘合劑中，在通過紫外線等進(jìn)行固化時含有光聚合引發(fā)劑。作
13為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α -酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2’ - 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2’ - 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-144-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲?；郊姿?、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；趸?；酰基膦酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份例如為約0. 05重量份 約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開昭60-196956號公報中公開的、包含具有兩個以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、錙鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。在切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，可以對粘合劑層2的一部分進(jìn)行紫外線照射使所述部分加的粘合力〈其它部分2b的粘合力。即，可以使用對基材1的至少單面的、與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分以外的部分的全部或者一部分進(jìn)行遮光的基材， 在其上形成紫外線固化型的粘合劑層2后進(jìn)行紫外線照射，使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上制作能夠形成光掩模的遮光材料。另外，紫外線照射時因氧而產(chǎn)生固化障礙時，期望從紫外線固化型的粘合劑層2 的表面隔絕氧(空氣)。作為該方法，可以列舉例如用隔片將粘合劑層2的表面覆蓋的方法、或者在氮氣氣氛中進(jìn)行紫外線等的照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從同時實現(xiàn)防止芯片切割面的缺陷和固定保持膠粘層等觀點考慮，優(yōu)選為約1 μ m 約50 μ m。優(yōu)選2 μ m 40 μ m、更優(yōu)選5 μ m 30 μ m。芯片接合薄膜3、3’例如可以僅由單層膠粘劑層構(gòu)成。另外，也可以將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當(dāng)組合而形成兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。另外，在半導(dǎo)體晶片的切割工序中使用切削水，因此有時芯片接合薄膜3、3’吸濕而含水率達(dá)到常態(tài)以上。如果在這樣的高含水率的狀態(tài)下膠粘在襯底等上，則在后固化階段膠粘界面處滯留水蒸汽，有時產(chǎn)生翹起。因此，作為芯片膠粘用膠粘劑，通過形成由芯片膠粘劑夾住高透濕性芯材的結(jié)構(gòu)，在后固化階段水蒸汽透過薄膜而擴散，從而可以避免所述問題。從該觀點考慮，芯片接合薄膜3、3’可以采用在芯材的單面或雙面形成膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維增強的樹脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。本發(fā)明的芯片接合薄膜3、3’，含有環(huán)氧樹脂作為主成分而構(gòu)成。環(huán)氧樹脂中腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少，因此優(yōu)選。作為所述環(huán)氧樹脂，只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環(huán)氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、 溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三(羥苯基)甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、 或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三(羥苯基)甲烷型環(huán)氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因為，這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，芯片接合薄膜3、3’中根據(jù)需要可以組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂、或者熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。 另外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑優(yōu)選酚醛樹脂。