本發(fā)明涉及一種高擊穿強(qiáng)度的x7r電容器陶瓷材料及其制備方法。

背景技術(shù)：

由于電子科技的不斷發(fā)展，電子設(shè)備的大量運(yùn)用，高壓陶瓷電容器一直是廣泛應(yīng)用的電子設(shè)備之一，小到顯示器中的倍壓整流電路，大到激光、雷達(dá)以及電子顯微鏡的高壓電源中，都能隨處見(jiàn)到高壓陶瓷電容器的身影，為了滿(mǎn)足脈沖功率系統(tǒng)的小型化和高儲(chǔ)能密度的需求，各國(guó)材料工作者正積極探索研究具有高介電常數(shù)εr、低介電損耗tanδ和高擊穿強(qiáng)度的介質(zhì)材料，目前常溫下介電常數(shù)ε25℃＞1000且寬溫穩(wěn)定性滿(mǎn)足x7r(|δc/c|≤15％的溫度范圍為-55℃～125℃)的陶瓷材料其擊穿強(qiáng)度普遍在8kv/mm左右，而這樣的擊穿強(qiáng)度已經(jīng)難以符合現(xiàn)今的生產(chǎn)要求。

bialo3-batio3作為一種鐵電陶瓷材料，相對(duì)介電常數(shù)較高，隨溫度變化相對(duì)較為緩慢，且燒結(jié)溫度低，比較適合做電介質(zhì)材料，但是由于bialo3-batio3基質(zhì)材料存在自發(fā)極化的特性，導(dǎo)致其耐壓強(qiáng)度較低，因此需要通過(guò)摻雜、工藝優(yōu)化等方面的改進(jìn)在保證其在具有一定的介電強(qiáng)度及溫度穩(wěn)定性的同時(shí)又提高其耐壓強(qiáng)度。

因此，亟需研究提供一種擊穿強(qiáng)度高的常溫下介電常數(shù)ε25℃＞1000且寬溫穩(wěn)定性滿(mǎn)足x7r(|δc/c|≤15％的溫度范圍為-55℃～125℃)的陶瓷材料。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于以上現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種擊穿強(qiáng)度高的x7r電容器儲(chǔ)能陶瓷材料的制備方法，該方法制備的x7r電容器介質(zhì)陶瓷材料具有擊穿強(qiáng)度高的特點(diǎn)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

提供一種高擊穿強(qiáng)度的x7r電容器陶瓷材料，所述x7r電容器陶瓷材料組成為0.3bialo3-0.7batio3+xmol％mno2+ywt％bas，x取值為0.2～1.0，y取值為2～6，mno2的加入量為0.3bialo3-0.7batio3的0.2～1.0mol％，bas無(wú)堿玻璃的加入量為mno2和bialo3-batio3總質(zhì)量的2～8％。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，上述高擊穿強(qiáng)度的x7r電容器陶瓷材料是將固相法制得0.3bialo3-0.7batio3+xmol％mno2粉末，x取值為0.2～1.0，然后摻雜bas無(wú)堿玻璃燒結(jié)得到。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，摻雜bas無(wú)堿玻璃的燒結(jié)溫度為1000～1100℃。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述bas無(wú)堿玻璃的加入量為mno2和bialo3-batio3總質(zhì)量的2％～6％。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述bas無(wú)堿玻璃的加入量為mno2和bialo3-batio3總質(zhì)量的4％。

本發(fā)明還提供一種上述高擊穿強(qiáng)度的x7r電容器陶瓷材料的制備方法，包括如下步驟：

步驟一、將bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2按理論計(jì)量比，并在bi過(guò)量的情況下固相法制備出0.3bialo3-0.7batio3+xmol％mno2粉末，x取值為0.2～1.0；

