專利名稱：制造量子點(diǎn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開內(nèi)容涉及制造量子點(diǎn)的方法。
背景技術(shù)：
量子點(diǎn)是具有幾納米尺寸的半導(dǎo)體納米晶。通常，術(shù)語量子點(diǎn)指其中在球形核上設(shè)置殼的結(jié)構(gòu)，并且量子點(diǎn)可提供改善的發(fā)光性質(zhì)。量子點(diǎn)的帶隙可容易地選擇。因此，通過控制核和殼的能級(jí)之間的帶隙可選擇量子點(diǎn)的光學(xué)特性和電特性。因此，相對(duì)于有機(jī)材料，量子點(diǎn)可提供出色的色純度以及光子和熱穩(wěn)定性?？蓪⒘孔狱c(diǎn)制備成具有擁有球形、棒形、或矩形的核。在核上可堆疊單個(gè)殼或多個(gè)殼。量子點(diǎn)的光學(xué)特性基于量子限制效應(yīng)。根據(jù)量子限制效應(yīng)，當(dāng)單元(element)的尺寸減小至等于或小于固有波爾激子半徑時(shí)，該單元的帶隙增大。因此，當(dāng)入射在量子點(diǎn)上的光的波長具有高于該帶隙能量的能量時(shí)，該量子點(diǎn)吸收該光使得該量子點(diǎn)處于激發(fā)態(tài)。 然后，該量子點(diǎn)發(fā)射具有特定波長的光并且返回基態(tài)。從該量子點(diǎn)發(fā)射的光可具有對(duì)應(yīng)于該帶隙能量的波長。通過控制量子點(diǎn)的尺寸和組成可選擇量子點(diǎn)的發(fā)光特性，且因此量子點(diǎn)已經(jīng)廣泛用于各種發(fā)光裝置中。然而，仍需要制造量子點(diǎn)的改進(jìn)方法。

發(fā)明內(nèi)容
公開了制造量子點(diǎn)的簡(jiǎn)化方法。公開了在短時(shí)間內(nèi)制造量子點(diǎn)的方法。在實(shí)施方式中，制造量子點(diǎn)的方法包括在溶劑中混合II族前體和III族前體以制備第一混合物；在約200°C 約350°C的溫度下加熱所述第一混合物；在將所述第一混合物保持在約200°C 約350°C的溫度下的同時(shí)將V族前體和VI族前體添加到所述第一混合物中以制備第二混合物；和將所述第二混合物保持在約200°C 約350°C的溫度下以形成所述量子點(diǎn)的核和殼。在實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)包括核和殼。所述核和殼可在惰性氣體氣氛或空氣氣氛下形成。所述II族前體的II族元素可包括選自鋅、鎘和汞的至少一種。所述II族前體可包括選自如下的至少一種二甲基鋅、二乙基鋅、羧酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過氧化鋅、高氯酸鋅、硫酸鋅、二甲基鎘、二乙基鎘、氧化鎘、碳酸鎘、乙酸鎘二水合物、乙酰丙酮鎘、氟化鎘、氯化鎘、碘化鎘、溴化鎘、高氯酸鎘、磷化鎘、硝酸鎘、硫酸鎘、羧酸鎘、汞碘化物、汞溴化物、汞氟化物、汞氰化物、汞硝酸鹽、汞高氯酸鹽、汞硫酸鹽、汞氧化物、汞碳酸鹽和汞羧酸鹽。所述III族前體的III族元素可包括選自鋁、鎵和銦的至少一種。所述III族前體可包括選自如下的至少一種磷酸鋁、乙酰丙酮鋁、氯化鋁、氟化鋁、氧化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁、乙酰丙酮鎵、氯化鎵、氟化鎵、氧化鎵、硝酸鎵、硫酸鎵、氯化銦、氧化銦、硝酸銦、硫酸銦和羧酸銦。所述V族前體的V族元素可包括選自氮、磷和砷的至少一種。所述V族前體可包括選自如下的至少一種烷基膦、三(三烷基甲硅烷基)膦、三(二烷基氨基)膦、砷氧化物、 砷氯化物、砷硫化物、砷溴化物、砷碘化物、一氧化氮、硝酸、和硝酸銨。所述烷基膦可包括選自如下的至少一種三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦和三環(huán)己基膦。所述VI族前體的VI族元素可包括選自硫、硒和碲的至少一種。