技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于新材料加工技術(shù)領(lǐng)域，發(fā)明人提供了一種全新的高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法，該方法采用正常獲得的碳化硅單晶進(jìn)行粗加工，切割得到厚度為3?8mm的晶棒，或加工為厚度為300?800μm的碳化硅晶片之后對(duì)上述晶棒或晶片進(jìn)行高溫快速退火從而獲得高純半絕緣碳化硅襯底，該方法避免了在碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中進(jìn)行熱場(chǎng)調(diào)節(jié)，而是直接對(duì)加工好的高質(zhì)量碳化硅單晶進(jìn)行二次高溫快速退火加工，從而在晶片中引入本征點(diǎn)缺陷來實(shí)現(xiàn)碳化硅單晶的半絕緣特性，獲得的半絕緣碳化硅襯底品質(zhì)好且加工方法簡(jiǎn)單，效率較之現(xiàn)有技術(shù)更高。

技術(shù)研發(fā)人員：高超;宗艷民;李長(zhǎng)進(jìn);李加林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東天岳晶體材料有限公司
文檔號(hào)碼：201710019521
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.10
技術(shù)公布日：2017.05.31