本發(fā)明涉及一種以六方氮化硼為點籽晶生長大晶疇石墨烯的方法，屬于石墨烯制備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

石墨烯是由碳原子以sp2軌道雜化形成的六角形蜂巢晶格的原子級二維晶體材料，是一種只有一個原子層厚度的準(zhǔn)二維材料，所以又叫做單原子層石墨，也是構(gòu)成其他維數(shù)碳材料的基本結(jié)構(gòu)單元，可以包覆成零維的富勒烯,卷曲成一維的碳納米管或者堆垛成三維的石墨。石墨烯因其獨特的結(jié)構(gòu)決定了其具有良好的電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)等特性。石墨烯材料最高可以超過200,000cm²·v^-1·s^-1的理論電子遷移率以及室溫下特有的量子霍爾效應(yīng)，高的理論比表面積2600m²g^-1，還具有高熱導(dǎo)率3000wm^-1k^-1，和優(yōu)良的力學(xué)性能，因此在場效應(yīng)晶體管、集成電路、單分子探測器、透明導(dǎo)電薄膜、功能復(fù)合材料、儲能材料、催化劑載體等方面有廣闊的應(yīng)用前景。

石墨烯的制備方法是獲得高品質(zhì)石墨烯薄膜的關(guān)鍵，石墨烯的結(jié)構(gòu)及性能與石墨烯的制備技術(shù)有密切的關(guān)系。對石墨烯制備方式的研究是推動石墨烯產(chǎn)業(yè)化的重要環(huán)節(jié)。目前，石墨烯的制備方法主要有機械法和化學(xué)合成法。

機械法是利用膠帶微機械剝離高定向熱解石墨得到了二維石墨烯。2004年，英國曼徹斯特大學(xué)geim和novoselov所在小組首次利用膠帶的粘合力，通過多次粘貼將hopg鱗片石墨層層剝離，最后得到單層和少層的石墨烯。該方法簡單易操作，產(chǎn)物質(zhì)量高，但是重復(fù)性差、制備效率低、產(chǎn)量低、產(chǎn)品尺寸小，很難實現(xiàn)大面積和規(guī)?；a(chǎn)。由于上述缺陷，得到的石墨烯主要用來研究石墨烯特性。

化學(xué)合成法主要包括碳化硅(sic)外延生長法和化學(xué)氣相沉積法(chemicalvapordeposition，cvd)。sic外延生長法是利用硅的高蒸汽壓，在高溫(通常>1400℃)和超高真空(通常<10-6pa)條件下使硅原子揮發(fā)，剩余的碳原子通過結(jié)構(gòu)重排在sic表面形成石墨烯。然而，這種方法條件苛刻，高溫、高真空條件不好控制，并且存在安全隱患。并且高溫sic熱裂解得到的石墨烯均勻性較差，存在明顯的緩沖層，載流子遷移率不高，不利于微電子器件的應(yīng)用?；瘜W(xué)氣相沉積法利用甲烷等含碳化合物作為碳源，經(jīng)過具有催化活性的金屬或者其余襯底的表面，化合物脫氫，游離的碳原子沉積下來，然后在襯底上再實現(xiàn)sp2重構(gòu)，從而得到高質(zhì)量的石墨烯。cvd法從生長機理上主要可以分為兩種：(1)溶解析出機制：以ni、co等具有較高溶碳量的金屬為代表，含碳化合物脫氫產(chǎn)生的碳原子在高溫時滲入金屬基體內(nèi)，在快速降溫時再從其內(nèi)部析出成核，在襯底表面生長成石墨烯；(2)表面催化機制：以cu、mo和pt等具有較低溶碳量的金屬為代表,高溫下含碳化合物脫氫生成的活性碳基團在金屬表面達(dá)到一定的過飽和度，進而形核生長形成石墨烯晶疇，最終通過二維長大合并得到連續(xù)的石墨烯，所得產(chǎn)物質(zhì)量高，可實現(xiàn)大面積生長，被廣泛用于制備石墨烯晶體管和透明導(dǎo)電薄膜，該方法是實現(xiàn)石墨烯產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的最理想途徑。

