專利名稱：晶片加工用膠帶的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶片加工用膠帶。特別是涉及一種具有膠粘膜及層疊型切割管芯焊接膜的晶片加工用膠帶，所述層疊型切割管芯焊接膜具有切割膠帶和管芯焊接膜這兩個功能。
背景技術：
在半導體裝置的制造工序中，實施將半導體晶片切割分離(dicing)成半導體芯片單元的工序、拾取分離的半導體芯片的工序、進一步將拾取的半導體芯片與引線框架或封裝基板等粘接的管芯焊接(安裝)工序。近年來，作為上述半導體裝置的制造工序中所使用的晶片加工用膠帶，提出了例如具有膠粘劑層的晶片加工用膠帶(膠粘膜)或具有在基材膜上層疊有粘合劑層、以及膠粘劑層的結構的晶片加工用膠帶(切割管芯焊接膜DDF)，已經被實用化。以在焊接時具有流動性為目的或以抑制固化收縮為目的，在膠粘膜中添加填料。在切割管芯焊接膜的情況下，以進一步提高切割時的切削性等為目的，也在膠粘劑層中添加填料(例如參照專利文獻1) 。[現有技術文獻][專利文獻][專利文獻1]日本特開2005-303275號公報

發(fā)明內容
但是，近年來，隨著半導體裝置的小型化、薄膜化的進展，根據膠粘膜或膠粘劑層的厚度與填料的尺寸的關系，有可能在半導體裝置中產生空隙或粘接不良。不加入環(huán)氧樹脂及固化劑時，固化收縮變大，在半導體芯片及基板上產生翹曲。因此，本發(fā)明是為了解決如上所述的問題點而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種可以防止在半導體裝置的制造工序中貼合晶片加工用膠帶時產生空隙或翹曲的膠粘性能高的晶片加工用膠帶。為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方式的晶片加工用膠帶的特征在于，具有至少含有丙烯酸系共聚樹脂、在室溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂、所述環(huán)氧樹脂的固化劑和填料的膠粘劑層，其中，相對于所述膠粘劑層的厚度χ μ m，所述填料的平均粒徑在0. 08X μ m以下。本發(fā)明的第二方式的晶片加工用膠帶的特征在于，在上述本發(fā)明的第一方式的晶片加工用膠帶中，相對于所述丙烯酸系共聚樹脂100質量份，含有30質量份以上145質量份以下的所述環(huán)氧樹脂及所述固化劑。本發(fā)明的第三方式的晶片加工用膠帶的特征在于，在上述本發(fā)明的第一或第二方式的晶片加工用膠帶中，在設置于基材膜上的粘合劑層上層疊有所述膠粘劑層。發(fā)明效果通過使用本發(fā)明的晶片加工用膠帶，可以防止半導體裝置的制造工序中貼合晶片加工用膠帶時的空隙或翹曲的產生，同時，通過防止空隙或翹曲的產生，可以謀求半導體裝置的成品率的提高。另外，可得到保持較高的粘接力且可靠性高的半導體裝置。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的晶片加工用膠帶的構成的剖面圖。圖2是示意性地表示在晶片加工用膠帶上貼合有半導體晶片及晶片環(huán)的狀態(tài)的說明圖。圖3是用于示意性地說明切割工序的說明圖。圖4是用于示意性地說明擴展工序的說明圖。圖5是用于示意性地說明拾取工序的說明圖。[符號的說明]1 半導體晶片2:半導體芯片10:晶片加工用膠帶12a 基材膜12b 粘合劑層12 粘合劑膜13 膠粘劑層20 環(huán)形架21 切割板22 吸附臺30 頂出部件31 針32 吸附夾具
具體實施例方式下面，基于附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。如圖1所示，本實施方式的晶片加工用膠帶10具有由膜狀的基材膜12a和在其上所形成的粘合劑層12b構成的粘合劑膜12、以及層疊于該粘合劑膜12上的膠粘劑層13。 這樣，在晶片加工用膠帶10中依次形成了基材膜12a、粘合劑層12b和膠粘劑層13。需要說明的是，粘合劑層12b既可以由一層粘合劑層構成，也可以由層疊有兩層以上的粘合劑層的層構成。另外，在圖1中例示了為了保護膠粘劑層13，在晶片加工用膠帶 10上設置剝離覆面層11的情形。粘合劑膜12及膠粘劑層13可以根據使用工序或裝置預先切割(預切割)成規(guī)定形狀。本發(fā)明的晶片加工用膠帶10包括切割成一張張半導體晶片的狀態(tài)和將形成了多個半導體晶片的長條狀膜卷繞成輥狀的狀態(tài)。下面，對本實施方式的晶片加工用膠帶10的各構成要素進行詳細說明。(膠粘劑層)膠粘劑層13在貼合于半導體晶片1等上再被切割(參照后述的圖3)后，在拾取單片半導體芯片2時(參照后述的圖5)，附著于半導體芯片2的背面，作為將半導體芯片2 固定于基板或引線框架等時的膠粘劑使用。