本申請(qǐng)屬于硅片制造，具體涉及外延用基座及外延設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、硅片外延生長(zhǎng)是一種用于制造半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵工藝，在生長(zhǎng)過(guò)程中，通過(guò)加熱硅襯底，并將硅氣體傳輸?shù)椒磻?yīng)室中，通過(guò)適當(dāng)?shù)臏囟瓤刂?，使硅原子在表面沉積并逐漸形成多晶硅或單晶硅層。

2、然而，硅片在外延生長(zhǎng)過(guò)程中由于多種因素導(dǎo)致各方向的生長(zhǎng)速度不同，生長(zhǎng)速度的不同會(huì)使外延后的硅片在表面上凹凸不平，從而導(dǎo)致硅片在各部分的厚度區(qū)別較大，進(jìn)而導(dǎo)致硅片的表面的平坦度較低，而平坦度較低的硅片已經(jīng)無(wú)法滿足小線寬生產(chǎn)的要求和使用需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明目的：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N外延用基座，用于解決硅片在某些方位角的高度明顯大于其他方位角的高度的技術(shù)問(wèn)題；本申請(qǐng)的另一目的在于提供一種外延設(shè)備。

2、技術(shù)方案，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N外延用基座，包括：

3、承載部，所述承載部具有軸向方向和與所述軸向方向垂直的徑向方向，以及環(huán)繞所述軸向方向的周向方向，所述承載部在所述徑向方向上具有邊緣；

4、限位部，所述限位部包括第一本體和第一凸起，所述第一本體沿所述周向方向設(shè)置并與所述邊緣連接，所述第一本體在所述軸向方向上具有一第一基準(zhǔn)面，所述第一凸起與所述第一基準(zhǔn)面連接；所述第一凸起、所述第一本體和所述承載部共同圍合成用于放置硅片的承載空間，所述第一凸起用于阻擋至少部分沿所述徑向方向吹向所述硅片的氣流；

5、其中，所述第一凸起在所述周向方向上具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面與所述第一基準(zhǔn)面連接，并能夠自所述第一基準(zhǔn)面朝遠(yuǎn)離第一本體的方向延伸；所述第一表面和所述第二表面之間在所述周向方向上的距離沿所述軸向方向減小。

6、在一些實(shí)施例中，所述第一表面沿所述軸向方向遠(yuǎn)離所述第一基準(zhǔn)面的一端與所述第二表面沿所述軸向方向遠(yuǎn)離所述第一基準(zhǔn)面的一端連接。

7、在一些實(shí)施例中，所述第一凸起還具有第三表面，所述第三表面位于所述第一表面和所述第二表面之間并分別與所述第一表面和所述第二表面連接，所述第三表面連接于所述第一表面和所述第二表面遠(yuǎn)離所述第一基準(zhǔn)面的一端。

8、在一些實(shí)施例中，所述第一表面朝靠近所述第二表面的方向凸出，和/或，所述第二表面朝靠近所述第一表面的方向凸出。

9、在一些實(shí)施例中，所述限位部包括多個(gè)第一凸起，多個(gè)所述第一凸起沿所述周向方向間隔設(shè)置，相鄰的所述第一凸起之間具有凹槽，且所述第一表面、所述第二表面和所述第一基準(zhǔn)面圍成所述凹槽，氣流沿所述徑向方向能夠穿過(guò)所述凹槽吹向所述硅片。

10、在一些實(shí)施例中，所述承載部包括：

11、第二本體，所述第二本體與第一本體連接，所述第二本體和所述第一本體圍合成所述承載空間；

12、第二凸起，所述第二凸起沿所述周向方向設(shè)置于所述承載空間，并與所述第二本體和所述第一本體連接，所述第二凸起用于承載硅片，以使得硅片與所述第二本體間隔；

13、其中，所述第二凸起沿所述徑向方向具有最小尺寸d，滿足：6.25mm≤d≤11.25mm。

14、在一些實(shí)施例中，所述承載部包括：

15、第二本體，所述第二本體與第一本體連接，所述第二本體和所述第一本體圍合成所述承載空間；

16、第二凸起，所述第二凸起沿所述周向方向設(shè)置于所述承載空間，并與所述第二本體和所述第一本體連接所述第二凸起用于承載硅片，以使得硅片與所述第二本體間隔；

17、其中，所述第二凸起具有背離所述第二本體的第四表面，所述第四表面用于承載硅片，所述第四表面所在的面與所述第一基準(zhǔn)面所在的面之間具有夾角α，滿足：3.1°≤α≤4.1°。

18、在一些實(shí)施例中，所述第一本體還具有第二基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)面沿所述軸向方向與所述第一基準(zhǔn)面背離，且所述第一基準(zhǔn)面與所述第二基準(zhǔn)面之間在所述軸向方向上具有最大距離d1；

19、所述第二本體具有遠(yuǎn)離第四表面的第三基準(zhǔn)面，所述第三基準(zhǔn)面與所述第二基準(zhǔn)面在所述徑向方向上齊平，且所述第四表面與所述第三基準(zhǔn)面之間在所述軸向方向上具有最大距離d2；

20、滿足：d1＞d2。

21、在一些實(shí)施例中，d1與d2滿足：0.8mm≤d1-d2≤1.2mm。在一些實(shí)施例中，所述第二本體包括：

22、第一子部；

23、第二子部，所述第二子部沿所述周向方向設(shè)置并沿所述徑向方向連接于所述第一子部，所述第二子部具有多個(gè)連通所述承載空間的通孔；

24、第三子部，所述第三子部沿所述周向方向設(shè)置并沿所述徑向方向連接于所述第二子部遠(yuǎn)離所述第一子部的一側(cè)，所述第三子部沿所述徑向方向與所述第一本體連接，所述第二凸起沿所述軸向方向與所述第三子部連接。

