1.一種高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法，其特征在于：具體步驟如下：
(1)原材料準備：
將生長出的合格碳化硅單晶進行粗加工，切割得到厚度為3-8mm的晶棒
或?qū)⑸L出的碳化硅單晶進行加工切片，得到厚度為300-800μm的碳化硅晶片；
(2)將上述規(guī)格的晶棒或晶片放入高溫快速退火爐腔室中，設置退火溫度為2000-2500℃，退火時間為300-600s，通入惰性氣體作為保護氣氛；
(3)將退火結束的晶棒快速拉出退火腔室并在保護氣氛中快速冷卻，降溫速率不低于100-150℃/s。
2.根據(jù)權利要求1所述的高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法，其特征在于：步驟(2)中采用通入惰性氣體作為保護氣氛。
3.根據(jù)權利要求1所述的高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法，其特征在于：步驟(3)中快速冷卻采用快速減小退火爐功率+水冷風冷來實現(xiàn)，或?qū)⑼嘶鸷蟮奶蓟杈蚓О粲纱怪钡母邷貭t膛直接通過通道浸入下面放置的甲基硅油中冷卻來實現(xiàn)。