所述VI族前體可包括選自如下的至少一種硫、烷基硫醇、硫化三烷基膦、硫化三烯基膦、烷基氨基硫化物、 烯基氨基硫化物、硒化三烷基膦、硒化三烯基膦、烷基氨基硒化物、烯基氨基硒化物、碲化三烷基膦、碲化三烯基膦、烷基氨基碲化物和烯基氨基碲化物。所述烷基硫醇可包括選自如下的至少一種己硫醇、辛硫醇、癸硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、和巰基丙基硅烷。所述II族前體可包括油酸鋅，和所述VI族前體可包括硫化三辛基膦或者硫化三丁基膦。V族前體溶液和VI族前體溶液可同時(shí)注入到所述第一混合物中。所述V族前體溶液和所述VI族前體溶液可在惰性氣體氣氛或者空氣氣氛下注入。所述方法可進(jìn)一步包括形成核和形成殼。在實(shí)施方式中，所述核和所述殼各自獨(dú)立地在所述惰性氣體氣氛或所述空氣氣氛下形成。所述殼可包括選自II-VI族化合物和II-III-VI族化合物的至少一種。所述殼可包括ZnS或InZnS。在實(shí)施方式中，所述制造量子點(diǎn)的方法可通過在單個(gè)過程中同時(shí)形成核和殼而縮短量子點(diǎn)的制造時(shí)間。此外，由于一些前體在所選擇的溫度條件下注入，因此可避免寬范圍的溫度調(diào)節(jié)，提供更穩(wěn)定的合成反應(yīng)，由此減少原料的消耗和改善產(chǎn)率。


通過參照結(jié)合附圖考慮時(shí)的以下具體描述，以上和其它優(yōu)點(diǎn)將變得容易明晰，其中圖1為顯示制造量子點(diǎn)的方法的示例性實(shí)施方式的流程圖；圖2為最大發(fā)射波長(納米)和半寬度(“FWHM”，納米)對(duì)Zn前體和S前體的量 (毫摩爾，mmol)的圖，其顯示當(dāng)根據(jù)實(shí)施例6在改變油酸鋅前體溶液和硫化三辛基膦前體溶液的量的同時(shí)制造量子點(diǎn)時(shí)量子點(diǎn)的FWHM(半寬度)和最大發(fā)射波長；圖3為最大發(fā)射波長(納米)和半寬度(“FWHM”，納米)對(duì)In前體的量的圖，其顯示當(dāng)根據(jù)實(shí)施例6在改變油酸銦的量的同時(shí)制造量子點(diǎn)時(shí)量子點(diǎn)的FWHM和最大發(fā)射波長；圖4為最大發(fā)射波長(納米)和半寬度(“FWHM”，納米)對(duì)注入溫度(攝氏度/C ) 的圖，其顯示按照在根據(jù)實(shí)施例7將磷前體和硫前體注入反應(yīng)器中時(shí)的反應(yīng)器溫度的量子點(diǎn)的FWHM和最大發(fā)射波長；和圖5為光吸收(任意單位)和光發(fā)射(任意單位)對(duì)波長(納米，nm)的圖，其顯
4示按照在根據(jù)實(shí)施例7將磷前體和硫前體注入反應(yīng)器中時(shí)的反應(yīng)器溫度的發(fā)射波長。
具體實(shí)施例方式下文中，將參照其中示出了各種實(shí)施方式的附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的制造量子點(diǎn)的方法。然而，本發(fā)明可體現(xiàn)為許多不同形式，并且不應(yīng)解釋為限于本文中所闡述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式使得該公開內(nèi)容徹底和完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)本發(fā)明的范圍。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。應(yīng)理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“在”另一元件“上”時(shí)，其可直接在所述另一元件上或者它們之間可存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí)，則不存在中間元件。