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具有低可見光透射率的低輻射涂層的涂層制品的制作方法_2

文檔序號:8515566閱讀:來源:國知局
有NiCr的第二接觸層17之上并與其直接接觸,且其中,所述含有銀的第二紅外反射層 19比所述含有銀的第一紅外反射層9至少薄1 〇A,且其中,所述涂層制品的可見光透射率 彡 50%〇
[0020] 為了提高耐久性,與光學(xué)和熱性質(zhì)一起,避免熱處理前后明顯的結(jié)構(gòu)改變,根據(jù)本 發(fā)明的示例性實施例的涂層制品具有含氮化硅的中心介質(zhì)層14,和基于NiCr(與ZnO形成 對照)的下接觸層7,17。在此還發(fā)現(xiàn),在層7、11、17和/或21中使用金屬或基本金屬的 NiCr(可能部分氮化)可提高化學(xué),機械和環(huán)境耐久性(與在銀下使用ZnO下接觸層和/或 在銀之上使用高度氧化的NiCr上接觸層相比)。此外還發(fā)現(xiàn),由于在非晶質(zhì)狀態(tài)下濺射沉 積含氮化硅的層14,涂層和熱處理狀態(tài)中都為非晶質(zhì),因此有利于涂層的整體穩(wěn)定性。例 如,5%HC1在65攝氏度下一小時,將除去美國專利No. 7,521,096中的涂層,然而圖1以及 在此所述的示例中的涂層將幸免于該HC1測試。在高溫和濕度較大的環(huán)境中,與被暴露兩 天后的'096專利的涂層相比,被暴露10天的圖1和示例中的涂層則較少地受到損害。對 于類似用于"磚洗"的高腐蝕性化學(xué)物質(zhì),由于示例性絕緣玻璃和層壓的實施例中耐腐蝕 性,因此不必執(zhí)行切邊。類似地,在此發(fā)現(xiàn),機械性擦傷測試、熱循環(huán)和鹽霧測試中,在此所 述的示例中的涂層,比'096專利的更好。進一步,在此發(fā)現(xiàn),上部基于銀的紅外反射層19 比下部基于銀的紅外反射層9薄,可提高耐腐蝕性并略微提高太陽能性能。如在此所述的 相對較低的AE*值,涂層可用于上涂料或熱處理。例如,當涂層30配置在絕緣玻璃窗單元 的表面#2時,較低的玻璃側(cè)反射AE*值指示出熱處理(例如鋼化)之前和之后肉眼所看 到的涂層制品具有幾乎相同的透射率和顏色特征,因此可用于上涂料或熱處理,不會明顯 地影響其光學(xué)特性。
[0021] 如圖1,在本發(fā)明的示例性實施例中,熱處理或非熱處理的涂層制品具有多個紅 外反射層(例如兩個具間隔的基于銀的層)可實現(xiàn)< 5. 0 (更優(yōu)選是< 4. 0,甚至更優(yōu) 選是< 3.0)的片電阻(Rs)。在此使用的"熱處理(heattreatment)"和"熱處理(heat treating) "表示將制品加熱至一定的溫度來實現(xiàn)玻璃制品的熱鋼化、熱彎曲、和/或熱強 化。該定義包括,例如,在烤爐或熔爐中以至少580°C的溫度來加熱涂層制品,更優(yōu)選是至 少600°C,以足夠的時間來執(zhí)行鋼化、彎曲、和/或熱強化。在一些情況下,熱處理至少進行 4到5分鐘。在本發(fā)明的不同實施例中,涂層制品可熱處理也可不熱處理。
[0022] 圖1是例示出根據(jù)本發(fā)明的非限制性實施例的涂層制品的橫截面圖。該涂層制 品包括:基片1(例如,純色、綠色、銅色、或藍綠色玻璃基片,厚度為1. 0-10. 〇mm,更優(yōu)選是 1. 0-3. 5_);低輻射涂層(或?qū)芋w系)30,直接或間接地位于基片1上。涂層(或?qū)芋w系)30 包括:例如底部介質(zhì)氮化硅層3,可以是Si3N4,或高硅類型的氮化硅,用于去霧處理,或是本 發(fā)明的另一個實施例中的任何其他合適的化學(xué)計量的氮化硅;下部接觸層7(與下部紅外 反射層9接觸);第一導(dǎo)電和金屬或基本金屬的紅外反射層9 ;上部接觸層11 (與層9接 觸);基于和/或包含氮化硅的層14 ;下部接觸層17 (與紅外反射層19接觸)、第二導(dǎo)電和 金屬或基本金屬的紅外反射層19 ;上部接觸層21 (與層19接觸);介質(zhì)氮化硅層24,可以 是高硅類型的Si3N4,
[0023] 用于去霧處理,或是本發(fā)明的另一個實施例中的任何其他合適的化學(xué)計量的氮化 硅;和外涂層27,含有類似氧化鋯(例如Zr02)的金屬。所述"接觸"層7、11、17、和21分 別與一個紅外反射層(例如基于銀的層)接觸。上述層3-27形成低輻射(即,低輻射率) 涂層30,被配置在玻璃或塑料基片1上。在本發(fā)明的示例性實施例中,層3-27可被濺射沉 積在基片1上,根據(jù)需要使用一個或多個目標以真空濺射沉積各層(濺射目標可以是陶瓷 或金屬)。金屬層可在含有氬氣的氣氛中被濺射,且氮化物層可在含有氮和氬氣的混合物的 氣氛中被濺射。