另外，所述酚醛樹脂作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑發(fā)揮作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導(dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基1當(dāng)量，酚醛樹脂中的羥基為0. 5 2. 0當(dāng)量的比例進(jìn)行配合是適當(dāng)?shù)摹８m當(dāng)?shù)氖?0.8 1.2當(dāng)量。即，這是因為，二者的配合比例如果在所述范圍以外，則固化反應(yīng)不充分， 環(huán)氧樹脂固化物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù) 30以下、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、 戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、 十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者二十烷基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體; 馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。
芯片接合薄膜3、3’的膠粘劑層中，為了預(yù)先進(jìn)行某種程度的交聯(lián)，在制作時優(yōu)選添加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。另外，芯片接合薄膜3、3’的膠粘劑層中根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環(huán)氧樹脂等。這些物質(zhì)可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質(zhì)可以單獨使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3、3’的厚度沒有特別限制，例如為約5 μ m 約100 μ m、優(yōu)選約 5 μ m 50 μ m。可以使切割/芯片接合薄膜10、11具有防靜電性能。由此，可以防止其膠粘時及剝離時等產(chǎn)生靜電或者電路由于該靜電導(dǎo)致的半導(dǎo)體晶片帶電而遭破壞等。防靜電性能的賦予，可以通過在基材1、粘合劑層2或芯片接合薄膜3、3’中添加防靜電劑或?qū)щ娢镔|(zhì)的方法、在基材1上附設(shè)包含電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物或金屬膜等的導(dǎo)電層等適當(dāng)方式來進(jìn)行。作為這些方式，優(yōu)選不易產(chǎn)生可能導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為為了賦予導(dǎo)電性、提高導(dǎo)熱性等目的而配合的導(dǎo)電物質(zhì)(導(dǎo)電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電合金等的球狀、針狀、薄片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。但是，從不漏電的觀點考慮，優(yōu)選所述芯片接合薄膜3、3’為非導(dǎo)電性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3’優(yōu)選由隔片保護(hù)(未圖示)。 隔片具有作為在供給實際使用之前保護(hù)芯片接合薄膜3、3’的保護(hù)材料的功能。另外，隔片還可以作為向粘合劑層2上轉(zhuǎn)印芯片接合薄膜3、3’時的支撐基材使用。隔片在向切割/ 芯片接合薄膜的芯片接合膜3、3’上粘貼工件時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，或者由含氟剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯類剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂敷的塑料薄膜或紙等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10為例對本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜的制造方法進(jìn)行說明。首先，基材1可以通過現(xiàn)有公知的制膜方法制成膜。作為該制膜方法，可以列舉例如壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的擠出吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，在基材1上涂布包含粘合劑的組合物并干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成粘合劑層2。作為涂布方式可以列舉輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，涂布可以直接在基材1上進(jìn)行，也可以涂布到表面進(jìn)行剝離處理后的剝離紙等上后轉(zhuǎn)印到基材1上。然后，在基材1上涂布粘合劑組合物形成涂膜后，在規(guī)定條件下使該涂膜干燥(根據(jù)需要進(jìn)行加熱交聯(lián))，形成粘合劑層前體。