技術(shù)特征：

1.一種石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，包括以下步驟：

提供金屬箔片，采用化學(xué)氣相沉積法在所述金屬箔片表面生長(zhǎng)單層石墨烯薄膜，得到石墨烯薄膜/金屬箔片；

制備偶聯(lián)劑改性的導(dǎo)熱填料，將所述偶聯(lián)劑改性的導(dǎo)熱填料、乙烯基硅油、含氫硅油﹑抑制劑和催化劑混合形成混合物料，過(guò)輥處理后，在加熱條件下壓片，制備導(dǎo)熱硅膠墊；

將所述石墨烯薄膜/金屬箔片的石墨烯表面與熱釋放膠帶貼合，將所述石墨烯薄膜/金屬箔片置于刻蝕液中直至所述金屬箔片完全溶解，得到石墨烯薄膜/熱釋放膠帶；將所述石墨烯薄膜/熱釋放膠帶用去離子水進(jìn)行漂洗、干燥后，將所述石墨烯薄膜/熱釋放膠帶粘有石墨烯薄膜的表面與所述導(dǎo)熱硅膠墊貼合，并移除所述熱釋放膠帶，得到石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊。

2.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，將所述石墨烯薄膜/熱釋放膠帶粘有石墨烯薄膜的表面與所述導(dǎo)熱硅膠墊貼合的步驟中，將所述石墨烯薄膜/熱釋放膠帶粘有石墨烯薄膜的表面與所述導(dǎo)熱硅膠墊經(jīng)覆膜機(jī)在90-150℃進(jìn)行貼合。

3.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，將所述偶聯(lián)劑改性的導(dǎo)熱填料、乙烯基硅油、含氫硅油﹑抑制劑和催化劑混合形成混合物料的步驟中，所述混合物料中各組分的重量份數(shù)如下：

形成所述混合物料的方法為，將上述各組分通過(guò)行星式攪拌機(jī)在轉(zhuǎn)速1500-2000r/min下混合1-5min。

4.如權(quán)利要求3所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，所述抑制劑為1-乙炔基-1-環(huán)己醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇以及甲基乙烯基環(huán)四硅氧烷中的至少一種；和/或

所述催化劑為鉑-乙烯基硅氧烷配合物、炔基-環(huán)二烯炔基-鉑配合物以及炔基-三苯基膦-鉑配合物中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1-4任一所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，所述偶聯(lián)劑改性的導(dǎo)熱填料的制備原料為：

所述偶聯(lián)劑改性的導(dǎo)熱填料的制備方法為：將所述導(dǎo)熱填料與所述有機(jī)溶劑混合后，加入所述第一去離子水和所述偶聯(lián)劑，然后在攪拌條件下加入所述鹽酸，持續(xù)攪拌4-24h，抽濾水洗，加入所述第二去離子水進(jìn)行分散處理后，進(jìn)行噴霧干燥，其中，攪拌轉(zhuǎn)速為300-800rpm/min。

6.如權(quán)利要求5所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱填料為三氧化二鋁﹑二氧化鋅﹑六方氮化硼﹑金屬銅粉﹑金屬鋁粉或石墨烯粉體中的至少一種，和/或

所述偶聯(lián)劑為γ-氨丙基三乙氧基硅烷﹑γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷﹑γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或異丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)鈦酸酯中的至少一種，和/或

所述有機(jī)溶劑為乙醇、丙醇﹑四氫呋喃﹑N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜中的至少一種。

7.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，制備所述導(dǎo)熱硅膠墊的步驟中，所述加熱條件為100-150℃。

8.如權(quán)利要求1-4任一所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法在所述金屬箔片表面生長(zhǎng)單層石墨烯薄膜的方法為：將所述金屬箔片置于化學(xué)氣相沉積爐中，在1000-1050℃、0.1-5Pa下通入甲烷與氫氣，生長(zhǎng)5-20min，得到石墨烯薄膜/金屬箔片。

9.如權(quán)利要求8所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，所述金屬箔片為金屬銅或金屬鎳，所述甲烷的流量為5-30sccm，所述氫氣的流量為10-50sccm。

10.如權(quán)利要求1-4任一所述的石墨烯導(dǎo)熱硅膠墊的制備方法，其特征在于，所述刻蝕液為過(guò)硫酸銨水溶液或硝酸溶液中的至少一種，且所述過(guò)硫酸銨水溶液或硝酸溶液的濃度為0.5-2mol/mL。