中國專利文獻cn104099577a公開了一種石墨烯的制備方法，該方法選用銅箔為金屬基底，將銅箔基底放置在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)爐中，在真空的條件下，將銅箔基底溫度升至設(shè)置生長溫度，之后向反應(yīng)爐繼續(xù)通入氦氣，保持cvd中反應(yīng)爐的壓強為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，并向所反應(yīng)爐中通入氫氣和甲烷氣體，生長結(jié)束后銅箔基底溫冷卻至室溫。該方法雖能得到石墨烯薄膜，但是該石墨烯生長過程無誘導(dǎo)點誘導(dǎo)，為非相關(guān)點自發(fā)成核，得到的產(chǎn)物為多晶石墨烯，其存在大量的晶界，降低石墨烯的電化學(xué)性能。

中國專利文獻cn102897750a公開了一種石墨烯薄膜的制備方法，將預(yù)先合成的石墨烯薄膜小片放置在襯底上，然后在此襯底上以此石墨烯薄膜小片作為大面積石墨烯薄膜生長的誘導(dǎo)點，采用來自于含有碳原子的氣體碳源、固體碳源、液體碳源或者其復(fù)合碳源材料而釋放的碳原子來生長石墨烯薄膜。該方法雖然能夠控制石墨烯的成核生長，但需要預(yù)合成、轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜小片，過程繁瑣。

中國專利文獻cn105386124a公開了一種石墨烯單晶及其快速生長的方法，其步驟是，將退火后的銅箔在含氧氣的氣氛中進行一次鈍化，再在恒定溫度的條件下，依次進行一次生長、二次鈍化、二次生長，再降溫至室溫停止生長，得到沉積在銅箔上的石墨烯。該方法雖然能得到石墨烯單晶，但是在銅箔襯底上仍無法避免石墨烯的非相關(guān)點自發(fā)成核的缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種以六方氮化硼為點籽晶在不同襯底上生長大晶疇石墨烯的方法，該方法以氮化硼作為點籽晶，誘導(dǎo)生長石墨烯，通過控制反應(yīng)溫度、時間條件，使石墨烯沿著氮化硼籽晶邊緣繼續(xù)生長，最終在原位得到大晶疇石墨烯。

本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

一種以六方氮化硼為點籽晶生長大晶疇石墨烯的方法，包括步驟如下：

(1)提供一種襯底；

(2)將六方氮化硼溶于溶劑中，攪拌、超聲處理使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置，得到六方氮化硼溶液；

(3)將六方氮化硼溶液涂覆到襯底表面，得到涂覆六方氮化硼的襯底；

(4)將涂覆六方氮化硼的襯底置于cvd管式爐中抽真空，升溫，之后通入高純氬氣和氫氣，逐漸升溫至950℃～1200℃進行氫刻蝕；

(5)氫刻蝕后通入碳源氣體，保溫以氮化硼為中心進行生長石墨烯；

(6)在惰性氣氛下緩慢降溫至600～700℃，然后自然降溫，在襯底表面得到大晶疇石墨烯。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，所述的襯底為銅箔襯底、鎳襯底、sic襯底或si襯底等。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(1)中的襯底使用前進行拋光、清洗處理，采用電化學(xué)拋光或機械化學(xué)拋光方式對襯底材料進行拋光處理，清洗采用濕法化學(xué)進行清洗；得到表面清潔、粗糙度小于等于10nm的襯底。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(2)中，所述的溶劑為乙醇、丙酮或甲苯，氮化硼的加入量與溶劑的質(zhì)量體積比為：(0.01～0.04)：(2～6)，單位：g/ml；超聲頻率為30～60khz，超聲時間為20～40min，靜置時間為3～5h。本發(fā)明的六方氮化硼溶液濃度確保了涂覆到襯底上點籽晶的量，再通過調(diào)節(jié)實驗生長條件使石墨烯以氮化硼為中心進行生長，來得到大面積的石墨烯晶疇。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(3)中，涂覆方式采用旋涂或采用膠帶剝離六方氮化硼溶液轉(zhuǎn)移到襯底表面的方式進行，涂覆大小：將整個襯底的上表面進行涂覆，涂覆后氮化硼籽晶的密度為10～100grains/0.01mm²。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(4)中，抽真空后爐腔的真空度為10^-3～10^-4pa，升溫至200～300℃，通入高純氬氣和氫氣后，壓力控制在500～800mbar，然后升溫至800℃～900℃，之后緩慢升至950℃～1200℃，進行氫刻蝕30～60min。

