本技術(shù)屬于單晶爐，涉及一種單晶爐的加熱器。

背景技術(shù)：

1、目前光伏行業(yè)的直拉單晶生長時，使用的是雙加熱器的方案，分別叫主加熱器和底加熱器，熔料的時候，兩個加熱器同時工作，晶體生長的過程中，只有主加熱器工作，底加熱器不參與，因為開底加熱器，無法完成正常長晶。

2、這樣帶來的問題是，單主加熱器工作時，造成坩堝表面局部溫度高，釋放的氧含量較多，導(dǎo)致進入晶棒的氧含量較多，無法達到硅片產(chǎn)品的要求，電池轉(zhuǎn)化效率低，尤其是n型硅片。

3、兩個加熱器熔料，功率給到最大時，化料效率比較低，耽誤工時。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型為了克服至少一個現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種單晶爐的加熱器。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：一種單晶爐的加熱器,包括主加熱器、副加熱器和底加熱器，副加熱器位于主加熱器的下方，副加熱器和主加熱器位于坩堝的側(cè)面，主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接。

3、進一步的，在晶體生長階段，副加熱器分配主加熱器的功率對坩堝加熱。

4、進一步的，功率分配前所述主加熱器的功率設(shè)置為a，功率分配后主加熱器的功率設(shè)置為a1，副加熱器的功率設(shè)置為a2，a1和a2小于a，且a1+a2＝a。

5、進一步的，在熔料階段時，所述副加熱器位于坩堝的中部；在晶體生長階段，副加熱器與主加熱器的間距設(shè)置為20mm-40mm。

6、進一步的，所述主加熱器包括主加熱發(fā)熱區(qū)和主加熱腳板，主加熱腳板設(shè)有兩組，主加熱腳板固設(shè)在主加熱發(fā)熱區(qū)，主加熱腳板與主加熱電源電極連接。

7、進一步的，所述副加熱器包括副加熱發(fā)熱區(qū)和副加熱腳板，副加熱腳板設(shè)有兩組，副加熱腳板固設(shè)在副加熱發(fā)熱區(qū)，副加熱腳板與副加熱電源電極連接。

8、進一步的，兩組所述主加熱腳板分別連接主加熱電源電極的正極和負極。

9、進一步的，所述副加熱發(fā)熱區(qū)還設(shè)有加熱板，加熱板繞主加熱腳板分布。

10、進一步的，兩組所述副加熱腳板分別開連接副加熱電源電極的正極和負極。

11、進一步的，所述底加熱器設(shè)有兩組底電極連接柱，兩組底電極連接柱與底加熱電源電極的正極和負極連接。

12、綜上所述，本實用新型的有益之處在于：

13、1)本實用新型在熔料階段，主加熱器、副加熱器在坩堝側(cè)面對其進行加熱，底加熱器在坩堝下部對其進行加熱，通過增加副加熱器的功率，大大提升了熔料功率的上限，有效提高了熔料溫度，提升熔料效率，同時主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接實現(xiàn)獨立控制，使它們的功率可以根據(jù)實際需求，靈活調(diào)整主加熱器、副加熱器和底加熱器的功率值，達到快速熔料的目的，在晶體生長階段，副加熱器分配主加熱器的功率，以降低主加熱器的功率，損耗減少，可延長加熱器的使用壽命，同時使坩堝的局部溫度下降，降低硅液和坩堝的反應(yīng)速度，有效降低釋放的氧含量，從而使進入晶棒的氧含量減少，大大提升了晶棒的品質(zhì)，同時功率數(shù)值可以根據(jù)實際需求靈活分配，達到實現(xiàn)降低氧含量最大化的目的。

14、2)本實用新型通過升降結(jié)構(gòu)控制副加熱器的升降以調(diào)整主加熱器和副加熱器的間距，在熔料階段時，升降結(jié)構(gòu)控制副加熱器移動，使副加熱器位于坩堝的中部，可以使副加熱器的發(fā)熱量被硅液吸收，從而大幅度提升熔料效率，在晶體生長階段，升降結(jié)構(gòu)控制副加熱器移動，使副加熱器與主加熱器的間距控制在設(shè)定距離此時副加熱器最靠近坩堝上部的位置，副加熱器分擔(dān)主加熱器的功率后，有效降低坩堝表面的溫度，有效降低釋放的氧含量，從而使進入晶棒的氧含量減少，大大提升了晶棒的品質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種單晶爐的加熱器,其特征在于：包括主加熱器、副加熱器和底加熱器，副加熱器位于主加熱器的下方，副加熱器和主加熱器位于坩堝的側(cè)面，主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：在晶體生長階段，副加熱器分配主加熱器的功率對坩堝加熱。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：功率分配前所述主加熱器的功率設(shè)置為a，功率分配后主加熱器的功率設(shè)置為a1，副加熱器的功率設(shè)置為a2，a1和a2小于a，且a1+a2＝a。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：在熔料階段時，所述副加熱器位于坩堝的中部；在晶體生長階段，副加熱器與主加熱器的間距設(shè)置為20mm-40mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：所述主加熱器包括主加熱發(fā)熱區(qū)和主加熱腳板，主加熱腳板設(shè)有兩組，主加熱腳板固設(shè)在主加熱發(fā)熱區(qū)，主加熱腳板與主加熱電源電極連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：所述副加熱器包括副加熱發(fā)熱區(qū)和副加熱腳板，副加熱腳板設(shè)有兩組，副加熱腳板固設(shè)在副加熱發(fā)熱區(qū)，副加熱腳板與副加熱電源電極連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：兩組所述主加熱腳板分別連接主加熱電源電極的正極和負極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：所述副加熱發(fā)熱區(qū)還設(shè)有加熱板，加熱板繞主加熱腳板分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：兩組所述副加熱腳板分別開連接副加熱電源電極的正極和負極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐的加熱器，其特征在于：所述底加熱器設(shè)有兩組底電極連接柱，兩組底電極連接柱與底加熱電源電極的正極和負極連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種單晶爐的加熱器,包括主加熱器、副加熱器和底加熱器，副加熱器位于主加熱器的下方，副加熱器和主加熱器位于坩堝的側(cè)面，主加熱器、副加熱器和底加熱器分別與不同電源電極連接，本技術(shù)在熔料階段，主加熱器、副加熱器在坩堝側(cè)面對其進行加熱，底加熱器在坩堝下部對其進行加熱，通過增加副加熱器的功率，大大提升了熔料功率的上限，有效提高了熔料溫度，提升熔料效率，本發(fā)明通過副加熱器分擔(dān)主加熱器的功率后，有效降低坩堝表面的溫度，有效降低釋放的氧含量，從而使進入晶棒的氧含量減少，大大提升了晶棒的品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：李方,王建波,黃鑫磊,馮寶,蔣林
受保護的技術(shù)使用者：連城凱克斯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240207
技術(shù)公布日：2024/12/19