膠粘劑層13至少含有丙烯酸系共聚樹脂、在室溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂、環(huán)氧樹脂的固化劑和填料，此外，可以混合可在膠粘劑中使用的公知的聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、 聚醚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、 聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、聚氨酯樹脂、在室溫下為固態(tài)的環(huán)氧樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、密胺樹脂等。丙烯酸系共聚物通過將包含具有環(huán)氧基的(甲基)丙烯酸酯單體、丙烯腈及其它共聚性單體的單體溶液利用自由基聚合法等進行溶液聚合來得到。另外，在聚合時，作為聚合引發(fā)劑，使用過氧化苯甲酰、過氧化二異丙苯、二丁基過氧化物、叔丁基過氧化苯甲酸酯等有機過氧化物，偶氮二異丁腈、偶氮二戊腈等偶氮系化合物。作為具有環(huán)氧基的(甲基) 丙烯酸酯單體，使用甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等具有共聚性雙鍵的化合物。丙烯酸系共聚物的重均分子量優(yōu)選為5萬以上，特別優(yōu)選在20萬 100萬的范圍內。 重均分子量過低時，膜形成不充分，過高時，與其它成分的相溶性變差，結果是妨礙膜的形成。環(huán)氧樹脂只要在固化后呈現膠粘作用、且在室溫下為液態(tài)，就沒有特別限定，可以使用二官能團以上、且優(yōu)選的重均分子量低于5000、更優(yōu)選低于3000的環(huán)氧樹脂。進一步優(yōu)選可以使用重均分子量為500以上、特別優(yōu)選為800以上的環(huán)氧樹脂。可列舉例如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂、脂肪族鏈狀環(huán)氧樹脂、線形酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙酚A 酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙酚的二縮水甘油醚化物、萘二醇的二縮水甘油醚化物、酚類的二縮水甘油醚化物、醇類的二縮水甘油醚化物及它們的烷基取代體、鹵化物、氫化物等二官能環(huán)氧樹脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂。另外，也可以應用多官能環(huán)氧樹脂或含雜環(huán)環(huán)氧樹脂等一般公知的環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用或組合兩種以上使用。而且，可以在不損害特性的范圍內含有環(huán)氧樹脂以外的成分作為雜質。作為環(huán)氧樹脂的固化劑，可以使用例如酚系樹脂。作為酚系樹脂，沒有特別限定地使用烷基酚、多元酚、萘酚、亞聯(lián)苯基等酚類與醛類的縮合物等。這些酚系樹脂中所含的酚性羥基通過加熱可容易地與環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基進行加成反應，而形成耐沖擊性高的固化物。在酚系樹脂中，優(yōu)選使用酚醛清漆樹脂、鄰甲酚酚醛清漆樹脂、對甲酚酚醛清漆樹月旨、叔丁 基酚醛樹脂、二環(huán)戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯苯酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、苯酚-亞聯(lián)苯基樹脂或它們的改性物等。作為其它固化劑，也可以使用熱活性型潛在性環(huán)氧樹脂固化劑。該固化劑為是在室溫下不與環(huán)氧樹脂反應，通過某種溫度以上的加熱而活化與環(huán)氧樹脂反應的類型的固化齊U。作為活化方法，有以下方法通過加熱引起的化學反應生成活性種(陰離子、陽離子) 的方法；在室溫附近穩(wěn)定地分散于環(huán)氧樹脂中并在高溫下與環(huán)氧樹脂相溶、溶解，引發(fā)固化反應的方法；利用分子篩封入類型的固化劑在高溫下溶出并引發(fā)固化反應的方法；利用微膠囊的方法等。作為熱活性型潛在性環(huán)氧樹脂固化劑，可以列舉各種鐺鹽或二元酸二酰胼化合物、雙氰胺、胺加合物固化劑、咪唑化合物等高熔點活性氫化合物等。 