本發(fā)明涉及玻璃粉,具體涉及玻璃粉、電阻漿料、制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù):
1、電阻漿料是用于制造厚膜電阻器、?電阻網(wǎng)絡(luò)、?混合集成電路以及特殊用途的電阻器和換流閥的重要材料。玻璃粉是電阻漿料中的一種重要的組成成分,常用作粘結(jié)相。電阻漿料中的粘結(jié)相和導(dǎo)電相相互作用影響著漿料的電性能,?如電阻值、?電阻溫度系數(shù)、耐高壓脈沖性等。目前的電阻漿料對溫度的敏感性高,耐高壓脈沖性能差,不能滿足市場的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種玻璃粉、電阻漿料、制備方法和應(yīng)用。
2、在一些實(shí)施方式中,提供一種玻璃粉的制備方法,所述玻璃粉的制備方法包括以下步驟:
3、將第一混合料進(jìn)行第一熔煉,淬火,第一研磨,制備得到粒度d50不大于2μm的第一中間體;
4、將改性劑與所述第一中間體進(jìn)行研磨混料,制備得到第二混合料;
5、將所述第二混合料進(jìn)行第二熔煉,第一攪拌,水淬,第二研磨,制備得到粒度d50不大于2μm的粉體;
6、將所述粉體冷凍,回溫,制備得到第二中間體;
7、將二氧化錳和所述第二中間體進(jìn)行球磨混料,制備得到第三混合料;
8、將所述第三混合料進(jìn)行第三熔煉,使二氧化錳熔液熔滲進(jìn)入第二中間體的表層,第三研磨,制備得到所述玻璃粉;
9、以投料量計(jì),所述第一混合料中含有sio2?10wt%~40wt%,pbo?20wt%~80wt%,金屬氧化物2wt%~25wt%。
10、在一些實(shí)施方式中,所述的制備方法滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
11、(1)所述改性劑中含有al2o3、cao和sno,所述al2o3、cao和sno的質(zhì)量比為(1~15):(1~15):(0.01~15);
12、(2)以投料量計(jì),第二混合料中含有al2o3?1wt%~15wt%,cao?1wt%~15wt%,sno0.01wt%~15wt%及第一中間體75wt%~95wt%;
13、(3)以投料量計(jì),所述第三混合料中含有二氧化錳?0.1wt%~10wt%和第二中間體90wt%~99.9wt%。
14、在一些實(shí)施方式中,所述的制備方法滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
15、(1)以投料量計(jì),所述第一混合料中含有sio2?15wt%~?35wt%,pbo?50wt%~?80wt?%,金屬氧化物?2wt%~?25wt%;
16、(2)所述改性劑中al2o3、cao和sno的質(zhì)量比為(1~15):(1~15):(0.01~8.5);
17、(3)以投料量計(jì),第二混合料中含有al2o3?1wt%~15wt%,cao?1wt%~?15wt%,sno0.01wt%~8.5wt%及第一中間體?75wt%~?95wt%;
18、(4)以投料量計(jì),所述第三混合料中含有mno2?0.1wt%~2wt%和第二中間體?98wt%~?99.9?wt?%。
19、在一些實(shí)施方式中,所述的制備方法滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
20、(1)所述第一混合料中的所述金屬氧化物包括bi2o3和bao中的至少一種;
21、(2)進(jìn)行所述第一熔煉的溫度為1300℃~1600℃;
22、(3)進(jìn)行所述第一熔煉的保溫時間為30min~60min;
23、(4)使用對輥冷卻設(shè)備進(jìn)行所述淬火;
24、(5)進(jìn)行所述第二熔煉的溫度為1200℃~1400℃;
25、(6)進(jìn)行所述第二熔煉的保溫時間為30min~60min。
26、在一些實(shí)施方式中,所述的制備方法中,進(jìn)行所述第三熔煉的溫度為550℃~650℃,進(jìn)行所述第三熔煉的保溫時間為60min~120min。
