技術(shù)編號：12416735
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于新材料晶體加工領(lǐng)域，具體涉及一種高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)單晶具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿場強(qiáng)和高飽和電子漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，因而成為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一。其中，半絕緣SiC單晶襯底在高頻下能夠有效降低器件的介質(zhì)損耗并減少寄生效應(yīng)，因此是高頻、微波器件的優(yōu)選材料。然而，通常的物理氣相輸運(yùn)(PVT)法生長碳化硅單晶過程中，由于原料、保溫材料及生長設(shè)備中含有較高含量的電活性雜質(zhì)(如氮、硼、鋁等)，使生長出的碳化硅單晶中含有較高濃度的載流子并呈導(dǎo)電特性。為...
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