作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如 輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件可以根據(jù)涂膜的厚度或材料等進(jìn)行各種設(shè)定。具體而言，例如，在干燥溫度80 150°C、干燥時間0.5 5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外，可以在隔片上涂布粘合劑組合物形成涂膜后，在所述干燥條件下使涂膜干燥而形成粘合劑層前體。之后，將粘合劑層前體轉(zhuǎn)印到基材1上。在規(guī)定的條件下對這樣形成的粘合劑層前體進(jìn)行紫外線照射，由此形成粘合劑層2。作為紫外線的照射條件，其累積光量優(yōu)選在30 lOOOOmJ/cm2的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在100 500mJ/cm2的范圍內(nèi)。紫外線照射如果不足30mJ/cm2則有時粘合劑層的固化不充分。結(jié)果，與芯片接合薄膜的密合性增大，導(dǎo)致拾取性下降。另外，拾取后在芯片接合薄膜上產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，紫外線照射如果超過 1000mJ/cm2則有時對基材造成熱損害。另外，粘合劑層的固化過度進(jìn)行使拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，粘合力過度下降，由此在切割半導(dǎo)體晶片時，有時發(fā)生芯片飛散。然后，將用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布在剝離紙上至規(guī)定厚度，進(jìn)而在規(guī)定條件下干燥而形成芯片接合薄膜3。通過將該芯片接合薄膜3轉(zhuǎn)印到所述粘合劑層 2上，形成切割/芯片接合薄膜。由此，得到本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)參考圖3對使用本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜11的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。首先，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜11的芯片接合薄膜3’上，并且在粘合劑層2的粘貼切割環(huán)的部分2c (參考圖2)粘貼切割環(huán)12 (參考圖2)。粘合劑層2 含有上述的聚合物和上述含量為0. 5 2重量份的交聯(lián)劑，并且通過在規(guī)定條件下照射紫外線而固化，粘合劑層2的粘貼切割環(huán)的部分2c對鏡面硅晶片的180°剝離粘合力在上述數(shù)值范圍內(nèi)，并且粘貼切割環(huán)的部分2c的23°C下的拉伸儲能彈性模量在上述數(shù)值范圍內(nèi)。 結(jié)果，粘合劑層2在所述2c部分可以保持高粘合力，在后述的切割半導(dǎo)體晶片時，可以抑制切割/芯片拉合薄膜11從切割環(huán)上剝離。本工序在用壓接輥等按壓手段按壓的同時進(jìn)行。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為規(guī)定的尺寸而小片化，形成半導(dǎo)體芯片5。切割例如可以從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)按照常規(guī)方法進(jìn)行。另外，本工序中，例如可以采用完全切入至芯片接合薄膜3處的、稱為全切的切割方式等。由于芯片接合薄膜3含有環(huán)氧樹脂而構(gòu)成，因此即使通過切割被切斷，也可以防止在其切割面上產(chǎn)生膠粘劑的膠糊冒出。結(jié)果，可以防止切割面相互再附著(粘連)，從而可以更好地進(jìn)行后述的拾取。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。 另外，半導(dǎo)體晶片4由于通過芯片接合薄膜3膠粘固定，因此可以抑制芯片缺陷或芯片飛散，同時也可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。另外，即使是在通過切割切入至粘合劑層2的情況下，由于粘合劑層2通過紫外線照射而固化，因此也可以防止絲屑等的產(chǎn)生。然后，進(jìn)行切割/芯片接合薄膜11的擴張。擴張使用現(xiàn)有公知的擴張裝置進(jìn)行。 擴張裝置具有能夠通過切割環(huán)將切割/芯片接合薄膜11向下方下推的圓環(huán)(donuts)狀外環(huán)、和直徑比該外環(huán)小且用于支撐切割/芯片接合薄膜11的內(nèi)環(huán)。切割/芯片接合薄膜11 中，僅粘合劑層2的所述部分加通過紫外線照射而固化，其它部分2b未固化，因此，能夠充分地擴大相鄰半導(dǎo)體芯片間的間隙而不發(fā)生斷裂。結(jié)果，在后述的拾取時，能夠防止半導(dǎo)體芯片相互接觸而破損。為了剝離膠粘固定在切割/芯片接合薄膜11上的半導(dǎo)體芯片5，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片 5的拾取。拾取在不對粘合劑層2照射紫外線的情況下進(jìn)行。