25、在一些實(shí)施例中，所述第一子部沿所述徑向方向的最大尺寸為i1，所述第二子部沿所述徑向方向的最大尺寸為i2，滿足：220mm≤i1≤240mm，260mm≤i2≤280mm。

26、在一些實(shí)施例中，所述第一凸起沿所述周向方向的最大尺寸為l，滿足：30πmm≤l≤41πmm。

27、在一些實(shí)施例中，所述第一凸起沿所述軸向方向具有最大尺寸h1，滿足：0.3mm≤h1≤0.7mm。

28、相應(yīng)的，本申請(qǐng)還提供一種外延設(shè)備，包括如上述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的外延用基座。

29、有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的外延用基座及外延設(shè)備，包括承載部和限位部，承載部具有軸向方向和與軸向方向垂直的徑向方向，以及環(huán)繞軸向方向的周向方向，承載部在徑向方向上具有邊緣；限位部包括第一本體和第一凸起，第一本體沿周向方向設(shè)置并與邊緣連接，第一本體在軸向方向上具有一第一基準(zhǔn)面，第一凸起與第一基準(zhǔn)面連接；第一凸起、第一本體和承載部共同圍合成用于放置硅片的承載空間，第一凸起用于阻擋至少部分沿徑向方向吹向硅片的氣流；其中，第一凸起在周向方向上具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面與第一基準(zhǔn)面連接，并能夠自第一基準(zhǔn)面朝遠(yuǎn)離第一本體的方向延伸；第一表面和第二表面之間在周向方向上的距離沿軸向方向減小。本申請(qǐng)通過(guò)設(shè)置第一凸起以在硅片生長(zhǎng)速度較快處阻擋由基座外部沿徑向方向吹向硅片的氣流，從而降低生長(zhǎng)速度較快處的生長(zhǎng)速度，進(jìn)而使得硅片各處的生長(zhǎng)速度更加趨于一致，以使得硅片在外延后獲得更好的平坦度。

技術(shù)特征：

1.一種外延用基座，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用基座，其特征在于，所述第一表面(1221)沿所述軸向方向(z)遠(yuǎn)離所述第一基準(zhǔn)面(1211)的一端與所述第二表面(1222)沿所述軸向方向(z)遠(yuǎn)離所述第一基準(zhǔn)面(1211)的一端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延用基座，其特征在于，所述第一凸起(122)還具有第三表面(1223)，所述第三表面(1223)位于所述第一表面(1221)和所述第二表面(1222)之間并分別與所述第一表面(1221)和所述第二表面(1222)連接，所述第三表面(1223)連接于所述第一表面(1221)和所述第二表面(1222)遠(yuǎn)離所述第一基準(zhǔn)面(1211)的一端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外延用基座，其特征在于，所述第一表面(1221)朝靠近所述第二表面(1222)的方向凸出，和/或，所述第二表面(1222)朝靠近所述第一表面(1221)的方向凸出。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用基座，其特征在于，所述限位部(12)包括多個(gè)第一凸起(122)，多個(gè)所述第一凸起(122)沿所述周向方向(y)間隔設(shè)置，相鄰的所述第一凸起(122)之間具有凹槽(124)，且所述第一表面(1221)、所述第二表面(1222)和所述第一基準(zhǔn)面(1211)圍成所述凹槽(124)，氣流(3)沿所述徑向方向(x)能夠穿過(guò)所述凹槽(124)吹向所述硅片(2)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用基座，其特征在于，所述承載部(11)包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用基座，其特征在于，所述承載部(11)包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的外延用基座，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的外延用基座，其特征在于，d1與d2滿足：0.8mm≤d1-d2≤1.2mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的外延用基座，其特征在于，所述第二本體(112)包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的外延用基座，其特征在于，所述第一子部(1122)沿所述徑向方向(x)的最大尺寸為i1，滿足：220mm≤i1≤240mm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用基座，其特征在于，所述第一凸起(122)沿所述周向方向(y)的最大尺寸為l，滿足：30πmm≤l≤41πmm。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延用基座，其特征在于，所述第一凸起(122)沿所述軸向方向(z)具有最大尺寸h1，滿足：0.3mm≤h1≤0.7mm。

14.一種外延設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的外延用基座。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種外延用基座及外延設(shè)備，屬于硅片制造技術(shù)領(lǐng)域，該外延用基座包括承載部和限位部；限位部包括第一本體和第一凸起，第一本體沿周向方向設(shè)置并與承載部連接，第一本體在軸向方向上具有第一基準(zhǔn)面，第一凸起與第一基準(zhǔn)面連接；其中，第一凸起在周向方向上具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面與第一基準(zhǔn)面連接，并能夠自第一基準(zhǔn)面朝遠(yuǎn)離第一本體的方向延伸；第一表面和第二表面之間在周向方向上的距離沿軸向方向減小。本申請(qǐng)通過(guò)設(shè)置第一凸起以在硅片生長(zhǎng)速度較快處阻擋由基座外部沿徑向方向吹向硅片的氣流，從而使得硅片各處的生長(zhǎng)速度更加趨于一致，進(jìn)而使得硅片在外延后獲得更好的平坦度。

技術(shù)研發(fā)人員：杜金生,張坤,宋泰甫,張佳緣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23