27、在一些實(shí)施方式中,所述的制備方法滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
28、(1)所述淬火的溫度為15℃~30℃;
29、(2)所述第一攪拌的轉(zhuǎn)速為40?r/min?~60r/min;
30、(3)所述水淬的溫度為15℃~30℃;
31、(4)所述水淬過程中水的體積為熔煉粉體體積的50~100倍;
32、(5)將所述粉體置于密封環(huán)境中冷凍;
33、(6)所述冷凍的溫度為-100℃~-20℃;
34、(7)所述冷凍的時間為3h~5h;
35、(8)所述回溫的速率為1.5℃/h~5℃/h。
36、在一些實(shí)施方式中,提供一種玻璃粉,所述玻璃粉根據(jù)所述玻璃粉的制備方法制備得到。
37、在一些實(shí)施方式中,所述玻璃粉滿足如下特征中的至少一項(xiàng):
38、(1)所述玻璃粉的粒徑為500nm~5μm;
39、(2)所述玻璃粉的軟化點(diǎn)為600℃~800℃;
40、(3)所述玻璃粉的體系為si-pb-bi-al體系玻璃粉、si-pb-bi-ca體系玻璃粉、si-pb-ba-al體系玻璃粉。
41、在一些實(shí)施方式中,提供所述的玻璃粉在制備電阻漿料或電子產(chǎn)品中的應(yīng)用。
42、在一些實(shí)施方式中,提供一種電阻漿料,其包括所述的玻璃粉。
43、在一些實(shí)施方式中,提供一種電子產(chǎn)品,其含有所述的玻璃粉或所述的電阻漿料。
44、在一些實(shí)施方式中,所述電子產(chǎn)品為厚膜電阻器、?電阻網(wǎng)絡(luò)、?混合集成電路和換流閥中的至少一種。
45、本申請前述提供的制備方法采用氧化物分批熔煉及熔滲的方法對玻璃粉進(jìn)行制備改性,分批熔煉可以準(zhǔn)確控制玻璃粉中的化學(xué)成分以及各成分分布均勻性,制備出的高軟化點(diǎn)玻璃粉具有很好的批次穩(wěn)定性和耐高壓特性,二氧化錳在漿料中具有調(diào)節(jié)溫度系數(shù)的作用,在分批熔煉的過程中采用熔滲的方法將二氧化錳滲入在玻璃粉的表層,可以最大限度地發(fā)揮二氧化錳的作用,在漿料燒結(jié)的過程中,因二氧化錳熔滲在玻璃粉的表層,可以有效避免二氧化錳與漿料中的其他成分發(fā)生反應(yīng),從而影響漿料的性能。制備方法操作簡單,可以制備得到si-pb-bi-al體系玻璃粉、si-pb-bi-ca體系玻璃粉、si-pb-ba-al體系玻璃粉等高軟化點(diǎn)玻璃粉。將前述提供的方法制備得到的玻璃粉應(yīng)用于制備電阻漿料,得到的電阻漿料不僅具有良好的耐高壓脈沖性能,而且能夠大幅度拉近的電阻漿料的正負(fù)溫度系數(shù),降低漿料對溫度的敏感性。
1.一種玻璃粉的制備方法,其特征在于,所述玻璃粉的制備方法包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,進(jìn)行所述第三熔煉的溫度為550℃~650℃,進(jìn)行所述第三熔煉的保溫時間為60min~120min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,滿足如下特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng):
7.一種玻璃粉,其特征在于,所述玻璃粉根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述玻璃粉的制備方法制備得到。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的玻璃粉,其特征在于,所述玻璃粉滿足如下特征中的至少一項(xiàng):
9.權(quán)利要求7或8所述的玻璃粉在制備電阻漿料或電子產(chǎn)品中的應(yīng)用。
10.一種電阻漿料,其特征在于,包括權(quán)利要求7或8所述的玻璃粉。
11.一種電子產(chǎn)品,其特征在于,含有權(quán)利要求7或8所述的玻璃粉或權(quán)利要求10所述的電阻漿料,可選地,所述電子產(chǎn)品為厚膜電阻器、?電阻網(wǎng)絡(luò)、?混合集成電路和換流閥中的至少一種。