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具有低可見(jiàn)光透射率的低輻射涂層的涂層制品的制作方法_3

文檔序號(hào):8515566閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
明的實(shí)施例中,紅外反射層可被輕度氧化
[0029] 附圖中所示的涂層的下部或上部還可配置其他層。因此,雖然層系統(tǒng)或涂層位于 基片1 "之上"或是"由基片1(直接或間接地)支撐",但其之間還可配置其他層。因此,例 如,盡管層3和基片1之間配置有其他層,圖1的涂層也可被認(rèn)為是位于基片1 "之上"或 是"由基片1支撐"。此外,在一些實(shí)施例中,附圖中所示的涂層中的一些層可被去除,且在 不脫離本發(fā)明實(shí)施例的總的思想范圍情況下,在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,可在多種層之間 添加其他的,或是多種層可與分裂段之間添加的其他層分開(kāi)。
[0030] 在本發(fā)明的不同實(shí)施例中,可使用各種厚度和材料的層,以下,示出用于圖1實(shí)施 例中玻璃基片1上的各層的示例性厚度和材料,自玻璃基片向外的順序:
[0031] 示例性材料/厚度;圖1實(shí)施例
[0032]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種涂層制品,包括由玻璃基片支撐的涂層,所述涂層包括: 含有銀的第一和第二紅外(IR)反射層,所述第一紅外反射層比所述第二紅外反射層 更接近所述玻璃基片; 含有NiCr的第一接觸層,位于所述含有銀的第一紅外反射層之上并與其直接接觸; 含有氮化硅的介質(zhì)層,位于所述含有NiCr的第一接觸層之上并與其直接接觸; 含有NiCr的第二接觸層,位于所述含有氮化硅的層之上并與其直接接觸; 所述含有銀的第二紅外反射層位于所述含有NiCr的第二接觸層之上并與其直接接 觸,且 其中,所述含有銀的第二紅外反射層比所述含有銀的第一紅外反射層至少薄10埃 (A),且其中,所述涂層制品的可見(jiàn)光透射率<50%。
2. 如權(quán)利要求1所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第一接觸層的厚度為約 15-30 A。
3. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第一接觸層比 所述含有NiCr的第二接觸層厚:8-22 A。
4. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第一接觸層比 所述含有NiCr的第二接觸層厚1 〇- j 8
5. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第二接觸層的 厚度為約6_丨4入。
6. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有銀的第二紅外反射層 比所述含有銀的第一紅外反射層至少薄20埃(A)。
7. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有銀的第二紅外反射層 比所述含有銀的第一紅外反射層至少薄40埃(A)。
8. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有氮化硅的介質(zhì)層為非 晶質(zhì)。
9. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第一接觸層為 基本金屬或金屬的,并含有不超過(guò)約5% (原子百分比)的氧氣。
10. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第二接觸層 為基本金屬或金屬的,并含有不超過(guò)約5% (原子百分比)的氧氣。
11. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述第一和/或第二接觸層進(jìn) 一步包括氮?dú)狻?br>12. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,被單片測(cè)量的所述涂層制品的 可見(jiàn)光透射率為約20-42%。
13. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層制品被熱鋼化。
14. 如權(quán)利要求1-12中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層制品沒(méi)有被熱處理。
15. 如權(quán)利要求1-13中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層制品被熱處理,且由 于所述熱處理,其玻璃側(cè)反射ΔΕ*值< 4. 6。
16. 如權(quán)利要求1-13中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層制品被熱處理,且由 于所述熱處理,其玻璃側(cè)反射Δ E*值< 3. 6。
17. 如權(quán)利要求1-13中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層制品被熱處理,且由 于所述熱處理,其玻璃側(cè)反射Δ E*值為3. 0-4. 6。
18. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層進(jìn)一步包括含有氮化 硅的另一個(gè)介質(zhì)層,至少位于所述第二紅外反射層之上。
19. 如權(quán)利要求18所述的涂層制品,其中,所述含有氮化硅的另一個(gè)介質(zhì)層的厚度為 150-290 A。
20. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層進(jìn)一步包括含有氧化 鋯的外涂層,位于所述含有氮化硅的另一個(gè)介質(zhì)層之上并與其直接接觸。
21. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層進(jìn)一步包括:含有氮 化硅的底層,位于所述玻璃基片上并與其直接接觸;和含有NiCr的另一個(gè)接觸層,位于所 述含有氮化硅的底層和所述含有銀的第一紅外反射層之間并直接地接觸。
22. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述含有銀的第一紅外反射層 的厚度為110-145 A,且所述含有銀的第二紅外反射層的厚度為>60-95 A。
23. 如上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層的片電阻(Rs) <4.0 歐姆/平方。
24. -種層壓窗,包括被層壓至另一基片的上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的涂層制品。
25. -種涂層制品,包括由玻璃基片支撐的涂層,包括: 第一和第二紅外(IR)反射層,所述第一紅外反射層比所述第二紅外反射層更接近所 述玻璃基片; 含有NiCr的基本金屬的第一接觸層,位于所述第一紅外反射層之上并與其直接接觸, 所述含有NiCr的基本金屬的第一接觸層的厚度為約15-30 A; 含有氮化硅的介質(zhì)層,位于所述含有NiCr的第一接觸層之上并與其直接接觸; 含有NiCr的基本金屬的第二接觸層,位于所述含有氮化硅的層之上并與其直接接觸; 所述第二紅外反射層位于所述含有NiCr的第二接觸層之上并與其直接接觸,且 其中,含有銀的所述第二紅外反射層比含有銀的所述第一紅外反射層至少薄10埃 (A) 〇
26. 如權(quán)利要求25所述的涂層制品,其中,所述含有NiCr的第一接觸層比所述含有 NiCr的第二接觸層厚8-22 A。
27. 如權(quán)利要求25-26中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,含有銀的所述第二紅外反射 層比含有銀的所述第一紅外反射層至少薄40埃(A)。
28. 如權(quán)利要求25-27中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,被單片測(cè)量的所述涂層制品 的可見(jiàn)光透射率為約20-42%。
29. 如權(quán)利要求25-28中任何一項(xiàng)所述的涂層制品,其中,所述涂層制品被熱處理,且 由于所述熱處理,其玻璃側(cè)反射ΔΕ*值<4. 6。
30. -種制備涂層制品的方法,所述涂層制品包括由玻璃基片支撐的涂層,所述方法包 括以下步驟: 濺射沉積含有銀的第一和第二紅外(IR)反射層,所述第一紅外反射層比所述第二紅 外反射層更接近所述玻璃基片; 濺射沉積含有NiCr的第一接觸層,所述第一接觸層位于所述含有銀的第一紅外反射 層之上并與其直接接觸; 濺射沉積含有氮化硅的介質(zhì)層,所述介質(zhì)層位于所述含有NiCr的第一接觸層之上并 與其直接接觸; 濺射沉積含有NiCr的第二接觸層,所述第二接觸層位于所述含有氮化硅的層之上并 與其直接接觸,所述含有銀的第二紅外反射層位于所述含有NiCr的第二接觸層之上并與 其直接接觸,且 其中,所述含有銀的第二紅外反射層比所述含有銀的第一紅外反射層至少薄10埃 (A),且其中,被單片測(cè)量的所述涂層制品的可見(jiàn)光透射率< 50%。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種含有低輻射(低-E)涂層的涂層制品。在示例性實(shí)施例中,低輻射涂層被配置在基片(例如玻璃基片)上,并包括至少第一和第二紅外(IR)反射層(例如基于銀的層),由接觸層(例如基于NiCr的層)和含有類似氮化硅材料的介質(zhì)層被隔開(kāi)。在示例性實(shí)施例中,涂層制品具有較低的可見(jiàn)光透射率(例如≤50%,更優(yōu)選是≤約40%,且最優(yōu)選是≤約39%)。
【IPC分類】C03C17-36
【公開(kāi)號(hào)】CN104837785
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380063901
【發(fā)明人】弗朗西斯·維堯姆, 穆罕默德·伊姆蘭, 阿豐索·克雷林, 布倫特·博伊斯
【申請(qǐng)人】佳殿工業(yè)公司
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2013年9月20日
【公告號(hào)】EP2903946A2, US8940399, US20140098415, US20150132555, WO2014055267A2, WO2014055267A3
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