步驟二、取占陶瓷粉末質(zhì)量百分比為2～6％的bas玻璃細(xì)粉和混合球磨，烘干、造粒、壓片、排膠后升溫到1000～1100℃，保溫?zé)Y(jié)，得到所述的高擊穿強(qiáng)度的x7r電容器陶瓷材料。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，步驟一中bi2o3過(guò)量3-5wt％，即bi元素、al元素、ba元素、ti元素和mn元素的摩爾比為0.1545～0.1575:0.15:0.35:0.35:x*0.01。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，步驟一固相燒結(jié)溫度為850～950℃，固相燒結(jié)時(shí)間為2h～4h；固相燒結(jié)前將bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2充分球磨，烘干。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，步驟一中預(yù)燒過(guò)程升溫速率為2℃～4℃/min。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，步驟二中燒結(jié)時(shí)間為2h～4h。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述步驟二中的升溫速率為2℃～4℃/min。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述步驟二的bas無(wú)堿玻璃細(xì)粉為按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨6h～8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，升溫至1400℃～1500℃融化，保溫2h～4h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas玻璃碎片，將bas玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)篩得到的。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述過(guò)篩選擇100目篩；所述升溫速率為2℃～5℃/min

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述步驟二中造粒之前，向干燥后粉末中加入質(zhì)量為干燥后粉末質(zhì)量的3％～5％的粘合劑并混合均勻。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述粘合劑為5％的聚乙烯醇溶液。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述步驟二中的排膠方法為在600℃保溫2h。

通過(guò)研究，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明通過(guò)引入適量mno2和bas無(wú)堿玻璃可得到介電常數(shù)ε25℃＞1000且寬溫穩(wěn)定性滿(mǎn)足x7r(|δc/c|≤15％的溫度范圍為-55℃～125℃)，擊穿強(qiáng)度20kv/mm以上的x7r電容器陶瓷材料。其中微量mno2可細(xì)化晶粒，一定程度上降低陶瓷的介電損耗。陶瓷中加入的玻璃料，高溫?zé)Y(jié)時(shí)玻璃逐漸熔化，流動(dòng)的液相減小孔隙率，很好的促進(jìn)了陶瓷的燒結(jié)，使得陶瓷在較低溫度實(shí)現(xiàn)致密，而提高陶瓷的擊穿強(qiáng)度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有如下有益效果：

1、擊穿強(qiáng)度高：很大程度上的提高了bialo3-batio3陶瓷基體的耐壓性能，在加入bas無(wú)堿玻璃之前陶瓷的耐壓強(qiáng)度只有10kv/mm左右，而加入bas無(wú)堿玻璃之后耐壓強(qiáng)度提高到了20kv/mm以上。

2、介電性能損失?。篵ialo3-batio3陶瓷基體的介電性能基本上損失很小，介電常數(shù)εr還是維持在1000以上，溫度穩(wěn)定性也滿(mǎn)足x7r標(biāo)準(zhǔn)(在-55℃～125℃范圍內(nèi)δc/c≤15％)。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例，詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。

圖1是bas無(wú)堿玻璃的xrd測(cè)試圖；

圖2是添加bas玻璃的0.3bialo3-0.7batio3-xmol％mno2-ywt％bas陶瓷的的xrd測(cè)試圖；

圖3是添加bas玻璃的bialo3-batio3陶瓷25℃下介電常數(shù)圖；

圖4是添加bas玻璃的bialo3-batio3陶瓷的容溫變化率；

圖5是添加bas玻璃的bialo3-batio3陶瓷25℃下介電損耗圖；

圖6是添加bas玻璃的bialo3-batio3陶瓷25℃下的擊穿強(qiáng)度。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式，其作為本說(shuō)明書(shū)的一部分，通過(guò)實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理，本發(fā)明的其他方面、特征及其優(yōu)點(diǎn)通過(guò)該詳細(xì)說(shuō)明將會(huì)變得一目了然。

實(shí)例1：

1)按bi2o3中的bi元素，al2o3中的al元素，baco3中的ba元素，tio2中的ti元素和mno2中的mn元素的摩爾比為0.15:0.15:0.35:0.35:0.02，其中bi2o3再在上述計(jì)算的質(zhì)量基礎(chǔ)上過(guò)量3％。將稱(chēng)量好的bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2放入球磨機(jī)中球磨混合均勻，球磨時(shí)間為24小時(shí)。得到的混合料進(jìn)行烘干后在850℃預(yù)燒2h，升溫速率為2℃/min，制得陶瓷粉末備用，該陶瓷粉末即為bas無(wú)堿玻璃加入量為0的樣品。

