技術(shù)編號：12416673
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于制造硅外延片的單片式外延爐的外延生長單元及應(yīng)用。背景技術(shù)制造硅器件時為了降低硅器件的正向壓降或?qū)娮柰ǔＪ褂霉柰庋悠婀钂伖馄?。硅外延片通常是通過化學(xué)氣相沉積（CVD）在直拉（CZ）硅拋光片的表面生長一層一定厚度和電阻率的硅單晶層的方法得到的。常用的硅外延生長氣體包括氫氣、三氯氫硅（SiHCl3）、摻雜氣體（包括磷烷、硼烷等），反應(yīng)方程式為：SiHCl3+H2=Si+3HCl，由于硅外延片制造過程中反應(yīng)生成的硅既在硅片的拋光表面沉積（變成單晶硅），也在外延爐的石英CVD反應(yīng)...
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