基Ξ甲氧基硅烷、N-乙氧基幾基-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、 N-二乙氧基甲娃烷基丙基二乙二胺、N-二甲氧基甲娃烷基丙基二乙二胺、10-二甲氧基甲娃 烷基-1,4,7-二氮雜癸燒、10-二乙氧基甲娃烷基-1,4,7-二氮雜癸燒、9-二甲氧基甲硅烷 基-3,6-二氮雜壬基乙酸醋、9-Ξ乙氧基甲娃烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸醋、N-芐基-3-氨基 丙基Ξ甲氧基硅烷、N-芐基-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、 N-苯基-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、N-雙(氧亞乙基)-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-雙(氧亞 乙基)-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷等。
[0258] 進而，為了提高基板與液晶取向膜的密合性、且防止構成液晶表示元件時由背光 導致的電特性降低等，可W在聚合物組合物中含有如下那樣的酪醒塑料系、含環(huán)氧基的化 合物的添加劑。W下示出具體的酪醒塑料系添加劑，但不限定于該結構。
[0 巧9]
[0260] 作為具體的含環(huán)氧基的化合物，可例示出乙二醇二縮水甘油酸、聚乙二醇二縮水 甘油酸、丙二醇二縮水甘油酸、Ξ丙二醇二縮水甘油酸、聚丙二醇二縮水甘油酸、新戊二醇 二縮水甘油酸、1,6-己二醇二縮水甘油酸、甘油二縮水甘油酸、2,2-二漠新戊二醇二縮水甘 油酸、1，3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N，N，N'，N'，-四縮水甘油基間苯二甲胺、1,3-雙 (N，N-二縮水甘油基氨基甲基)環(huán)己燒、N，N，N'，N'，-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基甲 燒等。
[0261] 使用用于提高液晶取向膜與基板的密合性的化合物時，其用量相對于聚合物組合 物中含有的樹脂成分100質量份優(yōu)選為0.1質量份~30質量份、更優(yōu)選為1質量份~20質量 份。用量不足0.1質量份時，無法期待提高密合性的效果，多于30質量份時，液晶的取向性有 時變差。
[0262] 作為添加劑，也可W使用光敏劑。優(yōu)選為無色增敏劑和Ξ重態(tài)增敏劑。
[0263] 作為光敏劑，有芳香族硝基化合物、香豆素(7-二乙氨基-4-甲基香豆素、7-徑基- 4-甲基香豆素）、香豆素酬、幾基雙香豆素、芳香族2-徑基酬、W及被氨基取代的芳香族2-徑 基酬(2-徑基二苯甲酬、單對(二甲氨基)-2-徑基二苯甲酬或二對(二甲氨基)-2-徑基二苯 甲酬）、苯乙酬、蔥釀、氧雜蔥酬、硫代氧雜蔥酬、苯并蔥酬、嚷挫嘟(2-苯甲酯基亞甲基-3-甲 基-β-糞并嚷挫嘟、2-(β-糞酷基亞甲基)-3-甲基苯并嚷挫嘟、2-(α-糞酷基亞甲基)-3-甲基 苯并嚷挫嘟、2-(4-聯苯酷基亞甲基)-3-甲基苯并嚷挫嘟、2-(β-糞酷基亞甲基)-3-甲基-β- 糞并嚷挫嘟、2-(4-聯苯酷基亞甲基)-3-甲基-β-糞并嚷挫嘟、2-(對-氣苯甲酯基亞甲基)- 3-甲基-β-糞并嚷挫嘟）、嗯挫嘟（2-苯甲酯基亞甲基-3-甲基-β-糞并嗯挫嘟、2-(β-糞酷基 亞甲基)-3-甲基苯并嗯挫嘟、2-(α-糞酷基亞甲基)-3-甲基苯并嗯挫嘟、2-(4-聯苯酷基亞 甲基)-3-甲基苯并嗯挫嘟、2-(β-糞酷基亞甲基)-3-甲基-β-糞并嗯挫嘟、2-(4-聯苯酷基亞 甲基)-3-甲基-β-糞并嗯挫嘟、2-(對-氣苯甲酯基亞甲基)-3-甲基-β-糞并嗯挫嘟）、苯并嚷 挫、硝基苯胺（間硝基苯胺或對硝基苯胺、2，4,6-Ξ硝基苯胺）或硝基起（5-硝基起）、（2- [(間徑基對甲氧基）苯乙締基]苯并嚷挫、苯偶姻烷基酸、Ν-烷基化獻酬、苯乙酬縮酬(2,2- 二甲氧基苯基乙酬）、糞、蔥（2-糞甲醇、2-糞簇酸、9-蔥甲醇和9-蔥簇酸）、苯并化喃、偶氮中 氮巧、梅洛香豆素等。
