專利名稱：晶片熱處理用的樣品架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，它涉及的是一種晶片熱處理用的樣品架，可以供批量處理半導(dǎo)體晶片使用。
在晶片的高溫熱處理過程中，放置晶片的樣品架的結(jié)構(gòu)對熱處理的效果有重要的影響。由于實際退火的溫度在1000℃左右，晶片在這樣高的溫度條件下變的很軟，容易受到來自樣品架和重力的作用而產(chǎn)生形變。此外，通常在退火過程中需要有保護氣氛(密閉在石英管內(nèi))，樣品架的結(jié)構(gòu)對于晶片與氣氛的接觸的程度(面積大小、氣流方向等)有很大的影響，從而影響晶片的電學均勻性、表面的完整性等。由此可以看出放置晶片的樣品架的結(jié)構(gòu)對于晶片熱處理的效果有重要的影響，設(shè)計結(jié)構(gòu)合理的樣品架是非常重要的。
本實用新型一種晶片熱處理用的樣品架，其特征在于，包括
兩個半圓形的端架，該端架的斷面為矩形；四個框條，該框條的斷面為矩形，該框條的兩端分別與兩個框架固定，且四個框條的端部均勻分布在半圓形的端架上；兩橫條，該橫條固定在半圓形的端架的開口部。
其中所述的四個框條上均勻開有多個矩形的樣品槽，且該樣品槽的寬度相同、深度相同。
其中該框條上的樣品槽的方向與框條垂直。
其中該框條上的樣品槽的深度最深為框條厚度的二分之一。
兩橫條3，該橫條3固定在半圓形的端架1的開口部。


圖1中的樣品架的端架1、框條2、橫條3都是用石英(棒)制作的，根據(jù)晶片的直徑大小(一般按標準尺寸2英寸、3英寸等考慮)，樣品架的高度、寬度等作相應(yīng)的變化，樣品架上的樣品槽的寬度根據(jù)晶片的厚度來確定，一般比晶片的厚度要大20％，其原則是保證放置和拿取晶片容易。用于放置晶片的樣品槽的間隔一般為2毫米以上以保證氣流在晶片間自由流動。
樣品架呈半圓形，其底部的兩根平行的框條支撐晶片的重量，避免晶片與底部接觸。樣品架的上部兩側(cè)各有一框條(石英棒)以便使晶片限制在樣品槽，同時可以承受部分晶片的重力作用使晶片的承重點不致于太集中，并且在受到晃動或震動時晶片不容易掉落。樣品架的兩端各有一個半圓形的端架來連接四根框架(見附圖)。這種樣品架的特點是晶片與空間氣氛的接觸面積大，有利于提高晶片的均勻性。
本樣品架的直接放置晶片的樣品槽代替常見的隔板式結(jié)構(gòu)，避免了晶片與隔板接觸所造成的退火不均勻。圖中所示的樣品槽制作在四個框架(石英棒)上，并且要在一個同心圓上，這個圓的直徑與要處理的晶片的直徑相同或稍大10％左右，保證晶片的取放容易即可。樣品槽的斷面要用氫氧焰處理光滑，減少退火后晶片表面在槽內(nèi)部分的殘留痕跡。常規(guī)2英寸晶片的樣品槽的寬度為1毫米即可，2英寸晶片的樣品槽寬度為1.5毫米。
樣品架的制做加工采用常規(guī)的石英制品熔接加工技術(shù)，根據(jù)圖紙有關(guān)專業(yè)廠家即可加工，樣品架的使用方法簡便將標準尺寸的晶片直接放置在樣品架上的樣品槽內(nèi)即可。本樣品架適合于在水平退火爐內(nèi)使用，將晶片和樣品架一齊放入退火爐時應(yīng)保持水平，防止晶片掉落。
權(quán)利要求1.一種晶片熱處理用的樣品架，其特征在于，包括兩個半圓形的端架，該端架的斷面為矩形；四個框條，該框條的斷面為矩形，該框條的兩端分別與兩個框架固定，且四個框條的端部均勻分布在半圓形的端架上；兩橫條，該橫條固定在半圓形的端架的開口部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片熱處理用的樣品架，其特征在于，其中所述的四個框條上均勻開有多個矩形的樣品槽，且該樣品槽的寬度相同、深度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片熱處理用的樣品架，其特征在于，其中該框條上的樣品槽的方向與框條垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶片熱處理用的樣品架，其特征在于，其中該框條上的樣品槽的深度最深為框條厚度的二分之一。
專利摘要一種晶片熱處理用的樣品架，包括兩個半圓形的端架，該端架的斷面為矩形；四個框條，該框條的斷面為矩形，該框條的兩端分別與兩個框架固定，且四個框條的端部均勻分布在半圓形的端架上；兩橫條，該橫條固定在半圓形的端架的開口部。本實用新型具有結(jié)構(gòu)合理，以及可使處理后的晶片的電學均勻性、表面的完整性提高的優(yōu)點。
文檔編號H01L21/67GK2593359SQ0228469
公開日2003年12月17日 申請日期2002年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月28日
發(fā)明者趙有文 申請人:中國科學院半導(dǎo)體研究所