本發(fā)明涉及一種復(fù)合導(dǎo)電薄膜及其制備方法，特別涉及一種電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

導(dǎo)電泡綿是一種集導(dǎo)電和電磁屏蔽功能于一體的材料，具有導(dǎo)電有效期長(zhǎng)，屏蔽效果好，不受溫度和濕度的影響，表面電阻值可按實(shí)際用途設(shè)定等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、LED顯示器、液晶電視、激光打印機(jī)、高速?gòu)?fù)印機(jī)、通訊設(shè)備、移動(dòng)電話、衛(wèi)星通信、醫(yī)療設(shè)備、高壓機(jī)測(cè)試、儀表儀器、墊片/隔板、插板電子產(chǎn)品、防震導(dǎo)電的包裝。目前，導(dǎo)電泡綿主要采用三維多孔聚氨酯海綿或無(wú)紡布為基材，這種以有機(jī)高分子材料為基材制備的導(dǎo)電泡綿材料，在電子產(chǎn)品超薄化的趨勢(shì)下，較小的空間所產(chǎn)生的熱量較大，多孔海綿為基體的導(dǎo)電泡綿因密集的孔隙而無(wú)法有效進(jìn)行散熱，往往受到震動(dòng)及設(shè)備零部件散熱的影響，經(jīng)常出現(xiàn)熱保護(hù)以及熱過(guò)載，甚至發(fā)生自燃，嚴(yán)重危及產(chǎn)品使用安全。隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)電磁屏蔽材料功能化的要求越來(lái)越高，現(xiàn)在市場(chǎng)上以高分子材料為基體材料的導(dǎo)電泡綿遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿足現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展需求，因此，開(kāi)發(fā)超薄、具有阻燃性能的導(dǎo)電薄膜材料，是電磁屏蔽材料技術(shù)發(fā)展的迫切需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種具有優(yōu)良導(dǎo)電性和阻燃性的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜，同時(shí)還提供該電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是：

一種電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜，在高分子聚合物材料基體表面上鍍覆有石墨烯與金屬離子混合層。

進(jìn)一步地，所述石墨烯與金屬離子混合層中，石墨烯層占5～30％，金屬離子層占70～95％。所述石墨烯與金屬離子混合層的總厚度優(yōu)選為1.0～5.0μm。

進(jìn)一步地，所述金屬離子優(yōu)選為鎳、銅或其合金中的一種。

所述高分子聚合物材料基體一般采用PE薄膜、聚酰亞胺薄膜或無(wú)紡布薄膜中的一種，厚度優(yōu)選為5～50μm。

本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，按以下步驟進(jìn)行：

Ⅰ堿洗：將高分子聚合物材料基體置于溫度為50～80℃、由濃度為10～60g/L的堿性溶液、濃度為10～60g/L的堿金屬碳酸溶液和濃度為0.01～0.1g/L的表面活性劑混合的溶液中處理10～60min；所述堿性溶液優(yōu)選為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液，所述堿金屬碳酸溶液優(yōu)選為碳酸鈉溶液或碳酸鉀溶液；

Ⅱ改性：將經(jīng)步驟Ⅰ處理后的高分子聚合物材料基體置于溫度為50～80℃、由濃度為10～25g/L的N,N-二甲基乙酰胺溶液或N,N-二甲基甲酰胺溶液和濃度為0.1～1.0g/L表面活性劑混合的溶液中處理10～30min；

Ⅲ導(dǎo)電化：將經(jīng)步驟Ⅱ處理后的材料采用常規(guī)的化學(xué)鍍或物理氣相沉積工藝進(jìn)行鎳或銅導(dǎo)電化處理，導(dǎo)電化層厚度一般控制為0.1～1.0μm。

Ⅳ表面鍍覆石墨烯與金屬離子混合層：一般采用等離子體電鍍法、復(fù)合電鍍法或涂覆電鍍法；經(jīng)比較，效果最優(yōu)的為等離子體電鍍法。

所述復(fù)合電鍍法為常規(guī)的方法，具體為將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料置于電鍍體系中進(jìn)行表面鍍覆石墨烯與金屬離子混合層，所述電鍍體系中的電鍍?nèi)芤簽?0～30％的金屬硫酸鹽、2～5％的金屬氯化鹽、2～5％的硼酸和0.5～1％石墨烯粉末，所述石墨烯粉末的粒徑為10～50μm，電鍍?nèi)芤褐胁捎贸暡ǚ稚⑹┓勰婂內(nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?0～50℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為2.0～5.0，電鍍的電流密度為1～5A/dm²，電鍍時(shí)間為20～50min，采用金屬鎳、銅或鈦板做催化電極；