另外，膠粘劑層13優(yōu)選相對于上述丙烯酸系共聚樹脂100質量份，含有30質量份以上145質量份以下的上述環(huán)氧樹脂及環(huán)氧樹脂的固化劑。另外，也可以使用固化促進劑等作為助劑。作為可以用于本發(fā)明的固化促進劑，沒有特別限制，可以使用例如叔胺、咪唑類、季銨鹽等。作為本發(fā)明中優(yōu)選使用的咪唑類，可列舉例如2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯等，這些物質也可以使用1種或并用2種以上。咪唑類例如由四國化成工業(yè)株式會社以2E4MZ、2PZ、2PZ-CN、2PZ-CNS這樣的商品名市售。作為填料，可列舉結晶二氧化硅、合成二氧化硅等二氧化硅或氧化鋁、玻璃球等無機填料。作為無機填料，沒有特別限制，可列舉例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶質二氧化硅、非晶質二氧化硅等。這些填料也可以使用1種或并用2種以上。為了提高熱傳導性， 優(yōu)選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等。在特性的平衡的觀點考慮，優(yōu)選二氧化硅。相對于膠粘劑層13的厚度X μ m，填料的平均粒徑為0. 08X μ m以下(Χ μ m的0. 08 倍以下)。這樣，填料的平均粒徑相對于膠粘劑層13的厚度充分小，從而可以防止在將膠粘劑層13粘貼于半導體晶片1時卷入空氣而產生空隙。在此，填料的平均粒徑相對于膠粘劑層13的厚度X μ m，為0. 08X μ m時，整體地成為小徑，在粘貼于半導體晶片1時流動性變差， 但在本發(fā)明中，使用在室溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂作為熱固化成分，因此，可以容易地粘貼于半導體晶片1。而且，為了使不同種材料間的界面結合良好，也可以配合偶聯(lián)劑。作為偶聯(lián)劑，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑。作為硅烷偶聯(lián)劑，可列舉Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-巰基丙基三甲氧基硅烷、Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、Y-脲基丙基三乙氧基硅烷、N-β-氨基乙基_ Y _氨基丙基三甲氧基硅烷等。就偶聯(lián)劑的配合量而言，從添加產生的效果或耐熱性及成本方面考慮，相對于形成分散相和連續(xù)相的各組合物的總計100質量份，優(yōu)選添加0. 1 10質量份。另外，清漆化的溶劑優(yōu)選使用沸點比較低的甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁酮、2-乙氧基乙醇、甲苯、丁基溶纖劑、甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇等。另外，可以以提高涂膜性等目的加入高沸點溶劑。作為高沸點溶劑，可列舉二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、甲基吡咯烷酮、 環(huán)己酮等。膠粘劑層13的厚度優(yōu)選5 20 μ m左右。(粘合劑膜)作為粘合劑膜12，沒有特別限制，只要在切割半導體晶片1時(參照后述的圖3)， 具有不使半導體晶片1剝離的充分的粘合力，而在切割后拾取單片半導體芯片2時(參照后述的圖5)，顯示可以容易地從膠粘劑層13剝離的低的粘合力即可。例如，優(yōu)選使用在基材膜12a上設有粘合劑層12b的粘合劑膜。作為粘合劑膜12的基材膜12a，只要為現有公知的基材膜，就可以沒有特別限制地使用，但在使用放射線固化性的材料作為后述的粘合劑層12b時，優(yōu)選使用具有放射線透射性的基材膜。
例如，作為其材料，可以列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯_ 1、 聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、離聚物等α -烯烴的均聚物或共聚物或者它們的混合物， 聚氨酯、苯乙烯_乙烯_ 丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺_多元醇共聚物等熱塑性彈性體及它們的混合物。另外，基材膜12a可以為選自上述這些組中的2種以上的材料的混合物，這些基材膜可以為單層或多層的基材膜?；哪?2a的厚度沒有特別限定，可適當設定，優(yōu)選為50 200 μ m。 