專利名稱：多盤板嵌入式電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文公開的主題一般涉及電容器，且更具體地涉及嵌入在印刷線路板(PWB)內(nèi)的多盤電容器，PWB也被稱為印刷電路板(PCB)。
背景技術(shù)：
電子器件一般包括多種組件，包括安裝到PWB的電容器。至少ー些已知的PWB包括使用PWB的導(dǎo)電層(例如，接地平面和功率平面)作為電容器盤(plate)的嵌入式電容器。這樣的嵌入式電容器可消除安裝電容器到PWB表面的需要。但是，至少ー些已知的嵌入式電容器需要PWB的較大部分專用于電容器，或者需要PWB具有充足的尺寸來(lái)達(dá)到期望的電容。這種設(shè)計(jì)可能對(duì)更小尺寸的PWB不可行，例如設(shè)計(jì)用于移動(dòng)電子設(shè)備的PWB。在此類PWB中，電容器可能占用太多PWB，以致于不能為其它電子組件安裝在PWB上留下足夠的 空間。此外，已知嵌入式電容器可能表現(xiàn)較高的電感，這樣電容器在高頻(例如，高于40兆赫)處失效。另外，傳統(tǒng)的表面安裝電容器在表面安裝電容器和下面PWB以不同的速率膨脹時(shí)可遭受物理應(yīng)カ，反之，嵌入在PWB內(nèi)的電容器可能以與其安裝到的PWB基本相同的速率膨脹。

發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明概述以通過(guò)簡(jiǎn)化形式介紹在詳細(xì)描述中、于下文進(jìn)ー步描述的概念的選擇。此發(fā)明概述無(wú)意于識(shí)別要求保護(hù)的發(fā)明主題的關(guān)鍵特征或本質(zhì)特征，也無(wú)意于用來(lái)幫助確定要求保護(hù)的主題的范圍。在一方面中，提供定義了基本平面區(qū)域的印刷線路板(PWB)。PWB包括與平面區(qū)域基本平行朝向的多個(gè)第一導(dǎo)電盤，并且多個(gè)第一導(dǎo)電盤從第一垂直軸向第二垂直軸延伸。該第一垂直軸和第二垂直軸的朝向與平面區(qū)域基本垂直。PWB還包括與平面區(qū)域基本平行朝向的第二導(dǎo)電盤，并且第二導(dǎo)電盤從第二垂直軸向第一垂直軸延伸。第二導(dǎo)電盤在鄰近的第一導(dǎo)電盤的對(duì)之間延伸。PWB進(jìn)一步包括非導(dǎo)電材料，其在第二導(dǎo)電盤和第一導(dǎo)電盤之間延伸，并且多個(gè)第一導(dǎo)電通孔與第一垂直軸在同一直線上基本對(duì)準(zhǔn)，且接觸第一導(dǎo)電盤中的至少ー個(gè)。在另一方面中，提供定義了基本平面區(qū)域的印刷線路板(PWB)，并且其包括ー個(gè)安裝到平面區(qū)域的PWB嵌入式電容器。PWB嵌入式電容器占用平面區(qū)域的一部分，并且包括從第一垂直軸向第二垂直軸延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電盤。第一垂直軸和第二垂直軸在平面區(qū)域被占用部分內(nèi)與平面區(qū)域基本垂直朝向。PWB嵌入式電容器還包括從第二垂直軸向第一垂直軸延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電盤，并且與第一導(dǎo)電盤交錯(cuò)。PWB嵌入式電容器進(jìn)ー步包括布置在第ー導(dǎo)電盤和第二導(dǎo)電盤之間的非導(dǎo)電材料以及聯(lián)接第一導(dǎo)電盤的多個(gè)第一導(dǎo)電通孔。在又ー個(gè)方面中，提供ー種用于產(chǎn)生嵌入在印刷線路板(PWB)內(nèi)的電容器的方法。該方法包括在PWB內(nèi)創(chuàng)建多個(gè)第一基本交疊的導(dǎo)電盤。在PWB內(nèi)創(chuàng)建多個(gè)第二基本交疊的導(dǎo)電盤。第二導(dǎo)電盤與第一導(dǎo)電盤交錯(cuò)，并且和第一導(dǎo)電盤基本交疊。非導(dǎo)電材料被放置在第一導(dǎo)電盤和第二導(dǎo)電盤之間，以使得第一導(dǎo)電盤不接觸第二導(dǎo)電盤。第一導(dǎo)電盤與多個(gè)第一導(dǎo)電通孔電聯(lián)接。