這里所使用的術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目中的一種或多種的任何和所有組合。應(yīng)理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可用在本文中描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部件，但是這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組分、區(qū)域、層或部件與另一元件、組分、區(qū)域、層或部件區(qū)分開來。因此， 在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部件可以稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部件。本文所使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施方式
，而非意圖限制本發(fā)明。本文所使用的單數(shù)形式“一個(gè)(種)(a，an)”和“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指明。 還理解，當(dāng)術(shù)語“包含”或“包括”用在本說明書中時(shí)，其表明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組分，但是不排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、 操作、元件、組分和/或它們的組合。為了便于描述，在本文中可使用空間相對(duì)術(shù)語例如“在......之下”、
“在......下面”、“下部”、“在......上方”、“上部”等來描述如圖中所示的一個(gè)元件或特
征與另外的一個(gè)或多個(gè)元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解，除圖中所示的方位以外，空間相對(duì)術(shù)語還意圖包括在使用或工作中的器件的不同方位。例如，如果圖中的器件翻轉(zhuǎn)，描述為“在” 其它元件或特征“下面”或“之下”的元件將定向“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例
性術(shù)語“在......下面”可以包括在...上方和在...下面兩種方位。器件可以其它方式
定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位上)，并且本文中所使用的空間上相關(guān)的描述詞進(jìn)行相應(yīng)解釋。除非另外定義，在本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)的含義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還理解，術(shù)語例如在常用詞典中定義的那些，應(yīng)被解釋為其含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域背景和本公開內(nèi)容中的含義一致，并且不以理想化或過度形式的意義進(jìn)行解釋，除非在本文中清楚地如此定義。除非另外規(guī)定，本文中使用的術(shù)語“族”指元素周期表的族。制造量子點(diǎn)的概括方法包括將II族前體和III族前體在溶劑中組合以提供第一混合物。所述II族前體和III族前體可為固體并且同時(shí)或相繼地添加到所述溶劑中，或者所述前體之一或兩者可預(yù)先溶解成溶液。在約20(TC 約350°C的溫度下加熱所述第一混合物。在將所述第一混合物保持在約200°C 約350°C的溫度下的同時(shí)將V族前體和VI 族前體添加到所述第一混合物中，以通過將第二混合物保持在約200°C 約350°C的溫度
