取決于管直徑和螺旋角(wrapping angle)，單壁碳納米管(SWNT)顯示出金屬或半導體性質。SWNT的大量應用，例如有機光伏(OPV)器件和有機場效應晶體管(OFET)尤其需要具有最少金屬性SWNT雜質的半導體SWNT。遺憾的是，SWNT的所有現(xiàn)有生長方法如電弧放電或激光燒蝕得到的是半導體和金屬性SWNT的混合物。

已知若干種用于分離半導體SWNT和金屬性SWNT的方法，然而它們中的大多數(shù)仍不適于大規(guī)模工業(yè)方法。有效的方法依賴于用聚合物分散半導體SWNT和金屬性SWNT，隨后離心。

Nish，A.；Hwang，J.-Y.；Doig，J.；Nicholas，R.J.Nat.Nano 2007，2，640-646描述了若干種用作SWNT分散劑的包含芴單元的聚合物和共聚物。聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)(PFO)作為分散劑顯示出最高的選擇性。

Berton，N.；Lemasson，F(xiàn).；Tittmann，J.；Stürzl，N.；Hennrich，F(xiàn).；Kappes，M.M.；Mayor，M.Chem.Mat.2011，23，2237-2249描述了若干種用作SWNT分散劑的包含由萘、蒽和蒽醌間隔基隔開的芴或咔唑單元的共聚物。

Tange，M.；Okazaki，T.；Iijima，S.J.Am.Chem.Soc.2011，133，11908-11911描述了用作SWNT分散劑的聚(9,9-二辛基芴-alt-苯并噻二唑)(F8BT)和聚(9,9-二正十二烷基芴)(PFD)。特別地，F(xiàn)8BT選擇性地分離大(>1.3nm)直徑SWNT。

Akazaki，K.；Toshimitsu，F(xiàn).；Ozawa，H.；Fujigaya T.；Nakashima，N.J.Am.Chem.Soc.2012，134，12700-12707描述了12種用作SWNT分散劑的共聚物(9,9-二辛基芴-2,7-二基)_x((R)-或(S)-2,2’-二甲氧基-1,1’-聯(lián)二萘-6,6-二基)_y，其中x和y為共聚物組成比。

Jakubka，F(xiàn).；Schiessl，S.P.；Martin，S.；Englert，J.M.；Hauke，F(xiàn).；Hirsch A.，Zaumseil，J.ACS Marco Lett.2012，1，815-819描述了用作SWNT分散劑的聚(9,9-二辛基芴)和聚(9,9-二辛基芴-共-苯并噻二唑)。

Mistry，K.S.；Larsen，B.A.；Blackburn，J.L.ACS Nano 2013，7，2231-2239描述了用作激光蒸發(fā)平均直徑為1.3nm的SNWT的分散劑的聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-alt-共-(6,6’-(2,2’-聯(lián)吡啶))]和聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(9,10-蒽)]。

Qian，L.；Xu，W.；Fan，X.；Wang，C.；Zhang，J.；Zhao，J.；Cui，Z.J.Phys.Chem.2013，C117，18243-18250描述了9,9-二辛基芴-共-并噻吩，其用作SWNT分散劑以從商品電弧放電SWNT中選擇性分離大直徑SWNT。

Wang，H.；Mei，J.；Liu，P.；Schmidt，K.；Jimenez-Oses，G.；Osuna，S.；Fang，L.；Tassone，C.T.；Zoombelt，A.P.；Sokolov，A.N.；Houk K.N.；Toney，M.F.；Bao，Z.ACS Nano 2013，7，2659-2668描述了聚(二硫富瓦烯-芴-共-間噻吩)，其用作從電弧放電1.1-1.8nm SWNT中分離半導體SWNT的分散劑。

Berton，N.；Lemasson，F(xiàn).；Poschlad，A.；Meded，V.；Tristram F.；Wenzel，W.；Hennrich，F(xiàn).；Kappes，M.M.；Mayor，M.Small 2014，10，360-367描述了各自具有2,7-芴單元，但通過吡啶基的連接而變化的聚(芴-alt-吡啶)共聚物，以及聚(咔唑-alt-吡啶)共聚物，它們用作SWNT分散劑以選擇性分離大(>1nm且至多1.3nm)直徑SWNT。

在基于離心的分離方法中用作SWNT分散劑的半導體聚合物是特別有用的，因為包含半導體聚合物和半導體SWNT的離心方法產物可直接用于制備有機器件，如有機場效應晶體管(OFET)。

Lee，H.W.；Yoon，Y.；Park，S.；Oh，J.H.；Hong，S.；Liyanage，L.S.；Wan，H.；Morishita，S.；Patil，N.；Park，Y.J.；Park，J.J.；Spakowitz，A.；Galli，G.，Gygi,F.；Wong，P.H.-S.；Tok，J.B.-H.；Kim，J.M.；Bao，Z.Nat.Commun.2011，2，541-548描述了區(qū)域規(guī)整的聚(3-烷基噻吩)，其通常用作有機電子器件如有機場效應晶體管(OFET)中的半導體材料，用作SWNT分散劑。描述了包含區(qū)域規(guī)整聚(3-烷基噻吩)和半導體SWNT的晶體管。

US 2012/0104328描述了聚噻吩衍生物，其包含噻吩環(huán)和與噻吩環(huán)連接的烴側鏈。描述了包含所述聚噻吩衍生物和半導體SWNT的晶體管。

Smithson，C；Wu,Y.；Wigglesworth，T.；Gardner，S.；Thu，S.；Nie H.-Y.Organic Electronics 2014，15，2639-2646描述了使用二酮基吡咯并吡咯-四噻吩的半導體共聚物和未分揀的SWNT制造有機薄膜晶體管。

本發(fā)明的目的是提供一種制備包含半導體單壁碳納米管和半導體聚合物的組合物的方法，所述組合物適于形成電子器件，優(yōu)選有機場效應晶體管(OFET)中的半導體層，且獲得顯示出高載流子遷移率和高開/關比的OFET。

該目的通過權利要求1的方法、權利要求14的組合物、權利要求15的方法、權利要求16的電子器件和權利要求18的用途實現(xiàn)。

本發(fā)明的方法是一種制備包含半導體單壁碳納米管、半導體聚合物和溶劑A的組合物(組合物A)的方法，所述方法包括從包含半導體和金屬性單壁碳納米管、半導體聚合物和溶劑B的組合物(組合物B)中分離組合物A的步驟，其中所述半導體聚合物具有0.5-1.8eV的帶隙，且溶劑A和溶劑B包含芳族或雜芳族溶劑。

帶隙是最高占據(jù)分子軌道(HOMO)和最低未占分子軌道(LUMO)之間的能量差。帶隙(Eg^opt)使用下述方程由半導體聚合物的吸收起始值(λ_起始)確定：

Eg^opt[eV]＝普朗克常數(shù)[eV s]×光速[nm s^-1]/λ_起始[nm]

其中半導體聚合物吸收起始值(λ_起始)由半導體聚合物在25℃下的薄膜UV-Vis-NIR譜確定，且表示吸收曲線和基線(吸收＝0)反射的最遠紅移點處切線相交處的波長。

圖5顯示了如何由半導體聚合物在25℃下的薄膜UV-Vis-NIR譜確定半導體聚合物的吸收起始值(λ_起始)。

優(yōu)選地，所述半導體聚合物具有0.6-1.7eV的帶隙。甚至更優(yōu)選地，所述半導體聚合物具有0.8-1.6eV的帶隙。最優(yōu)選地，所述半導體聚合物具有1.0-1.5eV的帶隙。

芳族溶劑可選自苯、萘、聯(lián)苯及其混合物，所述苯、萘和聯(lián)苯可被1-4個獨立地選自如下組的取代基取代：鹵素、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-12環(huán)烷基、CN、NO₂、OH、SH、NR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、CHO、CO-C_1-20烷基、COO-C_1-20烷基、CONR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、O-C_1-20烷基、S-C_1-20烷基、O-C_2-20鏈烯基和O-C_2-20炔基，且苯、萘和聯(lián)苯可與–CH₂-CH₂-CH₂-或-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-稠合，所述–CH₂-CH₂-CH₂-或-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-可被C_1-20烷基或O-C_1-20烷基取代，或者其中–CH₂-CH₂-CH₂-或-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-的一個或兩個CH₂基團可被O、S或N-R¹⁰⁰⁰代替，其中R¹⁰⁰⁰和R²⁰⁰⁰獨立且在每次出現(xiàn)為H或C_1-20烷基，其中C_1-20烷基可被一個或多個鹵素取代。