本文描述的實(shí)施例可以參考結(jié)合附圖的以下描述更好地理解。圖I是示范嵌入式電容器的截面的簡(jiǎn)圖。圖2是圖示依據(jù)ー個(gè)實(shí)施例在PWB內(nèi)形成的多個(gè)層的簡(jiǎn)圖。圖3是用于創(chuàng)建嵌入在PWB內(nèi)的ー個(gè)或多個(gè)電容器的示范方法的流程圖。圖4是包括多個(gè)PWB嵌入式電容器的示范PWB的俯視圖。圖5是具有多個(gè)嵌入式電容器的備選PWB的截面的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式本文使用的印刷線路板(PWB)(還被稱為印刷電路板(PCB))是ー種包括一層或多層非導(dǎo)電材料層的結(jié)構(gòu)。電子組件(例如，集成電路(1C)、邏輯門、晶體管、和/或電容器)可被聯(lián)接(例如，通過(guò)焊接)到PWB的表面。這些電子組件可使用導(dǎo)體彼此電聯(lián)接，導(dǎo)體被稱為“走線(trace)”，放置在非導(dǎo)電材料上。ー些PWB包括非導(dǎo)電材料的多個(gè)層，以使得走線的多個(gè)層可通過(guò)在PWB的不同層上放置走線而被堆疊，同時(shí)非導(dǎo)電材料使不同層上的走線彼此隔離。另外，一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體(被稱為通孔)可在PWB的不同層之間延伸，以便將走線聯(lián)接到在不同層上的另ー走線和/或電子組件。本文描述的實(shí)施例提供嵌入在PWB內(nèi)的多盤電容器。兩組交錯(cuò)的(或備選為堆疊的)導(dǎo)電盤可在PWB內(nèi)的非導(dǎo)電材料層上創(chuàng)建。每組導(dǎo)電盤彼此之間可電聯(lián)接(例如，使用導(dǎo)電通孔)。因此，當(dāng)橫跨兩組導(dǎo)電盤施加電位差(即，電壓)時(shí)，非導(dǎo)電材料用作電介質(zhì)，并且電能可以靜電場(chǎng)的方式存儲(chǔ)在該電介質(zhì)中。本文描述的在PWB內(nèi)嵌入多盤電容器促進(jìn)減少熱膨脹在電容器的性能和/或使用期限上的影響。至少部分由于PWB內(nèi)的非導(dǎo)電材料的物理特性(比如，電容率)和/或由于包括多個(gè)導(dǎo)電通孔，提供如本文描述的嵌入式電容器可促進(jìn)減小電容器表現(xiàn)的電感，并且使得能夠在比通過(guò)傳統(tǒng)電容器可行的更高的轉(zhuǎn)換速率(即，頻率)上使用這種電容器。舉例來(lái)說(shuō)，多盤嵌入式電容器可在40兆赫以上有效。圖I是示范嵌入式電容器100的截面的簡(jiǎn)圖。在該示范實(shí)施例中，電容器100嵌入在PWB 105內(nèi)，PWB 105定義出平面區(qū)域110(在圖I中以水平面來(lái)指示的)。電容器100包括多個(gè)第一導(dǎo)電盤115和至少ー個(gè)第二導(dǎo)電盤120，它們和平面區(qū)域110基本平行對(duì)準(zhǔn)。更具體地，第一導(dǎo)電盤115從第一垂直軸125向第二垂直軸130延伸。姆個(gè)第二導(dǎo)電盤120從第二垂直軸130向第一垂直軸125延伸。第一垂直軸125和第二垂直軸130都與平面區(qū)域110基本垂直。每個(gè)第二導(dǎo)電盤120被放置在第一導(dǎo)電盤115的相應(yīng)的對(duì)之間。在示范實(shí)施例中，電容器100包括多個(gè)第二導(dǎo)電盤120,它們與第一導(dǎo)電盤115交錯(cuò)(例如,交替放置)。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100包括n個(gè)第一導(dǎo)電盤和n個(gè)第二導(dǎo)電盤120。