本申請涉及單晶硅制造，特別是涉及一種坩堝支承組件及單晶爐。

背景技術(shù)：

1、單晶硅棒是光伏領(lǐng)域的基礎(chǔ)材料，而cz法是制備單晶硅的主要方法之一。cz法制備直拉單晶硅是將多晶硅料放入石英坩堝中，加熱融化形成硅料熔體，然后經(jīng)過調(diào)溫、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟，最終自熔體液面向上提拉生長出單晶硅棒。

2、然而，一方面，石英坩堝在長時間處于硅熔點以上的溫度時容易變軟變形，石英坩堝自身也存在一定幾率存在肉眼及測試儀器觀察不到的缺陷或應(yīng)力存在，當(dāng)殘次品石英坩堝投入使用，會存在漏硅的風(fēng)險。硅溶液一旦泄露，會流至拖桿，對例如下軸波紋管等下軸相關(guān)元件造成侵蝕和破壞。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種坩堝支承組件及單晶爐，以避免漏硅造成的下軸相關(guān)元件的損壞問題。

2、根據(jù)本申請的一個方面，本申請實施例提供一種坩堝支承組件，坩堝支承組件包括：拖桿主體；托盤，設(shè)置于拖桿主體的一端，托盤用于支承坩堝的堝邦；以及拖桿頭，可拆卸地連接于拖桿主體遠離托盤的一端，拖桿頭用于與坩堝軸可拆卸地連接，且配置為能夠由坩堝軸驅(qū)動旋轉(zhuǎn)；其中，拖桿主體上設(shè)置有防漏環(huán)，防漏環(huán)包括設(shè)置于拖桿主體上的防漏底壁、以及圍繞防漏底壁周緣設(shè)置的防漏邊沿；防漏底壁和防漏邊沿構(gòu)造形成用于容置硅液的容置腔。

3、在其中一個實施例中，防漏環(huán)與拖桿主體為一體結(jié)構(gòu)。

4、在其中一個實施例中，防漏邊沿與拖桿主體構(gòu)造為同軸設(shè)置。

5、在其中一個實施例中，防漏邊沿沿拖桿主體的軸線方向的高度h滿足條件：h≥20毫米。

6、在其中一個實施例中，托盤與拖桿主體構(gòu)造為同軸設(shè)置，且沿拖桿主體的軸線方向的投影構(gòu)造為圓形；防漏環(huán)沿拖桿主體的軸線方向的投影構(gòu)造為呈圓環(huán)狀；其中，以拖桿主體的軸線為基準(zhǔn)，防漏環(huán)沿拖桿主體的軸線方向的投影的外徑，小于托盤沿拖桿主體的軸線方向的投影的直徑。

7、在其中一個實施例中，拖桿頭螺紋連接于拖桿主體遠離托盤的一端。

8、在其中一個實施例中，拖桿主體遠離托盤的一端設(shè)置有安裝孔，拖桿頭包括：桿部，桿部的外壁設(shè)有與安裝孔內(nèi)的內(nèi)螺紋適配的外螺紋；以及傳動部，連接于桿部一端，傳動部用于與坩堝軸可拆卸地連接，且配置為能夠由坩堝軸驅(qū)動旋轉(zhuǎn)；其中，沿拖桿主體的軸線方向，從傳動部靠近拖桿主體一端至遠離拖桿主體的另一端，傳動部構(gòu)造為呈漸縮的棱錐狀。

9、在其中一個實施例中，桿部、傳動部構(gòu)造為與拖桿主體同軸設(shè)置；傳動部沿拖桿主體的軸線方向的投影構(gòu)造為n邊形；其中，n為自然數(shù)，且3≤n≤8。

10、在其中一個實施例中，桿部的徑向尺寸，小于傳動部靠近桿部的端面的徑向，以形成用于抵接于拖桿主體遠離托盤的端面的臺階面；臺階面上設(shè)置有減震層。

11、根據(jù)本申請的另一個方面，本申請實施例還提供一種單晶爐，包括爐體和位于爐體內(nèi)的坩堝，單晶爐還包括：如上述的坩堝支承組件，托盤用于支承坩堝的堝邦；以及與動力源連接的坩堝軸，拖桿頭與坩堝軸可拆卸地連接，坩堝軸能夠驅(qū)動坩堝支承組件旋轉(zhuǎn)。

12、上述的坩堝支承組件，通過在拖桿主體上設(shè)置防漏環(huán)，防漏環(huán)包括設(shè)置于拖桿主體上的防漏底壁以及圍繞防漏底壁周緣設(shè)置的防漏邊沿，防漏底壁和防漏邊沿構(gòu)造形成用于容置硅液的容置腔，當(dāng)出現(xiàn)坩堝漏硅的問題時，防漏環(huán)中的容置腔能夠承接并容納泄漏出的硅溶液，避免硅溶液順著拖桿主體繼續(xù)向下流動進而損壞下軸相關(guān)元件。

技術(shù)特征：

1.一種坩堝支承組件，其特征在于，所述坩堝支承組件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述防漏環(huán)與所述拖桿主體為一體結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述防漏邊沿與所述拖桿主體構(gòu)造為同軸設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述防漏邊沿沿所述拖桿主體的軸線方向的高度h滿足條件：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述托盤與所述拖桿主體構(gòu)造為同軸設(shè)置，且沿所述拖桿主體的軸線方向的投影構(gòu)造為圓形；

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述拖桿頭螺紋連接于所述拖桿主體遠離所述托盤的一端。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述拖桿主體遠離所述托盤的一端設(shè)置有安裝孔，所述拖桿頭包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述桿部、傳動部構(gòu)造為與所述拖桿主體同軸設(shè)置；

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的坩堝支承組件，其特征在于，所述桿部的徑向尺寸，小于所述傳動部靠近所述桿部的端面的徑向，以形成用于抵接于所述拖桿主體遠離所述托盤的端面的臺階面；

10.一種單晶爐，包括爐體和位于所述爐體內(nèi)的坩堝，其特征在于，所述單晶爐還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種坩堝支承組件及單晶爐，坩堝支承組件包括拖桿主體、托盤以及拖桿頭，托盤設(shè)置于拖桿主體的一端，托盤用于支承坩堝的堝邦，拖桿頭可拆卸地連接于拖桿主體遠離托盤的一端，拖桿頭用于與坩堝軸可拆卸地連接，且配置為能夠由坩堝軸驅(qū)動旋轉(zhuǎn)，其中，拖桿主體上設(shè)置有防漏環(huán)，防漏環(huán)包括設(shè)置于拖桿主體上的防漏底壁、以及圍繞防漏底壁周緣設(shè)置的防漏邊沿，防漏底壁和防漏邊沿構(gòu)造形成用于容置硅液的容置腔。本申請的坩堝支承組件能夠通過防漏環(huán)中的容置腔承接并容納泄漏出的硅溶液，避免硅溶液順著拖桿主體繼續(xù)向下流動進而損壞下軸相關(guān)元件。

技術(shù)研發(fā)人員：王唯佳,邱渤杰,趙磊,陳養(yǎng)俊,劉懷玉,萬雪健,龔成杰
受保護的技術(shù)使用者：晶科能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231220
技術(shù)公布日：2024/12/19