5下而形成所述量子點(diǎn)。所述V族前體和VI族前體可為固體并且同時(shí)或相繼地添加到所述第一混合物中，或者所述前體之一或兩者可預(yù)先溶解成溶液。所述量子點(diǎn)可具有核_殼結(jié)構(gòu)。然后，將包括所述量子點(diǎn)的所得混合物冷卻至室溫，并且進(jìn)行純化和清潔過程以獲得具有高純度的量子點(diǎn)。圖1為示意性顯示制造量子點(diǎn)的方法的示例性實(shí)施方式的流程圖。參照?qǐng)D1，制造量子點(diǎn)的方法包括制備II族前體溶液至VI族前體溶液(SllO)， 將所述II族前體溶液和III族前體溶液混合以形成第一混合物中，在約200°C 約350°C 的溫度下加熱所述第一混合物(S120)，在將所述第一混合物保持在約200°C 約350°C的溫度下的同時(shí)將所述V族前體溶液和VI族前體溶液添加到所述第一混合物中(S130)，和通過將經(jīng)由所述V族前體溶液和VI族前體溶液添加到所述第一混合物中獲得的第二混合物保持在約200°C 約350°C的溫度下而形成所述量子點(diǎn)的核和殼(S140)。然后，將包括所述量子點(diǎn)的所得混合物冷卻至室溫(S150)，并且進(jìn)行純化和清潔過程以獲得具有高純度的量子點(diǎn)(S 160)。下文中，將更詳細(xì)地描述以上方法的各步驟。首先，通過將II族前體至VI族前體各自分別溶解在合適溶劑中而制備II族前體溶液至VI族前體溶液(SllO)。V族前體溶液和VI族前體溶液可通過將V族前體和VI族前體溶解在合適溶劑中而首先制備，或者可在將V族前體溶液和VI族前體溶液添加(例如注入)到第一混合物中之前才制備。II族前體的II族元素可包括鋅、鎘和汞的至少一種。II族前體可包括選自如下的至少一種二甲基鋅、二乙基鋅、羧酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過氧化鋅、高氯酸鋅、 硫酸鋅、二甲基鎘、二乙基鎘、氧化鎘、碳酸鎘、乙酸鎘二水合物、乙酰丙酮鎘、氟化鎘、氯化鎘、碘化鎘、溴化鎘、高氯酸鎘、磷化鎘、硝酸鎘、硫酸鎘、羧酸鎘、汞碘化物、汞溴化物、汞氟化物、汞氰化物、汞硝酸鹽、汞高氯酸鹽、汞硫酸鹽、汞氧化物、汞碳酸鹽、汞羧酸鹽、以及基于以上前體的前體混合物。III族前體的III族元素可包括選自鋁、鎵和銦的至少一種。III族前體可包括選自如下的至少一種磷酸鋁、乙酰丙酮鋁、氯化鋁、氟化鋁、氧化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁、乙酰丙酮鎵、氯化鎵、氟化鎵、氧化鎵、硝酸鎵、硫酸鎵、氯化銦、氧化銦、硝酸銦、硫酸銦、羧酸銦、以及基于以上前體的前體混合物。V族前體的V族元素可包括選自氮、磷和砷的至少一種。V族前體可包括選自如下的至少一種烷基膦、三(三烷基甲硅烷基膦)、三(二烷基氨基)膦、砷氧化物、砷氯化物、砷硫化物、砷溴化物、砷碘化物、一氧化氮、硝酸、硝酸銨、 以及基于以上前體的前體混合物。所述烷基膦可包括選自如下的至少一種三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦和三環(huán)己基膦。VI族前體的VI族元素可包括選自硫、硒和碲的至少一種。VI族前體可包括選自如下的至少一種硫、烷基硫醇、硫化三烷基膦、硫化三烯基膦、烷基氨基硫化物、烯基氨基硫化物、硒化三烷基膦、硒化三烯基膦、烷基氨基硒化物、烯基氨基硒化物、碲化三烷基膦、碲化三烯基膦、烷基氨基碲化物、烯基氨基碲化物、以及基于