[0264] 優(yōu)選為芳香族2-徑基酬(二苯甲酬）、香豆素、香豆素酬、幾基雙香豆素、苯乙酬、蔥 釀、氧雜蔥酬、硫代氧雜蔥酬和苯乙酬縮酬。
[0265] 聚合物組合物中除了上述物質之外，只要在不損害本發(fā)明效果的范圍內，出于改 變液晶取向膜的介電常數、導電性等電特性的目的，可W添加介電體、導電物質，進而出于 在制成液晶取向膜時提高膜的硬度、致密度的目的，可W添加交聯性化合物。
[0266] 將上述聚合物組合物涂布在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上的方法沒有特 別限定。
[0267] 關于涂布方法，工業(yè)上通常是利用絲網印刷、膠版印刷、柔性印刷或噴墨法等進行 的方法。作為其它涂布方法，有浸潰法、漉涂法、狹縫涂布法、旋涂法(旋轉涂布法)或噴涂法 等，可根據目的使用它們。
[0268] 在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上涂布聚合物組合物后，利用熱板、熱循環(huán) 型烘箱或IR(紅外線）型烘箱等加熱手段W50~200°C、優(yōu)選W50~150°C使溶劑蒸發(fā)，從而 能夠得到涂膜。此時的干燥溫度優(yōu)選低于側鏈型高分子的液晶相表現溫度。
[0269] 涂膜的厚度過厚時，在液晶表示元件的耗電方面是不利的，涂膜的厚度過薄時，液 晶表示元件的可靠性有時會降低，因此優(yōu)選為5nm~300nm、更優(yōu)選為lOnm~150nm。
[0270] 另外，在[I]工序之后且下一 [II]工序之前，還可W設置將形成有涂膜的基板冷卻 至室溫的工序。
[0271] <工序[山〉
[0272] 在工序[II]中，對工序[I]中得到的涂膜照射偏振紫外線。對涂膜的膜面照射偏振 紫外線時，從特定方面隔著偏振板對基板照射偏振紫外線。作為要使用的紫外線，可W使用 波長為lOOnm~400nm范圍的紫外線。優(yōu)選的是，根據要使用的涂膜種類，借助濾波器等選擇 最佳的波長。并且，例如可W選擇使用波長為290nm~400nm范圍的紫外線，W便能夠選擇性 地誘發(fā)光交聯反應。作為紫外線，可W使用例如由高壓隸燈發(fā)出的光。
[0273] 針對偏振紫外線的照射量，取決于要使用的涂膜。關于照射量，優(yōu)選設為實現Δ A 的最大值（W下也稱為A Amax)的偏振紫外線的量的1 %~70 %的范圍內、更優(yōu)選設為1 %~ 50%的范圍內，所述Δ A是該涂膜的、平行于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸光度 與垂直于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸光度之差。
[0274] < 工序[III]〉
[0275] 工序[III]中，加熱在工序[II]中照射了偏振紫外線的涂膜。通過加熱而能夠對涂 膜賦予取向控制能力。
[0276] 加熱可W使用熱板、熱循環(huán)型烘箱或IR(紅外線）型烘箱等加熱手段。加熱溫度可 W考慮使所用的涂膜表現出液晶性的溫度來確定。
