1.一種用于制造硅外延片的單片式外延爐的外延生長單元，其特征在于，其主體從上到下依次設(shè)有冷卻腔（26），CVD反應(yīng)腔（28），密封柄（29）；左右分別設(shè)有生長氣進氣口法蘭（25），生長氣出氣口法蘭（27）；前后分別設(shè)有壓縮空氣進氣口（30），壓縮空氣出氣口（31）。
2.如權(quán)利要求書1所述的外延生長單元，其特征在于，所述的CVD反應(yīng)腔（28）的長度l1為350-450mm、寬度l3為240-340mm、高度h1為40-50mm，冷卻腔（26）的長度l4為300-420mm、寬度l2為320-420mm、高度h2為20-40mm，外延生長單元（15）的材料為高純石英。
3.一種采用如權(quán)利要求1所述的外延生長單元的用于制造硅外延片的單片式外延爐，其特征在于，從左到右依次設(shè)有：爐門（3）、硅片盒升降電機（1）、機械手（5）、外延生長氣導(dǎo)入組件（6）、外延生長單元（15）、外延生長廢氣收集組件（18）、外延生長廢氣排氣管（12）、外延生長氣體閥組（13）；在硅片盒升降電機（1）的上方放置硅片盒（2）；在機械手（5）的下方設(shè)有機械手電機（4）；在外延生長單元（15）的上方從上到下依次設(shè)有排風(fēng)管（8）、風(fēng)機（9）、風(fēng)管（10）、輻射高溫計（11）、鹵鎢燈組加熱器（14）；在外延生長單元（15）的下方從上到下依次設(shè)有基座旋轉(zhuǎn)軸（22）、高頻感應(yīng)線圈（19）、冷卻水槽（24）、基座旋轉(zhuǎn)電機（23）；在外延生長單元（15）內(nèi)從左到右依次設(shè)有前導(dǎo)流板（7）、石墨基座（17）、后導(dǎo)流板（33）、外延基座（17）的硅片槽（32）放置硅片（16）。
4.如權(quán)利要求書1所述的單片式外延爐，其特征在于，所述的高頻感應(yīng)線圈（19），形狀為螺旋形，直徑d1為220-320mm。
5.如權(quán)利要求書1所述的單片式外延爐，其特征在于，所述的鹵鎢燈組加熱器（14），直徑d2為280-380mm，燈泡為鹵鎢燈泡（44），每個燈泡的功率為1500-2500kw，燈泡數(shù)量為20-30只。