在這個(gè)實(shí)施例中，n-1個(gè)第二導(dǎo)電盤120放置在第一導(dǎo)電盤115的每個(gè)相應(yīng)的對(duì)之間，并且單個(gè)第二導(dǎo)電盤120鄰近單個(gè)第一導(dǎo)電盤115放置。在另ー實(shí)施例中，電容器100包括n個(gè)第一導(dǎo)電盤115和n-1個(gè)第二導(dǎo)電盤120。在這個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)第二導(dǎo)電盤120放置在第一導(dǎo)電盤115的對(duì)之間。非導(dǎo)電材料135在第一導(dǎo)電盤115和第二導(dǎo)電盤120之間延伸。非導(dǎo)電材料135也可放置在第一導(dǎo)電盤115和第二垂直軸130之間，和/或在第二導(dǎo)電盤120和第一垂直軸125之間。因此，在每個(gè)實(shí)施例中，第一導(dǎo)電盤115并不是直接靠著和/或接觸第二導(dǎo)電盤120。在示范實(shí)施例中，非導(dǎo)電材料135是電介質(zhì)，比如FR-4，并且第一導(dǎo)電盤115和第ニ導(dǎo)電盤120由銅組成。備選地，第一導(dǎo)電盤115和第二導(dǎo)電盤120可由任何合適的導(dǎo)電材料組成。在該示范實(shí)施例中，電容器100還包括至少ー個(gè)第一導(dǎo)電通孔140和至少ー個(gè)第ニ導(dǎo)電通孔145，至少ー個(gè)第一導(dǎo)電通孔140和第一垂直軸125在同一直線上基本對(duì)準(zhǔn)并且接觸第一導(dǎo)電盤115，而至少ー個(gè)第二導(dǎo)電通孔145和第二垂直軸130在同一直線上基本對(duì)準(zhǔn)并且接觸第二導(dǎo)電盤120。第一導(dǎo)電盤115和/或第二導(dǎo)電盤120的數(shù)量、形狀、尺寸、和/或間隔可基于電 容器100的期望的電容級(jí)而變化地選擇。舉例來(lái)說(shuō)，増加第一導(dǎo)電盤115和/或第二導(dǎo)電盤120的數(shù)量和/或尺寸一般促進(jìn)增加電容器100的電容。在一些實(shí)施例中，電容器100包括4至40個(gè)第一導(dǎo)電盤115和四至四十個(gè)第二導(dǎo)電盤120。電容器100占用PWB 105的厚度或高度150的至少一部分。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電盤115和第二導(dǎo)電盤120被堆疊到近似PWB的厚度150。電容器100最外面的導(dǎo)電盤155可被非導(dǎo)電材料135覆蓋，以促進(jìn)減少意外電接觸電容器100的風(fēng)險(xiǎn)。在一些實(shí)施例中，電容器被創(chuàng)建成包括多層非導(dǎo)電材料135,其上放置有導(dǎo)電盤。圖2是顯示在PWB 105內(nèi)的示范多個(gè)層200的簡(jiǎn)圖。圖3是可用來(lái)創(chuàng)建嵌入到PWB 105內(nèi)的電容器100的示范方法300的流程圖。在該示范的實(shí)施例中，開始，確定305將安裝電容器100的、PWB的ー個(gè)或多個(gè)可用區(qū)域405 (如圖4中所示)，如下文更加詳細(xì)描述的。如果沒(méi)有PWB的部分分配用來(lái)安裝電子組件，則整個(gè)PWB可被認(rèn)為是可用的。另外，可取決于聯(lián)接到PWB 105的電子組件的位置和/或尺寸來(lái)選擇可用區(qū)域405。然后確定310包括在電容器100中的導(dǎo)電盤115，120的尺寸，數(shù)量，和/或間隔。舉例來(lái)說(shuō)，如果期望的電容已知，則可至少部分地基于期望的電容、電容器100將被安裝的PffB的可用區(qū)域、PWB 105內(nèi)的層數(shù)量、和/或PWB 105內(nèi)的非導(dǎo)電材料135的物理特性(例如，電容率)來(lái)確定310導(dǎo)電盤115、120的尺寸、數(shù)量、和/或間隔。