專利名稱：橋聯(lián)苯并咪唑-卡賓配合物及其在oled中的用途的制作方法
橋聯(lián)苯并咪唑-卡賓配合物及其在OLED中的用途
本發(fā)明涉及以下所示的式(I)雜配銥配合物
權利要求
1.通式(I)的金屬-卡賓配合物
2.根據(jù)權利要求I的金屬_卡賓配合物，其中式(I)中的變量各自定義如下R1獨立地為具有1-10個碳原子的線性或支化烷基，具有6-30個碳原子的取代或未被取代的芳基，或兩個R1基團與它們結合的碳原子一起形成取代或未被取代的C5或C6環(huán)，R5和R6 —起，或R6和R7 一起形成下式單元
3.根據(jù)權利要求I的金屬_卡賓配合物，其中式(I)中的變量各自定義如下R1獨立地為具有1-4個碳原子的線性或支化烷基，R6和R7 —起形成下式單元
4.包含至少一種根據(jù)權利要求1-3中任一項的金屬_卡賓配合物的發(fā)光層。
5.包含根據(jù)權利要求4的發(fā)光層的有機發(fā)光二極管。
6.包含根據(jù)權利要求1-3中任一項的金屬-卡賓配合物和至少一種式(V)化合物的有機發(fā)光二極管
7.包含根據(jù)權利要求1-3中任一項的金屬_卡賓配合物和至少一種式(II)化合物的有機發(fā)光二極管
8.包含根據(jù)權利要求1-3中任一項的金屬_卡賓配合物和至少一種式(VI)化合物的有機發(fā)光二極管
9.根據(jù)權利要求6-8中任一項的有機發(fā)光二極管,其包含含有至少一種根據(jù)權利要求 1-3中任一項的金屬-卡賓配合物的發(fā)射層、至少一種如權利要求6-8中任一項中所定義的式(II)、(V)和/或(VI)基體材料，和至少一種其它空穴傳輸基體材料。
10.包含根據(jù)權利要求4的發(fā)光層或根據(jù)權利要求5-9中任一項的有機發(fā)光二極管的器件，其選自固定視頻顯示裝置、移動視頻顯示裝置和照明工具。
11.根據(jù)權利要求1-3中任一項的金屬-卡賓配合物在有機發(fā)光二極管中的用途。
12.根據(jù)權利要求11的用途，其中所述金屬-卡賓配合物用作發(fā)射體、基體材料、電荷傳輸材料和/或電荷阻斷劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及通式(I)的金屬-卡賓配合物其中R5和R6一起，或R6和R7一起形成下式單元其中其中*表示與帶有R5和R6基團或R6和R7基團的苯環(huán)的碳原子的連接，且氧原子連接于帶有R5、R6或R7基團的碳原子上，且A為氧或硫。本發(fā)明進一步涉及包含至少一種本發(fā)明金屬-卡賓配合物的發(fā)光層和包含本發(fā)明發(fā)光層的有機發(fā)光二極管，選自固定視頻顯示裝置、移動視頻顯示裝置和照明工具的器件，和本發(fā)明金屬-卡賓配合物在有機發(fā)光二極管中，尤其是作為發(fā)射體、基體材料、電荷載體材料和電荷阻斷劑材料的用途。
文檔編號C09K11/06GK102939295SQ201180029147
公開日2013年2月20日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權日2010年4月16日
發(fā)明者O·莫爾特, C·倫納茨, K·多爾曼, E·弗茨, T·格斯納, N·蘭格爾, 渡邊宗一, C·席爾德克內(nèi)希特, G·瓦根布拉斯特 申請人:巴斯夫歐洲公司