拾取方法沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/芯片接合薄膜11 一側(cè)將各個半導(dǎo)體芯片5向上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜11中，粘合劑層2與芯片接合薄膜3的剝離性良好，因此例如即使減少針數(shù)、或者減小上推量也能夠提高成品率而進(jìn)行拾取。拾取的半導(dǎo)體芯片5通過芯片接合薄膜3a膠粘固定在被粘物6上(芯片接合)。 被粘物6載置于加熱組合單元9上。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者另外制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物，也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等制成的有機襯底。但是，本發(fā)明不限于這些，也包括在安裝半導(dǎo)體元件并與半導(dǎo)體元件電連接后可以使用的電路板。芯片接合薄膜3為熱固型的情況下，通過加熱固化將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在被粘物6上，并使耐熱強度提高。另外，通過芯片接合薄膜3a將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定到襯底等上而形成的材料可以供給回流焊接工序。之后，進(jìn)行用焊線7將襯底的端子部(內(nèi)部端子)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊，再用密封樹脂8將半導(dǎo)體芯片密封，并使該密封樹脂8后固化。由此，制作本實施方式的半導(dǎo)體裝置。實施例以下，更具體地舉例說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，這些實施例中記載的材料或配合量等，如果沒有特別限定的記載，則不將本發(fā)明的范圍僅限定于此，這些只是說明例。 另外，各例中，如果沒有特別說明則“份”均為重量基準(zhǔn)。(實施例1)〈切割薄膜的制作〉在具有冷凝管、氮氣導(dǎo)入管、溫度計和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，加入86. 4份丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為“2EHA”)、13. 6份丙烯酸-2-羥基己酯(以下稱為“HEA”)、0. 2 份過氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮氣流中在61°C下進(jìn)行6小時聚合處理，得到丙烯酸類聚合物A。在該丙烯酸類聚合物A中加入14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(以下稱為 “Μ0Ι”)，在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行48小時加成反應(yīng)處理，得到丙烯酸類聚合物A，。然后，相對于100份丙烯酸類聚合物A’加入0.5份多異氰酸酯化合物(商品名
口才、一卜L”，日本聚氨酯株式會社制)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名“4 '^c ^r 651", 汽巴精化公司制)，制作粘合劑組合物溶液A。將粘合劑組合物溶液A涂布于PET剝離襯墊的經(jīng)聚硅氧烷處理后的面上，在120°C 加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度10 μ m的粘合劑層。然后，在形成的粘合劑層上粘貼聚烯烴薄膜。 之后，在50°C加熱M小時進(jìn)行交聯(lián)處理，再在比粘貼晶片的部分大并且比粘貼切割環(huán)的部分靠近中心側(cè)的范圍內(nèi)，使用日東精機制造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/ cm2的照度從聚烯烴薄膜一側(cè)照射紫外線使得累積光量為400mJ/cm2，制作切割薄膜A?！葱酒雍媳∧さ闹谱鳌祵h(huán)氧樹脂(a) (JER株式會社制，Epicoat 1001) 20份、酚醛樹脂(b)(三井化學(xué)株式會社制，MEH7851)22份、以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(c)(根上工業(yè)株式會社制，7 ^ π > W-197CM) 100份、和作為填料(d)的球形二氧化硅(7 F r ^ ^株式會社制，S0-25R) 180份溶解于甲乙酮中，調(diào)節(jié)濃度至23. 6重量％。 將該膠粘劑組合物的溶液涂布到PET剝離襯墊的經(jīng)聚硅氧烷處理后的面上，然后在130°C 干燥2分鐘。由此，制作厚度40 μ m的芯片接合薄膜A。<切割/芯片接合薄膜的制作>將上述切割薄膜A的剝離襯墊剝離，并在40士3°C下將芯片接合薄膜A的芯片接合薄膜層粘貼到照射紫外線后的部分，制作切割/芯片接合薄膜A。(實施例2)〈切割薄膜的制作〉除了將多異氰酸酯化合物的添加量設(shè)定為1份以外，與實施例1同樣操作，得到切割薄膜B。<切割/芯片接合薄膜的制作>將上述切割薄膜B的剝離襯墊剝離，并在40士3°C下將芯片接合薄膜A的芯片接合薄膜層粘貼到照射紫外線后的部分，制作切割/芯片接合薄膜B。(實施例3)〈切割薄膜的制作〉除了將多異氰酸酯化合物的添加量設(shè)定為2份以外，與實施例1同樣操作，得到切割薄膜C。<切割/芯片接合薄膜的制作>將上述切割薄膜C的剝離襯墊剝離，并在40士3°C下將芯片接合薄膜A的芯片接合薄膜層粘貼到照射紫外線后的部分，制作切割/芯片接合薄膜C。