本發(fā)明屬于無機材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于手機面板的新型鍍膜材料的制備方法。
背景技術(shù)：
鍍膜是用物理或化學的方法在透明材料表面鍍上一層透明的膜，來達到改變材料表面的反射和透射特性的目的，根據(jù)理論計算和實踐檢驗，證明有鍍膜的玻璃會增加透光度，可見光學鍍膜的重要性。近20年來，由于材料科學與薄膜技術(shù)的結(jié)合，薄膜技術(shù)對材料新功能的不斷需求，使光學薄膜材料的品種、應用范圍以及使用數(shù)量以驚人的速度增加。隨著鍍膜技術(shù)的發(fā)展，強有力地推動著鍍膜材料的發(fā)展和完善，薄膜材料與薄膜技術(shù)形成了密不可分的相輔相成的關(guān)系，目前，光學鍍膜材料常用品種已達60余種，而且其品種、應用功能還在不斷被開發(fā)。
光學鍍膜材料大致可分為三類：1.氧化物類：如三氧化二鋁、氧化硅、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯等；2.氟化物類：如氟化鎂等；3.其它類如硫化鋅等。光學鍍膜材料的特點從化學結(jié)構(gòu)上看，鍍膜和被鍍物的結(jié)合上存在著以下鍵力：離子鍵、共價鍵、原子鍵、分子鍵，其中離子鍵、原子鍵結(jié)合具有熔點高、沸點高、硬度大、強度高的特點。氧化物膜料大都是雙電荷（或多電荷）的離子型晶體結(jié)構(gòu)，以離子鍵結(jié)合，因此，決定了氧化物膜料具有熔點高、比重大、高折射率和高機械強度的優(yōu)點，它們的折射率在1.46-2.7之間。
現(xiàn)有技術(shù)中應用在手機面板上的鍍膜材料制備方法復雜，且材料質(zhì)量差，使得鍍膜材料的使用壽命極為短暫，并且會降低手機面板玻璃的透明度，特別是在手機面板進行減薄工藝后，嚴重地影響了手機面板的質(zhì)量和使用效果。因此需要一種更好的鍍膜材料，來改善現(xiàn)有技術(shù)的不足。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種用于手機面板的新型鍍膜材料的制備方法，本發(fā)明制備的鍍膜材料具有熔點高、比重大、高折射率和高機械強度的優(yōu)點。
本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：
一種用于手機面板的新型鍍膜材料的制備方法，包括以下制備步驟：
a、將石英進行水洗后，在60-80℃下烘烤20-30min，置于粉碎機中粉碎成石英顆粒，粒徑在3-5mm；
b、將石英顆粒置于真空脫羥爐，加熱至1250-1350℃，保溫脫羥6-8h；
c、將脫羥后的石英顆粒送入水檢機中，水檢2-3h，去除石英顆粒中的不透明顆粒，然后送入浮選機，浮選1-2h，去除石英顆粒中的漂浮物和雜質(zhì)；
d、將石英顆粒再送入超聲波清洗機中，加入去離子水，將超聲清洗機中溫度升高至60-80℃，使用超聲波清洗40-60min；
e、將石英顆粒在120-150℃下烘干1-2h，利用球磨機球磨至粒徑在4-6μm，即可得到成品。
優(yōu)選的，所述步驟a的石英進行水洗前先采用磁選機磁選除雜，磁選3-5次。
優(yōu)選的，所述步驟a的石英的水洗采用高壓水槍噴射沖洗20-30min。
優(yōu)選的，所述步驟b的石英加熱脫羥后，進行人工分揀，去除變色和尖長的石英顆粒。
優(yōu)選的，所述步驟c得到的石英顆粒置于反應釜中進行碳化反應。
優(yōu)選的，所述碳化反應的條件為：向反應釜中通入一氧化碳，通氣速率為3-6m3/h，溫度為50-60℃，反應時間為2-3h。
優(yōu)選的，所述步驟d的超聲波頻率在50-80khz。
優(yōu)選的，所述步驟e的烘干在無塵狀態(tài)下進行，無塵度為30-50萬級。
本發(fā)明的有益效果是：
本發(fā)明制備的鍍膜材料具有熔點高、比重大、高折射率和高機械強度的優(yōu)點。
