技術(shù)編號：40444131
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于硅片制造，具體涉及外延用基座及外延設(shè)備。背景技術(shù)、硅片外延生長是一種用于制造半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵工藝，在生長過程中，通過加熱硅襯底，并將硅氣體傳輸?shù)椒磻?yīng)室中，通過適當(dāng)?shù)臏囟瓤刂?，使硅原子在表面沉積并逐漸形成多晶硅或單晶硅層。、然而，硅片在外延生長過程中由于多種因素導(dǎo)致各方向的生長速度不同，生長速度的不同會(huì)使外延后的硅片在表面上凹凸不平，從而導(dǎo)致硅片在各部分的厚度區(qū)別較大，進(jìn)而導(dǎo)致硅片的表面的平坦度較低，而平坦度較低的硅片已經(jīng)無法滿足小線寬生產(chǎn)的要求和使用需要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、發(fā)明目的：...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。