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提升OLED器件高溫、高電流密度表現(xiàn)的材料及其應(yīng)用的制作方法

文檔序號(hào):12342055閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種提升OLED器件高溫、高電流密度表現(xiàn)的材料,其特征在于,包含一種通式1所示的化合物:

其中:X1、X2為包括N、O、S的具有配合能力的原子或H;

R1、R2、R3為稠環(huán)芳香烴基團(tuán)或H。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述材料,其特征在于,R1、R2、R3選自如下結(jié)構(gòu):

其中,R5選自H基、烷基、芳香基、芳香基。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述材料,其特征在于,所述R5選自如下結(jié)構(gòu)的基團(tuán):

其中,X1、X2為包括N、O、S的具有配合能力的原子或H。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述材料,其特征在于,通式1所示的化合物為如下結(jié)構(gòu):

R1、R2、R3為稠環(huán)芳香烴基團(tuán)或H。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述材料,其特征在于,所述化合物選自如下結(jié)構(gòu):

6.一種如權(quán)利要求1所述化合物的制備方法,其特征在于,其制備路線為:

I-1為在待添加R1、R2、R3的位置為的中間體化合物,與I-2為連接-Br的R1、R2、R3中間體化合物,反應(yīng)生成化合物(I);

其制備步驟包括:

步驟1:在容器中加入0.1mol的I-1、0.1mol的I-2、叔丁醇鉀、醋酸鈀三叔丁基膦四氟硼酸鹽和1000mL的甲苯;

步驟2:保護(hù)氣環(huán)境下加熱回流20-30小時(shí),然后冷卻;

步驟3:去除甲苯,加入二氯甲烷,水洗,干燥,粗產(chǎn)品過(guò)柱,再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到所述化合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述制備方法,其特征在于,所述保護(hù)氣為氮?dú)?;所述加熱回流時(shí)間為24小時(shí)。

8.一種OLED器件,至少包括電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層,其特點(diǎn)在于,所述電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層中包括有如權(quán)利要求1所述的材料。

9.一種如權(quán)利要求8所述器件的制備方法,其特征在于,包括:

步驟1:將透明陽(yáng)極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘,并暴露在紫外光下20-30分鐘,隨后用plasma處理5-10分鐘;

步驟2:,將處理后的ITO基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備,首先蒸鍍一層30-50nm的NPB,然后混合蒸鍍,CBP,以及5--10%的Ir(ppy)3,隨后蒸鍍20-40nm的所述化合物(I),隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF,隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al,得到所述器件;其中,CBP與NPB為如下結(jié)構(gòu):

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