所述涂覆電鍍法為先將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料表面涂覆上石墨烯粉末與PVDF的混合物并烘干，再將涂覆有石墨烯粉末的材料進(jìn)行表面電鍍金屬離子層；或者先將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料進(jìn)行表面電鍍金屬離子層，再將表面鍍覆有金屬離子層的材料表面涂覆上石墨烯粉末與PVDF的混合物并烘干；所述混合物中石墨烯粉末與PVDF的質(zhì)量比為(0.1～1.0)：1.0，混合物混合后采用超聲分散均勻，所述石墨烯粉末的粒徑為10～50μm；烘干溫度為100～300℃；表面電鍍金屬離子層的工藝按現(xiàn)有常規(guī)技術(shù)進(jìn)行，現(xiàn)有技術(shù)中使用的電鍍體系中，電鍍?nèi)芤簽?0～30％的金屬硫酸鹽、2～5％的金屬氯化鹽和2～5％的硼酸，電鍍?nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?0～50℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為2.0～5.0，電鍍的電流密度為1～5A/dm²，電鍍時(shí)間為20～50min，采用金屬鎳、銅或鈦板做催化電極；可根據(jù)石墨烯層和金屬離子層的鍍覆順序來(lái)調(diào)整電鍍順序；

所述等離子體電鍍法為將經(jīng)導(dǎo)電化步驟后的材料置于氣相與液相混合的電鍍體系中進(jìn)行表面鍍覆石墨烯與金屬離子混合層，所述石墨烯與金屬離子混合層中的金屬離子層厚度以雙脈沖直流電源工藝控制，其脈沖頻率為100～1000KHz，占空比為10～50％，電流密度為1～5A/dm²；所述石墨烯與金屬離子混合層中的石墨烯層厚度以等離子體電源工藝控制，其放電電壓為1.0～5.0Kv，脈沖頻率為1～5s；所述電鍍體系中，電鍍?nèi)芤簽?0～30％的金屬硫酸鹽、2～5％的金屬氯化鹽和2～5％的硼酸，5～10％的含碳?xì)怏w和1～5％的氮?dú)饨M成的混合氣體以100～500ml/s的速度、壓力控制為0.1～1.0MPa持續(xù)充入到電鍍?nèi)芤褐校婂內(nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?0～50℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為2.0～5.0，采用金屬鎳、銅或鈦板做催化電極。所述含碳?xì)怏w優(yōu)選為乙炔、甲烷中的一種或多種。

所述石墨烯與金屬離子混合層的總厚度控制為1.0～5.0μm，其中石墨烯層占總厚度的5～30％，金屬離子層占總厚度的70～95％；所述金屬離子優(yōu)選為鎳、銅或其合金中的一種；

Ⅴ純化去膜：將經(jīng)步驟Ⅳ后的材料浸于溫度為50～80℃、由氫氧化鈉或氫氧化鉀和水以體積比1：10～20混合的溶液中10～50min；

Ⅵ熱處理：將經(jīng)純化去膜步驟后的材料置于溫度為100～300℃的真空爐或具有保護(hù)氣氛的熱處理爐中處理30～60min，即制得電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜。所述保護(hù)氣氛為惰性氣體、氮?dú)饣驓鍤庵械囊环N或多種。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜，具有以下優(yōu)點(diǎn)：1、采用石墨烯鍍層對(duì)高分子聚合物材料基體進(jìn)行包裹，有效增強(qiáng)了高分子聚合物材料作為基體的耐燃性；2、石墨烯本身具有的導(dǎo)電性解決了高分子聚合物材料的導(dǎo)電化處理，省去了高分子聚合物材料基體表面沉積后的導(dǎo)電化處理步驟，有效節(jié)約了生產(chǎn)成本；3、本發(fā)明材料具有優(yōu)良導(dǎo)電性和阻燃性；4、本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，操作方便，產(chǎn)品實(shí)用性強(qiáng)，易于實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于實(shí)施例之表述。

實(shí)施例1

一種電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，按以下步驟進(jìn)行：

Ⅰ堿洗：將厚度為5μm的聚酰亞胺薄膜基體置于溫度為50℃、由濃度為10g/L的氫氧化鉀溶液、濃度為10g/L的碳酸鈉和濃度為0.01g/L的表面活性劑混合的溶液中處理60min；

