專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例實(shí)施例總體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法，更具體地說(shuō)，涉及一種具有改進(jìn)的OLED結(jié)構(gòu)的OLED顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
有源矩陣式OLED顯示器包括具有陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)射層和陰極的有機(jī)發(fā)光元件以及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件的薄膜晶體管(TFT)。在有源矩陣式OLED顯示器中，從陽(yáng)極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合以產(chǎn)生激子，通過(guò)在激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量來(lái)發(fā)射光。OLED顯示器通過(guò)這種發(fā)光來(lái)顯示圖像。有機(jī)發(fā)光元件可被形成為使得有機(jī)發(fā)射層和陰極可順序地堆疊在與TFT連接的陽(yáng)極上。在這種結(jié)構(gòu)中，由于陽(yáng)極與TFT連接，所以TFT是ρ型TFT，因此，TFT的半導(dǎo)體層由例如通過(guò)結(jié)晶工藝形成的多晶硅制成。然而，在這種情況下，不容易執(zhí)行或獲得均勻的結(jié)晶，因而這樣形成的半導(dǎo)體層的特性會(huì)不均勻。因此，具有這種不均勻的半導(dǎo)體層的OLED顯示器會(huì)具有不均勻的發(fā)光特性，和/或該OLED顯示器會(huì)變得有缺陷。如果OLED顯示器的尺寸增大，則該問(wèn)題將變得更加嚴(yán)重。在本背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)描述的技術(shù)的背景的理解，因此可能包含在本國(guó)中的本領(lǐng)域技術(shù)人員已經(jīng)知道的不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，實(shí)施例涉及一種OLED顯示器及其制造方法，該OLED顯示器及其制造方法基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。因此，實(shí)施例的特征在于提供一種具有改進(jìn)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的OLED顯示器。因此，實(shí)施例的另一特征在于提供一種具有改進(jìn)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)而不損壞有機(jī)發(fā)射層的OLED顯示器的制造方法。上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可通過(guò)提供一種OLED顯示器來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述 OLED顯示器包括基底，在基底上限定有多個(gè)像素；TFT，位于每個(gè)像素處；陰極，電連接到 TFT ；有機(jī)發(fā)射層，位于陰極上；陽(yáng)極，位于有機(jī)發(fā)射層上。陽(yáng)極可包括位于有機(jī)發(fā)射層上的輔助層、位于輔助層上的導(dǎo)電層和位于導(dǎo)電層上的絕緣層。輔助層可包含氧化鎢、氧化鉬、富勒烯(C60)、銅酞菁(CuPc)、四氰基醌二甲烷 (TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁銅(F16CuPc)中的至少一種。導(dǎo)電層可包括銀、鋁、鉻、釤和它們的合金中的至少一種。 絕緣層可包括氧化硅、氮化硅、氧化鉬、氧化鎢和官能化的喹啉鋁中的至少一種。這里，輔助層可包含氧化鎢，導(dǎo)電層可包含銀，并且絕緣層可包含氧化鎢。這里，輔助層可通過(guò)堆疊包含能級(jí)低于構(gòu)成有機(jī)發(fā)射層的層的材料的能級(jí)的低能級(jí)材料層以及包含偶極材料的偶極材料層來(lái)形成。低能級(jí)材料層可包含氧化鎢。偶極材料層可包含氧化鉬、富勒烯、銅酞菁、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁銅(F16CuPc)中的至少一種。導(dǎo)電層可具有范圍從大約8nm至大約Mnm的厚度。