[0024] 在為單片時,如圖1所示,涂層制品僅包括一個玻璃基片1。但是,該單片的涂層 制品可能用于類似疊層的車輛擋風(fēng)玻璃、絕緣玻璃窗單元等裝置中。在用于絕緣玻璃窗單 元時,絕緣玻璃窗單元可包括兩個具間隔的玻璃基片。在美國專利文件No. 2004/0005467 中示出并說明了示例性絕緣玻璃窗單元,其公開的內(nèi)容被納入此處作為參考。圖2示出含 有圖1中所示的涂層的玻璃基片1的示例性絕緣玻璃窗單元,玻璃基片1通過墊片、密封劑 40等被耦合至玻璃基片2,并在其之間定義間隔50。在一些情況下,絕緣玻璃窗單元實施 例中的基片之間的間隔50中,可填入類似氬(Ar)的氣體。在一些情況下,示例性絕緣玻璃 單元可包括一對具間隔的透明玻璃基片,厚度分別為3-4_,其中的一個涂有在此所述的涂 層30,其中基片之間的間隔50可為5-30mm,更優(yōu)選是10-20mm,且最優(yōu)選是約為16mm。在 示例中,低輻射涂層30可配置在面對間隔的任何一個基片的內(nèi)表面(圖2中涂層被示出位 于面對間隔50的基片1的內(nèi)部主要表面,但也可位于面對間隔50的基片2的內(nèi)部主要表 面)?;?或基片2中的任何一個可以是建筑外部的絕緣玻璃窗單元的最外層基片(例 如,在圖2中基片1是最接近建筑外部的基片,且涂層30被配置在絕緣玻璃窗單元的表面 #2 上)。
[0025] 圖3示出含有圖1中的涂層的玻璃基片1的層壓窗單元,所述玻璃基片1通過層 壓膜(例如PVB) 60被偶合至另一個玻璃基片2。如圖3中所示出的,在該制品中,低輻射涂 層30可鄰接層壓膜60。
[0026] 在本發(fā)明的示例性實施例中,接觸層7、11、17、21中的一個、兩個、三個、或所有四 個可以是或包括NiCr(任何合適的比例或Nr:Cr),并可以或也可以不氮化(NiCrNx)。在示 例性實施例中,該含有NiCr的層7、11、17、21中的一個、兩個、三個、或所有四個基本上或完 全非氧化。在示例性實施例中,基于NiCr的層7、11、17、21中的一個、兩個、三個、或所有四 個可包括0-10 %的氧氣,更優(yōu)選是0-5 %的氧氣,且最優(yōu)選是0-2 %的氧氣(原子百分比)。 在示例性實施例中,層7、11、17、21中的一個、兩個、三個、或所有四個可含有0-20%的氮 氣,更優(yōu)選是1-15%的氮氣,且更優(yōu)選是1-12%的氮氣(原子百分比)。雖然NiCr是用于 吸收層4和25的優(yōu)選材料,但也可以使用其他材料來代替或添加。例如,基于NiCr的層7、 11、17和/或21可以或也可以不摻雜其他材料,類似不銹鋼、鉬、或類似等。在此發(fā)現(xiàn),在基 于銀的紅外反射層9、19下使用基于NiCr的接觸層7和/或17可提高涂層制品的耐久性 (與層7和17被ZnO代替時相比)。
[0027] 在本發(fā)明的實施例中,介質(zhì)層3、14、和24可以是或包括氮化硅。此外,氮化硅層 3、14、和24可提高涂層制品的熱處理性以及在選擇性的熱處理期間保護其他層,例如類似 熱鋼化等。在本發(fā)明的其他實施例中,層3、14、和24中一個或多個的氮化硅可以是化學(xué)計 量的類型(例如,Si3N4),或是富硅型的氮化硅。例如,含有富硅型氮化硅的層3和/或14 中所存在的自由硅可使類似鈉(Na)的原子在熱處理期間從玻璃基片1向外移動,在其到達 銀層及損壞其之前可更有效地經(jīng)含有富硅型氮化硅的層被停止。因此,在本發(fā)明的示例性 實施例中,熱處理期間,富硅型SixNy可減少對于銀層的損壞,從而使片電阻減少,或以理想 的方式保持相同。此外,在本發(fā)明可選擇的示例性實施例中,層3、14、和/或24中的富硅型 SixNy在熱處理期間可減少對于銀和/或NiCr的損壞(例如,氧化)。在示例性實施例中, 當富硅型氮化硅被使用時,富硅型氮化硅層(3、14、和/或24)由此沉積可能具有SixNy層 的特性,其中x/y可以是0. 76-1. 5,更優(yōu)選是0. 8-1. 4,甚至更優(yōu)選是0. 82-1. 2。在本發(fā)明 的示例性實施例中,在此所述的任何和/或所有氮化硅層可摻雜其他材料,例如不銹鋼或 鋁。例如,在本發(fā)明的示例性實施例中,在此所述的任何和/或所有氮化硅層可選擇性地包 括約0-15%的鋁,更優(yōu)選是約1-10%的鋁。在本發(fā)明的實施例中,氮化硅可通過在具有氬 和氮氣的大氣中濺射對象Si或SiAl被沉積。在一些情況下,還可在氮化硅層中提供少量 的氧氣。
[0028] 紅外反射層9和19優(yōu)選是基本或完全金屬的和/或?qū)щ姷?,并可包括或由銀 (Ag)、金、或其他合適的紅外反射材料構(gòu)成。紅外反射層9和19可使涂層具有低輻射和/ 或更好的太陽能控制特性。在本發(fā)
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