2)按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，以升溫速率5℃/min，升溫至1400℃融化，保溫2h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas無(wú)堿玻璃碎片，將bas無(wú)堿玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)100目篩，得到bas玻璃細(xì)粉備用。

3)按bas玻璃粉的加入量為陶瓷粉質(zhì)量的2％，將陶瓷和bas玻璃粉配料之后進(jìn)行二次球磨24小時(shí)，將得到的混合料烘干；選取混合料，按粘結(jié)劑的加入量為混合料質(zhì)量的3％添加粘合劑，然后進(jìn)行造粒，壓片，在600℃保溫2h排盡粘合劑得到陶瓷片；最后以2℃/min速率升溫到1050℃，保溫2h燒結(jié)，得到bas無(wú)堿玻璃加入量為2wt％的電容器陶瓷材料樣品。

實(shí)例2：

1)按bi2o3中的bi元素，al2o3中的al元素，baco3中的ba元素，tio2中的ti元素和mno2中的mn元素的摩爾比為0.15:0.15:0.35:0.35:0.002，其中bi2o3在計(jì)算質(zhì)量基礎(chǔ)上過(guò)量5％。將稱(chēng)量好的bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2放入球磨機(jī)中球磨混合均勻，球磨時(shí)間為24小時(shí)。得到的混合料進(jìn)行烘干后在900℃預(yù)燒2h，升溫速率為2℃/min，制得陶瓷粉末備用。

2)按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，以升溫速率5℃/min，升溫至1450℃融化，保溫2h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas無(wú)堿玻璃碎片，將bas無(wú)堿玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)100目篩，得到bas無(wú)堿玻璃細(xì)粉備用。

3)按bas無(wú)堿玻璃粉的加入量為陶瓷粉質(zhì)量的4％，將陶瓷和bas玻璃粉配料之后進(jìn)行二次球磨24小時(shí)，將得到的混合料烘干；選取混合料，按粘結(jié)劑的加入量為混合料質(zhì)量的3％添加粘合劑，然后進(jìn)行造粒，壓片，在600℃保溫2h排盡粘合劑得到陶瓷片；最后以2℃/min速率升溫到1050℃，保溫2h燒結(jié)，得到bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％的電容器陶瓷材料樣品。

實(shí)例3：

1)按bi2o3中的bi元素，al2o3中的al元素，baco3中的ba元素，tio2中的ti元素和mno2中的mn元素的摩爾比為0.15:0.15:0.35:0.35:0.002，其中bi2o3在計(jì)算質(zhì)量基礎(chǔ)上過(guò)量5％。將稱(chēng)量好的bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2放入球磨機(jī)中球磨混合均勻，球磨時(shí)間為24小時(shí)。得到的混合料進(jìn)行烘干后在900℃預(yù)燒2h，升溫速率為2℃/min，制得陶瓷粉末備用。

2)按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，以升溫速率5℃/min，升溫至1500℃融化，保溫2h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas玻璃碎片，將bas無(wú)堿玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)100目篩，得到bas無(wú)堿玻璃細(xì)粉備用。

3)按bas無(wú)堿玻璃粉的加入量為陶瓷粉質(zhì)量的6％，將陶瓷和bas玻璃粉配料之后進(jìn)行二次球磨24小時(shí)，將得到的混合料烘干；選取混合料，按粘結(jié)劑的加入量為混合料質(zhì)量的3％添加粘合劑，然后進(jìn)行造粒，壓片，在600℃保溫2h排盡粘合劑得到陶瓷片；最后以2℃/min速率升溫到1000℃，保溫2h燒結(jié)，得到bas無(wú)堿玻璃加入量為6wt％的電容器陶瓷材料樣品。

實(shí)例4：

1)按bi2o3中的bi元素，al2o3中的al元素，baco3中的ba元素，tio2中的ti元素和mno2中的mn元素的摩爾比為0.15:0.15:0.35:0.35:0.002，其中其中bi2o3在計(jì)算質(zhì)量基礎(chǔ)上過(guò)量5％。將稱(chēng)量好的bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2放入球磨機(jī)中球磨混合均勻，球磨時(shí)間為24小時(shí)。得到的混合料進(jìn)行烘干后在950℃預(yù)燒2h，升溫速率為2℃/min，制得陶瓷粉末備用。

