技術(shù)特征：

1.一種用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂組合物包括環(huán)氧樹脂、固化劑、無機填充劑以及著色劑，其中所述著色劑包括水合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，所述水合物由式1表示：

其中x是1或2，y在1至10范圍內(nèi)，并且M是金屬元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，所述金屬元素包括堿金屬、堿土金屬、XIII族元素、XIV族元素、XI族元素、XII族元素、III族元素、IV族元素、V族元素、VI族元素、VII族元素、VIII族元素、IX族元素、X族元素以及錒系元素中的至少一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，所述水合物存在于所述環(huán)氧樹脂組合物中的含量是0.05重量％至15重量％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，所述著色劑還包括碳黑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，就固體含量來說，所述碳黑存在于所述環(huán)氧樹脂組合物中含量小于0.2重量％。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，就固體含量來說，所述碳黑存在于所述環(huán)氧樹脂組合物中的含量為0.1重量％或小于0.1重量％。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于，包括：2重量％到17重量％的所述環(huán)氧樹脂、0.5重量％到13重量％的所述固化劑、70重量％到95重量％的所述無機填充劑以及0.05重量％到15重量％的所述著色劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物，其特 征在于，還包括：固化促進劑和偶聯(lián)劑中的至少一者。

10.一種半導體封裝，其特征在于，其使用根據(jù)權(quán)利要求1到權(quán)利要求9中任一權(quán)利要求所述的用于囊封半導體裝置的環(huán)氧樹脂組合物所囊封。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體封裝，其特征在于，所述半導體封裝如在使用釔鋁石榴石激光器打標機于1060納米的波長和120微秒的脈沖寬度在1.3焦耳/脈沖下進行激光打標之后使用激光掃描顯微鏡所測量，具有10微米到20微米的標記深度，并且如在使用釔鋁石榴石激光器打標機在0.3焦耳/脈沖下進行激光打標之后使用激光掃描顯微鏡所測量，具有5微米到10微米的標記深度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體封裝，其特征在于，所述半導體封裝如在使用纖維激光器打標機于1060納米的波長在40瓦下進行激光打標之后使用激光掃描顯微鏡所測量，具有10微米到20微米的標記深度。