本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域，具體涉及一種熱活化延遲熒光材料及其在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
在有機(jī)電致發(fā)光器件的電致發(fā)光過程中，主要依靠有機(jī)發(fā)光材料從激發(fā)態(tài)到基態(tài)的電子躍遷產(chǎn)生發(fā)光。在室溫下，從三線激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的電子躍遷產(chǎn)生的發(fā)光極微弱，其能量絕大部分以熱的形式損失掉了，發(fā)光主要是由單線激發(fā)態(tài)到基態(tài)的電子躍遷產(chǎn)生，稱為電致熒光。由于三線激發(fā)態(tài)產(chǎn)生的幾率為單線激發(fā)態(tài)的三倍，因此相當(dāng)于75％的能量沒有被用于發(fā)光。充分利用這一能量，將有效地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
為了充分利用發(fā)光層主體材料三線激發(fā)態(tài)的能量，人們曾提出過多種辦法。例如研究和開發(fā)高效的磷光摻雜染料并摻雜于主體材料中，使得主體材料的三線態(tài)能量有效地傳遞給磷光摻雜染料，然后磷光摻雜染料產(chǎn)生磷光發(fā)光，從而使得發(fā)光層主體材料三線激發(fā)態(tài)的能量得到有效利用。該方法所獲得的有機(jī)電致發(fā)光器件效率高，但材料合成需要銥、鉑等貴重金屬，價格昂貴。還有一種方法是利用鑭系化合物的系間竄越性質(zhì)，即利用分子內(nèi)的能量轉(zhuǎn)移將發(fā)光層主體材料的三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移至鑭系金屬離子的4f能級，然后發(fā)光等，但目前所得器件效率低。
熱活化延遲熒光(TADF，Thermal active delay fluorescent)是目前非常熱門的一種利用三線態(tài)激子能量的方案。例如，Adachi在其文章中報道了熱活化延遲熒光材料，該類材料的三線態(tài)能級(T1)與單線態(tài)能級(S1)之差(ΔEST)較小，則三線態(tài)能量可以傳輸給單線態(tài)能級，并已熒光輻射發(fā)光。專利CN 102709485A中提到，通過在熱延遲熒光主體中摻雜熒光染料來提高器件效率。為了進(jìn)一步提高能量傳輸復(fù)合效率。Adachi等在文章Nature communications 2014“High-efficiency organic light-emitting diodes with fluorescent emitters”中，提出采用一種寬禁帶主體摻雜TADF材料作為輔助染料方案。但在電荷復(fù)合過程中，一部分能量直接復(fù)合在主體上，主體將單線態(tài)能量傳遞給染料。另一部分在輔助染料上復(fù)合。文章報道結(jié)構(gòu)，并不能完全有效利用直接在主體復(fù)合的能量。同時采用普通主體材料，禁帶寬度大，所需驅(qū) 動電壓高。
但是，目前的TADF材料存在壽命較短的問題，原因之一是因為三線態(tài)壽命太長，容易產(chǎn)生TPA等過程造成激子的淬滅。因此，減小三線態(tài)激子的壽命可以有效地提高TADF器件的壽命。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中的TADF材料存在壽命較短的問題。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種新的TADF材料，其通過在原TADF分子中引入諸如溴或者碘等重原子，可以通過重原子效應(yīng)提高TADF材料的反向系間竄越和系間竄越等過程從而減小三線態(tài)激子的壽命，最終提高器件的壽命。
本發(fā)明提供的熱活化延遲熒光材料為具有式Ⅰ或式Ⅱ通式結(jié)構(gòu)的化合物：
式Ⅰ和式Ⅱ中，R1為氰基，p為1,2或3，q為1,2或3，m為1或2，n為1或2，
Ar1選自C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團(tuán)取代的苯基，
Ar2和Ar3選自以下基團(tuán)：
X為溴或碘。
優(yōu)選地，所述熱活化延遲熒光材料為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：
本發(fā)明還提供所述熱活化延遲熒光材料作為有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的主體材料或發(fā)光染料應(yīng)用。
本發(fā)明另提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，所述發(fā)光層包括主體材料和摻雜在主體材料中的發(fā)光染料，所述發(fā)光染料為上述的熱活化延遲熒光材料。優(yōu)選地，所述發(fā)光染料在發(fā)光層中所占的比例為0.5wt％-10wt％，更優(yōu)選為5wt％。
作為優(yōu)選技術(shù)方案，上述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括在基板上依次沉積彼此層疊的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
優(yōu)選地，所述陽極與空穴傳輸層之間還設(shè)有空穴注入層。
本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，所述發(fā)光層包括主體材料和摻雜在主體材料中的發(fā)光染料，所述主體材料為上述的熱活化延遲熒光材料。
優(yōu)選地，所述發(fā)光染料在發(fā)光層中所占的比例為1wt％-10wt％。
本發(fā)明能夠達(dá)到以下技術(shù)效果：
本發(fā)明提供的TADF材料，其分子中引入諸如溴或者碘等重原子，減小TADF三線態(tài)壽命，減小效率滾降，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
本發(fā)明提供的熱活化延遲熒光材料，為具有式Ⅰ或式Ⅱ通式結(jié)構(gòu)的化合物：
式Ⅰ和式Ⅱ中，R1為氰基，p為1,2或3，q為1,2或3，m為1或2，n為1或2，
Ar1選自C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團(tuán)取代的苯基，
Ar2和Ar3選自以下基團(tuán)：
X為溴或碘。
本發(fā)明的熱活化延遲熒光材料通過在TADF分子中引入諸如溴或者碘等重原子，可以通過重原子效應(yīng)提高TADF材料的反向系間竄越和系間竄越等過程從而減小三線態(tài)激子的壽命，最終提高器件的壽命。
具體地，本發(fā)明的熱活化延遲熒光材料為如下結(jié)構(gòu)化合物，各化合物的性質(zhì)及制備方法如下：
式(1-1)，ΔEST＝0.16eV
其制備方法：