絕緣層可具有范圍從大約30nm 至大約SOnm的厚度。低能級(jí)材料層可具有范圍從大約5nm至大約40nm的厚度，偶極材料層可具有大約IOnm或更小的厚度。輔助層、導(dǎo)電層和絕緣層可通過(guò)熱蒸發(fā)形成。上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)也可通過(guò)提供一種制造OLED顯示器的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述方法包括以下步驟準(zhǔn)備具有形成在基底上的多個(gè)像素的基底；在每個(gè)像素處形成TFT ；形成陰極，使得陰極與TFT電連接；在陰極上形成有機(jī)發(fā)射層；在有機(jī)發(fā)射層上形成陽(yáng)極。在形成陽(yáng)極的步驟中，輔助層、導(dǎo)電層和絕緣層可通過(guò)熱蒸發(fā)順序地形成在有機(jī)發(fā)射層上。輔助層可包含氧化鎢、氧化鉬、富勒烯(C60)、銅酞菁(CuPc)、四氰基醌二甲烷 (TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁銅(F16CuPc)中的至少一種。導(dǎo)電層可包含銀、鋁、鉻、釤和它們的合金中的至少一種。 絕緣層可包含氧化硅、氮化硅、氧化鉬、氧化鎢和官能化的喹啉鋁中的至少一種。這里，輔助層可包含氧化鎢，導(dǎo)電層可包含銀，絕緣層可包含氧化鎢。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講將變得更加清楚，在附圖中圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的布局圖；圖2示出了沿圖2中的線II-II截取的剖視圖；圖3示出了圖2中的部分“A”的放大圖；圖4示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的陽(yáng)極部分的放大圖；圖5示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，示例實(shí)施例可以以不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了示出的清楚，可夸大層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)理解的是，當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時(shí)，該層或元件可直接在所述另一層或基底上，或者也可存在中間層。另外，還將理解的是，當(dāng)層被稱作“在”兩個(gè)層“之間”時(shí)，該層可以是所述兩個(gè)層之間的唯一層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D1至圖4描述根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器。圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器的布局圖，圖2示出了沿圖1中的線II-II截取的剖視圖。如圖1和圖2所示，根據(jù)本示例性實(shí)施例的OLED顯示器101可包括形成在限定在基底主體111上的多個(gè)像素中的每個(gè)像素處的開關(guān)薄膜晶體管(TFT) 10、驅(qū)動(dòng)TFT 20、存儲(chǔ)電容器80和有機(jī)發(fā)光元件70(例如，0LED70)。OLED顯示器101還可包括沿一個(gè)方向設(shè)置的柵極線151、與柵極線151交叉并與柵極線151絕緣的數(shù)據(jù)線171以及共電源線172。這里，可由柵極線151、數(shù)據(jù)線171和共電源線172作為邊界來(lái)限定各個(gè)像素，然而示例實(shí)施例不必局限于此。緩沖層120可以額外地形成在基底主體111、開關(guān)TFT 10以及有機(jī)發(fā)光元件70等之間。緩沖層120用于使表面平滑同時(shí)防止不必要的組分(例如，雜質(zhì)元素或濕氣)的侵入。然而，緩沖層120不是必需的，并且可以根據(jù)基底主體111的類型和加工條件而省略。有機(jī)發(fā)光元件70可包括陰極710 ；有機(jī)發(fā)射層720，形成在陰極710上；陽(yáng)極 730，形成在有機(jī)發(fā)射層720上。這里，一個(gè)或更多個(gè)陰極710形成在每個(gè)像素處，因而OLED 顯示器101可具有多個(gè)單獨(dú)的陰極710。當(dāng)激子(即，由注入到有機(jī)發(fā)射層720中的空穴和電子結(jié)合而產(chǎn)生)從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時(shí)，發(fā)射光。