(實施例4)〈切割薄膜的制作〉除了將多異氰酸酯化合物的添加量設(shè)定為2份、并且添加30份紫外線固化性低聚物(商品名“紫光UV-1700B”，日本合成化學(xué)工業(yè)株式會社制)以外，與實施例1同樣操作， 得到切割薄膜D。<切割/芯片接合薄膜的制作>將上述切割薄膜D的剝離襯墊剝離，并在40士3°C下將芯片接合薄膜A的芯片接合薄膜層粘貼到照射紫外線后的部分，制作切割/芯片接合薄膜D。(比較例1)〈切割薄膜的制作〉除了將多異氰酸酯化合物的添加量設(shè)定為0. 3份以外，與實施例1同樣操作，得到切割薄膜E。<切割/芯片接合薄膜的制作>將上述切割薄膜E的剝離襯墊剝離，并在40士3°C下將芯片接合薄膜A的芯片接合薄膜層粘貼到照射紫外線后的部分，制作切割/芯片接合薄膜E。(比較例2)〈切割薄膜的制作〉除了將多異氰酸酯化合物的添加量設(shè)定為3份以外，與實施例1同樣操作，得到切割薄膜F。
<切割/芯片接合薄膜的制作>將上述切割薄膜F的剝離襯墊剝離，并在40士3°C下將芯片接合薄膜A的芯片接合薄膜層粘貼到照射紫外線后的部分，制作切割/芯片接合薄膜F。(與切割環(huán)粘貼的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力)首先，用含甲苯的抹布擦拭鏡面硅晶片，然后用含甲醇的碎布擦拭，再用含甲苯的抹布擦拭。然后，將切割薄膜的未照射紫外線的、與切割環(huán)粘貼的部分切割為20mm帶寬的條狀，然后將剝離襯墊剝離，并粘貼到上述鏡面硅晶片上。然后，在室溫環(huán)境下靜置30分鐘。靜置30分鐘后，在粘合劑層的表面與鏡面硅晶片的表面所成角度θ為180°、拉伸速度300mm/分鐘、室溫(23°C )的拉伸條件下，測定粘合力。結(jié)果如表1所示。(粘合劑的拉伸儲能彈性模量)在得到切割薄膜A F的工序中，粘貼PET剝離襯墊代替聚烯烴薄膜，制作用PET 剝離襯墊夾持的粘合劑層。對其在與制作切割薄膜時相同的條件下照射紫外線，制作用紫外線固化的粘合劑層。之后，切割為寬度50mm、長度IOOmm的條狀，將一個PET剝離襯墊剝離，僅將粘合劑層卷繞為棒狀，制作長度IOOmm的棒狀試樣。將該試樣在夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘、室溫(23°C)的條件下拉伸，由拉伸長度和應(yīng)力斜率求出拉伸儲能彈性模量(楊氏模量)。結(jié)果如表1所示。(切割性)在切割/芯片接合薄膜上，在40°C下粘貼磨削為75 μ m厚度的硅晶片，并在以下條件下進(jìn)行切割以得到IOmmX IOmm的尺寸。如果沒有產(chǎn)生芯片飛散則評價為〇、產(chǎn)生芯片飛散則評價為X。結(jié)果如表1所示。〈切割條件〉切割裝置:rM ”公司制，DFD-6361切割環(huán)2-8-1 (于 二公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl r ^f、二公司制 2050HEDD12 r ^、二公司制 2050HEBB切割刀片轉(zhuǎn)速Zl :40000rpmZ2 :40000rpm刀片高度Zl 0. 155mmZ2 :0. 085mm切割方式A模式/階段式切割晶片芯片尺寸10. Omm見方(拾取性)在以下條件下對進(jìn)行切割后的樣品進(jìn)行拾取?！词叭l件〉
芯片接合裝置株式會社新川制，SPA-300安裝框架于 二公司制2-8-1晶片類型鏡面晶片(Mirror Wafer)(無圖案)芯片尺寸10mmX IOmm芯片厚度75 μ m針根數(shù)9根針上推速度5mm/秒夾頭(^ > 7卜)保持時間1000毫秒擴張擴張量(引t落i 量)3mm針上推量300 μ m關(guān)于評價，拾取10個芯片，全部都能拾取的情況評價為〇，能夠拾取1 9個芯片的情況評價為Δ，全部不能拾取的情況評價為X。結(jié)果如表1所示。(晶片安裝評價)在以下條件下進(jìn)行晶片安裝，粘貼48小時后如果從切割環(huán)上剝離則評價為X，未剝離則評價為〇。將僅切割薄膜外圍翹起的情況也評價為X。結(jié)果如表1所示。(晶片安裝條件)晶片安裝裝置日東精機制MSA-840切割環(huán):rM ”公司制2-8-1晶片類型厚度760 μ m、直徑8英寸的鏡面晶片層壓溫度55°C層壓壓力2kgf層壓速度IOmm/秒工作盤(f W夕歹一歹卟)高度4mm(切割環(huán)上的膠糊殘留)用手將與切割環(huán)粘貼的切割/芯片接合薄膜剝離，如果肉眼看到在切割環(huán)上未殘留膠糊則評價為O、殘留膠糊則評價為X。結(jié)果如表1所示。表 權(quán)利要求
1.一種切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設(shè)置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有聚合物和交聯(lián)劑，并且通過在規(guī)定條件下的紫外線照射而固化，所述聚合物為使含有10 40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70 90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物，所述交聯(lián)劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團、并且相對于所述聚合物100重量份含量為0. 5 2重量份，所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度 23士3°C、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1. 0N/20mm帶寬以上且10. 0N/20mm帶寬以下，所述粘貼切割環(huán)的部分的23°C下的拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上且低于0. 4MPa,所述芯片接合薄膜粘貼到紫外線照射后的粘合劑層上。