芳族溶劑的實例為苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氫化茚、1,2,3,4-四氫化萘、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、1,2-二乙基苯、1,3-二乙基苯、1,4-二乙基苯、丙苯、丁苯、叔丁基苯、異丙苯、1-甲基萘、2-甲基萘和1-氯萘。

雜芳族溶劑可選自噻吩、呋喃、吡啶、吡咯、嘧啶及其混合物，噻吩、呋喃、吡啶、吡咯和嘧啶可被1-4個獨立地選自如下組的取代基取代：鹵素、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-12環(huán)烷基、CN、NO₂、OH、SH、NR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、CHO、CO-C_1-20烷基、COO-C_1-20烷基、CONR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、O-C_1-20烷基、S-C_1-20烷基、O-C_2-20鏈烯基和O-C_2-20炔基，且噻吩、呋喃、吡啶、吡咯和嘧啶可與–CH₂-CH₂-CH₂-或CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-稠合，所述–CH₂-CH₂-CH₂-和CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-可被C_1-20烷基或O-C_1-20烷基取代，或者其中–CH₂-CH₂-CH₂-和CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-的一個或兩個CH₂基團可被O、S或N-R¹⁰⁰⁰代替，其中R¹⁰⁰⁰和R²⁰⁰⁰獨立且在每次出現(xiàn)時為H或C_1-20烷基，其中C_1-20烷基可被一個或兩個鹵素取代。

雜芳族溶劑的實例為噻吩、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、吡啶、2-甲基吡啶、3-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2,4-二甲基吡啶和2,4,6-三甲基吡啶。

優(yōu)選地，溶劑B包含芳族溶劑。

更優(yōu)選地，溶劑B包含基于溶劑B的重量為至少40重量％的芳族溶劑，所述芳族溶劑選自苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氫化茚、1,2,3,4-四氫化萘、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、丙苯、丁苯、叔丁基苯、異丙苯及其混合物。

甚至更優(yōu)選地，溶劑B包含基于溶劑B的重量為至少60重量％的芳族溶劑，所述芳族溶劑選自甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,2-二氫化茚、1,2,3,4-四氫化萘、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

最優(yōu)選地，溶劑B包含基于溶劑B的重量為至少80重量％的芳族溶劑，所述芳族溶劑選自甲苯、氯苯、鄰二氯苯、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

特別地，溶劑B為甲苯。

優(yōu)選地，組合物B包含20-95重量％的半導體單壁碳納米管和80-5重量％的金屬性單壁碳納米管，基于半導體和金屬性單壁碳納米管重量之和。

更優(yōu)選地，組合物B包含50-90重量％的半導體單壁碳納米管和50-10重量％的金屬性單壁碳納米管，基于半導體和金屬性單壁碳納米管重量之和。

最優(yōu)選地，組合物B包含60-80重量％的半導體單壁碳納米管和40-20重量％的金屬性單壁碳納米管，基于半導體和金屬性單壁碳納米管重量之和。

特別地，組合物B包含65-85重量％的半導體單壁碳納米管和35-25重量％的金屬性單壁碳納米管，基于半導體和金屬性單壁碳納米管重量之和。

優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管的直徑為0.5-5nm。更優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管的直徑為0.8-2.5nm。最優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管的直徑為1.0-2.0nm。

優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管之和的濃度基于組合物B的重量為0.001-3重量％。更優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管之和的濃度基于組合物B的重量為0.01-2重量％。最優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管之和的濃度基于組合物B的重量為0.1-1重量％。

優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管之和/半導體聚合物的重量比為0.01/1-10/1。優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管之和/半導體聚合物的重量比為0.05/1-5/1。更優(yōu)選地，組合物B中的半導體和金屬性單壁碳納米管之和/半導體聚合物的重量比為0.25/1-3/1。

例如，組合物B可通過將溶劑B與半導體和金屬性單壁碳納米管的混合物混合而制備。半導體和金屬性單壁碳納米管的混合物可通過本領域已知的方法制備，例如電弧放電、激光燒蝕或含碳分子的催化分解(CVD)。

優(yōu)選地，半導體和金屬性單壁碳納米管的混合物通過電弧放電制備。

通常，在分離步驟之前使用超聲將組合物B混合。

優(yōu)選地，通過離心方法將從組合物B中分離組合物A。優(yōu)選地，離心方法中所用的角速度為1,000-100,000rpm。更優(yōu)選地，離心方法中所用的角速度為5,000-50,000rpm。甚至更優(yōu)選地，離心方法中所用的角速度為10,000-30,000rpm。最優(yōu)選地，離心方法中所用的角速度為12,000-25,000rpm。

在離心方法中，可使用任何合適類型的離心機，例如微量離心機、高速離心機和超速離心機。優(yōu)選使用高速離心機

離心方法通常在0-100℃，更優(yōu)選0-50℃，甚至更優(yōu)選0-30℃，最優(yōu)選5-20℃，特別是10-20℃的溫度下進行。

優(yōu)選地，在離心方法之后收集上清液，可任選用溶劑將其稀釋，從而獲得組合物A。

優(yōu)選地，溶劑A包含芳族溶劑。

更優(yōu)選地，溶劑A包含基于溶劑A的重量為至少40重量％的芳族溶劑，所述芳族溶劑選自苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氫化茚、1,2,3,4-四氫化萘、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、丙苯、丁苯、叔丁基苯、異丙苯及其混合物。

甚至更優(yōu)選地，溶劑A包含基于溶劑A的重量為至少60重量％的芳族溶劑，所述芳族溶劑選自甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,2-二氫化茚、1,2,3,4-四氫化萘、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

最優(yōu)選地，溶劑A包含基于溶劑A的重量為至少80重量％的芳族溶劑，所述芳族溶劑選自甲苯、氯苯、鄰二氯苯、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

特別地，溶劑A為甲苯。

組合物A基本上不含金屬性單壁碳納米管，或者如果組合物A中存在金屬性單壁碳納米管，則組合物A的半導體單壁碳納米管/金屬性單壁碳納米管重量比大于組合物B的半導體單壁碳納米管/金屬性單壁碳納米管重量比。

優(yōu)選地，所述半導體聚合物為包含至少一種式(1)或(5)單元的聚合物：

其中：

b和c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，

a和d彼此獨立地為0、1、2、3或4，

n和m彼此獨立地為0、1、2、3或4，

R¹在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基、C_2-100炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基、5-20元雜芳基、C(O)-C_1-100烷基、C(O)-C_5-12環(huán)烷基和C(O)-OC_1-100烷基，

其中：

C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基可被1-40個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^aR^b、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、N[C(O)R^a][C(O)R^b]、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素、CN和NO₂；且C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^aR^b、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、N[C(O)R^a][C(O)R^b]、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素、CN和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^a或NR^a-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^aR^b、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、N[C(O)R^a][C(O)R^b]、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素、CN和NO₂，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60鏈烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8環(huán)烷基、O-C_6-14芳基、O-5-14元雜芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif、NR⁵R⁶、鹵素和O-C(O)-R⁵，

其中o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie、R^Sif獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60鏈烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8環(huán)烷基、O-C_6-14芳基、O-5-14元雜芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii、NR⁵⁰R⁶⁰、鹵素和O-C(O)-R⁵⁰；

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、O-Si(CH₃)₃、NR⁵⁰⁰R⁶⁰⁰、鹵素和O-C(O)-R⁵⁰⁰，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基可被1-20個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NRcR^d、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、N[C(O)R^c][C(O)R^d]、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素、CN和NO₂；且C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^cR^d、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、N[C(O)R^c][C(O)R^d]、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素、CN和NO₂；且C_5-8環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^cR^d、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、N[C(O)R^c][C(O)R^d]、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^c和R^d獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio、NR⁷R⁸、鹵素和O-C(O)-R⁷，

