一種多晶硅還原爐的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多晶硅還原爐。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，業(yè)界生產(chǎn)多晶硅的方法有多種，其中較為常見(jiàn)的是氫還原法。其是把提純好的三氯氫硅和凈化好的氫氣作為原料，通入到反應(yīng)容器內(nèi)，在高溫、高壓環(huán)境下，兩者在反應(yīng)容器內(nèi)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成多晶硅，并沉積在反應(yīng)容器內(nèi)的發(fā)熱體上。隨著化學(xué)反應(yīng)的繼續(xù)，沉積在發(fā)熱體上的多晶硅越來(lái)越多，逐漸的將發(fā)熱體全部覆蓋，變成一根外表包裹著多晶硅的棒狀體，俗稱(chēng)硅棒。反應(yīng)容器內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)將繼續(xù)進(jìn)行，多晶硅也會(huì)繼續(xù)沉積在硅棒上，使得硅棒的直徑逐漸加大，直到最后達(dá)到預(yù)定的直徑尺寸，停止反應(yīng)容器內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)。
[0003]業(yè)界通常使用多晶硅還原爐，作為實(shí)施上述化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)容器。其自身性能的好壞，對(duì)其生產(chǎn)的多晶硅的品質(zhì)有著重大的影響。通常其包括有底座以及與底座連接的爐體。在生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中，硅棒的重量是根據(jù)進(jìn)料量、生產(chǎn)時(shí)間、深積速率或者目測(cè)法來(lái)測(cè)量多晶硅棒的粗細(xì)以及質(zhì)量，以及測(cè)算此爐多晶硅生長(zhǎng)重量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的第一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的測(cè)算方式不夠精確。
[0005]為此目的，本實(shí)用新型提出了一種能夠較為精確的測(cè)量生產(chǎn)過(guò)程中多晶硅的重量的多晶硅還原爐。
[0006]本實(shí)用新型所公開(kāi)了一種多晶硅還原爐，包括圓形的底座和設(shè)置在所述底座上的相應(yīng)的爐體，
[0007]所述底座上設(shè)置有能夠稱(chēng)量爐體內(nèi)的多晶硅的重量的稱(chēng)重模塊。
[0008]優(yōu)選地，所述底座周?chē)O(shè)置有間距相同的四個(gè)支腳。
[0009]優(yōu)選地，所述稱(chēng)重模塊具體設(shè)置于所述四個(gè)支腳上。
[0010]優(yōu)選地，所述稱(chēng)重模塊包括地秤。
[0011]優(yōu)選地，還包括能夠接收所述稱(chēng)重模塊發(fā)送的數(shù)據(jù)并進(jìn)行處理的集成器。
[0012]優(yōu)選地，還包括能夠接收所述集成器發(fā)送的數(shù)據(jù)的中控機(jī)。
[0013]優(yōu)選地，所述中控機(jī)上設(shè)置有能夠顯示數(shù)據(jù)的顯示器。
[0014]通過(guò)采用本實(shí)用新型所公開(kāi)的多晶硅還原爐，通過(guò)在所述底座上設(shè)置有能夠稱(chēng)量爐體內(nèi)的多晶硅的重量的稱(chēng)重模塊，可以在多晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中就準(zhǔn)確地獲得生成的多晶硅的重量，從而可以計(jì)算出多晶硅的沉積速率，轉(zhuǎn)化率等等數(shù)據(jù)，從而可以有效地指導(dǎo)生產(chǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0015]通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本實(shí)用新型的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0016]圖1示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例的多晶硅還原爐的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]其中附圖標(biāo)記表示為:1-底座，2-爐體，3-支腳，4-地秤，5-集成器，6-中控機(jī)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]如圖1所示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅還原爐，包括圓形的底座I和設(shè)置在所述底座上的相應(yīng)的爐體2，所述底座I上設(shè)置有能夠稱(chēng)量爐體2內(nèi)的多晶硅的重量的稱(chēng)重模塊。