有機(jī)發(fā)射層720可包括低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)材料。有機(jī)發(fā)射層720 可形成為包括發(fā)光層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個(gè)或多個(gè)的單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，如果有機(jī)發(fā)射層720包括上述層中的全部層，則EIL可設(shè)置在陰極710上，并且ETL、有機(jī)發(fā)射層、HTL和HIL可順序地堆疊在EIL 上。應(yīng)該注意的是，在本示例性實(shí)施例中，使用了倒置的結(jié)構(gòu)，其中陰極710連接到驅(qū)動(dòng)TFT 20，并且有機(jī)發(fā)射層720和陽(yáng)極730順序地堆疊在陰極710上。隨后，將參照?qǐng)D3詳細(xì)描述該倒置的結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)電容器80包括設(shè)置有層間絕緣層160的一對(duì)存儲(chǔ)板158和178，層間絕緣層 160置于存儲(chǔ)板158和178之間。這里，層間絕緣層160是介電材料。通過(guò)在充入到存儲(chǔ)電容器80以及一對(duì)存儲(chǔ)板158和178中的電荷之間形成的電壓來(lái)確定電容。開關(guān)TFT 10包括開關(guān)半導(dǎo)體層131、開關(guān)柵極152、開關(guān)源極173和開關(guān)漏極174。 驅(qū)動(dòng)TFT 20包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O155、驅(qū)動(dòng)源極176和驅(qū)動(dòng)漏極177。在本示例性實(shí)施例中，開關(guān)半導(dǎo)體層131和開關(guān)柵極152被形成為在它們之間設(shè)置柵絕緣層140， 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132和驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O155被形成為在它們之間設(shè)置柵絕緣層140。開關(guān)半導(dǎo)體層 131、開關(guān)源極173和開關(guān)漏極174通過(guò)形成在柵絕緣層140和層間絕緣層160處的接觸孔連接，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132、驅(qū)動(dòng)源極176和驅(qū)動(dòng)漏極177通過(guò)形成在柵絕緣層140和層間絕緣層160處的接觸孔連接，然而示例實(shí)施例不限于這種結(jié)構(gòu)。開關(guān)TFT 10用作用于選擇發(fā)光的像素的開關(guān)元件。開關(guān)柵極152連接到柵極線 151，并且開關(guān)源極173連接到數(shù)據(jù)線171。開關(guān)漏極174被設(shè)置為與開關(guān)源極173分隔開并與一個(gè)存儲(chǔ)板158連接。驅(qū)動(dòng)TFT 20將用于在選定的像素內(nèi)使有機(jī)發(fā)光元件70的有機(jī)發(fā)射層720發(fā)光的驅(qū)動(dòng)功率施加到陰極710。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O155與連接到開關(guān)漏極174的存儲(chǔ)板158連接。驅(qū)動(dòng)源極176和另一存儲(chǔ)板178與共電源線172連接。驅(qū)動(dòng)漏極177通過(guò)平坦化層180的接觸孔連接到有機(jī)發(fā)光元件70的陰極710。然而，示例實(shí)施例不限于此，可不形成平坦化層180， 例如，驅(qū)動(dòng)漏極177和陰極710可形成在同一層上。與各個(gè)像素對(duì)應(yīng)的陰極710通過(guò)像素限定膜190被保持為彼此絕緣。利用這種結(jié)構(gòu)，開關(guān)TFT 10由施加到柵極線151的柵電壓操作，以將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT 20。對(duì)應(yīng)于由共電源線172施加到驅(qū)動(dòng)TFT 20的共電