2)按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，以升溫速率2℃/min，升溫至1500℃融化，保溫2h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas玻璃碎片，將bas無(wú)堿玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)100目篩，得到bas無(wú)堿玻璃細(xì)粉備用。

3)按bas無(wú)堿玻璃粉的加入量為陶瓷粉質(zhì)量的8％，將陶瓷和bas玻璃粉配料之后進(jìn)行二次球磨24小時(shí)，將得到的混合料烘干；選取混合料，按粘結(jié)劑的加入量為混合料質(zhì)量的3％添加粘合劑，然后進(jìn)行造粒，壓片，在600℃保溫2h排盡粘合劑得到陶瓷片；最后以2℃/min速率升溫到1000℃，保溫2h燒結(jié)，得到bas無(wú)堿玻璃加入量為8wt％的電容器陶瓷材料樣品。

實(shí)例5；

1)按bi2o3中的bi元素，al2o3中的al元素，baco3中的ba元素，tio2中的ti元素和mno2中的mn元素的摩爾比為0.15:0.15:0.35:0.35:0.005，其中bi2o3在計(jì)算質(zhì)量基礎(chǔ)上過(guò)量5％。將稱(chēng)量好的bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2放入球磨機(jī)中球磨混合均勻，球磨時(shí)間為24小時(shí)。得到的混合料進(jìn)行烘干后在900℃預(yù)燒2h，升溫速率為2℃/min，制得陶瓷粉末備用。

2)按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，以升溫速率5℃/min，升溫至1450℃融化，保溫2h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas無(wú)堿玻璃碎片，將bas無(wú)堿玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)100目篩，得到bas無(wú)堿玻璃細(xì)粉備用。

3)按bas無(wú)堿玻璃粉的加入量為陶瓷粉質(zhì)量的4％，將陶瓷和bas玻璃粉配料之后進(jìn)行二次球磨24小時(shí)，將得到的混合料烘干；選取混合料，按粘結(jié)劑的加入量為混合料質(zhì)量的3％添加粘合劑，然后進(jìn)行造粒，壓片，在600℃保溫2h排盡粘合劑得到陶瓷片；最后以2℃/min速率升溫到1050℃，保溫2h燒結(jié)，得到bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％且mno2含量為0.5mol％的電容器陶瓷材料樣品。

對(duì)比例：

1)按bi2o3中的bi元素，al2o3中的al元素，baco3中的ba元素，tio2中的ti元素和mno2中的mn元素的摩爾比為0.15:0.15:0.35:0.35:0，其中其中bi2o3在計(jì)算質(zhì)量基礎(chǔ)上過(guò)量5％。將稱(chēng)量好的bi2o3、al2o3、baco3、tio2和mno2放入球磨機(jī)中球磨混合均勻，球磨時(shí)間為24小時(shí)。得到的混合料進(jìn)行烘干后在900℃預(yù)燒2h，升溫速率為2℃/min，制得陶瓷粉末備用。

2)按h3bo3、al2o3、sio2所占的質(zhì)量百分比：50wt％h3bo3、30wt％al2o3、20wt％sio2配料后放入球磨機(jī)，球磨8h之后干燥，再置于剛玉坩堝中，以升溫速率2℃/min，升溫至1500℃融化，保溫2h，高溫取出倒入水中淬冷成絲狀和大顆粒狀bas玻璃碎片，將bas無(wú)堿玻璃碎片放入球磨機(jī)粉碎后過(guò)100目篩，得到bas無(wú)堿玻璃細(xì)粉備用。

3)按bas無(wú)堿玻璃粉的加入量為陶瓷粉質(zhì)量的4％，將陶瓷和bas玻璃粉配料之后進(jìn)行二次球磨24小時(shí)，將得到的混合料烘干；選取混合料，按粘結(jié)劑的加入量為混合料質(zhì)量的3％添加粘合劑，然后進(jìn)行造粒，壓片，在600℃保溫2h排盡粘合劑得到陶瓷片；最后以2℃/min速率升溫到1000℃，保溫2h燒結(jié)，得到bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％且mno2含量為0的電容器陶瓷材料樣品。