2.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層中，相對于所述聚合物100重量份還含有5 100重量份的紫外線固化性的低聚物成分。
3.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述紫外線的照射在30 1000mJ/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。
4.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羥基單體為選自由 (甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯所組成的組中的至少任意一種。
5.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯中的至少任意一種。
6.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層不含丙烯酸。
7.一種切割/芯片接合薄膜的制造方法，用于制造具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，包括如下工序在所述基材上形成粘合劑層前體的工序，所述粘合劑層前體含有聚合物和交聯(lián)劑而構(gòu)成，所述聚合物為使含有10 40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70 90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物，所述交聯(lián)劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應(yīng)性的官能團、 并且相對于所述聚合物100重量份含量為0. 5 2重量份，在規(guī)定條件下對所述粘合劑層前體照射紫外線，從而形成所述粘合劑層的工序，所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23士3°C、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1. 0N/20mm帶寬以上且10. 0N/20mm帶寬以下、并且所述粘貼切割環(huán)的部分的23°C下的拉伸儲能彈性模量為0. 05MPa以上且低于0. 4MPa，和在所述粘合劑層上粘貼所述芯片接合薄膜的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，所述粘合劑層前體中，相對于所述聚合物100重量份還含有0 100重量份的紫外線固化性的低聚物成分。
9.如權(quán)利要求7所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，所述紫外線的照射在30 1000mJ/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，使用具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜制造半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括如下工序準(zhǔn)備權(quán)利要求1 6中所述的切割/芯片接合薄膜，并在所述粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分粘貼切割環(huán)的工序，將半導(dǎo)體晶片壓接在所述芯片接合薄膜上的工序，通過將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合薄膜一起切割而形成半導(dǎo)體芯片的工序，和將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合薄膜一起從所述粘合劑層上剝離的工序，并且從所述半導(dǎo)體晶片的壓接工序直到半導(dǎo)體芯片的剝離工序，在不對所述粘合劑層照射紫外線的情況下進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。所述切割/芯片接合薄膜可以在保持切割時的保持力的同時提高拾取時的剝離性，并且可以抑制切割/芯片接合薄膜從切割環(huán)上剝離。一種切割/芯片接合薄膜，其中，粘合劑層含有特定的異氰酸酯化合物與特定的丙烯酸類聚合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物以及特定的交聯(lián)劑，粘合劑層的粘貼切割環(huán)的部分的特定剝離粘合力為1.0N/20mm帶寬以上且10.0N/20mm帶寬以下，粘貼切割環(huán)的部分的23℃下的拉伸儲能彈性模量為0.05MPa以上且低于0.4MPa，芯片接合薄膜粘貼到紫外線照射后的粘合劑層上。
文檔編號H01L21/68GK102408845SQ201110293930
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者村田修平, 松村健, 柳雄一朗 申請人:日東電工株式會社