其中：

q為1-50的整數(shù)，

R^Sim、R^Sin、R^Sio獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir、NR⁷⁰R⁸⁰、鹵素和O-C(O)-R⁷⁰；

其中：

r為1-50的整數(shù)，

R^Sip、R^Siq、R^Sir獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、O-Si(CH₃)₃、NR⁷⁰⁰R⁸⁰⁰、鹵素和O-C(O)-R⁷⁰⁰，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自C_6-18亞芳基、5-20元亞雜芳基、

其中：

C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、N[C(O)R³¹][C(O)R³²]、SR³¹、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、C(O)-R⁴¹、C(O)-NR⁴¹R⁴²、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NRⁱ或NRⁱ-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^k和R^l獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基，

其中：

C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、N[C(O)R⁹¹][C(O)R⁹²]、SR⁹¹、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NRⁿR^m、N[C(O)Rⁿ][C(O)R^m]、SRⁿ、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、

SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^o和R^p獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

A選自如下組：

且

B選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可被1-3個取代基R²取代，

R²在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基、5-20元雜芳基、OR²¹、OC(O)-R²¹、C(O)-OR²¹、C(O)-R²¹、NR²¹R²²、NR²¹-C(O)R²²、C(O)-NR²¹R²²、N[C(O)R²¹][C(O)R²²]、SR²¹、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和OH，

其中：

R²¹和R²²獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^e或NR^e-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂，

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^e和R^f獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^g和R^h獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

鹵素可為F、Cl、Br和I。

C_1-4烷基、C_1-10烷基、C_1-20烷基、C_1-30烷基、C_1-36烷基、C_1-50烷基、C_1-60烷基和C_1-100烷基可為支化或未支化的。C_1-4烷基的實例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基和叔丁基。C_1-10烷基的實例為C_1-4烷基、正戊基、新戊基、異戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正-(2-乙基)己基、正壬基和正癸基。C_1-20烷基的實例為C_1-10烷基和正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基(C₂₀)。C_1-30烷基、C_1-36烷基、C_1-50烷基、C_1-60烷基和C_1-100烷基的實例為C_1-20烷基和正二十二烷基(C₂₂)、正二十四烷基(C₂₄)、正二十六烷基(C₂₆)、正二十八烷基(C₂₈)和正三十烷基(C₃₀)。

C_2-10鏈烯基、C_2-20鏈烯基、C_2-30鏈烯基、C_2-60鏈烯基和C_2-100鏈烯基可為支化或未支化的。C_2-10鏈烯基的實例為乙烯基、丙烯基、順-2-丁烯基、反-2-丁烯基、3-丁烯基、順-2-戊烯基、反-2-戊烯基、順-3-戊烯基、反-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基和癸烯基。C_2-20鏈烯基的實例為C_2-10鏈烯基和亞油基(C₁₈)、亞麻基(C₁₈)、油基(C₁₈)和花生四烯基(arachidonyl，C₂₀)。C_2-30鏈烯基、C_2-60鏈烯基和C_2-100鏈烯基的實例為C_2-20鏈烯基和芥油基(erucyl，C₂₂)。

C_2-10炔基、C_2-20炔基、C_2-30炔基、C_2-60炔基和C_2-100炔基可為支化或未支化的。C_2-10炔基的實例為乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基和癸炔基。C_2-20炔基、C_2-30鏈烯基、C_2-60炔基和C_2-100炔基的實例為C_2-10炔基和十一炔基、十二炔基、十一炔基、十二炔基、十三炔基、十四炔基、十五炔基、十六炔基、十七炔基、十八炔基、十九炔基和二十炔基(C₂₀)。

C_5-6環(huán)烷基的實例為環(huán)戊基和環(huán)己基。C_5-8環(huán)烷基的實例為C_5-6環(huán)烷基和環(huán)庚基和環(huán)辛基。C_5-12環(huán)烷基的實例為C_5-8環(huán)烷基和環(huán)壬基、環(huán)癸基、環(huán)十一烷基和環(huán)十二烷基。

C_6-10芳基的實例為苯基、

C_6-14芳基的實例為C_6-10芳基和

C_6-18芳基的實例為C_6-14芳基和

5-10元雜芳基為5-10元單環(huán)或多環(huán)，例如雙環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)體系，其包含至少一個雜芳族環(huán)，且還可包含非芳族環(huán)，其可被＝O取代。

5-14元雜芳基為5-14元單環(huán)或多環(huán)，例如雙環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)體系，其包含至少一個雜芳族環(huán)，且還可包含非芳族環(huán)，其可被＝O取代。

5-20元雜芳基為5-20元單環(huán)或多環(huán)，例如雙環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)體系，其包含至少一個雜芳族環(huán)，且還可包含非芳族環(huán)，其可被＝O取代。

5-10元雜芳基的實例為：

5-14元雜芳基的實例為對5-10元雜芳基所給的實例和

5-20元雜芳基的實例為對5-14元雜芳基所給的實例和

其中：

R¹⁰⁰和R¹⁰¹獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，或者如果R¹⁰⁰和R¹⁰¹連接在同一原子上，則R¹⁰⁰和R¹⁰¹與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^q和R^r獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

C_6-18亞芳基為6-18元單環(huán)或多環(huán)，例如雙環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)體系，其包含至少一個C-芳環(huán)，且還可包含非芳族環(huán)，其可被＝O取代。

C_6-18亞芳基的實例為：

其中：

R¹⁰²和R¹⁰³獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，或者如果R¹⁰²和R¹⁰³連接在同一原子上，則R¹⁰²和R¹⁰³與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^s和R^t獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

5-20元亞雜芳基為5-20元單環(huán)或多環(huán)，例如雙環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)體系，其包含至少一個雜芳族環(huán)，且還可包含非芳族環(huán)，其可被＝O取代。

5-20元亞雜芳基的實例為：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基、或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵連接在同一原子上，則R¹⁰⁴和R¹⁰⁵與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^v、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

除R¹⁰⁰和R¹⁰¹、分別地R¹⁰²和R¹⁰³、分別地R¹⁰⁴和R¹⁰⁵所連接的原子之外，所述5-12元環(huán)體系可包含選自如下組的環(huán)成員：CH₂、O、S和NR^w，其中R^w在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基。

優(yōu)選地，具有0.5-1.8eV帶隙的半導體聚合物包含基于所述聚合物的重量為至少60重量％的式(1)和/或(5)單元。

更優(yōu)選地，具有0.5-1.8eV帶隙的半導體聚合物包含基于所述聚合物的重量為至少80重量％的式(1)和/或(5)單元。

甚至更優(yōu)選地，具有0.5-1.8eV帶隙的半導體聚合物包含基于所述聚合物的重量為至少95重量％的式(1)和/或(5)單元。

最優(yōu)選地，所述半導體聚合物基本上由式(1)和/或(5)單元組成。

優(yōu)選地，b和c彼此獨立地為1、2、3或4。更優(yōu)選地，b和c彼此獨立地為1、2或3。

優(yōu)選地，a和d彼此獨立地為0、1、2或3。更優(yōu)選地，a和d彼此獨立地為0、1或2。甚至更優(yōu)選地，a和d彼此獨立地為0或1。最優(yōu)選地，a和d為0。

優(yōu)選地，n為0、1或2，m為0、1或2。更優(yōu)選地，n為0或1，m為0、1或2。最優(yōu)選地，n為0，m為0、1或2。

優(yōu)選地，R¹在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基、C_2-100炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，

其中：

C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基可被1-40個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^a或NR^a-CO代替，C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60鏈烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8環(huán)烷基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie和R^Sif獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih和R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基可被1-20個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_5-8環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；

其中：

R^c和R^d獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q為1-50的整數(shù)，

R^Sim、R^Sin、R^Sio獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir、NR⁷⁰R⁸⁰、鹵素和O-C(O)-R⁷⁰；