在不范的實(shí)施例中，倉(cāng)Il建315第一非導(dǎo)電層205并且第一導(dǎo)電盤115橫跨第一非導(dǎo)電層205的至少一部分延伸320。例如，可通過(guò)橫跨第一非導(dǎo)電層205的一部分施加銅材料來(lái)創(chuàng)建320第一導(dǎo)電盤115。第一導(dǎo)電盤115從第一垂直軸125向第二垂直軸130延伸。可創(chuàng)建325第二非導(dǎo)電層210。舉例來(lái)說(shuō)，電介質(zhì)可被施加在第一導(dǎo)電盤115上方，以創(chuàng)建325第二非導(dǎo)電層210。在第二非導(dǎo)電層210上創(chuàng)建330第二導(dǎo)電盤120。在該示范的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電盤120從第二垂直軸130向第一垂直軸125延伸。第一導(dǎo)電盤115和第二導(dǎo)電盤120形成導(dǎo)電盤的對(duì)，可通過(guò)它們自己用作電容器。備選地，通過(guò)在第二導(dǎo)電盤120上方創(chuàng)建315另一導(dǎo)電層、創(chuàng)建320另一第一導(dǎo)電盤115、創(chuàng)建325另一非導(dǎo)電層、及創(chuàng)建330另一第二導(dǎo)電盤120,可堆疊多對(duì)導(dǎo)電盤。這些エ藝可被重復(fù)，以創(chuàng)建任何期望的導(dǎo)電盤數(shù)量?？蛇x地，第三非導(dǎo)電層215可被施加在頂端導(dǎo)電盤(例如，第二導(dǎo)電盤120)上方。這個(gè)實(shí)施例促進(jìn)隔離頂端導(dǎo)電盤的意外電接觸。在示范實(shí)施例中，第一導(dǎo)電盤115彼此電聯(lián)接335，并且第二導(dǎo)電盤120彼此電聯(lián)接340。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)基本沿著或鄰近第一垂直軸125延伸ー個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)電通孔140 (圖I和圖4中所示)，可電聯(lián)接335第一導(dǎo)電盤115，以使得第一導(dǎo)電通孔140物理接觸第一導(dǎo)電盤115。類似地，通過(guò)基本沿著或鄰近第二垂直軸130延伸第二導(dǎo)電通孔145(圖I和圖4中所示)，可電聯(lián)接340第二導(dǎo)電盤120。如下文更詳細(xì)描述的，一些實(shí)施例促進(jìn)在單個(gè)PWB 105中創(chuàng)建多個(gè)嵌入式電容器100。舉例來(lái)說(shuō)，多個(gè)嵌入式電容器100可被堆疊在PWB 105中。在一些實(shí)施例中，通過(guò)ー個(gè)或多個(gè)非導(dǎo)電層分離堆疊的嵌入式電容器100。這樣的分離可減少?gòu)末`個(gè)嵌入式電容器
100到另一個(gè)的電荷傳播。附加地或作為備選，多組第一導(dǎo)電盤115和第二導(dǎo)電盤120可在PWB 105的平面區(qū)域110的不同部分中創(chuàng)建。在這個(gè)實(shí)施例中，可在第一非導(dǎo)電層205上創(chuàng)建320姆個(gè)嵌入式電容器100的導(dǎo)電盤,然后創(chuàng)建325第二非導(dǎo)電層210。圖4是PWB 400的平面圖，包括多個(gè)PWB嵌入式電容器100。在該示范實(shí)施例中，PWB 400的一部分405被分配給電子組件410(例如，存儲(chǔ)器件、邏輯門、和/或集成電路(IC))?？芍辽俨糠值赝ㄟ^(guò)識(shí)別沒(méi)有被分配給電子組件410的、PWB 400的ー個(gè)或多個(gè)部分，來(lái)確定305 (如圖3所示)PWB 400中的可用區(qū)域。因此可用區(qū)域可表示PWB400的、沒(méi)有被使用的部分。