作為粘合劑膜12的粘合劑層12b中所使用的樹脂，沒有特別限定，只要在擴展時 (參照后述的圖4)具有不使膠粘劑層13及半導體晶片1剝離的程度的保持性，在拾取時 (參照后述的圖5)具有容易與膠粘劑層13剝離的特性即可。為了使拾取性提高，粘合劑層 12b優(yōu)選放射線固化性的粘合劑層。優(yōu)選例如在粘合劑中所使用的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、加成反應型有機聚硅氧烷系樹脂、硅丙烯酸酯樹脂、乙烯_醋酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸乙酯共聚物、乙烯_丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、聚異戊二烯或苯乙烯 丁二烯共聚物或其氫化物等各種彈性體等或在其混合物中適當配合放射線聚合性化合物而制備粘合劑。另外，可以加入各種表面活性劑或表面平滑劑。粘合劑層 12b的厚度可以沒有特別限定地適當設定，優(yōu)選5 30 μ m。聚合性化合物可使用例如在通過光照射可以三維網狀化的分子內具有至少2個以上光聚合性碳_碳雙鍵的低分子量化合物或在取代基上具有光聚合性碳_碳雙鍵基團的聚合物或低聚物。具體而言，可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等、硅丙烯酸酯等丙烯酸或各種丙烯酸酯類的共聚物等。另外，除如上所述的丙烯酸酯系化合物之外，還可以使用尿烷丙烯酸酯系低聚物。 尿烷丙烯酸酯系低聚物是使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯尿烷預聚物反應而得到的，所述末端異氰酸酯尿烷預聚物是使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物和多元異氰酸酯化合物(例如 2,4-甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、1，3_ 二甲苯二異氰酸酯、1，4_ 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷4，4_ 二異氰酸酯等)反應而得到的。需要說明的是，在粘合劑層12b中可以混合選自上述樹脂中的2種以上。另外，以上列舉的粘合劑的材料優(yōu)選將表面自由能量設定為40mJ/m2以下，而且在分子結構中盡可能多地含有三氟甲基、二甲基甲硅烷基、長鏈烷基等無極性基團。需要說明的是，在粘合劑層12b的樹脂中，除配合對基材膜12a照射放射線而使粘合劑層12b固化的放射線聚合性化合物之外，也可以適當配合丙烯酸系粘合劑、光聚合引發(fā)劑、固化劑來制備粘合劑。使用光聚合引發(fā)劑時，可以使用例如苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、二苯甲酮、米氏酮(Michler ketone)、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、芐基二甲基縮酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發(fā)劑的配合量相對于丙烯酸系共聚物100質量份，優(yōu)選0. 01 5質量份。需要說明的是，在上述實施方式中，對作為切割管芯焊接膜的晶片加工用膠帶進行說明，但也可以應用于膠粘膜。膠粘膜在脫模膜上具有由與上述實施方式同樣的膠粘劑組合物形成的膠粘劑層。作為脫模膜，可使用例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯·醋酸乙烯酯共聚物膜、離聚物樹脂膜、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亞胺膜、氟樹脂膜等。另外，也可使用它們的交聯(lián)膜。而且，可以為它們的層疊膜。脫模膜的表面張力優(yōu)選為40mN/m以下，更優(yōu)選為35mN/m以下。脫模膜的膜厚通常為5 300 μ m，優(yōu)選為10 200 μ m，特別優(yōu)選為20 150 μ m左右。膠粘膜可以在膠粘劑層上進一步包覆保護膜而使用。該情況下，剝離膠粘劑層上的保護膜，例如在上述粘合劑膜的粘合劑層上重疊露出的膠粘劑層后，從膠粘劑層剝離上述膜，由此可以在粘合劑層上容易地設置膠粘劑層。作為上述保護膜，只要可以從上述膠粘劑層剝離，就沒有限定，優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜。另外，上述各保護膜優(yōu)選對硅進行涂敷或燒結。保護膜的厚度沒有特別限定，優(yōu)選15 125μπι。(晶片加工用膠帶的使用方法)在半導體裝置的制造工序中，晶片加工用膠帶10以如下的方式使用。