其中：

r為1-50的整數(shù)，

R^Sip、R^Siq、R^Sir獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、O-Si(CH₃)₃、NR⁷⁰⁰R⁸⁰⁰、鹵素和O-C(O)-R⁷⁰⁰，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN。

更優(yōu)選地，R¹在每次出現(xiàn)時選自C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基，其中：

C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基可被1-40個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif,

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie和R^Sif獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基可被1-20個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_5-8環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；

其中：

R^c和R^d獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q為1-50的整數(shù)，

R^Sim、R^Sin、R^Sio獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir，

其中：

r為1-50的整數(shù)，

R^Sip、R^Siq、R^Sir獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN。

甚至更優(yōu)選地，R¹在每次出現(xiàn)時選自C_1-50烷基、C_2-50鏈烯基和C_2-50炔基，

其中：

C_1-50烷基、C_2-50鏈烯基和C_2-50炔基可被1-20個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^a、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-50烷基、C_2-50鏈烯基和C_2-50炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie、R^Sif獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN。

最優(yōu)選地，R¹在每次出現(xiàn)時選自C_1-36烷基、C_2-36鏈烯基和C_2-36炔基，

其中：

C_1-36烷基、C_2-36鏈烯基和C_2-36炔基可被1-20個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^a、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-36烷基、C_2-36鏈烯基和C_2-36炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie、R^Sif獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN。

特別地，R¹在每次出現(xiàn)時為未取代的C_1-36烷基。

優(yōu)選地，L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自C_6-18亞芳基、5-20元亞雜芳基，和

其中：

C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、C(O)-R⁴¹、C(O)-NR⁴¹R⁴²、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NRⁱ或NRⁱ-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^k和R^l獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

更優(yōu)選地，L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、C(O)-R⁴¹、C(O)-NR⁴¹R⁴²、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NRⁱ或NRⁱ-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^k和R^l獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基

取代：鹵素、CN和NO₂。

甚至更優(yōu)選地，L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵連接在同一原子上，則R¹⁰⁴和R¹⁰⁵與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：

鹵素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-4個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基和鹵素，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C(O)-R⁴¹、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R⁴¹在每次出現(xiàn)時為C_1-30烷基。

甚至更優(yōu)選地，L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H和C_1-20烷基，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-4個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基和鹵素，且

其中：

未被取代。

最優(yōu)選地，L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中5-20元亞雜芳基為：

其中5-20元亞雜芳基未被取代，且

其中未被取代。

特別地，L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，其中5-20元亞雜芳基為：

其中5-20元亞雜芳基未被取代。

優(yōu)選地，L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基，

其中：

C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NRⁿR^m、N[C(O)Rⁿ][C(O)R^m]、SRⁿ、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^o和R^p獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

更優(yōu)選地，L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NRⁿR^m、N[C(O)Rⁿ][C(O)R^m]、SRⁿ、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^o和R^p獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

甚至更優(yōu)選地，L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵連接在同一原子上，則R¹⁰⁴和R¹⁰⁵與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-3個在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素的取代基R⁹取代。

最優(yōu)選地，L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中，5-20元亞雜芳基可被1個在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素的取代基R⁹取代。

特別地，L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，其中5-20元亞雜芳基為：

其中5-20元亞雜芳基未被取代。

優(yōu)選地，A選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，且

A1、A2、A3和A4可被1-3個取代基R²取代。

更優(yōu)選地，A為：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為S或NR¹，且

A1和A4可被1-3個取代基R²取代。

最優(yōu)選地，A為：

其中A4未被取代。

優(yōu)選地，B選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，且

B1、B2、B3和B4可被1-3個取代基R²取代。

更優(yōu)選地，B為：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為S或NR¹，且

B1和B4可被1-3個取代基R²取代。

最優(yōu)選地，B為：

其中B4未被取代。

優(yōu)選地，R²在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素，

其中：

C_1-30烷基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

R^e和R^f獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^g和R^h獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

更優(yōu)選地，R²在每次出現(xiàn)時選自未取代的C_1-30烷基和鹵素。

在優(yōu)選的包含至少一種式(1)或(5)單元的聚合物中，

b和c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，

a和d彼此獨立地為0、1、2、3或4，

n和m彼此獨立地為0、1、2、3或4，

R¹在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基、C_2-100炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，

其中：

C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基可被1-40個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^a或NR^a-CO代替，C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、

SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60鏈烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8環(huán)烷基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie和R^Sif獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih和R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基可被1-20個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_5-8環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；

其中：

R^c和R^d獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q為1-50的整數(shù)，

R^Sim、R^Sin、R^Sio獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir、NR⁷⁰R⁸⁰、鹵素和O-C(O)-R⁷⁰；

其中：

r為1-50的整數(shù)，

R^Sip、R^Siq、R^Sir獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30鏈烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6環(huán)烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元雜芳基、O-Si(CH₃)₃、NR⁷⁰⁰R⁸⁰⁰、鹵素和O-C(O)-R⁷⁰⁰，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN，

L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自C_6-18亞芳基、5-20元亞雜芳基和

其中：

C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、C(O)-R⁴¹、C(O)-NR⁴¹R⁴²、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NRⁱ或NRⁱ-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^k和R^l獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代

基取代：鹵素、CN和NO₂，

L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基，

其中：

C_6-18亞芳基和5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NRⁿR^m、N[C(O)Rⁿ][C(O)R^m]、SRⁿ、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^o和R^p獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基

取代：鹵素、CN和NO₂，

A選自如下組：

且

B選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可被

1-3個取代基R²取代，

R²在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基、5-20元雜芳基、OR²¹、OC(O)-R²¹、C(O)-OR²¹、C(O)-R²¹、NR²¹R²²、NR²¹-C(O)R²²、C(O)-NR²¹R²²、N[C(O)R²¹][C(O)R²²]、SR²¹、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和OH，

其中：

R²¹和R²²獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^e或NR^e-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂，

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^e和R^f獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^g和R^h獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基

取代：鹵素、CN和NO₂。

在更優(yōu)選的包含至少一種式(1)或(5)單元的聚合物中，

b和c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6，

a和d彼此獨立地為0、1、2或3，

n和m彼此獨立地為0、1、2、3或4，

R¹在每次出現(xiàn)時選自C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基，

其中：

C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基可被1-40個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-100烷基、C_2-100鏈烯基和C_2-100炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie和R^Sif獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基、C_2-60炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基可被1-20個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_1-60烷基、C_2-60鏈烯基和C_2-60炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；且C_5-8環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、鹵素和CN；

其中：

R^c和R^d獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q為1-50的整數(shù)，

R^Sim、R^Sin、R^Sio獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir，

其中：

r為1-50的整數(shù)，

R^Sip、R^Siq、R^Sir獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN，

L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、C(O)-R⁴¹、C(O)-NR⁴¹R⁴²、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NRⁱ或NRⁱ-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、鹵素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^k和R^l獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-6個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NRⁿR^m、N[C(O)Rⁿ][C(O)R^m]、SRⁿ、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、鹵素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^o和R^p獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

A選自如下組：

且

B選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可被1-3個取代基R²取代，

R²在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基、5-20元雜芳基、OR²¹、OC(O)-R²¹、C(O)-OR²¹、C(O)-R²¹、NR²¹R²²、NR²¹-C(O)R²²、C(O)-NR²¹R²²、N[C(O)R²¹][C(O)R²²]、SR²¹、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和OH，

其中：

R²¹和R²²獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-12環(huán)烷基、C_6-18芳基和5-20元雜芳基，且

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12環(huán)烷基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_5-12環(huán)烷基的一個或兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^e或NR^e-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元雜芳基可被1-6個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂，

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^e和R^f獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^g和R^h獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

在甚至更優(yōu)選的包含至少一種式(1)或(5)單元的聚合物中，

b和c彼此獨立地為1、2、3或4，

a和d彼此獨立地為0、1或2，

n和m彼此獨立地為0、1或2，

R¹在每次出現(xiàn)時選自C_1-50烷基、C_2-50鏈烯基和C_2-50炔基，

其中：

C_1-50烷基、C_2-50鏈烯基和C_2-50炔基可被1-20個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^a、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-50烷基、C_2-50鏈烯基和C_2-50炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie、R^Sif獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，