6壓與從開關(guān)TFT 10施加的數(shù)據(jù)電壓之間的差的電壓被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器80中，與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器80中的電壓對(duì)應(yīng)的電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)TFT 20流至有機(jī)發(fā)光元件70，以使有機(jī)發(fā)光元件70能夠發(fā)光?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D2和圖3詳細(xì)描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件70。圖3示出了圖2中的部分“A”的放大圖。在本示例性實(shí)施例中，如上所述，有機(jī)發(fā)光元件70可包括倒置的結(jié)構(gòu)。因此，陰極 710可連接到驅(qū)動(dòng)TFT 20，有機(jī)發(fā)射層720和陽(yáng)極730可順序地堆疊在陰極710上，S卩，陰極710可在有機(jī)發(fā)射層720和驅(qū)動(dòng)TFT 20之間。如圖2中所示，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132包括溝道區(qū)135以及源區(qū)136和漏區(qū)137，在溝道區(qū)135上未摻雜雜質(zhì)，源區(qū)136和漏區(qū)137位于溝道區(qū)135的兩側(cè)并具有摻雜在其中的雜質(zhì)。在本示例性實(shí)施例中，由于陰極710連接到驅(qū)動(dòng)TFT 20，所以源區(qū)136和漏區(qū)137可摻雜有η型雜質(zhì)。按這種方式，由于本示例性實(shí)施例具有倒置的結(jié)構(gòu)，所以TFT (例如，驅(qū)動(dòng) TFT 20)可被形成為η型TFT。因此，開關(guān)半導(dǎo)體層131和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132可由不需要結(jié)晶工藝的氧化物半導(dǎo)體材料制成。因此，可省略結(jié)晶工藝并且可改善半導(dǎo)體層的形成的穩(wěn)定性。參照?qǐng)D3，在本示例性實(shí)施例中，陽(yáng)極730可包括位于有機(jī)發(fā)射層720上(例如，直接位于有機(jī)發(fā)射層720上)的輔助層732，以幫助空穴注入到有機(jī)發(fā)射層720中。此外，陽(yáng)極730可包括位于輔助層732上(例如，直接位于輔助層732上)的導(dǎo)電層734以及位于導(dǎo)電層734上(例如，直接位于導(dǎo)電層734上)的絕緣層736。這里，輔助層732用于幫助空穴從陽(yáng)極730注入到有機(jī)發(fā)射層720 (或有機(jī)發(fā)射層 720的空穴注入層)中。即，在本示例性實(shí)施例中，輔助層732可由能夠調(diào)節(jié)導(dǎo)電層734和有機(jī)發(fā)射層720之間的能壘的材料制成。因此，輔助層732可置于導(dǎo)電層734和有機(jī)發(fā)射層720之間，以促使空穴從導(dǎo)電層734注入到有機(jī)發(fā)射層720中。輔助層732可包含能級(jí)低于有機(jī)發(fā)射層720 (或有機(jī)發(fā)射層720的空穴注入層) 的能級(jí)的材料或偶極材料。例如，輔助層732可以基本上由具有低能級(jí)的材料組成(例如， 可僅由具有低能級(jí)的材料制成)，或者輔助層732可以基本上由偶極材料組成(例如，可僅由偶極材料制成)。在另一示例中，輔助層723可同時(shí)包括具有低能級(jí)的材料和偶極材料。 在又一示例中，如圖4中所示，可通過(guò)堆疊偶極材料層733a和具有低能級(jí)的材料層73 來(lái)形成輔助層733。具有比有機(jī)發(fā)射層720(或有機(jī)發(fā)射層720的空穴注入層)的能級(jí)低的能級(jí)的材料的示例可包括氧化鎢等。偶極材料的示例可包括氧化鉬、富勒烯、銅酞菁、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)、十六氟代酞菁銅(F16CuPc)等中的至少一種。這里，上述材料(例如，TCNQ、TTC、NTCDA、PTCDA和 F16CuPc等)可以容易地吸引電子，從而上述材料可以促使空穴注入到有機(jī)發(fā)射層720中。形成在輔助層732上的導(dǎo)電層734可由具有良好導(dǎo)電性的材料制成。因此，導(dǎo)電層734可降低陽(yáng)極730的電阻。