進一步優(yōu)選的，升溫至200～300℃的升溫速率為10～50℃/min，升溫至800～900℃的升溫速率為10～50℃/min，升溫至950～1200℃的升溫速率為0.5～5℃/min。

進一步優(yōu)選的，高純氬氣和氫氣的純度≥99.9％；氬氣和氫氣的流量分別為100～320sccm和10～100sccm，最為優(yōu)選的，氬氣流量為320sccm，氫氣流量為21sccm。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(5)中，所述的碳源氣體為甲烷或乙烷，碳源氣體流量為3-20sccm，生長時間為3～15min。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(6)中，惰性氣氛為氬氣，壓力控制在500～800mbar，降溫至600～700℃的降溫速率為100～200℃/min，降溫至600～700℃，進行自然降溫。

本發(fā)明方法中所有設(shè)備、原料均為市售產(chǎn)品。沒有特別限定的部分，可參照現(xiàn)有技術(shù)。

根據(jù)氮化硼具有與石墨烯相匹配的晶格結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提出一種在襯底上通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，避免了傳統(tǒng)cvd工藝生長石墨烯非相關(guān)成核點的自重構(gòu)問題，能夠獲得大晶疇石墨烯，有利于石墨烯基微電子器件研制。在經(jīng)過優(yōu)選的條件下，可得到層數(shù)更為均勻的高質(zhì)量石墨烯材料。

本發(fā)明的技術(shù)特點和優(yōu)良效果在于：

1、本發(fā)明采用電化學(xué)拋光或機械化學(xué)拋光方式對襯底材料進行拋光處理，清洗方法采用的標(biāo)準(zhǔn)濕法化學(xué)清洗工藝；可加工出表面清潔、粗糙度小的襯底材料。

2、本發(fā)明氮化硼作為點籽晶，其具有與石墨烯非常匹配的晶格結(jié)構(gòu)，并且氮化硼也是一種二維材料，有利于與石墨烯形成異質(zhì)結(jié)，促進石墨烯以點籽晶為中心原位生長。

3、本發(fā)明通過控制六方氮化硼溶液的濃度，確保石墨烯的成核密度，避免了傳統(tǒng)cvd工藝在襯底上生長石墨烯非相關(guān)成核點的自重構(gòu)，顯著提高了石墨烯生長質(zhì)量。

附圖說明

圖1是本發(fā)明基于銅襯底以氮化硼為點籽晶生長石墨烯晶疇的原理示意圖。

圖2是本發(fā)明實施例1獲得的大晶疇石墨烯的掃描電子顯微鏡圖(圖中亮點為氮化硼點籽晶)。

圖3是本發(fā)明實施例1獲得的大晶疇石墨烯的拉曼圖譜。

圖4是本發(fā)明對比例中單純利用銅襯底制備的石墨烯拉曼圖譜。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步闡述，但本發(fā)明并不限于以下實施例。所述方法如無特別說明均為常規(guī)方法。所述原材料如無特別說明均能從公開商業(yè)途徑獲得。

實施例1、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于60ml乙醇溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用scotch膠帶將氮化硼剝離轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫30min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫5min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大晶疇石墨烯。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得到的石墨烯晶疇尺寸為10μm。