[0277] 加熱溫度優(yōu)選為側鏈型高分子會表現出液晶性的溫度下稱為液晶表現溫度） 的溫度范圍內?？深A測到:在涂膜之類的薄膜表面的情況下，涂膜表面的液晶表現溫度低于 整體觀察可表現出液晶性的感光性側鏈型高分子時的液晶表現溫度。因此，加熱溫度更優(yōu) 選為涂膜表面的液晶表現溫度的溫度范圍內。即，照射偏振紫外線后的加熱溫度的溫度范 圍優(yōu)選是將比所用側鏈型高分子的液晶表現溫度的溫度范圍的下限低l〇°C的溫度作為下 限、且將比該液晶溫度范圍的上限低l〇°C的溫度作為上限的范圍的溫度。加熱溫度低于上 述溫度范圍時，存在涂膜中的由熱帶來的各向異性增幅效果不十分的傾向，另外，加熱溫度 與上述溫度范圍相比過高時，存在涂膜狀態(tài)接近于各向同性的液體狀態(tài)(各向同性相)的傾 向，此時，有時難W因自組裝化而向一個方向再取向。
[0278] 需要說明的是，液晶表現溫度是指:側鏈型高分子或涂膜表面從固體相向液晶相 發(fā)生相轉變的玻璃化轉變溫度(Tg)W上、且從液晶相向均質相(各向同性相)發(fā)生相轉變的 均質相轉變溫度(Tiso) W下的溫度。
[0279] 出于與工序[I]中記載的理由相同的理由，加熱后形成的涂膜的厚度可W優(yōu)選為 5nm ~300nm、更優(yōu)選為 50nm ~150nm。
[0280] 通過具有如上工序，在本發(fā)明的制造方法中，能夠實現對涂膜高效地導入各向異 性。并且，能夠高效地制造帶液晶取向膜的基板。另外，由于W15(TCW上的高溫進行再取 向，因此能夠制造帶電壓保持率等可靠性優(yōu)異的液晶取向膜的基板。
[0281] < 工序[IV]〉
[0282] [IV]工序是將在[III]中得到的橫向電場驅動用導電膜上具有液晶取向膜的基板 (第1基板)與同樣地在上述[Γ]~[ΠΓ]中得到的不具有導電膜的帶液晶取向膜的基板 (第2基板)隔著液晶W兩者的液晶取向膜相對的方式進行對向配置，利用公知的方法制作 液晶單元，從而制作橫向電場驅動型液晶表示元件的工序。需要說明的是，工序[Γ]~ [ΠΓ]中，除了在工序[I]中使用不具有橫向電場驅動用導電膜的基板來代替具有該橫向 電場驅動用導電膜的基板之外，可與工序[I]~[III]同樣地進行。工序[I]~[III]與工序 [Γ]~[ΙΙΓ]的不同點僅在于有無上述導電膜，因此省略工序[Γ]~[ΙΙΓ]的說明。
[0283] 若列舉出液晶單元或液晶表示元件的一個制作例，則可例示出如下方法:準備上 述的第1基板和第2基板，在一個基板的液晶取向膜上散布間隔物，W液晶取向膜面成為內 側的方式粘貼于另一個基板，減壓注入液晶并密封的方法;或者，向散布有間隔物的液晶取 向膜面滴加液晶后，粘貼基板并進行密封的方法等。此時，一側的基板優(yōu)選使用具有橫向電 場驅動用梳齒狀結構的電極的基板。此時的間隔物直徑優(yōu)選為1皿~30皿、更優(yōu)選為2皿~ ΙΟμπι。該間隔物直徑決定用于夾持液晶層的一對基板的間距、即液晶層的厚度。
[0284] 本發(fā)明的帶涂膜的基板的制造方法中，將聚合物組合物涂布在基板上而形成涂膜 后，照射偏振紫外線。接著，通過進行加熱而實現向側鏈型高分子膜中高效地導入各向異 性，從而制造具備液晶取向控制能力的帶液晶取向膜的基板。
[0285] 本發(fā)明所用的涂膜中，利用側鏈的光反應和基于液晶性的自組裝化所誘發(fā)的分子 再取向的原理，實現對涂膜高效地導入各向異性。本發(fā)明的制造方法中，側鏈型高分子具有 光交聯性基團作為光反應性基團的結構時，使用側鏈型高分子在基板上形成涂膜后，照射 偏振紫外線，接著進行加熱后，制作液晶表示元件。
[0286] W下，將使用了具有光交聯性基團作為光反應性基團的結構的側鏈型高分子的實 施方式稱為第1方式，將使用了具有光弗利斯重排基團或進行異構化的基團作為光反應性 基團的結構的側鏈型高分子的實施方式稱為第2方式，并進行說明。
[0287] 圖1是示意性地說明在本發(fā)明的第1方式中使用了具有光交聯性基團作為光反應 性基團的結構的側鏈型高分子而成的、液晶取向膜的制造方法中的各向異性導入處理的一 例的圖。圖1的(a)是示意性地表示偏振光照射前的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，圖1的（b)是 示意性地示出偏振光照射后的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，圖1的山)是示意性地示出加熱后 的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，尤其是所導入的各向異性小時，即在本發(fā)明的第1方式中， [II]工序的紫外線照射量在使A A到達最大的紫外線照射量的1%~15%的范圍內時的示 意圖。