例如，導(dǎo)電層734可由具有良好導(dǎo)電性的金屬材料(例如， 銀、鋁、鉻、釤和它們的合金中的至少一種)制成。位于導(dǎo)電層734上的絕緣層736用于調(diào)節(jié)從OLED顯示器101發(fā)射的光的透射率。 絕緣層736可由諸如氧化硅、氮化硅、氧化鉬、氧化鎢的無(wú)機(jī)材料或者有機(jī)材料制成。這里，由于氧化鎢具有高的透射率，所以絕緣層736可由氧化鎢制成以具有較高的透射率。有機(jī)材料的示例可包括但不限于諸如官能化的喹啉鋁(Alq!3)的低分子有機(jī)材料等。無(wú)機(jī)材料的示例可包括但不限于例如氧化硅、氮化硅等。因此，如上所述，陽(yáng)極730可被構(gòu)造為包括輔助層732，幫助空穴注入；導(dǎo)電層 734，降低電阻；絕緣層736，調(diào)節(jié)光透射率。因此，由于輔助層732幫助空穴注入到有機(jī)發(fā)射層720中，所以可提高OLED顯示器101的發(fā)光效率。另外，陽(yáng)極730可因?qū)щ妼?34的低電阻而具有低電阻。此外，由于輔助層732、導(dǎo)電層734和絕緣層736被順序地堆疊形成陽(yáng)極730，所以電阻被并聯(lián)連接，從而進(jìn)一步降低陽(yáng)極730的電阻。因此，可提高OLED顯示器101的發(fā)光效率并且可防止因電壓降(IR降)而導(dǎo)致的面板亮度不均勻現(xiàn)象的出現(xiàn)。另外，可通過(guò)用于調(diào)節(jié)透射率的絕緣層736來(lái)提高從OLED顯示器101發(fā)射的光的透射率。另外，由于由具有良好反射率的材料制成的導(dǎo)電層734位于輔助層732和絕緣層736之間，所以可發(fā)生多次反射。結(jié)果，可改善由于微腔的輸出耦合(out-coupling by microcavity)。因此，可進(jìn)一步提高OLED顯示器101的發(fā)光效率。結(jié)果，在本示例性實(shí)施例中，由于陽(yáng)極730包括輔助層732、導(dǎo)電層734和絕緣層 736，所以可改善OLED顯示器101的發(fā)光特性和發(fā)光效率。這里，還可通過(guò)限制輔助層732、導(dǎo)電層734和絕緣層736的厚度來(lái)改善陽(yáng)極730 的特性。例如，當(dāng)輔助層732由具有低能級(jí)的材料制成時(shí)，輔助層732可具有大約5nm至大約40nm的厚度范圍，例如，厚度為大約lOnm。如果輔助層732的厚度超過(guò)40nm，則輔助層 732的空穴注入特性會(huì)劣化，而如果輔助層732的厚度小于5nm，則工藝穩(wěn)定性會(huì)劣化，即， 使得難以形成薄膜。在另一示例中，當(dāng)輔助層732由偶極材料制成時(shí)，輔助層732的厚度可為大約IOnm或更小以呈現(xiàn)偶極特性。在又一示例中，參照?qǐng)D4，當(dāng)輔助層733包括偶極材料層733a和具有低能級(jí)的材料層73 時(shí)，基于上述原因，偶極材料層733a可具有大約IOnm 或更小的厚度，具有低能級(jí)的材料層73 可具有范圍從大約5nm至大約40nm的厚度。
可通過(guò)調(diào)節(jié)導(dǎo)電層734的厚度來(lái)調(diào)節(jié)陽(yáng)極730的電阻和透射特性。即，可通過(guò)增大導(dǎo)電層734的厚度來(lái)降低電阻，因此，可改善陽(yáng)極730的電學(xué)特性?？赏ㄟ^(guò)減小導(dǎo)電層734 的厚度來(lái)提高陽(yáng)極730的透射率。通過(guò)減小導(dǎo)電層734的厚度，OLED顯示器101也可被用作透明顯示器。同時(shí)考慮到電阻和透射特性，導(dǎo)電層734可具有范圍從大約8nm至大約Mnm的厚度。如果導(dǎo)電層734的厚度超過(guò)Mnm，則陽(yáng)極730的透射率會(huì)過(guò)低。如果導(dǎo)電層734的厚度小于8nm，則陽(yáng)極730的電阻會(huì)過(guò)高。當(dāng)意圖進(jìn)一步改善電阻特性時(shí)，導(dǎo)電層734可形成為具有范圍從大約16nm至大約Mnm的厚度。當(dāng)意圖進(jìn)一步改善透射率時(shí)，導(dǎo)電層734可形成為具有范圍從大約8nm至大約16nm的厚度。絕緣層736可被形成為具有使光效率最大化的厚度。例如，絕緣層736可具有范圍從大約30nm至大約80nm的厚度。當(dāng)絕緣層736的厚度超過(guò)80nm或小于30nm時(shí)，光的波長(zhǎng)會(huì)改變而使光學(xué)特性劣化。在本示例性實(shí)施例中，構(gòu)成陽(yáng)極730的輔助層732、導(dǎo)電層734、絕緣層736可由能夠通過(guò)熱蒸發(fā)來(lái)沉積的材料制成。