6以上前體的前體混合物。所述烷基硫醇可包括選自如下的至少一種己硫醇、辛硫醇、癸硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、和巰基丙基硅烷。VI族前體與II族前體接觸以形成量子點(diǎn)的殼。量子點(diǎn)的發(fā)光效率可取決于前體的類型和數(shù)量而變化，和可通過改變VI族前體的類型而選擇量子點(diǎn)的發(fā)射波長。例如，如果硫前體包括硫化三辛基膦，則與包括硫化三丁基膦的硫前體相比，波長可變長約lOnm。然后，將II族前體溶液與III族前體溶液混合，從而制備所述第一混合物。接下來，可將所述第一混合物添加到反應(yīng)器中，且使用惰性氣體氣氛或其中除去濕氣和氧氣的空氣氣氛除去濕氣和氧氣。所述惰性氣體可包括氮?dú)?，其與其它氣體相比具有相對(duì)低的反應(yīng)性；以及稀有氣體，其為基本上惰性的。濕氣和氧氣可通過如下基本上除去在氮?dú)鈿夥栈蛘咂渌栊詺怏w氣氛下，在約ioo°c 約150°C、特別是約110°C 約140°C、更特別地約125 °C的溫度下加熱反應(yīng)器，然后將該反應(yīng)器保持在約100°C 約 150°C、特別是約110°C 約140°C、更特別地約125°C的溫度下。除非另有說明，所述反應(yīng)在惰性氣體氣氛、特別是氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行。在已經(jīng)基本上除去濕氣和氧氣后，反應(yīng)器中的空氣被氮?dú)馑脫Q。加熱反應(yīng)器直至反應(yīng)器的內(nèi)部溫度達(dá)到約200°C 約350°C、特別是約225°C 約325°C、更特別地約 250°C 約 300°C 的溫度(S120)。然后，在將所述第一混合物保持在約20(TC 約350°C、特別是約225°C 約 325°C、更特別地約250°C 約300°C的溫度下的同時(shí)，將V族前體溶液和VI族前體溶液添加到(例如，注入到)所述第一混合物中(S130)。V族前體溶液可首先與VI族前體溶液混合，和可將V族前體溶液和VI族前體溶液的混合物添加到(例如，注入到)所述第一混合物中。此外，V族前體溶液和VI族前體溶液可同時(shí)倒入所述第一混合物中。在實(shí)施方式中， 從該反應(yīng)器基本上或者有效地排除濕氣和氧氣。在實(shí)施方式中，V族前體溶液和VI族前體溶液在基本上同一時(shí)間迅速注入到所述第一混合物中。通過將V族前體溶液和VI族前體溶液添加(例如，注入)到所述第一混合物中獲得的混合物稱為第二混合物。隨著V族前體溶液和VI族前體溶液同時(shí)注入到所述第一混合物中，所述第二混合物的溫度可暫時(shí)降低。然而，所述第二混合物的溫度不會(huì)顯著地降低，使得所述溫度降低不會(huì)實(shí)質(zhì)上影響反應(yīng)速率或結(jié)果。所述第二混合物中II族前體與VI族前體的摩爾比可為約10 約1至約1 約 10、特別地約1 約1。例如，當(dāng)使用鋅前體作為II族前體并且使用硫前體作為VI族前體時(shí)，所述摩爾比為約1 1。當(dāng)VI族前體溶液添加到II族前體溶液中時(shí)，核形成反應(yīng)和殼形成反應(yīng)同時(shí)發(fā)生 (S140)。隨著III族前體的III族元素與V族前體的V族元素結(jié)合，可形成核，和隨著VI族前體的VI族元素與III族前體的III族元素和II族前體的II族元素結(jié)合，可形成殼。如果II族元素為Zn，III族元素為In，V族元素為P和VI族元素為S，則可形成包括InP核以及InZnS和/或ZnS殼的量子點(diǎn)。然后，將具有所述量子點(diǎn)的所得混合物冷卻至室溫(S150)，例如約20°C，然后純化和清潔以獲得具有高純度的量子點(diǎn)(S160)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，可通過使用包括油酸鋅(“OA”)(例如，Zn(OA)2)的II族前體、包括油酸銦(In(OA)3)的III族前體、包括三(三甲基甲硅烷基(“TMS”))膦(例如， (TMS)3P)的V族前體、包括硫化三丁基膦(“TBPS”)的VI族前體、以及包括1-十八碳烯的溶劑而形成量子點(diǎn)。根據(jù)另一實(shí)施方式，可使用硫化三辛基膦代替TBPS作為VI族前體。在實(shí)施方式中，所述第一混合物包括溶解在溶劑(例如，1-十八碳烯)中的如化學(xué)式1中所示的油酸鋅和油酸銦?；瘜W(xué)式權(quán)利要求