本發(fā)明的原材料石英的主要成分為二氧化硅，由于二氧化硅沒有多余的價電子，并且其結(jié)構(gòu)是多孔、粗糙的，造成了對光譜的散射和表面均勻反射，因此在正常情況下觀察到的外觀是白色的。二氧化硅的密度為2.2-2.66，熔點為1710℃，沸點2230℃，相對介電常數(shù)為3.9，化學性質(zhì)比較穩(wěn)定，不溶于水也不跟水反應，不跟一般酸反應，化學性質(zhì)很穩(wěn)定，且價格低廉，有利于廢物利用，社會效益好，制備過程中無二次污染物的產(chǎn)生。
本發(fā)明的制備方法簡單、制備流程短，因此適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)制造。
具體實施方式
實施例1
一種用于手機面板的新型鍍膜材料的制備方法，包括以下制備步驟：
a、將石英進行水洗后，在60℃下烘烤20min，置于粉碎機中粉碎成石英顆粒，粒徑在5mm；
b、將石英顆粒置于真空脫羥爐，加熱至1250℃，保溫脫羥8h；
c、將脫羥后的石英顆粒送入水檢機中，水檢2h，去除石英顆粒中的不透明顆粒，然后送入浮選機，浮選2h，去除石英顆粒中的漂浮物和雜質(zhì)；
d、將石英顆粒再送入超聲波清洗機中，加入去離子水，將超聲清洗機中溫度升高至60℃，使用超聲波清洗60min；
e、將石英顆粒在120℃下烘干1h，利用球磨機球磨至粒徑在6μm，即可得到成品。
步驟a的石英進行水洗前先采用磁選機磁選除雜，磁選5次。
步驟a的石英的水洗采用高壓水槍噴射沖洗20min。
步驟b的石英加熱脫羥后，進行人工分揀，去除變色和尖長的石英顆粒。
步驟c得到的石英顆粒置于反應釜中進行碳化反應。
碳化反應的條件為：向反應釜中通入一氧化碳，通氣速率為6m3/h，溫度為50℃，反應時間為2h。
步驟d的超聲波頻率在80khz。
步驟e的烘干在無塵狀態(tài)下進行，無塵度為30萬級。
實施例2
一種用于手機面板的新型鍍膜材料的制備方法，包括以下制備步驟：
a、將石英進行水洗后，在60℃下烘烤20min，置于粉碎機中粉碎成石英顆粒，粒徑在3mm；
b、將石英顆粒置于真空脫羥爐，加熱至1250℃，保溫脫羥6h；
c、將脫羥后的石英顆粒送入水檢機中，水檢2h，去除石英顆粒中的不透明顆粒，然后送入浮選機，浮選2h，去除石英顆粒中的漂浮物和雜質(zhì)；
d、將石英顆粒再送入超聲波清洗機中，加入去離子水，將超聲清洗機中溫度升高至60℃，使用超聲波清洗40min；
e、將石英顆粒在120℃下烘干2h，利用球磨機球磨至粒徑在4μm，即可得到成品。
步驟a的石英進行水洗前先采用磁選機磁選除雜，磁選3次。
步驟a的石英的水洗采用高壓水槍噴射沖洗20min。
步驟b的石英加熱脫羥后，進行人工分揀，去除變色和尖長的石英顆粒。
步驟c得到的石英顆粒置于反應釜中進行碳化反應。
碳化反應的條件為：向反應釜中通入一氧化碳，通氣速率為3m3/h，溫度為50℃，反應時間為2h。
步驟d的超聲波頻率在50khz。
步驟e的烘干在無塵狀態(tài)下進行，無塵度為30萬級。
實施例3
一種用于手機面板的新型鍍膜材料的制備方法，包括以下制備步驟：
a、將石英進行水洗后，在80℃下烘烤30min，置于粉碎機中粉碎成石英顆粒，粒徑在5mm；
b、將石英顆粒置于真空脫羥爐，加熱至1350℃，保溫脫羥8h；
c、將脫羥后的石英顆粒送入水檢機中，水檢3h，去除石英顆粒中的不透明顆粒，然后送入浮選機，浮選1-2h，去除石英顆粒中的漂浮物和雜質(zhì)；
d、將石英顆粒再送入超聲波清洗機中，加入去離子水，將超聲清洗機中溫度升高至80℃，使用超聲波清洗60min；
e、將石英顆粒在120-150℃下烘干2h，利用球磨機球磨至粒徑在6μm，即可得到成品。
步驟a的石英進行水洗前先采用磁選機磁選除雜，磁選5次。
步驟a的石英的水洗采用高壓水槍噴射沖洗30min。
步驟b的石英加熱脫羥后，進行人工分揀，去除變色和尖長的石英顆粒。
步驟c得到的石英顆粒置于反應釜中進行碳化反應。
碳化反應的條件為：向反應釜中通入一氧化碳，通氣速率為6m3/h，溫度為60℃，反應時間為3h。
步驟d的超聲波頻率在50khz。
步驟e的烘干在無塵狀態(tài)下進行，無塵度為50萬級。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。