Ⅱ改性：將經(jīng)步驟Ⅰ處理后的聚酰亞胺薄膜基體置于溫度為50℃、由濃度為10g/L的N,N-二甲基乙酰胺溶液和濃度為0.1g/L表面活性劑混合的溶液中處理30min；

Ⅲ導(dǎo)電化：將經(jīng)步驟Ⅱ處理后的材料采用常規(guī)化學(xué)鍍工藝進(jìn)行鎳導(dǎo)電化處理，導(dǎo)電化層厚度控制為0.1μm；

Ⅳ表面鍍覆石墨烯與鎳金屬離子混合層：采用等離子體電鍍法，將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料置于電鍍體系中表面鍍覆石墨烯與鎳金屬離子混合層，鎳金屬離子層厚度以雙脈沖直流電源工藝控制，其脈沖頻率為100KHz，占空比為10％，電流密度為1A/dm²；石墨烯層厚度以等離子體電源工藝控制，其放電電壓為1.0Kv，脈沖頻次為1s；電鍍體系中，電鍍?nèi)芤簽?0％的硫酸鎳、2％的氯化鎳和2％的硼酸，5％的甲烷和1％的氮?dú)饨M成的混合氣體以100ml/s的速度、壓力控制為0.1MPa持續(xù)充入到電鍍?nèi)芤褐?，電鍍?nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?0℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為2.0，采用金屬鎳板做催化電極；石墨烯與鎳金屬離子混合層的總厚度控制為1.0μm，其中石墨烯層占總厚度的5％，鎳金屬離子層占總厚度的95％；Ⅴ純化去膜：將經(jīng)步驟Ⅳ后的材料浸于溫度為50℃、由氫氧化鈉和水以體積比1：10混合的溶液中50min；

Ⅵ熱處理：將經(jīng)純化去膜步驟后的材料置于溫度為100℃的真空爐中處理60min，即制得電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜。

將由上述方法制備得到的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜和常規(guī)導(dǎo)電泡綿切成相同體積的樣片，分別進(jìn)行電阻率和阻燃性檢測(cè)，阻燃性能的檢測(cè)采用火焰直接燃燒的方法，檢測(cè)材料在明火下開(kāi)始燃燒的時(shí)間。其檢測(cè)結(jié)果如表1所示。從表1中的數(shù)據(jù)可看出，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的阻燃性能好，起燃時(shí)間遲緩了約96％，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性能比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的好。

表1

實(shí)施例2

一種電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，按以下步驟進(jìn)行：

Ⅰ堿洗：將厚度為10μm的無(wú)紡布薄膜基體置于溫度為65℃、由濃度為30g/L的氫氧化鈉溶液、濃度為35g/L的碳酸鉀和濃度為0.05g/L的表面活性劑混合的溶液中處理30min；

Ⅱ改性：將經(jīng)步驟Ⅰ處理后的無(wú)紡布薄膜基體置于溫度為65℃、由濃度為18g/L的N,N-二甲基甲酰胺溶液和濃度為0.5g/L表面活性劑混合的溶液中處理15min；

Ⅲ導(dǎo)電化：將經(jīng)步驟Ⅱ處理后的材料采用常規(guī)物理氣相沉積工藝進(jìn)行銅導(dǎo)電化處理，導(dǎo)電化層厚度控制為0.5μm；

Ⅳ表面鍍覆石墨烯與銅金屬離子混合層：采用等離子體電鍍法，將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料置于電鍍體系中表面鍍覆石墨烯與銅金屬離子混合層，銅金屬離子層厚度以雙脈沖直流電源工藝控制，其脈沖頻率為500KHz，占空比為30％，電流密度為2.5A/dm²；石墨烯層厚度以等離子體電源工藝控制，其放電電壓為2.5Kv，脈沖頻次為3s；電鍍體系中，電鍍?nèi)芤簽?5％的硫酸銅、3.5％的氯化鎳和3.5％的硼酸，7.5％的乙炔和3％的氮?dú)饨M成的混合氣體以300ml/s的速度、壓力控制為0.5MPa持續(xù)充入到電鍍?nèi)芤褐校婂內(nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?5℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為3.5，采用金屬銅板做催化電極；石墨烯與銅金屬離子混合層的總厚度控制為3μm，其中石墨烯層占總厚度的15％，銅金屬離子層占總厚度的85％；

Ⅴ純化去膜：將經(jīng)步驟Ⅳ后的材料浸于溫度為65℃、由氫氧化鉀和水以體積比1：15混合的溶液中30min；

Ⅵ熱處理：將經(jīng)純化去膜步驟后的材料置于溫度為150℃且具有惰性氣體的熱處理爐中處理45min，即制得電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜。