在圖2中例示了在晶片加工用膠帶10上貼合有半導體晶片1和環(huán)形架20的情形。首先，如圖2所示， 將粘合劑膜12的粘合劑層12b粘貼于環(huán)形架20，使半導體晶片1貼合于膠粘劑層13。其粘貼順序沒有限制，可以在使半導體晶片1貼合于膠粘劑層13后，再將粘合劑膜12的粘合劑層12b粘貼于環(huán)形架20。另外，也可以同時進行粘合劑膜12與環(huán)形架20的粘貼和半導體晶片1與膠粘劑層13的粘合。進而，實施半導體晶片1的切割工序(圖3)，接著，對粘合劑膜12實施照射能量射線、例如紫外線的工序。具體而言，為了用切割刀片21切割半導體晶片1和膠粘劑層13， 利用吸附臺22從粘合劑膜12的下表面?zhèn)任讲⒅尉庸び媚z帶10。而且，利用切割刀片21將半導體晶片1和膠粘劑層13切割成2單元的半導體芯片并使其單片化，其后，從粘合劑膜12的下面?zhèn)日丈淠芰可渚€。通過該能量射線照射，使粘合劑層12b固化，使其粘合 力降低。需要說明的是，可以取代能量射線的照射，而利用加熱等外部刺激使粘合劑膜12 的粘合劑層12b的粘合力降低。在粘合劑層12b由兩層以上的粘合劑層層疊而構成的情況下，可以通過能量射線照射使各粘合劑層內的一層或所有層固化，使各粘合劑層內的一層或所有層的粘合力降低。其后，如圖4所示，實施將保持有切割成的半導體芯片2及膠粘劑層13的粘合劑膜12沿環(huán)形架20的直徑方向和圓周方向拉伸的擴展工序。具體而言，對于保持有切割成的多個半導體芯片2及膠粘劑層13的狀態(tài)的粘合劑膜12，使中空圓柱形的頂出部件30從粘合劑膜12的下表面?zhèn)壬仙?，將粘合劑?2沿環(huán)形架20的直徑方向或圓周方向拉伸。通過擴展工序，加寬了半導體芯片2之間的間隔，提高了 CCD照相機等對半導體芯片2的辨識性，同時，可以防止在拾取時由于鄰接的半導體芯片2之間的接觸而產生的半導體芯片2之間的再粘接。
實施擴展工序后，如圖5所示，在擴展了粘合劑膜12的狀態(tài)下直接實施拾取半導體芯片2的拾取工序。具體而言，從粘合劑膜12的下面?zhèn)壤冕?1將半導體芯片2頂起， 同時，從粘合劑膜12的上面?zhèn)扔梦綂A具32吸附半導體芯片2，由此，將單片的半導體芯片 2與膠粘劑層13—起拾取。進而，實施拾取工序后，實施管芯焊接工序。具體而言，利用在拾取工序中與半導體芯片2 —同拾取的膠粘劑層13，將半導體芯片2與引線框架或封裝基板等粘接。(實施例)下面，對本發(fā)明的實施例進行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。(膠粘膜的制作)在按照下述表1所示的方式配合的膠粘劑層組合物IA IJ中加入甲基乙基酮并進行攪拌混合，制作膠粘劑清漆。在剝離覆面層上以干燥后的厚度為5μπι、6μπι、7μπι、 18 μ m、20 μ m的方式涂抹制成的膠粘劑層組合物IA IJ的膠粘劑清漆，在110°C下干燥3 分鐘，在各個剝離覆面層上制作膠粘劑層。接著，在各膠粘劑層上貼合與上述相同的其它脫模膜，制作依次層疊有下述表2所示的實施例1 6及下述表3所示的比較例1 7中的剝離覆面層、膠粘劑層和脫模膜這3層構成的膠粘膜。[表 1]
權利要求
1.一種晶片加工用膠帶，其特征在于，具有至少含有丙烯酸系共聚樹脂、在室溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂、所述環(huán)氧樹脂的固化劑和填料的膠粘劑層，其中，相對于所述膠粘劑層的厚度Χμ m，所述填料的平均粒徑在0. OSXym以下。
2.如權利要求1所述的晶片加工用膠帶，其特征在于，相對于所述丙烯酸系共聚樹脂100質量份，含有30質量份以上145質量份以下的所述環(huán)氧樹脂及所述固化劑。
3.如權利要求1或2所述的晶片加工用膠帶，其特征在于， 在設置于基材膜上的粘合劑層上層疊有所述膠粘劑層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠防止在半導體裝置的制造工序中貼合晶片加工用膠帶時產生的空隙或翹曲的膠粘性能高的晶片加工用膠帶。一種晶片加工用膠帶，其具有至少含有丙烯酸系共聚樹脂、在室溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂、環(huán)氧樹脂的固化劑和填料的膠粘劑層，其特征在于，相對于膠粘劑層的厚度Xμm，填料的平均粒徑為0.08Xμm以下。
文檔編號C09J163/00GK102220091SQ201110078898
公開日2011年10月19日 申請日期2011年3月28日 優(yōu)先權日2010年3月31日
發(fā)明者盛島泰正, 石渡伸一, 金永錫, 鈴木俊宏 申請人:古河電氣工業(yè)株式會社