每個(gè)嵌入式電容100占用PWB 400的平面區(qū)域的一部分并且安裝(例如，焊接)到PWB 400的表面。在示范實(shí)施例中，第一嵌入式電容器415的第一導(dǎo)電盤115 (如圖I中所示)通過(guò)第一導(dǎo)電通孔140彼此電聯(lián)接。第二導(dǎo)電盤120(如圖I中所示)通過(guò)第二導(dǎo)電通孔145彼此電聯(lián)接。通過(guò)多個(gè)通孔140、145聯(lián)接導(dǎo)電盤115、120促進(jìn)了減小嵌入式電容器100的電感，并且因此可以實(shí)現(xiàn)在比傳統(tǒng)電容器可操作的頻率更高的頻率處使用電容器 100。第一導(dǎo)電通孔140通過(guò)第一導(dǎo)體420電聯(lián)接到電子組件410，而第二導(dǎo)電通孔145通過(guò)第二導(dǎo)體425電聯(lián)接到電子組件410。在一個(gè)實(shí)施例中，第一導(dǎo)體420和第二導(dǎo)體425橫跨PWB 400的內(nèi)部非導(dǎo)電層的一部分或外表面的一部分延伸。這樣的走線可將任何數(shù)量的電子組件410和/或嵌入式電容器100彼此電聯(lián)接。在該示范的實(shí)施例中，第一嵌入式電容器415將通過(guò)第一導(dǎo)體420和/或第二導(dǎo)體425提供的電荷存儲(chǔ)為第一導(dǎo)電盤115和第二導(dǎo)電盤120之間的電場(chǎng)。第一嵌入式電容415可隨后通過(guò)第一導(dǎo)體420和/或第二導(dǎo)體425放出電荷。嵌入式電容器100可具有適合結(jié)合本文描述的方法來(lái)使用的任何形狀。舉例來(lái)說(shuō)，第一嵌入式電容器415是矩形的。第二嵌入式電容器435是L形的，使得第二嵌入式電容器435在分配給電子組件410的PWB的部分405以外的可用區(qū)域內(nèi)提供基本最大可能電容。創(chuàng)建嵌入式電容器100使用的材料與創(chuàng)建PWB 400使用的材料相似或相同。結(jié)果，嵌入式電容器100可呈現(xiàn)與PWB 400呈現(xiàn)的熱膨脹相似或相同的熱膨脹。因此，嵌入式電容器100促進(jìn)減小因PWB 400的操作溫度變化而施加到第一導(dǎo)體420和第二導(dǎo)體425的物
理應(yīng)力。
一些實(shí)施例促進(jìn)堆疊嵌入式電容器100。圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有多個(gè)嵌入式電容器100的備選的PWB 500的截面的簡(jiǎn)圖。PWB500具有頂面505和底面510，在它們之間定義了厚度150。第一嵌入式電容器515占用PWB 500內(nèi)的平面區(qū)域520，并從底面510延伸至PWB 500的厚度150的大約一半。第二嵌入式電容器525占用與由第一嵌入式電容器515占用的基本相同的平面區(qū)域520。第二嵌入式電容器525從頂面505延伸至PWB 500的厚度150的大約一半，但并不直接接觸第一嵌入式電容器515。舉例來(lái)說(shuō),一個(gè)或多個(gè)層的非導(dǎo)電材料可從第一嵌入式電容器515分離第二嵌入式電容器525。第一嵌入式電容器515可占用厚度150的任何部分，并且第二嵌入式電容器525可大約延伸至厚度150的剰余部分。在另ー個(gè)實(shí)施例中，第一嵌入式電容器515基本延伸穿過(guò)整個(gè)厚度150，從而基本占據(jù)整個(gè)PWB 500。第二電容器525被嵌入在和PWB500相似的第二 PWB (沒(méi)有示出)內(nèi)，第一電容器515的導(dǎo)電通孔電聯(lián)接到第二電容器525的導(dǎo)電通孔。舉例來(lái)說(shuō)，第二電容器 525可安裝到第一電容器515的頂面505,并且,第一電容器515的底面510可安裝到包括電子組件的PWB，比如PWB 400 (如圖4中所示)。