[0288] 圖2是示意性地說明在本發(fā)明的第1方式中使用了具有光交聯性基團作為光反應 性基團的結構的側鏈型高分子而成的、液晶取向膜的制造方法中的各向異性導入處理的一 例的圖。圖2的(a)是示意性地表示偏振光照射前的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，圖2的（b)是 示意性地示出偏振光照射后的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，圖2的山)是示意性地示出加熱后 的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，尤其是所導入的各向異性大時，即在本發(fā)明的第1方式中， [II]工序的紫外線照射量在使A A達到最大的紫外線照射量的15%~70%的范圍內時的示 意圖。
[0289] 圖3是示意性地說明在本發(fā)明的第2方式中使用了具有光異構化性基團或上述式 (18)所示的光弗利斯重排基團作為光反應性基團的結構的側鏈型高分子而成的、液晶取向 膜的制造方法中的各向異性導入處理的一例的圖。圖3的(a)是示意性地表示偏振光照射前 的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，圖3的(b)是示意性地示出偏振光照射后的側鏈型高分子膜狀 態(tài)的圖，圖3的（C)是示意性地示出加熱后的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，尤其是所導入的各 向異性小時，即在本發(fā)明的第2方式中，[II]工序的紫外線照射量在使Δ A達到最大的紫外 線照射量的1 %~70 %的范圍內時的示意圖。
[0290] 圖4是示意性地說明在本發(fā)明的第2方式中使用了具有上述式（19)所示的光弗利 斯重排基團作為光反應性基團的結構的側鏈型高分子而成的、液晶取向膜的制造方法中的 各向異性導入處理的一例的圖。圖4的(a)是示意性地表示偏振光照射前的側鏈型高分子膜 狀態(tài)的圖，圖4的（b)是示意性地示出偏振光照射后的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，圖4的（C) 是示意性地示出加熱后的側鏈型高分子膜狀態(tài)的圖，尤其是所導入的各向異性大時，即在 本發(fā)明的第2方式中，[II]工序的紫外線照射量在使Δ A達到最大的紫外線照射量的1%~ 70%的范圍內時的示意圖。
[0291] 本發(fā)明的第1方式中，通過對涂膜導入各向異性的處理，[II]工序的紫外線照射量 在使A A達到最大的紫外線照射量的1%~15%的范圍內時，首先，在基板上形成涂膜1。如 圖1的(a)所示那樣，基板上形成的涂膜1中，具有側鏈2隨機排列的結構。根據涂膜1的側鏈2 的隨機排列，側鏈2的液晶原成分和感光性基團也隨機地取向，該涂膜1是各向同性的。
[0292] 本發(fā)明的第1方式中，通過對涂膜導入各向異性的處理，[II]工序的紫外線照射量 在使A A達到最大的紫外線照射量的15%~70%的范圍內時，首先，在基板上形成涂膜3。如 圖2的(a)所示那樣，基板上形成的涂膜3中，具有側鏈4隨機排列的結構。根據涂膜3的側鏈4 的隨機排列，側鏈4的液晶原成分和感光性基團也隨機地取向，該涂膜2是各向同性的。