C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基和C_2-30炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN，

L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵連接在同一原子上，則R¹⁰⁴和R¹⁰⁵與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-4個在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素的取代基R³取代，且

其中：

可被1或2個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C(O)-R⁴¹、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R⁴¹在每次出現(xiàn)時為C_1-30烷基，

L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵連接在同一原子上，則R¹⁰⁴和R¹⁰⁵與它們所連接的原子一起形成5-12元環(huán)體系，其中：

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

5-12元環(huán)體系可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-3個在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素的取代基R⁹取代，

A選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，且

A1、A2、A3和A4可被1-3個取代基R²取代，

B選自如下組：

其中：

X在每次出現(xiàn)時為O、S或NR¹，且

B1、B2、B3和B4可被1-3個取代基R²取代，

其中：

R²在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素,

其中：

C_1-30烷基可被1-10個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基、5-14元雜芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、鹵素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

R^e和R^f獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-8環(huán)烷基、C_6-14芳基和5-14元雜芳基，

C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_5-8環(huán)烷基可被1-5個選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元雜芳基可被1-5個獨立地選自如下組的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基、C_2-10炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、鹵素、CN和NO₂；

其中：

R^g和R^h獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10鏈烯基和C_2-10炔基可被1-5個選自如下組的取代基取代：鹵素、CN和NO₂。

在甚至更優(yōu)選的包含至少一種式(1)或(5)單元的聚合物中，

b和c彼此獨立地為1、2或3，

a和d彼此獨立地為0或1，

n為0或1,

m為0、1或2，

R¹在每次出現(xiàn)時選自C_1-36烷基、C_2-36鏈烯基和C_2-36炔基，

其中：

C_1-36烷基、C_2-36鏈烯基和C_2-36炔基可被1-20個獨立地選自如下組的取代基取代：C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、5-10元雜芳基、OR^a、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、鹵素和CN；且C_1-36烷基、C_2-36鏈烯基和C_2-36炔基的至少兩個CH₂基—但并非相鄰的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o為1-50的整數(shù)，

R^Sid、R^Sie、R^Sif獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p為1-50的整數(shù)，

R^Sig、R^Sih、R^Sii獨立地選自H、C_1-30烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰獨立地選自H、C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基、C_2-20炔基、C_5-6環(huán)烷基、C_6-10芳基和5-10元雜芳基，C_1-20烷基、C_2-20鏈烯基和C_2-20炔基可被1-10個選自如下組的取代基取代：鹵素和CN，

L¹和L²彼此獨立且在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵獨立且在每次出現(xiàn)時選自H和C_1-20烷基，

其中：

5-20元亞雜芳基可被1-4個在每次出現(xiàn)時選自如下組的取代基R³取代：

C_1-30烷基和鹵素，且

其中未被取代，

L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，

其中5-20元亞雜芳基選自如下組：

其中：

5-20元亞雜芳基可被1個在每次出現(xiàn)時選自C_1-30烷基和鹵素的取代基R⁹取代，

A為

其中：

X在每次出現(xiàn)時為S或NR¹，且

A1和A4可被1-3個取代基R²取代，

B為

其中：

X在每次出現(xiàn)時為S或NR¹，且

B1和B4可被1-3個取代基R²取代，

其中：

R²在每次出現(xiàn)時選自未取代的C_1-30烷基和鹵素。

在最優(yōu)選的包含至少一種式(1)或(5)單元的聚合物中，

b和c彼此獨立地為1、2或3，

a和d為0，

n為0，

m為0、1或2，

R¹在每次出現(xiàn)時為未取代的C_1-36烷基，

L²在每次出現(xiàn)時選自5-20元亞雜芳基和

其中5-20元亞雜芳基為

其中5-20元亞雜芳基未被取代，且

其中未被取代，

L³和L⁴彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為5-20元亞雜芳基，

其中5-20元亞雜芳基為

其中5-20元亞雜芳基未被取代，

A為

其中A4未被取代，

B為

其中B4未被取代。

所述包含至少一種式(1)單元的聚合物優(yōu)選為包含至少一種式(5)單元的聚合物。

特別優(yōu)選的包含式(1)單元的聚合物為包含至少一個下式單元的聚合物：

包含至少一種式(1)或(5)的聚合物可通過本領域已知的方法制備，例如使用Suzuki型或Stille型共聚條件：

其中a、b、c、d、n、m、R¹、L¹、L²、L³、L⁴、A和B如上文所定義。

例如，包含至少一種式(1)單元的聚合物可通過用式(2)和/或(4)的化合物處理式(3)的化合物而制備：

其中a、b、c、d、R¹、L¹、L²、L³和L⁴如上文所定義，

其中b、c、R¹、L³和L⁴如對式(1)單元所定義，且Y¹在每次出現(xiàn)時為I、Br、Cl或O-S(O)₂CF₃，

其中L¹、L²、a和d如對式(1)單元所定義，且Z^a和Z^b獨立且在每次出現(xiàn)時選自B(OZ¹)(OZ²)、SnZ¹Z²Z³、

其中Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵和Z⁶彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為H或C_1-4烷基。

例如，包含式(5)單元的聚合物可通過用式(8)和/或(9)的化合物處理式(6)的化合物而制備：

其中n、m、R¹、L¹、L²、A和B如上文所定義，

其中n、m、R¹、L¹、L²、A和B如對式(5)單元所定義，且Y²在每次出現(xiàn)時為I、Br、Cl或O-S(O)₂CF₃，

其中L¹、L²、n和m如對式(5)單元所定義，且Z^a和Z^b獨立且在每次出現(xiàn)時選自B(OZ¹)(OZ²)、SnZ¹Z²Z³、

其中Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵和Z⁶彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為H或C_1-4烷基。

當Z^a和Z^b獨立且在每次出現(xiàn)時選自B(OZ¹)(OZ²)、

其中Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵和⁶彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為H或C_1-4烷基時，

所述反應通常在催化劑，優(yōu)選Pd催化劑如Pd(P(Ph)₃)₄、Pd(OAc)₂和Pd₂(dba)₃，以及堿如K₃PO₄、Na₂CO₃、K₂CO₃、LiOH和NaOMe存在下進行。取決于Pd催化劑，所述反應還可要求存在膦配體如P(Ph)₃、P(鄰甲苯基)₃和P(tert-Bu)₃。所述反應還通常在升高的溫度下，例如在40-250℃，優(yōu)選60-200℃的溫度下進行。所述反應可在合適的溶劑如四氫呋喃、甲苯或氯苯存在下進行。所述反應通常在惰性氣體下進行。

當Z^a和Z^b獨立地為SnZ¹Z²Z³(其中Z¹、Z²和Z³彼此獨立且在每次出現(xiàn)時為C_1-4烷基)時，所述反應通常在催化劑，優(yōu)選Pd催化劑如d(P(Ph)₃)₄和Pd₂(dba)₃存在下進行。取決于Pd催化劑，所述反應還可要求存在膦配體如P(Ph)₃、P(鄰甲苯基)₃和P(tert-Bu)₃。所述反應還通常在升高的溫度下，例如在40-250℃，優(yōu)選60-200℃的溫度下進行。所述反應可在合適的溶劑如甲苯或氯苯存在下進行。所述反應通常在惰性氣體下進行。

本發(fā)明的一部分還為一種包含半導體單壁碳納米管、半導體聚合物和溶劑A的組合物(組合物A)，其中所述半導體聚合物具有0.5-1.8eV的帶隙，溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑。

優(yōu)選地，組合物A可通過本發(fā)明的方法獲得。

本發(fā)明的一部分還為一種形成電子器件的方法，所述方法包括通過在電子器件的前體上施加包含半導體單壁碳納米管、半導體聚合物和溶劑A的組合物(組合物A)而形成層的步驟，所述層包含半導體單壁碳納米管和半導體聚合物，其中所述半導體聚合物具有0.5-1.8eV的帶隙，溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑。