式(1-1)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將3-溴咔唑(5mmol),溶于無水2mL THF中，然后加入氫化鈉(5mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將1,2-二氰基-4,5-二氟基苯(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(1-1)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：75％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：615.97。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：62.36；H：2.62；N：9.09；Br：25.93。
式(1-2)，ΔEST＝0.14eV
其制備方法：
式(1-2)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將3-溴吩噻嗪(10mmol),溶于無水4mL THF中，然后加入氫化鈉(10mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將2,3,5,6-四氟基腈基苯(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(1-2)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：62％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：1206.80。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：54.70；H：2.42；N：5.80；S：10.62；Br：26.46。
式(1-3)，ΔEST＝0.13eV
其制備方法：
式(1-3)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：反應(yīng)物3-溴吩噻嗪替換為3-溴吩噁嗪，經(jīng)過與式(1-2)相同的合成方法，得式(1-3)所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率：59％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：1142.89。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：57.77；H：2.56；N：6.12；O：5.60；Br：27.95。
式(1-4)，ΔEST＝0.13eV
其制備方法：
式(1-4)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：反應(yīng)物3-溴吩噻嗪替換為9-對碘苯吩嗪，經(jīng)過與式(1-2)相同的合成方法，得式(1-4)所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率：55％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：1631.03。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：58.14；H：3.03；N：7.72；I：31.11。
式(1-5)，ΔEST＝0.09eV
其制備方法：
式(1-5)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將(1,1’-二對溴苯)對氨基苯(15mmol),溶于無水6mL THF中，然后加入氫化鈉(15mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將2,4,6-四氟基-1,3,5-三氰基苯(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(1-5)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：31％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：1355.80。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：55.78；H：2.68；N：6.20；Br：35.34。
式(2-1)，ΔEST＝0.10eV
其制備方法：
式(2-1)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將3,6-二溴咔唑基苯(10mmol),溶 于無水4mL THF中，然后加入氫化鈉(15mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將1-苯基-1,3,5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-1)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：49％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：955.33。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：56.58；H：2.64；N：7.33；Br：33.46。
式(2-2)，ΔEST＝0.15eV
其制備方法：
式(2-2)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將對溴苯(5mmol),溶于無水4mLTHF中，然后加入氫化鈉(5mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將2,4-二(3-聯(lián)咔唑)-6-氟基-1,3,5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-2)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：53％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：895.21。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：76.34；H：3.82；N：10.93；Br：8.91。
式(2-3)，ΔEST＝0.20eV
其制備方法：
式(2-3)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將對碘苯(10mmol),溶于無水4mLTHF中，然后加入氫化鈉(10mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將2,4-二(3-聯(lián)咔唑)-1,3,5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-3)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：53％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：891.04。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：60.62；H：3.05；N：7.86；I：28.47。