上述實(shí)例1中所制備的bas無(wú)堿玻璃所測(cè)xrd如圖1，其中顯示制備出的bas沒(méi)有明顯衍射峰，說(shuō)明制備的bas為玻璃相。

上述實(shí)例1-4中所制備的bas無(wú)堿玻璃加入量為0wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為2wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為6wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為8wt％陶瓷樣品所測(cè)xrd物相分析如圖2，圖中顯示主晶相為batio3相，在45°附近的峰沒(méi)有產(chǎn)生劈裂說(shuō)明產(chǎn)生的是立方batio3晶相，bialo3主要固溶于batio3之中，還有部分bialo3并沒(méi)有完全固溶于batio3，從特征峰分析有雜相baal2o4產(chǎn)生，加入bas無(wú)堿玻璃之后雜相所對(duì)應(yīng)的衍射峰明顯增多，且峰強(qiáng)變強(qiáng)。

上述實(shí)例1-4中所制備的bas無(wú)堿玻璃加入量為0wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為2wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為6wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為8wt％陶瓷樣品，涂覆銀漿電極后進(jìn)行介電性能測(cè)試如圖3所示，可見(jiàn)實(shí)施例1-3的bas無(wú)堿玻璃加入量為2-6wt％的陶瓷材料εr都在1000以上；

上述實(shí)例1-4中所制備的bas無(wú)堿玻璃加入量為0wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為2wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為6wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為8wt％陶瓷樣品，涂覆銀漿電極后進(jìn)行變溫介電性能測(cè)試并計(jì)算容溫變化率，如圖4，可以看出bas無(wú)堿玻璃加入量為2-6wt％的組分滿(mǎn)足x7r的容溫變化率要求(在-55℃～125℃范圍內(nèi)滿(mǎn)足|δc/c|≤15％)bas無(wú)堿玻璃加入4％時(shí)為耐壓強(qiáng)度最高組分。

上述實(shí)例1-4中所制備的bas無(wú)堿玻璃加入量為0wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為2wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為6wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為8wt％陶瓷樣品在進(jìn)行介電損耗測(cè)試之后得到的結(jié)果如圖5，可以看出加入bas無(wú)堿玻璃之后介電損耗有所上升，但是均不超過(guò)5％，其中bas加入2％時(shí)上升的最少，介電損耗tanδ＝3.59％，其中bas加入6％時(shí)上升的最多，介電損耗tanδ＝4.81％，bas無(wú)堿玻璃加入4％時(shí)為耐壓強(qiáng)度最高組分，介電損耗tanδ＝4.04％；

上述實(shí)例1-4中所制備的bas無(wú)堿玻璃加入量為0wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為2wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為6wt％、bas無(wú)堿玻璃加入量為8wt％陶瓷樣品所測(cè)擊穿強(qiáng)度如圖6，其中顯示原來(lái)不加bas的bialo3-batio3陶瓷基體擊穿強(qiáng)度只有8.23kv/mm，添加bas質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4％和6％時(shí)，擊穿強(qiáng)度分別為25.53kv/mm和24.04kv/mm，而bas質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2％和8％時(shí)，擊穿強(qiáng)度也分別有22.32kv/mm和23.25kv/mm，說(shuō)明本發(fā)明確實(shí)很大程度的提高了bialo3-batio3陶瓷基體的耐壓能力。

上述實(shí)例5中所制備得到bas無(wú)堿玻璃加入量為4wt％且mno2含量為0.5mol％的電容器陶瓷材料樣品，常溫介電常數(shù)εr在1000以上，且介電損耗為3.46％，擊穿強(qiáng)度21.74kv/mm，說(shuō)明在給定mno2摻雜范圍內(nèi)也能滿(mǎn)足要求。

上述對(duì)比例的樣品，未加入mno2，僅加入4wt％bas無(wú)堿玻璃的組分，其介電損耗為百分之6.23％，不能滿(mǎn)足要求，證明mno2和bas的加入發(fā)揮了協(xié)同作用。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變動(dòng)，這些改進(jìn)和變動(dòng)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。