本文提供的實(shí)施例促進(jìn)通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電通孔將ー個(gè)或多個(gè)多盤電容器嵌入在PWB內(nèi)。這種電容器可安裝到另ー個(gè)PWB，并且可選擇這種嵌入式電容器的屬性以達(dá)到期望的電容。進(jìn)ー步地，多個(gè)電容器(每個(gè)嵌入到PWB中)可堆疊并安裝到包括電子組件(例如，集成電路)的PWB，并且電子組件可電聯(lián)接到嵌入式電容器。因此，本文描述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了便宜和有效率地封裝電容器，其呈現(xiàn)與電容器安裝到的PWB相似的低電感和熱性質(zhì)。本文提供的實(shí)施例進(jìn)ー步促進(jìn)創(chuàng)建PWB嵌入式電容器，其形狀和尺寸基于將安裝電容器的、PffB內(nèi)的未分配區(qū)域。本文描述的方法和系統(tǒng)并不局限于本文描述的特定實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，每個(gè)系統(tǒng)的組件和/或每個(gè)方法的步驟可獨(dú)立于且分離于本文描述的其它組件和/或步驟地來(lái)使用和/或?qū)嵺`。另外，每個(gè)組件和/或步驟也可結(jié)合其它裝置和方法來(lái)使用和/或?qū)嵺`。盡管本發(fā)明以多種特定實(shí)施例的形式進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明可帶有修改地進(jìn)行實(shí)踐。部件列表100電容器105印刷線路板(PWB)110平面區(qū)域115第一導(dǎo)電盤120第二導(dǎo)電盤125第一垂直軸130第二垂直軸135非導(dǎo)電材料140第一導(dǎo)電通孔145第二導(dǎo)電通孔150厚度或高度155最外面導(dǎo)電盤
200 層205非導(dǎo)電層210非導(dǎo)電層215非導(dǎo)電層300創(chuàng)建嵌入在PWB內(nèi)的電容器的エ藝305確定電容器將被安裝到的、PWB的ー個(gè)或多個(gè)可用區(qū)域310如果期望的電容已知，確定導(dǎo)電盤的尺寸、數(shù)量、和/或間隔315創(chuàng)建第一非導(dǎo)電層
320創(chuàng)建第一導(dǎo)電盤325創(chuàng)建第二導(dǎo)電層330創(chuàng)建第二導(dǎo)電盤335第一導(dǎo)電盤彼此聯(lián)接340第二導(dǎo)電盤彼此聯(lián)接400印刷線路板(PWB)405 部分410電子組件415第一嵌入式電容器420 第一導(dǎo)體425 第二導(dǎo)體435第二嵌入式電容器500印刷線路板(PWB)505 頂面510 底面515第一嵌入式電容器520平面區(qū)域。
權(quán)利要求
1.一種定義了基本平面區(qū)域(Iio)的印刷線路板(PWB) (105)，所述PWB包括 多個(gè)第一導(dǎo)電盤(115)，其與所述平面區(qū)域基本平行朝向并從第一垂直軸(125)向第二垂直軸(130)延伸，其中所述第一垂直軸和所述第二垂直軸與所述平面區(qū)域基本垂直朝向； 第二導(dǎo)電盤(120)，其與所述平面區(qū)域基本平行朝向并從所述第二垂直軸向所述第一垂直軸延伸，其中所述第二導(dǎo)電盤在鄰近的所述第一導(dǎo)電盤的對(duì)之間延伸； 非導(dǎo)電材料(135)，其在所述第一導(dǎo)電盤和所述第二導(dǎo)電盤之間延伸；以及 多個(gè)第一導(dǎo)電通孔(140)，其與所述第一垂直軸在同一直線上基本對(duì)準(zhǔn)且與所述第一導(dǎo)電盤中的至少一個(gè)接觸。
2.如權(quán)利要求I所述的PWB(105)，進(jìn)一步包括多個(gè)第二導(dǎo)電通孔(145)，其與所述第二垂直軸(130)在同一直線上基本對(duì)準(zhǔn)且與所述第二導(dǎo)電盤(120)接觸。
