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磷光發(fā)射體的制作方法與工藝

文檔序號:12006833閱讀:來源:國知局
磷光發(fā)射體的制作方法與工藝

技術(shù)特征:
1.雜配位銥化合物Ir(L1)n(L2)3-n,其具有下式:其中n=1或2;其中為L1;其中為L2;其中R2、R3、R4和R5可以表示單、二、三或四取代;并且其中R2、R3、R4和R5各自獨立地選自氫和烷基;和其中R1為烷基。2.權(quán)利要求1的化合物,其中n=1。3.權(quán)利要求1的化合物,其中該化合物具有下式:其中R4是氫或甲基。4.權(quán)利要求1的化合物,其中R2、R3和R5各自為氫。5.權(quán)利要求1的化合物,其中L1選自:6.權(quán)利要求1的化合物,其中L2選自:7.權(quán)利要求5的化合物,其中L2選自:8.權(quán)利要求2的化合物,其中L1選自:9.權(quán)利要求1的化合物,其中L2選自:10.權(quán)利要求8的化合物,其中L2選自:11.權(quán)利要求1的化合物,其中該化合物是:12.權(quán)利要求1的化合物,其中該化合物具有比更窄的半峰全寬。13.權(quán)利要求1的化合物,其中該化合物具有比更低的升華溫度。14.有機發(fā)光器件,其包含:陽極;陰極;以及位于該陽極和該陰極之間的有機層,該有機層進一步包含具有下式的雜配位銥化合物Ir(L1)n(L2)3-n化合物:其中n=1或2;其中為L1;其中為L2;其中R2、R3、R4和R5可以表示單、二、三或四取代;并且其中R2、R3、R4和R5各自獨立地選自氫和烷基;和其中R1是烷基。15.權(quán)利要求14的器件,其中該有機層是發(fā)光層,并且具有式的化合物是發(fā)光化合物。16.權(quán)利要求14的器件,其中該發(fā)光層進一步包含主體。17.權(quán)利要求16的器件,其中該主體具有下式:其中R1和R2獨立地表示選自烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和雜芳基的單、二、三或四取代,或者無取代;并且其中R1和R2的至少之一包括苯并[9,10]菲基團。18.權(quán)利要求16的器件,其中該主體具有下式:其中R1、R2和R3各自獨立地為氫、具有一個或多個間位取代基的非稠合的雜芳基或非稠合的芳基,其中R1、R2和R3的至少之一不為氫;并且其中每個間位取代基為非稠合的芳基或雜芳基,所述芳基或雜芳基任選地被選自非稠合的芳基、非稠合的雜芳基和烷基的進一步的取代基取代。19.消費產(chǎn)品,其包含器件,該器件進一步包含:陽極;陰極;以及位于該陽極和該陰極之間的有機層,該有機層進一步包含具有下式的雜配位銥化合物Ir(L1)n(L2)3-n化合物:其中n=1或2;其中為L1;其中為L2;其中R2、R3、R4和R5可以表示單、二、三或四取代;并且其中R2、R3、R4和R5各自獨立地選自氫和烷基;和其中R1為烷基。
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