包括基座51、導(dǎo)向桿52、引流轉(zhuǎn)子55和止擋螺母57。
[0059]基座51包括內(nèi)直徑恒定的順流部和位于所述順流部上方且內(nèi)直徑由下至上逐漸增大的引流部，基座51的下部設(shè)有外螺紋，用于與底盤本體100的上底板150連接，保證噴嘴50在爐內(nèi)高溫下長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性。導(dǎo)向桿52上設(shè)有外螺紋且設(shè)在基座51內(nèi)，導(dǎo)向桿52的底部設(shè)有止擋臺(tái)53，止擋臺(tái)53上連接有焊接在基座51上的支腿54。引流轉(zhuǎn)子55為中心開(kāi)孔的倒錐臺(tái)結(jié)構(gòu)，引流轉(zhuǎn)子55沿導(dǎo)向桿52的軸向可移動(dòng)地套設(shè)在導(dǎo)向桿52上且位于基座51內(nèi)，引流轉(zhuǎn)子55的外周面上設(shè)有多個(gè)側(cè)旋流道56，側(cè)旋流道56的橫截面可以為矩形或圓形，側(cè)旋流道56的數(shù)量為3-8個(gè)，以預(yù)定的仰角從引流轉(zhuǎn)子55的底部旋轉(zhuǎn)至引流轉(zhuǎn)子55的頂部。引流轉(zhuǎn)子55的內(nèi)表面的母線可以為雙曲線、拋物線、橢圓弧線或漸開(kāi)線，引流轉(zhuǎn)子55的側(cè)面底部進(jìn)行倒角處理，以利于氣體流道。止擋螺母57配合在導(dǎo)向桿52的外螺紋上且位于引流轉(zhuǎn)子55上方，用于調(diào)節(jié)引流轉(zhuǎn)子55的上升高度，而止擋臺(tái)53可以保證引流轉(zhuǎn)子55在無(wú)氣流下不會(huì)落出導(dǎo)向桿52。
[0060]在多晶硅還原爐1運(yùn)行初期，工藝氣體進(jìn)氣量較小，從進(jìn)氣管300首先進(jìn)入噴嘴50的順流部，由于順流部直徑小于進(jìn)氣管300的內(nèi)直徑，氣體在順流部的氣速有一定地增大。氣體隨后進(jìn)入上部的引流部后，氣體的速度進(jìn)一步增大。在氣體的帶動(dòng)下，引流轉(zhuǎn)子55以一定速率轉(zhuǎn)動(dòng)，使得噴嘴50出氣以外旋方式進(jìn)入爐體20內(nèi)，側(cè)旋氣流可以有效地向外側(cè)擴(kuò)張，擴(kuò)大了進(jìn)氣氣流的影響區(qū)域，并使得爐體20內(nèi)部整體流場(chǎng)趨向均勻。同時(shí)，由于在引流轉(zhuǎn)子55內(nèi)側(cè)和導(dǎo)向桿52外側(cè)留有一定間隙，有部分氣流從此處經(jīng)過(guò)形成中央氣流。中央氣流可以較好的到達(dá)爐體20頂部，維持爐體20中上部氣體供應(yīng)。此時(shí)，由于氣量較小，引流轉(zhuǎn)子55的運(yùn)行高度在導(dǎo)向桿52下部，此時(shí)引流轉(zhuǎn)子55與基座51內(nèi)側(cè)的間隙小，氣體流通截面積最小，從而保證出氣速度。
[0061]多晶硅還原爐1運(yùn)行中期，進(jìn)氣量逐漸增大，引流轉(zhuǎn)子55上升，引流轉(zhuǎn)子55的運(yùn)行高度在導(dǎo)向桿52的中部，氣體流通截面積增大，從而維持一定的出氣速度。
[0062]多晶硅還原爐1運(yùn)行后期，引流轉(zhuǎn)子55上升至導(dǎo)向桿52的頂部，氣體流通截面積最大，氣體速度增加較小，下部的噴射氣流集中，有利于多晶硅硅棒的均勻生長(zhǎng)。通過(guò)試驗(yàn)證明，噴嘴50可以有效地改善多晶硅棒表面質(zhì)量，并控制硅棒主體的粗細(xì)變化在10%以內(nèi)。
[0063]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0064]此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。
[0065]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0066]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過(guò)它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0067]在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書中描述的不同實(shí)施例或示例進(jìn)行接合和組合。
[0068]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，包括: 基座，所述基座包括內(nèi)直徑恒定的順流部和位于所述順流部上方且內(nèi)直徑由下至上逐漸增大的引流部； 導(dǎo)向桿，所述導(dǎo)向桿設(shè)在所述基座內(nèi)； 引流轉(zhuǎn)子，所述引流轉(zhuǎn)子沿所述導(dǎo)向桿的軸向可移動(dòng)且可旋轉(zhuǎn)地套設(shè)在所述導(dǎo)向桿上，所述引流轉(zhuǎn)子的外周面上設(shè)有多個(gè)側(cè)旋流道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，還包括止擋螺母，所述導(dǎo)向桿上設(shè)有外螺紋，所述止擋螺母配合在所述導(dǎo)向桿的外螺紋上且位于所述引流轉(zhuǎn)子上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，所述導(dǎo)向桿的底部設(shè)有止擋臺(tái)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，所述止擋臺(tái)上連接有固定在所述基座上的支腿。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，所述側(cè)旋流道以預(yù)定仰角從所述引流轉(zhuǎn)子的底部旋轉(zhuǎn)至所述引流轉(zhuǎn)子的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，所述側(cè)旋流道的橫截面為矩形或圓形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，所述引流轉(zhuǎn)子的側(cè)表面的底部倒角。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的噴嘴，其特征在于，所述引流轉(zhuǎn)子的內(nèi)表面的母線為雙曲線、拋物線、橢圓弧線或漸開(kāi)線。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于多晶硅還原爐的噴嘴，所述用于多晶硅還原爐的噴嘴包括：基座，所述基座包括內(nèi)直徑恒定的順流部和位于所述順流部上方且內(nèi)直徑由下至上逐漸增大的引流部；導(dǎo)向桿，所述導(dǎo)向桿設(shè)在所述基座內(nèi)；引流轉(zhuǎn)子，所述引流轉(zhuǎn)子沿所述導(dǎo)向桿的軸向可移動(dòng)且可旋轉(zhuǎn)地套設(shè)在所述導(dǎo)向桿上，所述引流轉(zhuǎn)子的外周面上設(shè)有多個(gè)側(cè)旋流道。根據(jù)本實(shí)用新型的用于多晶硅還原爐的噴嘴能夠滿足多晶硅還原爐各個(gè)運(yùn)行期間的要求，從而使多晶硅棒均勻生長(zhǎng)，提高多晶硅棒的表面質(zhì)量。
【IPC分類】C01B33-021
【公開(kāi)號(hào)】CN204529319
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520176625
【發(fā)明人】姚心, 汪紹芬, 石何武
【申請(qǐng)人】中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2015年3月27日