因此，可防止在形成陽(yáng)極730時(shí)使有機(jī)發(fā)射層720損壞。 現(xiàn)在將在下面參照?qǐng)D5更具體地描述這點(diǎn)。圖5示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法的流程圖。如圖5所示，根據(jù)本示例性實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法可包括操作ST10，用于準(zhǔn)備具有限定在其上的多個(gè)像素的基底；操作ST20，用于在每個(gè)像素處形成TFT ；操作ST30，用于形成與TFT 連接的陰極；操作ST40，用于在陰極上形成有機(jī)發(fā)射層；操作ST50，用于在有機(jī)發(fā)射層上形成陽(yáng)極。應(yīng)該注意的是，各種傳統(tǒng)的方法可被應(yīng)用于操作STlO至操作ST40，因此，將省略對(duì)它們的詳細(xì)描述。在本示例性實(shí)施例中，在用于形成陽(yáng)極的操作ST50中，可通過(guò)熱蒸發(fā)順序地形成輔助層(圖3中的732或圖4中的733)、導(dǎo)電層(圖3和圖4中的734)和絕緣層(圖3和圖4中的736)。在本示例性實(shí)施例中，輔助層732和733可由例如氧化鎢、氧化鉬、富勒烯或銅酞菁等制成，導(dǎo)電層734可由例如銀、鋁、鉻、釤或它們的合金制成，絕緣層736可由諸如氧化硅、氮化硅、氧化鉬、氧化鎢的無(wú)機(jī)材料或者有機(jī)材料等制成。因此，由于構(gòu)成陽(yáng)極730的輔助層732或733、導(dǎo)電層734以及絕緣層736由可通過(guò)熱蒸發(fā)形成的材料制成，所以可通過(guò)熱蒸發(fā)順序地形成輔助層732或733、導(dǎo)電層734以及絕緣層736。用于熱蒸發(fā)法的熱蒸發(fā)設(shè)備可包括用于接收或容納沉積材料的蒸發(fā)皿(boat)或坩堝以及用于加熱蒸發(fā)皿或坩堝的熱絲(或加熱射線)。隨著容納在蒸發(fā)皿或坩堝中的沉積材料被熱絲蒸發(fā)，可在有機(jī)發(fā)射層720上分別形成輔助層732或733、導(dǎo)電層734以及絕緣層736。例如，可通過(guò)熱蒸發(fā)在大約80(TC或更高的溫度下處理氧化鎢來(lái)形成輔助層732 或733，可通過(guò)熱蒸發(fā)在大約1000°C或更高的溫度下處理銀來(lái)形成導(dǎo)電層734，可通過(guò)熱蒸發(fā)在大約800°C或更高的溫度下處理氧化鎢來(lái)形成絕緣層736。在上面的情況下，氧化鎢可具有大約99. 9%的純度，銀可具有大約99. 999%的純度。按這種方式，當(dāng)通過(guò)熱蒸發(fā)形成陽(yáng)極730時(shí)，例如，與通過(guò)濺射形成陽(yáng)極相比，可形成陽(yáng)極730而不損壞有機(jī)發(fā)射層720。即，在本示例性實(shí)施例中，即使有機(jī)發(fā)光元件70具有倒置的結(jié)構(gòu)，陽(yáng)極730也可被形成為表現(xiàn)出優(yōu)良的特性而不損壞有機(jī)發(fā)射層720。現(xiàn)在將參照實(shí)驗(yàn)性示例和對(duì)比示例來(lái)更詳細(xì)地描述示例實(shí)施例。然而，這些僅僅是說(shuō)明性的，并且不意圖將示例實(shí)施例限制于此。實(shí)驗(yàn)性示例以800°C熱蒸發(fā)氧化鎢以形成厚度為40nm的輔助層。接下來(lái)，以1000°C將銀熱蒸發(fā)到輔助層上以形成厚度為12nm的導(dǎo)電層。接下來(lái)，以800°C熱蒸發(fā)氧化鎢以在導(dǎo)電層上形成厚度為40nm的絕緣層，從而制造陽(yáng)極。按這種方式，將導(dǎo)電層的厚度變?yōu)?6nm、24nm、 29nm、40nm 和 50nmo對(duì)比示例濺射氧化銦錫(ITO)以形成陽(yáng)極。測(cè)量根據(jù)實(shí)驗(yàn)性示例制造的陽(yáng)極的表面電阻并將其在下面的表1中示出，測(cè)量根據(jù)對(duì)比示例制造的陽(yáng)極的表面電阻為10 Ω/m2。