所述層可通過使用任何合適的液體加工技術如旋涂、刮涂、縫形模頭涂布、液滴流延、噴涂、噴墨或將電子器件的前體浸泡于組合物A中而施加至電子器件的前體上而形成。優(yōu)選地，組合物A通過刮涂、縫形模頭涂布、噴涂或將電子器件的前體浸泡于組合物A中而施加。更優(yōu)選地，組合物A通過刮涂、縫形模頭涂布或將電子器件的前體浸泡于組合物A中而施加。

所述電子器件可為有機光伏器件(OPV)、有機場效應晶體管(OFET)、有機發(fā)光二極管(OLED)或有機光電二極管(OPD)。

優(yōu)選地，所述電子器件為有機光伏器件(OPV)、有機場效應晶體管(OFET)或有機光電二極管(OPD)。

更優(yōu)選地，所述電子器件為有機場效應晶體管(OFET)。

優(yōu)選地，所述電子器件有機場效應晶體管(OFET)且所述層為半導體層。

有機場效應晶體管通常包含介電層、半導體層和基材。此外，有機場效應晶體管通常包含柵極和源/漏極。

優(yōu)選地，所述半導體層可具有5-500nm，優(yōu)選10-100nm，更優(yōu)選20-50nm的厚度。

所述介電層包含介電材料。所述介電材料可為二氧化硅或氧化鋁，或者為有機聚合物如聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、苯并環(huán)丁烯(BCB)或聚酰亞胺(PI)。介電層可具有10-2000nm，優(yōu)選50-1000nm，更優(yōu)選100-800nm的厚度。

除介電材料之外，介電層可包含有機硅烷衍生物或有機磷酸衍生物的自組裝單層。有機硅烷衍生物的實例為辛基三氯硅烷。有機磷酸衍生物的實例為辛基癸基磷酸。介電層中所含的自組裝單層通常與半導體層接觸。

源/漏極可由任何合適的有機或無機源/漏極材料制成。無機源/漏極材料的實例為金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)或銅(Cu)，以及包含這些金屬中的至少一種的合金。源/漏極可具有1-100nm，優(yōu)選20-70nm的厚度。

柵極可由任何合適的柵極材料制成，例如高度摻雜的硅、鋁(Al)、鎢(W)、氧化銦錫或金(Au)，或包含這些金屬中的至少一種的合金。柵極可具有1-200nm，優(yōu)選5-100nm的厚度。

基材可為任何合適的基材，例如玻璃，或塑料基材如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。取決于有機場效應晶體管的設計，柵極，例如高度摻雜的硅也可起基材作用。

有機場效應晶體管可通過本領域已知的方法制備。

例如，底柵頂接觸有機場效應晶體管可如下制備：可通過合適的沉積方法，如原子層沉積或熱蒸發(fā)將介電材料(如Al₂O₃或二氧化硅)以層形式施加至也起基材作用的柵極層(如高度摻雜的硅晶片)上?？蓪⒂袡C磷酸衍生物或有機硅烷衍生物的自組裝單層施加至介電材料層上。例如，有機磷酸衍生物或有機硅烷衍生物可使用溶液沉積技術由溶液施加。半導體層可通過將組合物A溶液沉積如浸泡或真空熱蒸發(fā)至有機磷酸衍生物或有機硅酸衍生物的自組裝單層上而形成。源/漏極可通過將合適的源/漏極材料如鉭(Ta)和/或金(Au)經(jīng)陰影掩模沉積至半導體層上而形成。

例如，底柵底接觸有機場效應晶體管可如下制備：可通過合適的沉積方法，如原子層沉積或熱蒸發(fā)將介電材料(如二氧化硅)施加至也起基材作用的柵極層(如高度摻雜的硅晶片)上。源/漏極可通過將合適的源/漏極材料如金(Au)或鉻(Cr)蒸發(fā)至位于介電層上的光刻限定的電極上而形成。半導體層可通過如下形成：將組合物A施加至源/漏極和介電層上，隨后用合適的溶劑如甲苯清洗該層，并在升高的溫度下，例如在80-360℃的溫度下將該層退火。

溝道寬度(W)通常為10-2000μm，溝道長度(L)通常為5-100μm。

本發(fā)明的一部分還為一種可通過本發(fā)明的方法獲得的電子器件。

本發(fā)明的一部分還為包含半導體單壁碳納米管、半導體聚合物和溶劑A的組合物(組合物A)用于形成半導體層(優(yōu)選在電子器件中)的用途，其中所述半導體聚合物具有0.5-1.8eV的帶隙，溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑。

本發(fā)明的方法提供了一種包含半導體單壁碳納米管、半導體聚合物和溶劑A的組合物(組合物A)，其中所述半導體聚合物具有0.5-1.8eV的帶隙，溶劑A包含芳族或雜芳族溶劑，所述組合物適于形成電子器件，優(yōu)選有機場效應晶體管(OFET)中的半導體層。

本發(fā)明的制備組合物A的方法是特別有利的，因為其對大直徑半導體單壁碳納米管，例如直徑為1.3-1.6nm，優(yōu)選1.4-1.5nm的半導體單壁碳納米管具有高選擇性。與小直徑(<1.3nm)半導體SWNT相比，大直徑半導體SWNT由于其可忽略不計的肖特基勢壘和高載流子遷移率，同時保持高開/關比而是邏輯電路應用所特別希望的。

此外，組合物A與液體加工技術相容。

本發(fā)明的包括由組合物A形成的半導體層的有機場效應晶體管(OFET)顯示出高載流子遷移率和高開/關比。

圖1顯示了組合物A-1’、A-2’、A-3’和A-4’(全部包含半導體聚合物移除的半導體SWNT)的歸一化UV-VIS譜，以及呈固態(tài)的SDBS移除的電弧放電SWNT的歸一化UV-VIS譜。

圖2顯示了組合物A-3’、A-5’、A-6’和A-7’的UV-VIS譜，全部包含呈固態(tài)的半導體聚合物移除的半導體SWNT。

圖3顯示了包含半導體SWNT和聚合物Pc.的組合物A-6、初始的電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)和聚合物Pc在785nm激發(fā)和100-300cm^-1拉曼位移下的拉曼光譜。

圖4顯示了包含半導體SWNT和聚合物Pc的組合物A-6的手性角(θ)對直徑(d)的圖。

圖5顯示了如何由半導體聚合物在25℃下的薄膜UV-Vis-NIR譜確定半導體聚合物的吸收起始值(λ_起始)。

圖6顯示了組合物A-8’、A-9’、A-10’、A-11’和A-12’(全部包含呈固態(tài)的半導體聚合物移除的半導體SWNT)的歸一化UV-VIS譜。

圖7顯示了組合物A-13’、A-14’、A-15’和A-16’(全部包含半導體聚合物移除的半導體SWNT)的歸一化UV-VIS譜，以及呈固態(tài)的SDBS移除的電弧放電SWNT的歸一化UV-VIS譜。

實施例

實施例1

制備聚合物Pc

在氬氣下，將815mg(2.423mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a、179mg(0.242mmol)化合物3b、78.30mg三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Pd₂(dba)₃)和48.15mg三叔丁基四氟硼酸鹽((tert-Bu)₃P×HBF₄)一起置于50ml四氫呋喃中。將反應混合物加熱至回流，然后加入處于5ml脫氣水中的1600mg磷酸鉀中。將反應混合物回流過夜。然后，將反應混合物傾至水上，過濾沉淀，用水和甲醇洗滌。然后用庚烷、四氫呋喃、甲苯、氯仿和氯苯將沉淀物索格利特分級。為了移除催化劑殘留物，將所選級分蒸發(fā)，將殘余物溶于150ml氯苯中。然后加入50ml 1％NaCN水溶液，將混合物加熱并在回流下攪拌過夜。分離各相，且將有機相在回流下用10ml去離子水洗滌3次達3小時。然后通過加入甲醇將聚合物Pc從有機相中沉淀出。過濾沉淀的Pc，用甲醇洗滌并干燥。聚合物Pc為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝47.0kDa，M_w＝129.6kDa，PDI＝2.76。UV-VIS吸收譜：λ_最大：840nm(膜)和832nm(在甲苯中的10-⁵M溶液)。所述膜通過將5mg聚合物Pc于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制備。元素分析：C 71.60％，H 8.73％，N 3.59％，S 11.40％。帶隙Eg^opt：1.35eV。

