技術(shù)特征：

1.一種晶體，具有如下所示的分子式：RECuTe₂，其中，RE為稀土元素Ho或Er。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體，其特征在于，所述晶體材料的晶體結(jié)構(gòu)屬于三方晶系，空間群為

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體，其特征在于，晶胞參數(shù)為α＝β＝90，γ＝120°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體，其特征在于，所述晶體為HoCuTe₂或ErCuTe₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體，其特征在于，晶胞參數(shù)為α＝β＝90，γ＝120°，或?yàn)?img id="icf0006" file="FDA0001213028890000016.GIF" wi="566" he="71" img-content="drawing" img-format="GIF" orientation="portrait" inline="no" />α＝β＝90，γ＝120°。

6.一種權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述晶體的制備方法，包括：將含有稀土元素RE、銅元素和碲元素的原料，置于真空條件下，通過(guò)高溫固相法制備得到所述晶體；

優(yōu)選地，所述原料中稀土元素RE、銅元素和碲元素的摩爾比為RE:Cu:Te＝1:1:2；

優(yōu)選的，將含有稀土元素、銅元素和碲元素的原料混合后置于鍍碳膜的石英坩堝中；

優(yōu)選的，稀土元素RE來(lái)自稀土單質(zhì)，銅元素來(lái)自銅單質(zhì)，碲元素來(lái)自碲單質(zhì)。

優(yōu)選的，所述高溫固相法是將原料混合物在高溫下反應(yīng)一定時(shí)間，所述反應(yīng)溫度為800～1300℃；

進(jìn)一步優(yōu)選的，反應(yīng)溫度為900～1100℃，更優(yōu)選950～1050℃。

所述反應(yīng)時(shí)間大于等于50小時(shí)，優(yōu)選大于等于100小時(shí)；例如優(yōu)選為100～150小時(shí)。

7.權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的晶體用于熱電材料的用途。

8.一種熱電材料，其含有權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的晶體。

優(yōu)選地，所述熱電材料由權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的晶體組成。

9.一類(lèi)致密狀的熱電材料，其是由權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的晶體經(jīng)熱壓燒結(jié)得到，

優(yōu)選的，所述熱壓燒結(jié)的壓力為50～150MPa，更優(yōu)選為60～110MPa。所述熱壓燒結(jié)的溫度優(yōu)選為600～800℃，更優(yōu)選為650～750℃。所述熱壓燒結(jié)時(shí)間優(yōu)選大于30分鐘，更優(yōu)選為60～120分鐘，進(jìn)一步優(yōu)選為60～90分鐘。

10.一類(lèi)熱電轉(zhuǎn)換器，包括權(quán)利要求8所述的熱電材料，或者權(quán)利要求9所述的致密狀的熱電材料。