將由上述方法制備得到的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜和常規(guī)導(dǎo)電泡綿切成相同體積的樣片，分別進(jìn)行電阻率和阻燃性檢測(cè)，阻燃性能的檢測(cè)采用火焰直接燃燒的方法，檢測(cè)材料在明火下開(kāi)始燃燒的時(shí)間。其檢測(cè)結(jié)果如表2所示。從表2中的數(shù)據(jù)可看出，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的阻燃性能好，起燃時(shí)間遲緩了約93％，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性能比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的好。

表2

實(shí)施例3

一種電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，按以下步驟進(jìn)行：

Ⅰ堿洗：將厚度為50μm的PE薄膜基體置于溫度為80℃、由濃度為60g/L的氫氧化鉀溶液、濃度為60g/L的碳酸鉀和濃度為0.1g/L的表面活性劑混合的溶液中處理10min；

Ⅱ改性：將經(jīng)步驟Ⅰ處理后的PE薄膜基體置于溫度為80℃、由濃度為25g/L的N,N-二甲基乙酰胺溶液和濃度為1.0g/L表面活性劑混合的溶液中處理10min；

Ⅲ導(dǎo)電化：將經(jīng)步驟Ⅱ處理后的材料采用常規(guī)物理氣相沉積工藝進(jìn)行鎳導(dǎo)電化處理，導(dǎo)電化層厚度控制為1.0μm；

Ⅳ表面鍍覆石墨烯與鎳金屬離子混合鍍層：采用等離子體電鍍法，將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料置于電鍍體系中表面鍍覆石墨烯與鎳金屬離子混合層，鎳金屬離子層厚度以雙脈沖直流電源工藝控制，其脈沖頻率為1000KHz，占空比為50％，電流密度為5A/dm²；石墨烯層厚度以等離子體電源工藝控制，其放電電壓為5.0Kv，脈沖頻次為5s；電鍍體系中，電鍍?nèi)芤簽?0％的硫酸鎳、5％的氯化鎳和5％的硼酸，10％的甲烷和5％的氮?dú)饨M成的混合氣體以500ml/s的速度、壓力控制為1.0MPa持續(xù)充入到電鍍?nèi)芤褐校婂內(nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?0℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為5.0，采用金屬鎳板做催化電極；石墨烯與鎳金屬離子混合層的總厚度控制為5.0μm，其中石墨烯層占總厚度的30％，鎳金屬離子層占總厚度的70％；

Ⅴ純化去膜：將經(jīng)步驟Ⅳ后的材料浸于溫度為80℃、由氫氧化鉀和水以體積比1：20混合的溶液中10min；

Ⅵ熱處理：將經(jīng)純化去膜步驟后的材料置于溫度為300℃且具有氮?dú)獾臒崽幚頎t中處理30min，即制得電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜。

將由上述方法制備得到的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜和常規(guī)導(dǎo)電泡綿切成相同體積的樣片，分別進(jìn)行電阻率和阻燃性檢測(cè)，阻燃性能的檢測(cè)采用火焰直接燃燒的方法，檢測(cè)材料在明火下開(kāi)始燃燒的時(shí)間。其檢測(cè)結(jié)果如表3所示。從表3中的數(shù)據(jù)可看出，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的阻燃性能好，起燃時(shí)間遲緩了約94％，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性能比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的好。

表3

實(shí)施例4

一種電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，按以下步驟進(jìn)行：

Ⅰ堿洗：將厚度為20μm的聚酰亞胺薄膜基體置于溫度為55℃、由濃度為35g/L的氫氧化鉀溶液、濃度為35g/L的碳酸鈉和濃度為0.06g/L的表面活性劑混合的溶液中處理40min；

Ⅱ改性：將經(jīng)步驟Ⅰ處理后的聚酰亞胺薄膜基體置于溫度為55℃、由濃度為15g/L的N,N-二甲基乙酰胺溶液和濃度為0.35g/L表面活性劑混合的溶液中處理20min；

Ⅲ導(dǎo)電化：將經(jīng)步驟Ⅱ處理后的材料采用常規(guī)化學(xué)鍍工藝進(jìn)行鎳導(dǎo)電化處理，導(dǎo)電化層厚度控制為0.35μm；