實施例2

制備聚合物Pa

聚合物Pa以類似于實施例1中的聚合物Pc的方式制備，不同之處在于使用733mg(2.181mmol)化合物2a和1972mg(2.181mmol)化合物3a，且不使用化合物3b。聚合物Pa為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝36.0kDa，M_w＝36.0kDa，PDI＝1.82。UV-VIS吸收譜：λ_最大：840nm(膜)和840nm(在甲苯中的10-⁵M溶液)。所述薄膜通過將5mg聚合物Pa于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制備。元素分析：C 72.50％，H 8.95％，N 3.66％，S 11.20％。帶隙Eg^opt：1.36eV。

實施例3

制備聚合物Pb

聚合物Pb以類似于實施例1中的聚合物Pc的方式制備，不同之處在于722mg(2.296mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a和85mg(0.115mmol)化合物3b。聚合物Pb為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝43.7kDa，M_w＝150.7kDa，PDI＝3.45。UV-VIS吸收譜：λ_最大：836nm(膜)和828nm(在甲苯中的10^-5M溶液)。所述薄膜通過將5mg聚合物Pb于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制備。元素分析：C 72.85％，H 8.69％，N 3.61％，S 11.40％。帶隙Eg^opt：1.35eV。

實施例4

制備聚合物Pd

聚合物Pd以類似于實施例1中的聚合物Pc的方式制備，不同之處在于使用916mg(2.726mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a和403mg(0.545mmol)化合物3b。聚合物Pd為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝30.7kDa，M_w＝80.2kDa，PDI＝2.61。UV-VIS吸收譜：λ_最大：844nm(膜)和848nm(在甲苯中的10^-5M溶液)。所述薄膜通過將5mg聚合物Pb于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制備。元素分析：C 72.45％，H 8.51％，N 3.79％，S 11.60％。帶隙Eg^opt：1.35eV。

實施例5

制備聚合物Pe

聚合物Pe以類似于實施例2中的聚合物Pa的方式制備，不同之處在于使用739mg(1.768mmol)化合物2b和1995mg(1.768mmol)化合物3c。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝63.8kDa，M_w＝64.9kDa，PDI＝1.76.

實施例6

制備包含半導體SWNT和分別地，聚合物Pa、Pb、Pc和Pd的組合物

分別將5mg聚合物Pa、Pb、Pc和Pd，以及3mg電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％，直徑為約1.1-1.8nm，金屬性SWNT的量為約30％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超聲30分鐘(Cole Parmer超聲發(fā)生器750W)。然后將該分散體在17 000rpm和16℃下離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分別表示為組合物A-1、A-2、A-3和A-4。

組合物A-1包含半導體SWNT和聚合物Pa。

組合物A-2包含半導體SWNT和聚合物Pb。

組合物A-3包含半導體SWNT和聚合物Pc。

組合物A-4包含半導體SWNT和聚合物Pd。

將組合物A-1、A-2、A-3和A-4液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氬氣下退火1小時，從而得到聚合物移除的組合物A-1’、A-2’、A-3’和A-4’。

組合物A-1’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-1。

組合物A-2’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-2。

組合物A-3’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-3。

組合物A-4’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-4。

為了進行對比，將分散于1％十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)水溶液中的電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氬氣下退火1小時，從而得到SDBS移除的電弧放電SWNT。

圖1顯示了組合物A-1’、A-2’、A-3’、A-4’和呈固態(tài)的SDBS移除的電弧放電SWNT的歸一化UV-VIS譜。

金屬性SWNT在600-850nm范圍內吸收。半導體SWNT在900-1330nm范圍內吸收。圖1清楚顯示了與SDBS移除的電弧放電SWNT在600-850nm范圍內的吸收相比，組合物A-1’、A-2’、A-3’、A-4’在該波長范圍內的吸收降低。因此，A-1’、A-2’、A-3’、A-4’組合物的半導體SWNT/金屬性SWNT之比高于SDBS移除的電弧放電SWNT。組合物A-4’顯示出最高的半導體SWNT/金屬性SWNT之比。

實施例7

制備包含半導體SWNT和聚合物Pc的組合物

將5mg聚合物Pa，以及分別地3mg、5mg、7mg、10mg電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超聲30分鐘(Cole Parmer超聲發(fā)生器750W)。然后將該分散體在17 000rpm和16℃下離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分別表示為組合物A-3、A-5、A-6和A-7。

組合物A-3包含半導體SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和3mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-5包含半導體SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和5mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-6包含半導體SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和7mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-7包含半導體SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和10mg電弧放電SWNT的分散體。

將組合物A-3、A-5、A-6和A-7液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氬氣下退火1小時，從而得到聚合物移除的組合物A-3’、A-5’、A-6’和A-7’。

組合物A-3’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-3。

組合物A-5’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-5。

組合物A-6’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-6。

組合物A-7’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-7。

圖2顯示了呈固態(tài)的組合物A-3’、A-5’、A-6’和A-7’的歸一化UV-VIS譜。

金屬性SWNT在600-850nm范圍內吸收。半導體SWNT在900-1330nm范圍內吸收。圖2顯示了組合物A-6’在600-850nm范圍內的吸收比A-3’、A-5’和A-7’在該波長范圍內的吸收進一步降低。因此，5mg聚合物Pc和7mg電弧放電SWNT在25ml甲苯中的分散體給出了上清液中的最高半導體SWNT/金屬性SWNT之比。

在1.58eV(785nm)激發(fā)和×100放大倍數(shù)及1μm光斑尺寸下測量組合物A-6(包含半導體SWNT和聚合物Pc)的拉曼光譜(型號：LabRam Aramis，獲自Horiba Jobin Yvon)。峰位置使用521cm^-1處的Si線校準。

為了進行對比，還記錄初始電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)和聚合物Pc的拉曼光譜。

圖3顯示了組合物A-6、初始的電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)和聚合物Pc在785nm激發(fā)和100-300cm^-1拉曼位移下的拉曼光譜。

圖3顯示在785nm激發(fā)下，在初始電弧放電SWNT中觀察到位于162cm^-1處的強烈峰，這對應于金屬性SWNT的徑向呼吸模式；組合物A-6僅顯示出位于162cm^-1處的極弱峰。聚合物Pc并未顯示出任何位于162cm^-1處的峰。因此，A-6組合物中的半導體SWNT/金屬性SWNT之比高于初始電弧放電SWNT。

在測量范圍為1100-2100nm的自制NIR-II光譜儀裝置上測量包含半導體SWNT和聚合物Pc的組合物A-6的光致發(fā)光激發(fā)/發(fā)射(PLE)譜。700-1080nm范圍內的激發(fā)由200W總輸出功率的無臭氧Hg/Xe燈(Oriel)的白光源提供。將燈光經(jīng)UV濾光片(Thorlabs)過濾以消除紫外光，且經(jīng)1100nm短波通濾光片(Omega)過濾以消除波長大于1100nm的NIR-II光。通過這些濾光片清潔的激發(fā)光被光柵基單色儀(Oriel)散射，從而產生帶寬為15nm的用戶指定的單波長下的激發(fā)線。然后，將該單色激發(fā)光匯聚至其內裝有SWNT溶液的1mm光程石英比色皿(Starna Cells)上。以透射幾何設置收集由該SWNT溶液發(fā)出的熒光，其中透射的激發(fā)光被1100nm的長程濾光片(Thorlabs)拒止。1100-2100nm范圍內的熒光被允許通過該發(fā)射濾光片，且借助裝備有一維(1D)銦-鎵-砷化物(InGaAs)線陣列探測器(Princeton Instruments 1D OMA-V)的光柵基三塔光譜儀(Acton SP2300i)收集。在數(shù)據(jù)采集后收集粗PLE譜，從而使用MATLAB軟件解釋在不同波長下激發(fā)功率的不同、發(fā)射濾光片的消光譜和1D探測器的敏感譜。