[0293] 本發(fā)明的第2方式中，通過對涂膜導入各向異性的處理，應用使用了具有光異構化 性基團或上述式（18)所示的光弗利斯重排基團的結構的側鏈型高分子的液晶取向膜時， [II]工序的紫外線照射量在使A A達到最大的紫外線照射量的1 %~70%的范圍內時，首 先，在基板上形成涂膜5。如圖3的(a)所示那樣，基板上形成的涂膜5中，具有側鏈6隨機排列 的結構。根據涂膜5的側鏈6的隨機排列，側鏈6的液晶原成分和感光性基團也隨機地取向， 該側鏈型高分子膜5是各向同性的。
[0294] 本發(fā)明的第2方式中，通過對涂膜導入各向異性的處理，應用使用了具有上述式 (19)所示的光弗利斯重排基團的結構的側鏈型高分子的液晶取向膜時，[II]工序的紫外線 照射量在使A A達到最大的紫外線照射量的1%~70%的范圍內時，首先，在基板上形成涂 膜7。如圖4的(a)所示那樣，基板上形成的涂膜7中，具有側鏈8隨機排列的結構。根據涂膜7 的側鏈8的隨機排列，側鏈8的液晶原成分和感光性基團也隨機地取向，該涂膜7是各向同性 的。
[02M]本實施的第1方式中，[II]工序的紫外線照射量在使Δ A達到最大的紫外線照射量 的1%~15%的范圍內時，對該各向同性的涂膜1照射偏振紫外線。由此，如圖1的(b)所示那 樣，沿著與紫外線的偏振方向平行的方向排列的側鏈2之中的、具有感光性基團的側鏈2a的 感光性基團優(yōu)先地發(fā)生二聚反應等光反應。其結果，發(fā)生了光反應的側鏈2a的密度在照射 紫外線的偏振方向上略微變高，其結果，對涂膜1賦予非常小的各向異性。
[0296] 本實施的第1方式中，[II]工序的紫外線照射量在使Δ A達到最大的紫外線照射量 的15%~70%的范圍內時，對該各向同性的涂膜3照射偏振紫外線。由此，如圖2的（b)所示 那樣，沿著與紫外線的偏振方向平行的方向排列的側鏈4之中的、具有感光性基團的側鏈4a 的感光性基團優(yōu)先地發(fā)生二聚反應等光反應。其結果，發(fā)生了光反應的側鏈4a的密度在照 射紫外線的偏振方向上變高，其結果，對涂膜3賦予小的各向異性。
[0297] 在本實施的第2方式中，應用使用了具有光異構化性基團或上述式（18)所示的光 弗利斯重排基團的結構的側鏈型高分子的液晶取向膜，[II]工序的紫外線照射量在使A A 達到最大的紫外線照射量的1 %~70 %的范圍內時，對該各向同性的涂膜5照射偏振紫外 線。由此，如圖3的(b)所示那樣，沿著與紫外線的偏振方向平行的方向排列的側鏈6之中的、 具有感光性基團的側鏈6a的感光性基優(yōu)先地發(fā)生光弗利斯重排等光反應。其結果，發(fā)生了 光反應的側鏈6a的密度在照射紫外線的偏振方向上略微變高，其結果，對涂膜5賦予非常小 的各向異性。
[0298] 在本實施的第2方式中，應用使用了具有上述式（19)所示的光弗利斯重排基團的 結構的側鏈型高分子的涂膜，[II]工序的紫外線照射量在使A A達到最大的紫外線照射量 的1%~70%的范圍內時，對該各向同性的涂膜7照射偏振紫外線。由此，如圖4的(b)所示那 樣，沿著與紫外線的偏振方向平行的方向排列的側鏈8之中的、具有感光性基團的側鏈8a的 感光性基團優(yōu)先地發(fā)生光弗利斯重排等光反應。其結果，發(fā)生了光反應的側鏈8a的密度在 照射紫外線的偏振方向上變高，其結果，對涂膜7賦予小的各向異性。
[0299] 接著，本實施的第1方式中，[II]工序的紫外線照射量在使Δ A達到最大的紫外線 照射量的1%~15%的范圍內時，將照射偏振光后的涂膜1加熱而制成液晶狀態(tài)。由此，如圖 1的（C)所示那樣，涂膜1中，在平行于照射紫外線的偏振方向的方向與垂直于照射紫外線的 偏振方向的方向之間，產生的交聯反應的量不同。此時，平行于照射紫外線的偏振方向的方 向產生的交聯反應的量非常小，因此該交聯反應部位作為增塑劑而起作用。因此，垂直于照 射紫外線的偏振方向的方向的液晶性高于平行于照射紫外線的偏振方向的方向的液晶性， 平行于照射紫外線的偏振方向的方向發(fā)生自組裝化，包含液晶原成分的側鏈2進行再取向