生長原理及在銅襯底上生長得到的石墨烯晶疇掃描電子顯微鏡如圖1、圖2所示，從圖中可以看到，得到多邊形形貌的石墨烯單晶疇，石墨烯的拉曼圖譜如圖3所示，2d峰(2700cm-1)的峰強較高、半峰寬較窄，i2d/ig值較大，石墨烯層數(shù)為均勻的1～2層。

實施例2、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于40ml乙醇溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用scotch膠帶將氮化硼剝離轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫30min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫5min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大尺寸石墨烯晶疇。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得到的石墨烯晶疇尺寸為4μm。

實施例3、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于40ml丙酮溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用scotch膠帶將氮化硼剝離轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至950℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫60min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫3min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大尺寸石墨烯晶疇。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600～700℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得石墨烯晶疇的尺寸為2μm。

實施例4、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于60ml乙醇溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用scotch膠帶將氮化硼剝離轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫60min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫3min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大尺寸石墨烯晶疇。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得到的石墨烯晶疇尺寸為5μm。

實施例5、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于40ml乙醇溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用scotch膠帶將氮化硼剝離轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫60min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫5min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大尺寸石墨烯晶疇。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得到的石墨烯晶疇尺寸為8μm。

實施例6、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于60ml乙醇溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用旋涂的方法將氮化硼轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫30min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫5min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大尺寸石墨烯晶疇。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得到的石墨烯晶疇尺寸為6μm。

實施例7、

一種通過六方氮化硼為點籽晶定位生長大晶疇石墨烯的方法，以銅襯底為例，包括步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗；將六方氮化硼粉末溶于40ml乙醇溶液中，然后進行攪拌、超聲處理，攪拌和超聲時間為10min和20min，使氮化硼顆粒均勻分散，然后靜置3h，使用scotch膠帶將氮化硼剝離轉(zhuǎn)移到銅箔表面。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫30min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫7min。在碳源氣體的供應(yīng)下，石墨烯以銅箔襯底上的氮化硼為中心不斷長大，最終獲得大尺寸石墨烯晶疇。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得到的石墨烯晶疇尺寸為6μm。

對比例

如實施例1所述，不同的是，在銅襯底上不引入六方氮化硼籽晶，直接在銅襯底進行石墨烯自發(fā)成核生長，步驟如下：

(1)厚度為25μm的銅箔進行拋光、清洗，降低表面粗糙度。

(2)將(1)中的加工好的銅箔平放于cvd管式爐的石英舟中，高溫cvd石墨烯生長爐腔抽真空度為10^-3pa，升溫至300℃，升溫速率為10℃/min，；通入高純氬氣和氫氣，氬氣和氫氣的流量分別為320sccm和21sccm，壓力控制在600mbar，然后升溫至900℃，升溫速率為10℃/min，壓力控制在600mbar，然后緩慢升至1035℃，升溫速率為5℃/min，進行氫刻蝕，保溫30min；刻蝕結(jié)束后，然后通入甲烷氣體，甲烷的流量為4sccm，保溫5min。

(3)生長過程結(jié)束后，通入氬氣，氬氣流量為320sccm，壓力控制在500mbar，緩慢降溫至600℃，降溫速率為100℃/min，停止通入氬氣，自然降溫，即得石墨烯晶疇。

該對比例中，在銅箔襯底上生長的石墨烯的拉曼圖譜如圖4所示，2d峰(2700cm-1)的峰強較弱、半峰寬較寬，i2d/ig值較小，石墨烯層數(shù)為3～4層。

對比圖3、4可知，本發(fā)明通過在銅襯底上以氮化硼為點籽晶制備石墨烯，減少石墨烯成核位點的數(shù)量，獲得的石墨烯質(zhì)量較好，石墨烯單晶晶疇面積大，石墨烯為均勻的單、雙層；能夠直接用于制作微電子器件。