表 權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括基底，包括限定在基底上的多個(gè)像素；薄膜晶體管，位于每個(gè)像素處；陰極，電連接到薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)射層，位于陰極上；陽(yáng)極，位于有機(jī)發(fā)射層上，陽(yáng)極包括位于有機(jī)發(fā)射層上的輔助層、位于輔助層上的導(dǎo)電層和位于導(dǎo)電層上的絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，輔助層包含氧化鎢、氧化鉬、富勒烯、銅酞菁、四氰基醌二甲烷、氯化三苯基四唑、萘四羧酸二酐、茈四羧酸二酐和十六氟代酞菁銅中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，導(dǎo)電層包含銀、鋁、鉻、釤和它們的合金中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，絕緣層包含氧化硅、氮化硅、氧化鉬、氧化鎢和官能化的喹啉鋁中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，輔助層包含氧化鎢，導(dǎo)電層包含銀，絕緣層包含氧化鎢。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，輔助層包括低能級(jí)材料層和偶極材料層的堆疊結(jié)構(gòu)，低能級(jí)材料層包含能級(jí)低于有機(jī)發(fā)射層的能級(jí)的材料，偶極材料層包含偶極材料。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，低能級(jí)材料層包含氧化鎢，偶極材料層包含氧化鉬、富勒烯、銅酞菁、四氰基醌二甲烷、氯化三苯基四唑、萘四羧酸二酐、茈四羧酸二酐和十六氟代酞菁銅中的至少一種。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，低能級(jí)材料層具有范圍在5nm至 40nm的厚度，偶極材料層具有IOnm或更小的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，導(dǎo)電層具有范圍在8nm至Mnm 的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，絕緣層具有范圍在30nm至 80nm的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，輔助層、導(dǎo)電層和絕緣層順序地堆疊在有機(jī)發(fā)射層上。
12.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括以下步驟準(zhǔn)備基底，在基底上限定有多個(gè)像素；在每個(gè)像素處形成薄膜晶體管；形成陰極，使得陰極電連接到薄膜晶體管；在陰極上形成有機(jī)發(fā)射層；在有機(jī)發(fā)射層上形成陽(yáng)極，陽(yáng)極包括位于有機(jī)發(fā)射層上的輔助層、位于輔助層上的導(dǎo)電層和位于導(dǎo)電層上的絕緣層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，輔助層由氧化鎢、氧化鉬、富勒烯、銅酞菁、四氰基醌二甲烷、氯化三苯基四唑、萘四羧酸二酐、茈四羧酸二酐和十六氟代酞菁銅中的至少一種形成。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，導(dǎo)電層由銀、鋁、鉻、釤和它們的合金中的至少一種形成。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，絕緣層由氧化硅、氮化硅、氧化鉬、氧化鎢和官能化的喹啉鋁中的至少一種形成。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，輔助層由氧化鎢形成，導(dǎo)電層由銀形成，絕緣層由氧化鎢形成。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，輔助層、導(dǎo)電層和絕緣層通過(guò)熱蒸發(fā)順序地形成在有機(jī)發(fā)射層上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括基底，包括限定在基底上的多個(gè)像素；薄膜晶體管(TFT)，位于每個(gè)像素處；陰極，電連接到TFT；有機(jī)發(fā)射層，位于陰極上；陽(yáng)極，位于有機(jī)發(fā)射層上，陽(yáng)極包括位于有機(jī)發(fā)射層上的輔助層、位于輔助層上的導(dǎo)電層和位于導(dǎo)電層上的絕緣層。
文檔編號(hào)C09K11/06GK102214675SQ201110078198
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月8日
發(fā)明者吳一洙, 宋炯俊, 尹振渶, 李昌浩, 李鐘赫, 趙世珍, 高熙周 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社