Ⅳ表面鍍覆石墨烯與鎳金屬離子混合層：采用復(fù)合電鍍法，將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料置于電鍍體系中進(jìn)行表面鍍覆石墨烯與鎳金屬離子混合層，電鍍體系中的電鍍?nèi)芤簽?7％的硫酸鎳、3％的氯化鎳、3％的硼酸和0.8％石墨烯粉末，石墨烯粉末的粒徑為35μm，電鍍?nèi)芤褐胁捎贸暡ǚ稚⑹┓勰婂內(nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?0℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為3.0，電鍍的電流密度為2.5A/dm²，電鍍時(shí)間為35min，采用金屬鎳板做催化電極；石墨烯與鎳金屬離子混合層的總厚度控制為4.0μm，其中石墨烯層占總厚度的22％，鎳金屬離子層占總厚度的78％；

Ⅴ純化去膜：將經(jīng)步驟Ⅳ后的材料浸于溫度為60℃、由氫氧化鈉和水以體積比1：13混合的溶液中35min；

Ⅵ熱處理：將經(jīng)純化去膜步驟后的材料置于溫度為150℃的真空爐中處理50min，即制得電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜。

將由上述方法制備得到的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜和常規(guī)導(dǎo)電泡綿切成相同體積的樣片，分別進(jìn)行電阻率和阻燃性檢測(cè)，阻燃性能的檢測(cè)采用火焰直接燃燒的方法，檢測(cè)材料在明火下開(kāi)始燃燒的時(shí)間。其檢測(cè)結(jié)果如表4所示。從表4中的數(shù)據(jù)可看出，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的阻燃性能好，起燃時(shí)間遲緩了約87％，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性能比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的好。

表4

實(shí)施例5

本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，按以下步驟進(jìn)行：

Ⅰ堿洗：將35μm聚酰亞胺薄膜基體置于溫度為68℃、由濃度為30g/L的氫氧化鈉溶液、濃度為30g/L的碳酸鉀溶液和濃度為0.07g/L的表面活性劑混合的溶液中處理55min；

Ⅱ改性：將經(jīng)步驟Ⅰ處理后的聚酰亞胺薄膜基體置于溫度為65℃、由濃度為20g/L的N,N-二甲基甲酰胺溶液和濃度為0.65g/L表面活性劑混合的溶液中處理18min；

Ⅲ導(dǎo)電化：將經(jīng)步驟Ⅱ處理后的材料采用常規(guī)的化學(xué)鍍工藝進(jìn)行銅導(dǎo)電化處理，導(dǎo)電化層厚度一般控制為0.6μm。

Ⅳ表面鍍覆石墨烯與銅金屬離子混合層：采用涂覆電鍍法，先將經(jīng)步驟Ⅲ處理后的材料表面使用涂覆機(jī)涂覆上石墨烯粉末與PVDF的混合物，在200℃溫度下烘干，石墨烯粉末與PVDF以質(zhì)量比為0.8：1.0混合并超聲分散均勻，石墨烯粉末的粒徑為40μm；再將涂覆有石墨烯粉末的材料置于電鍍體系中進(jìn)行表面鍍覆銅金屬離子層；電鍍體系中電鍍?nèi)芤簽?2％的硫酸銅、3.5％的氯化銅和3.5％的硼酸，電鍍?nèi)芤旱臏囟瓤刂茷?8℃，電鍍?nèi)芤旱膒H值為3.0，電鍍的電流密度為4A/dm²，電鍍時(shí)間為38min，采用金屬銅板做催化電極；石墨烯與金屬離子混合層的總厚度控制為3.0μm，其中石墨烯層占總厚度的18％，金屬離子層占總厚度的82％；

Ⅴ純化去膜：將經(jīng)步驟Ⅳ后的材料浸于溫度為70℃、由氫氧化鈉和水以體積比1：17混合的溶液中39min；

Ⅵ熱處理：將經(jīng)純化去膜步驟后的材料置于溫度為180℃且具有氬氣的熱處理爐中處理48min，即制得電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜。

將由上述方法制備得到的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜和常規(guī)導(dǎo)電泡綿切成相同體積的樣片，分別進(jìn)行電阻率和阻燃性檢測(cè)，阻燃性能的檢測(cè)采用火焰直接燃燒的方法，檢測(cè)材料在明火下開(kāi)始燃燒的時(shí)間。其檢測(cè)結(jié)果如表5所示。從表5中的數(shù)據(jù)可看出，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的阻燃性能好，起燃時(shí)間遲緩了約82％，本發(fā)明的電磁屏蔽用復(fù)合導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性能比常規(guī)導(dǎo)電泡綿的好。

表5