本公開涉及半導體制造，具體地，涉及用于生產外延晶圓的方法和系統(tǒng)。

背景技術：

1、外延晶圓是一種通過在襯底晶圓上應用外延生長技術來沉積單晶硅層的產品，其具有表面缺陷少、厚度可調和電阻率可控等優(yōu)點。外延生長過程是在專門的外延爐的密封腔室內進行的，這個腔室的狀態(tài)對整個生長過程和最終外延晶圓的品質有著決定性的影響。

2、由于各類外延晶圓產品對腔室狀態(tài)的要求各異，為了確保生產出符合特定質量標準的產品，需要安排與質量要求相匹配的腔室進行相應生產。因此，在安排生產之前，需要對各個腔室的狀態(tài)進行評價。目前，該評價工作通常由人工完成，工作人員運用其專業(yè)知識和經驗，通過對從腔室生產出的外延晶圓的特征數據進行分析，進而形成對該腔室狀態(tài)的個人判斷。

3、然而，由于評價工作涉及對眾多特征數據的綜合分析，工作人員在短時間內難以得出全面考慮的結果，導致評價過程效率不高，進而對生產分配的效率造成限制。此外，人工評價的主觀性較大，不同工作人員可能會給出不同評價結果，致使評價結果的可靠性和準確性較低，這可能導致腔室分配不合理，進而影響生產資源配置和產品質量。

技術實現(xiàn)思路

1、本部分提供本公開的總體概要，而不是對本公開的全部范圍或所有特征的全面公開。

2、本公開的目的在于提供一種能夠提升生產分配效率的用于生產外延晶圓的方法和系統(tǒng)。

3、本公開的另一目的在于提供一種能夠提升腔室分配的合理性的用于生產外延晶圓的方法和系統(tǒng)。

4、為了實現(xiàn)上述目的，根據本公開的一方面，提供了一種用于生產外延晶圓的方法，包括：

5、根據在外延爐的腔室中生產的外延晶圓的多個特征的數據和與數據對應的權重獲取腔室的總分；

6、基于總分對腔室進行生產分配。

7、在一些實施方式中，根據在外延爐的腔室中生產的外延晶圓的多個特征的數據和與數據對應的權重獲取腔室的總分可以包括：根據數據和與數據對應的目標值確定數據的得分，將得分和對應的權重進行加權求和來獲取總分。

8、在一些實施方式中，基于總分對腔室進行生產分配可以包括：將總分與一閾值進行比較，在總分大于閾值時，根據總分與閾值的偏差程度對腔室進行分級，并根據分級分配腔室以進行生產。

9、在一些實施方式中，基于總分對腔室進行生產分配還可以包括：在總分小于或等于閾值時，將外延爐停機。

10、在一些實施方式中，用于生產外延晶圓的方法還可以包括：在獲取腔室的總分之前，針對多個特征的數據構建權重。

11、在一些實施方式中，用于生產外延晶圓的方法還可以包括：在獲取腔室的總分之前，對外延晶圓的多個特征進行測量以獲得數據。

12、在一些實施方式中，腔室的總分可以根據每次在腔室中生產的外延晶圓的多個特征的數據進行更新。

13、在一些實施方式中，多個特征可以選自包括下述各者的組：外延晶圓的電阻率、厚度、缺陷、平坦度、顆粒水平和金屬水平。

14、在一些實施方式中，多個特征中的每個特征可以包括至少一項數據。

15、根據本公開的另一方面，提供了一種用于生產外延晶圓的系統(tǒng)，包括：

16、計算單元，其用于根據在外延爐的腔室中生產的外延晶圓的多個特征的數據和與數據對應的權重獲取腔室的總分；

17、分配單元，其用于基于總分對腔室進行生產分配。

18、根據上述技術方案，采用以數據和權重為基礎的評分系統(tǒng)來確定腔室的總分，使得外延晶圓的各個特征能夠根據其重要性得到相應的考量，并且腔室的狀態(tài)能夠通過具體的數值來衡量，從而實現(xiàn)了腔室狀態(tài)的評價過程的客觀化和標準化。由此，避免了個人主觀判斷的干擾，提高了評價結果的可靠性和準確性，使得腔室的分配更加合理，有利于優(yōu)化資源配置并提高產品質量。此外，評價過程的客觀化和標準化還有利于縮短評價時間，提高評價效率，從而加快生產分配的速度，提升生產效率。

技術特征：

1.一種用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，所述根據在外延爐的腔室中生產的外延晶圓的多個特征的數據和與所述數據對應的權重獲取所述腔室的總分包括：根據所述數據和與所述數據對應的目標值確定所述數據的得分，將所述得分和對應的所述權重進行加權求和來獲取所述總分。

3.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，所述基于所述總分對所述腔室進行生產分配包括：將所述總分與一閾值進行比較，在所述總分大于所述閾值時，根據所述總分與所述閾值的偏差程度對所述腔室進行分級，并根據所述分級分配所述腔室以進行生產。

4.根據權利要求3所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，所述基于所述總分對所述腔室進行生產分配還包括：在所述總分小于或等于所述閾值時，將所述外延爐停機。

5.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，還包括：在所述獲取所述腔室的總分之前，針對所述多個特征的所述數據構建所述權重。

6.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，還包括：在所述獲取所述腔室的總分之前，對所述外延晶圓的所述多個特征進行測量以獲得所述數據。

7.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，所述腔室的所述總分根據每次在所述腔室中生產的外延晶圓的所述多個特征的所述數據進行更新。

8.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，所述多個特征選自包括下述各者的組：所述外延晶圓的電阻率、厚度、缺陷、平坦度、顆粒水平和金屬水平。

9.根據權利要求1所述的用于生產外延晶圓的方法，其特征在于，所述多個特征中的每個特征包括至少一項數據。

10.一種用于生產外延晶圓的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

技術總結
本公開涉及一種用于生產外延晶圓的方法和系統(tǒng)。用于生產外延晶圓的方法包括：根據在外延爐的腔室中生產的外延晶圓的多個特征的數據和與數據對應的權重獲取腔室的總分；基于總分對腔室進行生產分配。根據本公開的用于生產外延晶圓的方法和系統(tǒng)，能夠提升外延晶圓生產中的生產分配效率，并且能夠提升外延晶圓生產中腔室分配的合理性。

技術研發(fā)人員：梁鵬歡
受保護的技術使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23