技術(shù)編號(hào)：40444332
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體制造，具體地，涉及用于生產(chǎn)外延晶圓的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)、外延晶圓是一種通過(guò)在襯底晶圓上應(yīng)用外延生長(zhǎng)技術(shù)來(lái)沉積單晶硅層的產(chǎn)品，其具有表面缺陷少、厚度可調(diào)和電阻率可控等優(yōu)點(diǎn)。外延生長(zhǎng)過(guò)程是在專(zhuān)門(mén)的外延爐的密封腔室內(nèi)進(jìn)行的，這個(gè)腔室的狀態(tài)對(duì)整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程和最終外延晶圓的品質(zhì)有著決定性的影響。、由于各類(lèi)外延晶圓產(chǎn)品對(duì)腔室狀態(tài)的要求各異，為了確保生產(chǎn)出符合特定質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，需要安排與質(zhì)量要求相匹配的腔室進(jìn)行相應(yīng)生產(chǎn)。因此，在安排生產(chǎn)之前，需要對(duì)各個(gè)腔室的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)價(jià)。目前，該評(píng)價(jià)工作...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。