1.一種復(fù)合材料，其特征在于，包括空穴功能材料和添加劑，所述添加劑包括具有式(1)所示結(jié)構(gòu)的化合物；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，a包括環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳環(huán)和環(huán)原子數(shù)為6～20的雜芳環(huán)中的一種或者多種；和/或，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料，其特征在于，a選自式(2)至(8)任一所示結(jié)構(gòu)的基團(tuán)中的一種或多種：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述添加劑包括具有所述式(9)至所述(15)任一項(xiàng)所示結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，x每次出現(xiàn)時(shí)各自獨(dú)立的選自所述鹵素基團(tuán)或所述羥基，且所述鹵素基團(tuán)選自-f；和/或，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述添加劑包括具有所述式(10)至所述(14)任一項(xiàng)所示結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述空穴功能材料包括空穴傳輸材料或空穴注入材料，所述空穴傳輸材料選自聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚(三芳胺)、聚吡咯、聚[n,n′-雙(4-丁苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺]、聚(對(duì))亞苯基亞乙烯基、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚三己基噻吩及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9，9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物中的至少一種；所述空穴注入材料選自pedot、pedot:pss、酚菁銅中的至少一種。
8.一種復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述復(fù)合材料中，所述添加劑的質(zhì)量百分含量為5～25％；和/或，
10.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，或者，包括權(quán)利要求8或9所述的制備方法制得的復(fù)合材料。
11.一種光電器件，其特征在于，包括第一電極、空穴功能層和第二電極，所述空穴功能層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的一層或兩層，且所述空穴功能層中的至少一層的材料包括如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，或者，權(quán)利要求8或9所述的制備方法制得的復(fù)合材料；或者，所述空穴功能層中的至少一層包括權(quán)利要求10所述的薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電器件，其特征在于，所述復(fù)合材料中的所述空穴功能材料選自pedot、pedot:pss、酚菁銅中的至少一種時(shí)，所述復(fù)合材料為第一復(fù)合材料；所述復(fù)合材料中的所述空穴功能材料選自聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚(三芳胺)、聚吡咯、聚[n,n′-雙(4-丁苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺]、聚(對(duì))亞苯基亞乙烯基、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚三己基噻吩及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9，9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物中的至少一種時(shí)，所述復(fù)合材料為第二復(fù)合材料；
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電器件，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極各自獨(dú)立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金屬電極的材料選自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一種或多種；和/或，
14.一種光電器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，將復(fù)合材料設(shè)置在所述第一電極的一側(cè)，形成空穴功能層的步驟包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述復(fù)合材料溶液中，所述空穴功能材料的濃度為2～15mg/ml。
17.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求11至13任一項(xiàng)所述的光電器件，或者，權(quán)利要求14至16任一項(xiàng)所述的制備方法制得的光電器件。