式(2-4)，ΔEST＝0.16eV
其制備方法：
式(2-4)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將二對碘苯-4,4’-二連氨基苯(5mmol),溶于無水4mL THF中，然后加入氫化鈉(5mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將4-氟基-2，6-苯基-1，3，5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-4)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：40％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：1313.93。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：52.08；H：2.91；N：6.39；I：38.61。
式(2-5)，ΔEST＝0.11eV
其制備方法：
式(2-5)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：反應(yīng)物3,6-二溴咔唑基苯替換為3,7-二溴吩噁嗪苯，經(jīng)過與式(2-1)相同的合成方法，得式(2-5)所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率：61％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：986.87。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：54.74；H：2.55；N：7.09；O：3.24；Br：32.37。
式(2-6)，ΔEST＝0.05eV
其制備方法：
式(2-6)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：反應(yīng)物3,6-二溴咔唑基苯替換為3,7-二溴吩噁嗪間苯，經(jīng)過與式(2-1)相同的合成方法，得式(2-6)所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率：61％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：1174.82。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：45.99；H：2.14；N：5.96；O：2.72；I：43.19。
式(2-7)，ΔEST＝0.16eV
其制備方法：
式(2-7)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將二溴苯(10mmol)，溶于無水4mLTHF中，然后加入氫化鈉(10mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將2，4-二氟基-6-(11-苯基-11,12-二氫吲哚并[3,2b]咔唑基)-2，6-苯基-1，3，5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-7)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：34％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：721.03。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：64.93；H：3.21；N：9.71；Br：22.15。
式(2-8)，ΔEST＝0.16eV
其制備方法：
式(2-8)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將6-苯基-2,9-二碘-吲哚并[2,3a]咔唑(10mmol),溶于無水4mL THF中，然后加入氫化鈉(10mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將6-氟基-2，4-二苯基-1，3，5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-8)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：31％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：815.44。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：57.44；H：2.84；N：8.59；I：31.13。
式(2-9)，ΔEST＝0.17eV
其.制備方法：
式(2-9)所示結(jié)構(gòu)化合物合成方法：在氮氣范圍下，將11-對溴苯基-吲哚并[2,3a]咔唑(7mmol),溶于無水4mL THF中，然后加入氫化鈉(10mmol)，混合物在室溫下攪拌30分鐘。隨后，將6-氟基-2，4-二對溴苯基-1，3，5-三嗪(1mmol)加入反應(yīng)瓶中，繼續(xù)攪拌1小時。最后將2mL冷水加入到混合物中將反應(yīng)淬滅。待混合物冷卻至室溫后，通過真空抽濾，接著通過柱色譜提純產(chǎn)物式(2-9)，將產(chǎn)物在真空中干燥。產(chǎn)率：36％。
質(zhì)譜分析得到的分子量：800.34。
元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：58.53；H：2.77；N：8.75；Br：29.95。
本發(fā)明的熱活化延遲熒光材料可用作有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層的發(fā)光染料。
如圖1所示，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括在基板01上依次沉積彼此層疊的陽極02、空穴注入層04、空穴傳輸層05、發(fā)光層06、電子傳輸層07及陰極03。
其中發(fā)光層06的材料包括主體材料和摻雜在主體材料中的發(fā)光染料，
發(fā)光材料為具有式Ⅰ結(jié)構(gòu)或式Ⅱ結(jié)構(gòu)的化合物。
本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件實施例：陽極02可以采用無機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物。無機(jī)材料一般為氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ITO；有機(jī)導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡稱PEDOT/PSS)、聚苯胺(以下簡稱PANI)中的一種。