根據(jù)PLE結果，由數(shù)據(jù)產生手性角(θ)對直徑(d)的圖。該圖示于圖4中。在該圖中，圓形面積與分散體中的單一半導體SWNT的濃度成正比。圖4表明，由聚合物Pc分散的半導體SWNT具有1.3-1.6nm的直徑，由聚合物Pc分散的大部分半導體SWNT具有1.4-1.5nm的直徑。

實施例8

制備有機場效應晶體管(OFET)，其中由包含半導體SWNT和聚合物Pc的組合物A-6形成半導體層

通過光刻在由300nm SiO₂高度摻雜的4英寸硅晶片上制造底接觸器件電極的漏和源極。通過熱蒸發(fā)沉積Cr(3nm)和Au(25nm)的雙層以作為源-漏極，隨后為在丙酮中進行的剝離(lift-off)工藝。然后將基材浸泡在如實施例7所述制備的包含半導體SWNT和聚合物Pc的組合物A-6的稀溶液中(1:5比例，甲苯)達5小時，然后將基材用甲苯清洗，在200℃下在環(huán)境條件下退火30分鐘。

在大氣中在探針階段使用Keithley 4200SCS作為參數(shù)分析器來評價OFET(L＝100μm，W＝2000μm)。由飽和方案(V_DS＝-40V)中的數(shù)據(jù)計算載流子遷移率μ。該OFET同時證實41.2cm²V^–1s^–1的高空穴遷移率和3.6×10⁴的開/關比。

實施例9

制備包含半導體SWNT和聚合物Pe的組合物

將5mg聚合物Pe，以及分別地7mg、8mg、10mg、12mg電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超聲30分鐘(Cole Parmer超聲發(fā)生器750W)。然后將該分散體在17 000rpm和16℃下離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分別表示為組合物A-8、A-9、A-10、A-11和A-12。

組合物A-8包含半導體SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和5mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-9包含半導體SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和7mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-10包含半導體SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和8mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-11包含半導體SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和10mg電弧放電SWNT的分散體。

組合物A-12包含半導體SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和12mg電弧放電SWNT的分散體。

將組合物A-8、A-9、A-10、A-11和A-12液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氬氣下退火1小時，從而得到聚合物移除的組合物A-8’、A-9’、A-10’、A-11’和A-12’。

組合物A-8’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-8。

組合物A-9’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-9。

組合物A-10’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-10。

組合物A-11’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-11。

組合物A-12’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-12。

圖6顯示了呈固態(tài)的組合物A-8’、A-9’、A-10’、A-11’和A-12’的歸一化UV-VIS譜。

金屬性SWNT在600-850nm范圍內吸收。半導體SWNT在900-1330nm范圍內吸收。圖6顯示了組合物A-11’在600-850nm范圍內的吸收比A-8’、A-9’、A-10’和A-12’在該波長范圍內的吸收進一步降低。因此5mg聚合物Pe和10mg電弧放電SWNT在25ml甲苯中的分散體給出了上清液中的最高半導體SWNT/金屬性SWNT之比。

實施例10

制備有機場效應晶體管(OFET)，其中分別由包含半導體SWNT和聚合物Pe的組合物A-8、A-9、A-10、A-11和A-12形成半導體層

通過光刻在由300nm SiO₂高度摻雜的4英寸硅晶片上制造底接觸器件電極的漏和源極。通過熱蒸發(fā)沉積Cr(3nm)和Au(25nm)的雙層以作為源-漏極，隨后為在丙酮中進行的剝離工藝。然后，在環(huán)境條件下通過溶液剪切(縫形模頭涂布)分別沉積如實施例9所述制備的包含半導體SWNT和聚合物Pe的組合物A-8、A-9、A-10、A-11、A-12。首先將所述組合物(15μL)在基材上以0.05mm/s速度剪切。然后，將甲苯(20μL)在基材上以0.05mm/s速度剪切，從而移除大部分包覆的聚合物。重復該兩種剪切過程5次，從而獲得致密的SWNT。最后，將基材用甲苯清洗，用氮氣流干燥，并在150℃下在環(huán)境條件下退火30分鐘。

在大氣中在探針階段使用Keithley 4200SCS作為參數(shù)分析器來評價OFET(L＝20μm或30μm)。由飽和方案(V_DS＝-40V)中的數(shù)據(jù)計算載流子遷移率μ。該OFET同時證實約41-57cm²V^–1s^–1的高空穴遷移率和約10³-10⁴的開/關比。

使用組合物A-11獲得了具有57cm²/Vs的最高遷移率的器件。所述器件具有30μm的溝道長度和600μm的溝道寬度，且開/關比為1.5×10³。

實施例11

制備聚合物Pf

聚合物Pf以類似于實施例5中的聚合物Pe的方式制備，不同之處在于使用821mg(1.962mmol)化合物2b和2000mg(1.962mmol)化合物3d。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝13.2kDa，M_w＝26.7kDa，PDI＝2.03。

實施例12

制備聚合物Pg

聚合物Pg以類似于實施例1中的聚合物Pc的方式制備，不同之處在于使用1006mg(2.9mmol)化合物2a、137mg(0.3mmol)化合物2b和2989mg(3.2mmol)化合物3a。聚合物Pg為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝18.4kDa，M_w＝35.8kDa，PDI＝1.94。

實施例13

制備聚合物Ph

聚合物Ph以類似于實施例1中的聚合物Pc的方式制備，不同之處在于使用602mg(1.75mmol)化合物2a、184mg(0.4mmol)化合物2b和2011mg(2.15mmol)化合物3a。聚合物Ph為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝24.5kDa，M_w＝54.7kDa，PDI＝1.99。

實施例14

制備聚合物Pi

聚合物Pi以類似于實施例1中的聚合物Pc的方式制備，不同之處在于使用465mg(1.3mmol)化合物2a、379mg(0.9mmol)化合物2b和2067mg(2.2mmol)化合物3a。聚合物Pi為無規(guī)聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯標樣)：M_n＝16.4kDa，M_w＝31.1kDa，PDI＝1.90。

實施例15

制備包含半導體SWNT和分別地，聚合物Pf、Pg、Ph、Pi的組合物

將5mg聚合物Pf、Pg、Ph、Pi和5mg電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超聲30分鐘(Cole Parmer超聲發(fā)生器750W)。然后將該分散體在17 000rpm和16℃下離心30分鐘(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分別表示為組合物A-13、A-14、A-15、A-16。

組合物A-13包含半導體SWNT和聚合物Pf。

組合物A-14包含半導體SWNT和聚合物Pg。

組合物A-15包含半導體SWNT和聚合物Ph。

組合物A-16包含半導體SWNT和聚合物Pi。

將組合物A-13、A-14、A-15和A-16液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氬氣下退火1小時，從而得到聚合物移除的組合物A-13’、A-14’、A-15’和A-16’。

組合物A-13’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-13。

組合物A-14’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-14。

組合物A-15’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-15。

組合物A-16’包含半導體SWNT且衍生自組合物A-16。

為了進行對比，將分散于1％十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)水溶液中的電弧放電SWNT(商品名“P2SWNT”，獲自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT純度90％)液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氬氣下退火1小時，從而得到SDBS移除的電弧放電SWNT。

圖7顯示了組合物A-13’、A-14’、A-15’和A-16以及呈固態(tài)的SDBS移除的電弧放電SWNT的歸一化UV-VIS譜。

金屬性SWNT在600-850nm范圍內吸收。半導體SWNT在900-1330nm范圍內吸收。圖7顯示與SDBS移除的電弧放電SWNT在600-850nm范圍內的吸收相比，組合物A-13’、A-14’、A-15’、A-16’在該波長范圍內的吸收降低。圖7還顯示與SDBS移除的電弧放電SWNT在900-1330nm范圍內的吸收相比，組合物A-13’、A-14’、A-15’、A-16’在該波長范圍內的吸收增大。因此，A-13’、A-14’、A-15’、A-16’組合物中的半導體SWNT/金屬性SWNT之比比SDBS移除的電弧放電SWNT高。組合物A-13’顯示出最高的半導體SWNT/金屬性SWNT之比。