1.制造量子點(diǎn)的方法，所述方法包括在溶劑中混合II族前體和III族前體以制備第一混合物；在200°C 350°C的溫度下加熱所述第一混合物；在將所述第一混合物保持在200°C 350°C的溫度下的同時(shí)，將V族前體和VI族前體添加到所述第一混合物中以制備第二混合物；和將所述第二混合物保持在200°C 350°C的溫度下以形成所述量子點(diǎn)。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述II族前體包括選自如下的至少一種二甲基鋅、二乙基鋅、羧酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過氧化鋅、高氯酸鋅、硫酸鋅、二甲基鎘、二乙基鎘、氧化鎘、碳酸鎘、乙酸鎘二水合物、乙酰丙酮鎘、氟化鎘、氯化鎘、碘化鎘、溴化鎘、高氯酸鎘、磷化鎘、硝酸鎘、硫酸鎘、羧酸鎘、汞碘化物、汞溴化物、汞氟化物、汞氰化物、汞硝酸鹽、汞高氯酸鹽、汞硫酸鹽、汞氧化物、汞碳酸鹽和汞羧酸鹽。
3.權(quán)利要求1的方法，其中所述III族前體包括選自如下的至少一種磷酸鋁、乙酰丙酮鋁、氯化鋁、氟化鋁、氧化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁、乙酰丙酮鎵、氯化鎵、氟化鎵、氧化鎵、硝酸鎵、硫酸鎵、氯化銦、氧化銦、硝酸銦、硫酸銦和羧酸銦。
4.權(quán)利要求1的方法，其中所述V族前體包括選自如下的至少一種烷基膦、三(三烷基甲硅烷基膦)、三(二烷基氨基)膦、砷氧化物、砷氯化物、砷硫化物、砷溴化物、砷碘化物、 一氧化氮、硝酸和硝酸銨。
5.權(quán)利要求4的方法，其中所述烷基膦包括選自如下的至少一種三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦和三環(huán)己基膦。
6.權(quán)利要求1的方法，其中所述VI族前體包括選自如下的至少一種硫、烷基硫醇、硫化三烷基膦、硫化三烯基膦、烷基氨基硫化物、烯基氨基硫化物、硒化三烷基膦、硒化三烯基膦、烷基氨基硒化物、烯基氨基硒化物、碲化三烷基膦、碲化三烯基膦、烷基氨基碲化物和烯基氨基碲化物。
7.權(quán)利要求1的方法，其中所述II族前體包括油酸鋅，和所述VI族前體包括硫化三辛基膦或者硫化三丁基膦。
8.權(quán)利要求1的方法，其中將所述V族前體溶液和VI族前體溶液同時(shí)注入到所述第一混合物中。
9.權(quán)利要求8的方法，其中在惰性氣體氣氛或者空氣氣氛下注入所述V族前體溶液和 VI族前體溶液。
10.權(quán)利要求9的方法，其中所述量子點(diǎn)包括核和殼。
11.權(quán)利要求10的方法，其中所述核和所述殼各自獨(dú)立地在所述惰性氣體氣氛或所述空氣氣氛下形成。
12.權(quán)利要求11的方法，其中所述殼包括選自II族-VI族化合物和II族-III族-VI 族化合物的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造量子點(diǎn)的方法，所述方法包括在溶劑中混合II族前體和III族前體以制備第一混合物；在約200℃～約350℃的溫度下加熱所述第一混合物；在將所述第一混合物保持在約200℃～約350℃的溫度下的同時(shí)，將V族前體和VI族前體添加到所述第一混合物中以制備第二混合物；和將所述第二混合物保持在約200℃～約350℃的溫度下以形成量子點(diǎn)。
文檔編號(hào)C09K11/70GK102199425SQ20111006911
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者南敏基, 姜鐘赫, 慎重漢, 樸哉柄, 李東勛, 李成勛, 林載勛, 裵完基, 車國憲, 鄭朱玹 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社, 首爾大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)