[0020]本實(shí)施例能夠在多晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中就準(zhǔn)確地獲得生成的多晶硅的重量，從而可以計(jì)算出多晶硅的沉積速率，轉(zhuǎn)化率等等數(shù)據(jù)，從而可以有效地指導(dǎo)生產(chǎn)。
[0021]優(yōu)選地，所述底座周?chē)O(shè)置有間距相同的四個(gè)支腳3。
[0022]優(yōu)選地，所述稱(chēng)重模塊具體設(shè)置于所述四個(gè)支腳3上。
[0023]優(yōu)選地，所述稱(chēng)重模塊包括地秤4。
[0024]由于地秤測(cè)量的重量值可能會(huì)存在誤差，因此設(shè)置四個(gè)地秤從四個(gè)方位來(lái)測(cè)量還原爐內(nèi)多晶硅的重量，再進(jìn)行求平均值的運(yùn)算，可以減少誤差，獲得較為精確的數(shù)據(jù)。
[0025]本實(shí)施例還包括能夠接收所述稱(chēng)重模塊發(fā)送的數(shù)據(jù)并進(jìn)行處理的集成器5以及中控機(jī)6。所述集成器5將接收到的四個(gè)稱(chēng)重模塊實(shí)時(shí)發(fā)送的重量數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，求出四個(gè)重量值的平均數(shù)再發(fā)送至中控機(jī)，由工作人員根據(jù)此重量值再計(jì)算出還原爐內(nèi)多晶硅的沉積速率、轉(zhuǎn)化率等參數(shù)值，并根據(jù)此參數(shù)值指導(dǎo)生產(chǎn)。
[0026]所述中控機(jī)上設(shè)置有能夠顯示所述數(shù)據(jù)的顯示器。
[0027]雖然結(jié)合附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下做出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅還原爐，包括圓形的底座和設(shè)置在所述底座上的相應(yīng)的爐體，其特征在于， 所述底座上設(shè)置有能夠稱(chēng)量爐體內(nèi)的多晶硅的重量的稱(chēng)重模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于， 所述底座周?chē)O(shè)置有間距相同的四個(gè)支腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于， 所述稱(chēng)重模塊具體設(shè)置于所述四個(gè)支腳上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的多晶硅還原爐，其特征在于， 所述稱(chēng)重模塊包括地秤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于， 還包括能夠接收所述稱(chēng)重模塊發(fā)送的數(shù)據(jù)并進(jìn)行處理的集成器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅還原爐，其特征在于， 還包括能夠接收所述集成器發(fā)送的數(shù)據(jù)的中控機(jī)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶硅還原爐，其特征在于， 所述中控機(jī)上設(shè)置有能夠顯示數(shù)據(jù)的顯示器。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種多晶硅還原爐，包括圓形的底座和設(shè)置在所述底座上的相應(yīng)的爐體，所述底座上設(shè)置有能夠稱(chēng)量爐體內(nèi)的多晶硅的重量的稱(chēng)重模塊。通過(guò)采用本實(shí)用新型所公開(kāi)的多晶硅還原爐，通過(guò)在所述底座上設(shè)置有能夠稱(chēng)量爐體內(nèi)的多晶硅的重量的稱(chēng)重模塊，可以在多晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中就準(zhǔn)確地獲得生成的多晶硅的重量，從而可以計(jì)算出多晶硅的沉積速率，轉(zhuǎn)化率等等數(shù)據(jù)，從而可以有效地指導(dǎo)生產(chǎn)。
【IPC分類(lèi)】C01B33-03, C01B33-035
【公開(kāi)號(hào)】CN204490519
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520119789
【發(fā)明人】寧陽(yáng)陽(yáng)
【申請(qǐng)人】?jī)?nèi)蒙古鄂爾多斯電力冶金股份有限公司氯堿化工分公司
【公開(kāi)日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年2月28日