陰極03一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。本發(fā)明中陰極優(yōu)選為層疊的LiF層和Al層 (LiF層在外側(cè))。
空穴傳輸層05的材料可以選自芳胺類和枝聚物類低分子材料，優(yōu)選NPB。
電子傳輸層07的材料可采用有機(jī)金屬配合物(如Alq3、Gaq3、BAlq或Ga(Saph-q))或其他常用于電子傳輸層的材料，如芳香稠環(huán)類(如pentacene、苝)或鄰菲咯啉類(如Bphen、BCP)化合物。
本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件還可在陽極02和空穴傳輸層05之間具有空穴注入層04，所述空穴注入層04的材料例如可采用4,4',4″-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺摻雜F4TCNQ，或者采用銅酞菁(CuPc)，或可為金屬氧化物類，如氧化鉬，氧化錸。
上述各層的厚度可采用本領(lǐng)域中這些層常規(guī)的厚度。
本發(fā)明還提供所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括在基板01上依次沉積彼此層疊的陽極02、空穴注入層04、空穴傳輸層05、發(fā)光層06、電子傳輸層07及陰極03，然后封裝。
基板可以是玻璃或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物材料或者薄金屬片。所述層疊及封裝可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意合適方法。
對比例1：
本對比例以ITO(氧化銦錫)作為陽極；以NPB作為空穴注入層；以TCTA作為空穴傳輸層；發(fā)光層采用CBP作為主體材料，DSA-Ph為發(fā)光染料，在發(fā)光層中摻雜的質(zhì)量百分比為5wt％)；Bphen作為電子傳輸層；LiF(5nm)/Al作為陰極。結(jié)構(gòu)如下：
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:5wt％DSA-Ph(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al
對比例2：
本對比例的結(jié)構(gòu)與對比例1的區(qū)別僅在于發(fā)光層采用的發(fā)光染料為2CzPN：
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:5wt％2CzPN(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al
實施例1
本實施例的結(jié)構(gòu)與對比例1的區(qū)別僅在于發(fā)光層采用的發(fā)光染料為本發(fā)明的化合物1-1：
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:5wt％化合物1-1(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al
實施例1的TADF材料由于引入了重原子，重原子效應(yīng)提高TADF材料的反向系間竄越和系間竄越等過程從而減小三線態(tài)激子的壽命，最終提高器件的壽命。
實施例2～5
實施例2～5的結(jié)構(gòu)與實施例1的區(qū)別僅在于發(fā)光層中發(fā)光染料化合物1-1摻雜濃度不同：
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:0.5～10wt％化合物1-1(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al
設(shè)計不同的摻雜濃度實施例
從上表看出，發(fā)光染料濃度的增加導(dǎo)致了器件的電流效率先增后減，在摻雜濃度為5wt％時器件的電流效率最高，器件的電壓基本無明顯改變，但器件的壽命隨著發(fā)光染料摻雜濃度的提高而增加。
實施例6
本實施例中的OLED結(jié)構(gòu)與實施例1的區(qū)別僅在于發(fā)光層中摻雜不同的具有式Ⅰ或式Ⅱ結(jié)構(gòu)的化合物作為發(fā)光染料：
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:5wt％(具有式Ⅰ或式Ⅱ結(jié)構(gòu)的化合物)(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al
從上表看出，本發(fā)明所保護(hù)的含有的溴或碘重原子的熱活化延遲熒光材料器件壽命均增加了，這是因為通過重原子效應(yīng)提高TADF材料的反向系間竄越和系間竄越等過程從而減小三線態(tài)激子的壽命，最終提高器件的壽命。
實施例7～9
本實施例中的OLED結(jié)構(gòu)與實施例1的區(qū)別在于發(fā)光層中的主體材料為化合物2-2，發(fā)光染料為Ir(ppy)3。Ir(ppy)3摻雜濃度(在發(fā)光層中所占的重量百分比)為1～10wt％。
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/化合物2-2:1～10wt％Ir(ppy)3(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al。
對比例3
本對比例的結(jié)構(gòu)與實施例7～9的區(qū)別僅在于發(fā)光層采用的主體材料為CBP：
ITO/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:5wt％Ir(ppy)3(30nm)/Bphen(40nm)/LiF(5nm)/Al。
對比例4
本對比例的結(jié)構(gòu)與實施例7～9的區(qū)別僅在于發(fā)光層采用的主體材料為CC2TA：
從上表看出，對比三種不同摻雜濃度的實施例7，實施例8和實施例9，器件的電學(xué)性能隨發(fā)光染料的摻雜濃度的提高先升后降，在5wt％的摻雜濃度時達(dá)到最優(yōu)，但是器件壽命隨染料的摻雜濃度的提高而提高。另外，本發(fā)明所保護(hù)的含有的溴重原子的熱活化延遲熒光材料做主體的器件壽命均比傳統(tǒng)主體CBP做主體的器件(對比例3)壽命高，與相同結(jié)構(gòu)但是不帶重原子的熱活化敏化熒光材料做主體的器件(對比例4)對比，電學(xué)性能并沒有很大區(qū)別，但是實施例7的器件壽命比對比例4的器件壽命要高，這是由于重原子效應(yīng)提高了TADF材料的反向系間竄越系數(shù)，從而減小三線態(tài)激子的壽命，最終提高器件的壽命。
以上所述實施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實施例，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。