3.如權(quán)利要求I所述的PWB(105)，其中，所述非導(dǎo)電材料(135)進(jìn)一步布置在所述第一導(dǎo)電盤(115)的每一個(gè)導(dǎo)電盤和所述第二垂直軸(130)之間，以及布置在所述第二導(dǎo)電盤(120)和所述第一垂直軸(125)之間。
4.如權(quán)利要求I所述的PWB(105)，進(jìn)一步包括與所述多個(gè)第一導(dǎo)電盤(115)交錯(cuò)的多個(gè)第二導(dǎo)電盤(120)。
5.如權(quán)利要求4所述的PWB(105)，其中，所述多個(gè)第一導(dǎo)電盤(115)包括4到40個(gè)第一導(dǎo)電盤，而所述多個(gè)第二導(dǎo)電盤(120)包括4到40個(gè)第二導(dǎo)電盤。
6.如權(quán)利要求I所述的PWB(105)，其中，所述第一導(dǎo)電盤(115)通過(guò)第一導(dǎo)體(420)電聯(lián)接到電子組件(410)，所述第二導(dǎo)電盤(120)通過(guò)第二導(dǎo)體(425)電聯(lián)接到所述電子組件，并且所述第一導(dǎo)電盤和所述第二導(dǎo)電盤配置成存儲(chǔ)由所述第一導(dǎo)體提供的電荷。
7.如權(quán)利要求I所述的PWB(105)，其中，所述多個(gè)第一導(dǎo)電盤(115)和所述多個(gè)第二導(dǎo)電盤(120)堆疊到與所述PWB的厚度基本相等的高度(150)。
8.一種定義了基本平面區(qū)域(110)的印刷線路板(PWB) (105)，并且所述PWB包括安裝到所述平面區(qū)域的PWB嵌入式電容器(415、435)，其中所述PWB嵌入式電容器占據(jù)所述平面區(qū)域的一部分(405)并包括 多個(gè)第一導(dǎo)電盤(115),其從第一垂直軸(125)向第二垂直軸(130)延伸,其中所述第一垂直軸和所述第二垂直軸在所述平面區(qū)域的所占據(jù)的部分內(nèi)與所述平面區(qū)域基本垂直朝向； 多個(gè)第二導(dǎo)電盤(120),其從所述第二垂直軸(130)向所述第一垂直軸延伸，并與所述第一導(dǎo)電盤交錯(cuò)； 非導(dǎo)電材料(135)，其布置在所述第一導(dǎo)電盤和所述第二導(dǎo)電盤之間；以及 多個(gè)第一導(dǎo)電通孔(140)，其聯(lián)接所述第一導(dǎo)電盤。
9.如權(quán)利要求8所述的PWB(105)，進(jìn)一步包括多個(gè)第二導(dǎo)電通孔(145)，其聯(lián)接所述第二導(dǎo)電盤(120)。
10.如權(quán)利要求8所述的PWB(105)，其中，所述PWB嵌入式電容器是第一 PWB嵌入式電容器(415)，所述PWB進(jìn)一步包括在堆疊朝向中安裝至所述第一 PWB嵌入式電容器的第二PWB嵌入式電容器(435)。
全文摘要
本發(fā)明名稱為“多盤板嵌入式電容器及其制造方法”。提供了定義基本平面區(qū)域(110)的印刷線路板(PWB)(105)。該P(yáng)WB包括與平面區(qū)域基本平行朝向并從第一垂直軸(125)向第二垂直軸(130)延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電盤(115)，其中第一垂直軸和第二垂直軸與平面區(qū)域基本垂直朝向；與平面區(qū)域基本平行朝向并從第二垂直軸向第一垂直軸延伸的第二導(dǎo)電盤(120)，其中第二導(dǎo)電盤在鄰近的第一導(dǎo)電盤的對(duì)之間延伸；在第二導(dǎo)電盤和第一導(dǎo)電盤之間延伸非導(dǎo)電材料(135)；以及與第一垂直軸在同一直線上基本對(duì)準(zhǔn)并與第一導(dǎo)電盤中的至少一個(gè)接觸的多個(gè)第一導(dǎo)電通孔(140)。
文檔編號(hào)H05K1/18GK102711374SQ20121015436
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者D·Z·阿巴維 申請(qǐng)人:通用電氣公司