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一種直接從等規(guī)聚1?丁烯本體中結(jié)晶生成I晶的方法與流程

文檔序號(hào):11509500閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本文公開(kāi)了一種直接從等規(guī)聚1?丁烯本體中結(jié)晶生成I晶的方法,包括如下步驟:在將iP?1?B中的I晶完全熔融之后,降溫到室溫可得到II晶,當(dāng)再次加熱到熔融后,降溫到30℃至?30℃之間的溫度,會(huì)在iP?1?B本體中直接得到I晶,優(yōu)選的溫度區(qū)間是10℃至?10℃之間。如在該溫度區(qū)間至I晶熔點(diǎn)以下多次進(jìn)行升降溫循環(huán),可得到更多直接從iP?1?B本體中結(jié)晶而成的I晶。通過(guò)控制循環(huán)次數(shù)與循環(huán)過(guò)程中的低端溫度等可以在一定范圍內(nèi)調(diào)控I晶生成的比例。此方法為iP?1?B熔融加工過(guò)程中進(jìn)行結(jié)晶結(jié)構(gòu)的調(diào)控以得到熱力學(xué)穩(wěn)定的I晶提供了可行的途徑。

技術(shù)研發(fā)人員:李景慶;王棟;尚英瑞;蔣世春
受保護(hù)的技術(shù)使用者:天津大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.20
技術(shù)公布日:2017.10.17
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